TW201727733A - 基板處理裝置 - Google Patents

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TW201727733A
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枝光建治
藤谷佳禮
岸田拓也
松村剛至
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斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置係將自噴出管7朝向供給位置SP所供給之處理液的液流,藉由液流分散構件8而主要地被分散為朝向處理槽1之中央之底面側的液流、與朝向處理槽1之中央之往斜上方的液流之兩個液流。因此,由於可使較強之液流分散為在處理槽1之中央部上升之處理液的液流、與自斜下方和該液流合流之液流,所以該液流會在基板W面之中央部成為相對較廣之寬度而上升。其結果,由於在基板W面附近之處理液之液流的差異被緩和,因此可提升處理之面內均勻性。

Description

基板處理裝置
本發明係關於藉由處理液對半導體晶圓、液晶顯示器用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(ElectroLuminescence;電致發光)用基板、FED(Field Emission Display;場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、太陽能電池用基板(以下,簡稱為基板)進行處理之基板處理裝置。
習知,作為此種裝置,存在有具備處理槽、噴出管之基板處理裝置。處理槽貯存處理液,收容基板並藉由處理液進行處理。噴出管對處理槽供給處理液。噴出管係配置於處理槽之底部且在基板之左右兩側。一對噴出管分別朝向處理槽之中央部供給處理液。所供給之處理液在處理槽之底部中央附近形成上升流,並朝向上方流動。自噴出管所供給之處理液之液流中,基板面附近之液流在自左右所供給之處理液上升之基板面上中央部的狹窄範圍變得最快,而與液流較慢之部位容易產生較大的差異。若在如此之基板面附近之處理液的液流產生較大的差異,由於在液流較強(較快)之部分,處理進展較快,因此處理之面內均勻性會惡化。
因此,提出有一種裝置,其配置複數對之噴出管,依序對供給處理液之噴出管進行切換,以使所供給之處理液的液流之差異緩和(例如參照專利文獻1、2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-288442號公報
[專利文獻2]日本專利特開平11-150091號公報
然而,於具有該種構成之習知例之情形時,存在有如下問題。亦即,習知之裝置由於具備有複數對噴出管,而需要對供給處理液之噴出管進行切換,因此存在有構成複雜化並且控制會變得繁雜之問題。
本發明係鑑於上述情形而完成者,其目的在於提供一種基板處理裝置,其可以簡單之構成來抑制處理液之液流的差異,以提升處理之面內均勻性。
本發明為了達成上述目的,而採用如下之構成。亦即,本發明係一種藉由處理液對基板進行既定之處理之基板處理裝置,其特徵在於具備有:處理槽,其貯存處理液,收容基板並對基板進行處理;一對噴出管,其係配置於上述處理槽之底部側且在所收容之基板的左右方向,朝向較上述處理槽之底面中央更近前之供給位置並供給處理液;及液流分散構件,其與上述處理槽之底面之間隔開間隙地被配置於上述一對噴出管之各者與對應於上述一對噴出管之上述供給位置之間。
根據本發明可發揮如下之作用、功效:自噴出管所供 給之處理液係藉由液流分散構件,被分為沿著處理槽之底面的液流、與朝向處理槽中央之往斜上方的液流。因此,由於可使較強之液流分散為在中央部上升之液流、與自斜下方合流於該液流之液流,所以該液流會在基板面之中央部成為較廣之寬度而上升。其結果,由於可緩和基板面附近之處理液之液流的差異,因此可提升處理之面內均勻性。
又,在本發明中,較佳為上述液流分散構件之基板面方向上之縱剖面呈圓形形狀。
可使自噴出管所供給之處理液圓滑地朝兩方向分散。
又,在本發明中,較佳為上述液流分散構件之基板面方向上之縱剖面呈三角形形狀,且一個頂點被朝向上述噴出管側。
可使自噴出管所供給之處理液朝兩方向分散,並且可藉由三角形之邊的角度而容易地控制液流之方向。
又,在本發明中,較佳為具備有保持立起姿勢之基板之下緣中央部之中央部保持部、及保持基板之左右側之下緣之一對側部保持部,且具備有:可遍及作為上述處理槽之上方的待機位置與作為上述處理裝置之內部的處理位置進行移動之升降機,上述液流分散構件朝在上述升降機上基板所排列之方向具有長軸。
由於液流分散構件朝由升降機所保持之基板的排列方向具有長軸,因此可提升所有之基板面之處理的面內均勻性。
又,在本發明中,較佳為上述液流分散構件係配置於上述供給位置與上述升降機之側部保持部之間。
若在較供給位置更遠之位置配置液流分散構件,由於處理液在供給位置就已分散成某種程度,因此擴展液流寬度的效果 會變低。另一方面,若在較升降機之側部保持部更靠近噴出管之位置配置液流分散構件,由於處理液會被液流分散構件與升降機之側部保持部所遮斷,因此處理液之液流會變得非常差。因此,藉由在供給位置與升降機之側部保持部之間配置液流分散構件,可適當地使處理液之液流分散。
又,在本發明中,較佳為上述液流分散構件係藉由被配置於基板所排列方向之兩端部的安裝機構而被配置於上述處理槽之底面,上述安裝機構具備有:端部構件,其由氟樹脂所構成,被安裝於上述噴出管之外周面之一部位,且具備有朝上述處理槽之中央部側突出之連結部;支撐構件,其係配置於上述端部構件之間而支撐上述液流分散構件,且具備有朝向上述噴出管側突出之連結部;及連結管,其係在使上述端部構件之連結部與上述支撐構件之連結部分開而對向之狀態下被插通,連結上述端部構件與上述支撐構件。
液流分散構件係藉由安裝機構而被安裝於處理槽,該安裝機構係由支撐構件所支撐,並藉由端部構件與連結管連結支撐構件所構成。若處理液為高溫,則氟樹脂製之安裝機構雖會膨脹,但由於連結管係在使端部構件之連結部與支撐構件之連結部分開而對向之狀態下被插通,因此可吸收該膨脹量。因此,可穩定地將支撐構件安裝於處理槽,同時可防止處理槽因安裝機構之膨脹而破損之情形。
又,在本發明中,較佳為上述液流分散構件係相對於上述處理槽可裝卸自如地被安裝。
藉由將液流分散構件設為相對於處理槽裝卸自如,可 容易地進行液流分散構件之更換或清掃等之維護。
根據本發明之基板處理裝置,自噴出管所供給之處理液,係藉由液流分散構件而被分為沿著處理槽底面的液流,與朝向處理槽中央之往斜上方的液流。因此,由於可使較強之液流分散為在中央部上升之液流、與自斜下方合流於該液流之液流,所以該液流係於基板面之中央部成為較廣之寬度而上升。其結果,因為可緩和基板面附近之處理液之液流的差異,因此可提升處理之面內均勻性。
1‧‧‧處理槽
3‧‧‧溢流槽
5‧‧‧升降機
7‧‧‧噴出管
8、8A、8B‧‧‧液流分散構件
9‧‧‧循環配管
11‧‧‧泵
13‧‧‧循環管路用加熱器
15‧‧‧過濾器
17‧‧‧供給管
19‧‧‧處理液供給源
21‧‧‧開閉閥
23‧‧‧背板
25‧‧‧中央部保持部
27‧‧‧側部保持部
29‧‧‧控制部
31‧‧‧安裝機構
33‧‧‧端部構件
35‧‧‧支撐構件
37‧‧‧連結管
39‧‧‧嵌合部
41、43‧‧‧連結部
GP‧‧‧間隙
HVR‧‧‧流速快之區域
LVR‧‧‧流速慢之區域
SP‧‧‧供給位置
TL‧‧‧處理液之液流
TL1‧‧‧處理液之底面側之液流
TL2‧‧‧處理液之朝斜上方之液流
W‧‧‧基板
WD‧‧‧上升流之寬度
圖1係顯示實施例之基板處理裝置之概略構成之方塊圖。
圖2係顯示液流分散構件之圖。
圖3係安裝機構之俯視圖。
圖4係將安裝機構之正面之一部分放大之圖。
圖5係顯示不具有液流分散構件之情形時之液流之示意圖。
圖6係顯示將液流分散構件配置於距中心50mm之情形時之液流之示意圖。
圖7係顯示將液流分散構件配置於距中心60mm之情形時之液流之示意圖。
圖8係顯示將液流分散構件配置於距中心70mm之情形時之液流之示意圖。
圖9係顯示將液流分散構件配置於距中心80mm之情形時之液流之示意圖。
圖10係顯示將液流分散構件配置於距中心90mm之情形時之液流之示意圖。
圖11係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm之情形時之液流之示意圖。
圖12係顯示將液流分散構件配置於距中心110mm之情形時之液流之示意圖。
圖13係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm,且將與底面之間隙設為2.5mm之情形時之液流之示意圖。
圖14係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm,且將液流分散構件之直徑設為30mm之情形時之液流之示意圖。
圖15係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm,且將液流分散構件之直徑設為26mm之情形時之液流之示意圖。
圖16係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm,且將液流分散構件之直徑設為18mm之情形時之液流之示意圖。
圖17係顯示液流分散構件之第1變形例之圖。
圖18係顯示液流分散構件之第2變形例之圖。
以下,參照圖式對本發明一實施例進行說明。圖1係顯示實施例之基板處理裝置之概略構成之方塊圖。
本實施例之基板處理裝置係可藉由處理液總括性地對複數片基板W進行處理之批次式裝置,其具備有處理槽1、溢流槽3、及升降機5。
處理槽1貯存處理液,以平行地排列之狀態收容複數片基板W並同時地對複數片基板W進行處理。處理槽1在基板排 列方向上之截面(圖1),呈底部中央成為低谷之形狀,並具備有供給處理液之一對噴出管7。一對噴出管7係配置於處理槽1之底部側且基板W之排列之左右方向的側面部。一對噴出管7朝向位於較處理槽1之中央部靠近噴出管7側之近前之供給位置SP而分別地供給處理液。詳細內容將於後述,但於供給位置SP與各噴出管7之間且處理槽1之底面,配置有一對液流分散構件8。
於處理槽1之上緣之周圍,配置有溢流槽3。溢流槽3回收越過處理槽1之上緣而溢出之處理液。溢流槽3係藉由處理槽1之一對噴出管7與循環配管9被連通連接。循環配管9自溢流槽3側朝向處理槽1側,具備有泵11、循環管路用加熱器(inline heater)13、及過濾器15。泵11將貯存於溢流槽3之處理液吸入循環配管9,並將處理液朝向噴出管7側加壓傳送。循環管路用加熱器13將流通於循環配管9之處理液調溫至處理溫度。例如,在處理液包含對被覆於基板W之氮化膜(SiN)進行蝕刻之磷酸之情形時,處理溫度例如約為160℃。過濾器15將流通於循環配管9之處理液所包含之微粒過濾而加以去除。
供給管17係沿著處理槽1之內壁延伸,且一端側之開口部朝向處理槽1之底面被配置。供給管17其另一端側係連通連接於處理液供給源19。於供給管17設置有開閉閥21。開閉閥21對自處理液供給源19朝向供給管17之處理液之流通進行控制。處理液供給源19貯存處理液,並藉由使開閉閥21開放而將常溫之處理液朝向供給管17進行供給。
升降機5遍及相當於處理槽1內部之「處理位置」(圖1所示之位置)與相當於處理槽1上方之「待機位置」(未圖示)之間 進行升降移動。升降機5具有背板23、中央部保持部25、及一對側部保持部27。背板23係沿著處理槽1之內壁之板狀的構件。中央部保持部25與一對側部保持部27係朝水平方向(進出紙面之方向)延伸地被設置於背板23之下部,而以平行地排列之狀態保持複數片基板W。中央部保持部25抵接立起姿勢之基板W之下緣中央部而加以保持。一對側部保持部27抵接立起姿勢之基板W之左右側之下緣而加以保持。
控制部29內置有未圖示之CPU(中央處理單元)與記憶體。控制部29統括地升降機5之升降動作、泵11之開啟關閉動作、循環管路用加熱器13之調溫動作、開閉閥21之開閉動作等進行控制。
此處,參照圖2~圖4,對液流分散構件8詳細地進行說明。再者,圖2係顯示液流分散構件之圖,圖3係安裝機構之俯視圖,圖4係將安裝機構之正面之一部分放大之圖。
液流分散構件8係由基板W之面方向之縱剖面呈圓形形狀之圓柱所構成,且長軸朝向進出紙面之方向(基板W被排列之排列方向)被配置。液流分散構件8係配置於來自噴出管7之處理液之供給位置SP與側部保持部27之間。又,液流分散構件8係於側視時,隔開間隙GP地被配置於處理槽1之底面與液流分散構件8之下表面之間。液流分散構件8例如為石英製,且如圖3及圖4所示般,藉由安裝機構31被安裝於處理槽1之底部。
再者,前述之間隙GP之適當值,會因例如處理槽1之大小、液流分散構件8之直徑或構造、液流分散構件8被配置之位置等而不同。此處,例如於液流分散構件8之直徑為22mm、處 理槽1之寬度為約300mm、液流分散構件8之配置位置為距處理槽1之中心50~100mm之情形時,間隙GP較佳為約1.5mm左右。
安裝機構31係由氟樹脂所構成,具備有端部構件33、支撐構件35、及連結管37。端部構件33具備有被嵌合於噴出管7之兩端部中之外周面之一部位的嵌合部39。由於噴出管7係配置於處理槽1之底部側且基板W之排列之左右方向之側面部,因此端部構件33係安裝於處理槽1中基板W之排列方向左右側之側面之底部且基板W排列方向之兩端側而配置。又,在圖1、圖4之剖視時,端部構件33形成有朝處理槽1之底面之中央部側(谷側)突出之連結部41。支撐構件35係呈沿著處理槽1之底面形狀之形狀,而在基板W排列方向之兩端側底部被配置於基板W排列方向之左右之端部構件33之間,而將兩根液流分散構件8固定在側面而加以支撐。又,支撐構件35形成有朝向噴出管7側突出之連結部43。端部構件33與支撐構件35係在使各自之連結部41、43分開而對向之狀態下,藉由將連結管37插通於連結部41、43而被相互地連結。連結管37係由即便為氟樹脂亦具有柔軟性之材料,例如PFA(四氟乙烯.全氟烷氧基乙烯基醚共聚物;perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)所製作,而端部構件33與支撐構件35係由硬質之材料,例如PTFE(聚四氟乙烯;polytetra-fluoro ethylene)所製作。藉由該等構造,液流分散構件8係相對於處理槽1可容易地裝卸自如地被安裝,而可容易地進行液流分散構件8之更換或清掃等之維護。
若處理液為高溫,則氟樹脂製之安裝機構31雖會膨脹,但由於連結管37係在使端部構件33之連結部41與支撐構件 35之連結部43分開而對向之狀態下被插通,因此可吸收因各部分之熱膨脹所導致之尺寸變動量。所以,可穩定地將支撐構件35安裝於處理槽1,同時可防止處理槽1因安裝機構31之膨脹而破損之情形。
如圖2所示,根據本實施例,自噴出管7朝向供給位置SP所供給之處理液之液流TL,係藉由液流分散構件8而主要地被分散為朝向處理槽1之中央之底面側的液流TL1、及朝向處理槽1之中央之往斜上方的液流TL2(換言之,自斜下方合流於液流TL1之液流TL2)等兩者。因此,由於可使較強之液流分散為在處理槽1之中央部上升之處理液的液流TL1、與自斜下方合流於該液流TL1之液流TL2,所以該液流TL1與TL2在基板W面之中央部上成為較廣之寬度而上升。其結果,因為可緩和基板W面附近之處理液之液流的差異緩和,因此可提升處理之面內均勻性。
其次,參照圖5~圖16之模擬結果,對前述之液流分散構件8之功效進行說明。
再者,圖5係顯示不具有液流分散構件之情形時之液流之示意圖。又,圖6係顯示將液流分散構件配置於距中心50mm之情形時之液流之示意圖,圖7係顯示將液流分散構件配置於距中心60mm之情形時之液流之示意圖,圖8係顯示將液流分散構件配置於距中心70mm之情形時之液流之示意圖,圖9係顯示將液流分散構件配置於距中心80mm之情形時之液流之示意圖,圖10係顯示將液流分散構件配置於距中心90mm之情形時之液流之示意圖,圖11係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm之情形時之液流之示意圖,圖12係顯示將液流分散構件配置於距中心110mm之情 形時之液流之示意圖,圖13係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm,且將與底面之間隙設為2.5mm之情形時之液流之示意圖,圖14係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm,且將液流分散構件之直徑設為30mm之情形時之液流之示意圖,圖15係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm,且將液流分散構件之直徑設為26mm之情形時之液流之示意圖,圖16係顯示將液流分散構件配置於距中心100mm,且將液流分散構件之直徑設為18mm之情形時之液流之示意圖。該等之模擬之來自噴出管7之處理液之流量係設為每分鐘40公升,而供給位置SP係設為距中心45mm附近。
圖5係不具備液流分散構件8之處理槽1,此處係作為基準(習知例)者。由該圖5可明確得知,自噴出管7所供給之處理液係呈縱線狀地產生在處理槽1中央上升之流速較快之區域HVR、及自該區域HVR朝側向離開之流速較慢之區域LVR。亦即,基板W面附近之液流,流速係在自左右所供給之處理液上升之基板W面之中央部的狹窄範圍內變得最快,而與流速較慢處產生較大的差異。再者,圖中之符號WD係顯示在基板W面之中央部之流速較快之上升流的寬度,於該情形時,可知為相對較狹窄之上升流的寬度WD。
圖6係顯示設為液流分散構件8之直徑:22mm、設置位置:距中心50mm、間隙GP:1.5mm之情形,圖7係顯示僅將其中之設置位置設為距中心60mm者,圖8係顯示僅將其中之設置位置設為距中心70mm者,圖9係顯示僅將其中之設置位置設為距中心80mm者,圖10係顯示僅將其中之設置位置設為距中心90mm者,圖11係顯示僅將其中之設置位置設為距中心100mm者,而圖 12係顯示僅將其中之設置位置設為距中心110mm者。
自前述之例中,可判斷圖6至圖12之情形係相較於圖5,上升流之寬度WD較廣而具有優勢者。然而,圖12朝向基板W上方通過之上升流較弱,就此面向可判斷為不適合。再者,雖省略圖示,但若使設置位置較距中心45mm更接近中心側,上升流之寬度WD便與圖5不存在差異,而不被認定為具有優勢。根據該等結果可知,液流分散構件8之設置位置,較佳在供給位置SP與側部保持部27之間。
若在較供給位置SP更靠處理槽1之中心側而較噴出管7更遠之位置配置液流分散構件8,則由於在供給位置SP,處理液就已分散為某種程度,因此使上升流之寬度WD擴散之效果會變低。另一方面,若在包含側部保持部27之位置之靠近噴出管7之位置配置液流分散構件8,由於處理液會被液流分散構件8與側部保持部27所遮斷,因此處理液之液流會變得非常差。
圖13係顯示設為液流分散構件8之直徑:22mm、設置位置:距中心100mm、間隙GP:2.5mm之情形。相較於圖11之情形,間隙GP不同。
由於液流分散構件8若密貼於處理槽1之底面,沿著底面之液流會被阻斷,因此可得知並不適當。然而,若根據圖11和圖13之比較,可知若間隙GP過大,沿著處理槽1之底面之液流便會維持在較強之狀態,因此可知不大能將上升流之寬度WD擴展。因此,可知距處理槽1之底面之間隙GP亦為重要之參數。
圖14係顯示設為液流分散構件8之直徑:30mm、設置位置:距中心100mm、間隙GP:1.5mm之情形,圖15係顯示僅 將其中之液流分散構件8之直徑設為26mm者,圖16係顯示僅將其中之液流分散構件8之直徑設為18mm者。該等相較於圖11之情形,液流分散構件8之直徑不同。
若將圖11與圖14至圖16,進行比較可知液流分散構件8之大小亦為重要之參數。亦即,由於朝向斜上方之液流會根據與側部保持部27之關係,而大幅地變化,因此會對上升流之寬度WD造成影響。
本發明並不限定於上述實施形態,可如下述般變形實施。
(1)在前述之實施例中,雖以縱剖面形狀為圓形形狀之圓柱之情形為例對液流分散構件8進行說明,但本發明之液流分散構件8並不限於該種形狀。
例如,亦可為如圖17及圖18般之液流分散構件8。再者,圖17係顯示液流分散構件之第1變形例之圖,圖18係顯示液流分散構件之第2變形例之圖。
液流分散構件8A係如圖17所示,縱剖面呈三角形狀。液流分散構件8A中之一個頂點,係朝向噴出管7。即便為如此之液流分散構件8A,亦能使自噴出管7所供給之處理液朝向兩個方向分散,並且可藉由三角形之邊的角度而容易地控制液流之方向。
液流分散構件8B係如圖18所示,縱剖面呈L字狀。液流分散構件8B之頂部係朝向噴出管7。即便為如此之液流分散構件8B,亦能發揮與上述相同之效果。
(2)在前述之實施例中,雖然液流分散構件8由前述 之構成之安裝機構31所安裝,但本發明並不限定於如此之藉由安裝機構31來安裝液流分散構件8者。例如,亦可構成為將液流分散構件8直接安裝於處理槽1之內壁。
(3)在前述之實施例中,雖然以將作為處理液而包含磷酸者作為一例來進行說明,但本發明並不限定於處理液為包含磷酸者。處理液亦可為例如硫酸.過氧化氫水之混合液等。
(4)在前述之實施例中,處理槽1之周圍雖具備有溢流槽3,但本發明並不限定於如此之形態。亦可為例如具備有包圍處理槽1之腔室,而將自處理槽1溢出之處理液在腔室之底部進行回收之構成。
(5)在前述之實施例中,雖然液流分散構件8係朝沿著處理槽1之底面之方向而設置,但亦可為例如自處理槽1之底面朝鉛垂方向立起而設置。於該情形時,可設置在被保持於升降機5之複數片基板W之排列之側向,亦即圖1中升降機5之左右側之位置。在圖1之深度方向上,較佳為設置於複數片基板W之間的位置。
(6)為了進一步提升面內均勻性,除了前述之實施例以外,可進一步附加攪拌處理槽1之上部之處理液、或使液流均勻化之構成。亦可為,例如在被保持於升降機5之複數片基板W之排列之側向,即圖1中升降機5之左右側之位置,將液流分散構件朝基板W之排列方向設置於基板W之上方,而使液流均勻化。或者,亦可設置將處理液朝向處理槽1之上部呈簇射狀地供給之噴嘴,而促進處理槽1上部之處理液之攪拌。
(產業上之可利用性)
如上所述,本發明適用於藉由處理液來進行處理之基板處理裝置。
1‧‧‧處理槽
3‧‧‧溢流槽
5‧‧‧升降機
7‧‧‧噴出管
8‧‧‧液流分散構件
9‧‧‧循環配管
11‧‧‧泵
13‧‧‧循環管路用加熱器
15‧‧‧過濾器
17‧‧‧供給管
19‧‧‧處理液供給源
21‧‧‧開閉閥
23‧‧‧背板
25‧‧‧中央部保持部
27‧‧‧側部保持部
29‧‧‧控制部
SP‧‧‧供給位置
W‧‧‧基板

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置,係藉由處理液對基板進行既定之處理者;其特徵在於,其具備有:處理槽,其貯存處理液,收容基板並對基板進行處理;一對噴出管,其係配置於上述處理槽之底部側且在所收容之基板的左右方向,朝向較上述處理槽之底面中央更近前之供給位置並供給處理液;及液流分散構件,其與上述處理槽之底面之間隔開間隙地被配置於上述一對噴出管之各者與對應於上述一對噴出管之上述供給位置之間。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其中,上述液流分散構件之基板面方向上之縱剖面呈圓形形狀。
  3. 如請求項1之基板處理裝置,其中,上述液流分散構件之基板面方向上之縱剖面呈三角形形狀,且一個頂點被朝向上述噴出管側。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中,其具備有保持立起姿勢之基板之下緣中央部之中央部保持部、及保持基板之左右側之下緣之一對側部保持部,且具備有可遍及作為上述處理槽之上方的待機位置與作為上述處理裝置之內部的處理位置進行移動之升降機,上述液流分散構件朝在上述升降機上基板所排列之方向具有長軸。
  5. 如請求項4之基板處理裝置,其中,上述液流分散構件係配置於上述供給位置與上述升降機之側部保持部之間。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中,上述液流分散構件係藉由被配置於基板所排列方向之兩端部的安裝機構而被配置於上述處理槽之底面,上述安裝機構具備有:端部構件,其由氟樹脂所構成,被安裝於上述噴出管之外周面之一部位,且具備有朝上述處理槽之中央部側突出之連結部;支撐構件,其係配置於上述端部構件之間而支撐上述液流分散構件,且具備有朝向上述噴出管側突出之連結部;及連結管,其係在使上述端部構件之連結部與上述支撐構件之連結部分開而對向之狀態下被插通,連結上述端部構件與上述支撐構件。
  7. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置,其中,上述液流分散構件係相對於上述處理槽可裝卸自如地被安裝。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6985957B2 (ja) 2018-02-21 2021-12-22 キオクシア株式会社 半導体処理装置
JP7002969B2 (ja) * 2018-03-19 2022-01-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06177030A (ja) * 1992-12-02 1994-06-24 Daido Steel Co Ltd 成膜基盤処理装置
JPH09171987A (ja) * 1995-12-18 1997-06-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3039494B2 (ja) 1997-11-17 2000-05-08 日本電気株式会社 Wet処理槽及びその給液方法
TWM277765U (en) * 2005-04-11 2005-10-11 Bi-Jen Chen Improvement of mounting of water draining flange on floor
JP4907400B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4916382B2 (ja) 2007-05-18 2012-04-11 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理方法及び基板処理装置
TWI406330B (zh) * 2007-09-26 2013-08-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
JP5179282B2 (ja) * 2007-09-27 2013-04-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009141022A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2009231669A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5890198B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP5829458B2 (ja) * 2011-08-25 2015-12-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP5923300B2 (ja) * 2011-12-28 2016-05-24 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5952007B2 (ja) * 2012-01-27 2016-07-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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