JP2004288967A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御弁31a,31bのon/offを交互に切り換えることにより、注入管9の中央部を挟んでほぼ対称に分布する二つの異なる吐出圧分布の状態が交互に生じるので、偏りを有する吐出圧の分布は平均化される。つまり、制御弁31a側から処理液を供給する場合に生じる複数個の吐出口9aにおける吐出圧の差異が、制御弁31b側から処理液を供給する場合に生じる吐出圧の逆の差異により、ほぼ相殺されて平均化される。その結果、吐出圧をほぼ均等にして、処理液の供給を均一にすることができる。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など(以下、単に基板と称する)に対して、薬液や純水などの処理液によりエッチングや洗浄などの所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の装置として、複数枚の基板を起立姿勢で収容して処理するための処理槽と、この処理槽の底部に、基板の整列方向に配設された注入管とを備えたものが挙げられる。この注入管の側面には、基板の整列方向に複数個の吐出口が形成されており、注入管の一端側から処理液を供給して、各吐出口から処理槽内に処理液を供給する(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−100605号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理液を供給する注入管の一端側と、そこから離れた他端側に位置する吐出口で吐出圧が大きく異なる。これは水頭長の関係に起因するものであり、具体的には一端側の吐出口における吐出圧が低く、他端側に向かって次第に吐出圧が高くなる。したがって、注入管の一端側と他端側とにおける処理液の供給が不均一になり、処理槽内における処理液の置換効率や撹拌効率が悪くなる。その結果として、複数枚の基板に処理ムラ、例えば、基板ごとにエッチング量が異なるという問題が生じる。
【0005】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液の供給位置を切り換えることにより、注入管の吐出口からの処理液の吐出圧をほぼ均等にして、処理液の供給を均一にすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留し、処理液により基板の処理を行うための処理槽と、前記処理槽内に基板を保持する保持手段と、側面に形成された吐出口から前記処理槽内に処理液を供給する注入管と、前記注入管の一端側から処理液を供給する第1の供給手段と、前記注入管の他端側から処理液を供給する第2の供給手段と、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段とを切り換えて前記処理槽に処理液を供給する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【0007】
(作用・効果)注入管の一端側と他端側から処理液を供給できるように構成するとともに、制御手段が第1の供給手段と第2の供給手段とを切り換える。これにより一端側から処理液が供給されたり、他端側から処理液が供給されたりすることになる。したがって、一端側から処理液を供給する場合に生じる吐出口における吐出圧の差異が、他端側から処理液を供給する場合に生じる吐出口における吐出圧の逆の差異により、ほぼ相殺されて平均化される。その結果、吐出圧をほぼ均等にして、処理液の供給を均一にすることができる。
【0008】
なお、ここでいう基板処理装置による処理には、基板を処理槽に収容した状態における処理や、基板を収容しないで処理槽に処理液を供給して処理槽内を清浄化する処理なども含む。
【0009】
また、処理する基板は単数・複数を問わないし、注入管に形成された吐出口についても単数・複数を問わない。これは、処理対象の基板が一枚であっても、処理液の吐出ムラに起因して基板の「面内」において処理が不均一となることを防止することができるからである。また、吐出口が一つであっても一端側からのみ処理液を供給することにより、吐出口から吐出された処理液の、供給方向に沿う圧力分布は不均一となるが、供給側を切り換えることにより吐出圧の差異を相殺することができるからである。
【0010】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段とを交互に切り換えることを特徴とするものである。
【0011】
(作用・効果)制御手段が第1及び第2の供給手段を交互に切り換えるという簡単な制御により、吐出圧の差異をほぼ相殺することができる。
【0012】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記第1の供給手段から供給される処理液と前記第2の供給手段から供給される処理液の流量和が一定となるように、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段の流量を切り換えることを特徴とするものである。
【0013】
(作用・効果)制御手段が第1及び第2の供給手段の流量を切り換えて、任意時点ごとにおけるそれらの流量和が一定となるようにすることにより、吐出圧の差異をほぼ相殺することができる。
【0014】
また、請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段とを交互に切り換える際に、いずれからも処理液が非供給となる時間を設けることを特徴とするものである。
【0015】
(作用・効果)制御手段が第1及び第2の供給手段を交互に切り換えるが、その際にどちらからの処理液が供給されない時間を設ける。基板や処理槽などから離脱したゴミやパーティクルなどが、処理液の吐出流から外れた渦等により形成される滞留液中(淀み)に入り込むことがあり、この場合、いくら処理液の供給を行っても淀みから逃がすことは困難である。しかし、供給を行わない時間を設定すると、淀みを形成する一因である渦が消え、処理液の吐出流上に移動してくる。したがって、次に処理液が吐出された際にゴミ等をうまく流れに乗せて排出させることができ、清浄度高く処理することができる。
【0016】
また、請求項5に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記注入管を一対備え、前記制御手段は、一方の注入管における切り換えとは逆の切り換えを他方の注入管に対して行うことを特徴とするものである。
【0017】
(作用・効果)注入管を一対備えている場合には、各注入管における切り換えを他方と逆にしても、各々の注入管における吐出圧が相殺されるので、処理液の供給を均一にすること可能である。
【0018】
また、請求項6に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記注入管を一対備え、前記制御手段は、一方と他方の注入管で同じ切り換えを行うことを特徴とするものである。
【0019】
(作用・効果)注入管を一対備えている場合には、各注入管における切り換えを他方と同じにしても、各々の注入管における吐出圧が相殺されるので、処理液の供給を均一にすること可能である。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
図1及び図2はこの発明の一実施例に係り、図1は実施例に係る基板処理装置の概略構成図であり、図2は注入管の概略構成図である。
【0021】
この基板処理装置は、内槽1及び外槽3を備えた処理槽5を備えている。内槽1は、純水や薬液などの処理液を貯留し、浸漬された基板Wに対して処理を行う。外槽3は、内槽1から溢れた処理液を回収して排液する機能を備えている。保持アーム7は、内槽1内とその上方とにわたって昇降可能に構成されており、基板Wの端縁を保持して複数枚の基板Wを起立姿勢で保持する。
【0022】
内槽1の下部には、内槽1に対して処理液を供給するための一対の注入管9,10が配備されている。注入管9,10には、供給管11の一端側が連通接続されている。供給管11の他端側には、純水供給源13が連通されている。純水供給源13の下流側には、ミキシングバルブ15と、インラインヒータ17と、フィルタ19とが取り付けられている。
【0023】
ミキシングバルブ15には、薬液供給源に連通した供給配管23が接続されている。その流量は、供給配管23に取り付けられた制御弁25によって調整される。さらに、前記薬液とは異なる薬液を供給するための薬液供給源に連通した供給配管27もミキシングバルブ15に接続されている。供給配管27の流量調節は、制御弁29によって行われる。
【0024】
一対の注入管9,10は、それぞれ供給管11から処理液が供給されるが、注入管9,10の一端側からだけでなく、両端側から切り換えつつ処理液が供給されるようになっている。注入管9の一端側に連通している供給管11(図1中の実線)には制御弁31aが取り付けられ、その他端側に連通している供給管11(図1中の点線)には制御弁31bが取り付けられている。また、注入管10の一端側に連通している供給管11(図1中の実線)には制御弁33aが取り付けられ、その他端側に連通している供給管11(図1中の点線)には制御弁33bが取り付けられている。
【0025】
また、注入管9,10は、それぞれ基板Wが保持される側(処理槽5の中心側)に向かって開口した複数個の吐出口9a,10aが形成されている。各吐出口9a,10aが形成されている、吐出管9,10に沿う位置は、図2に点線矢印で示すように、保持アーム7(図1参照)によって保持される複数枚の基板Wの間付近である。
【0026】
上述した保持アーム7の昇降や、インラインヒータ17による温度調節、制御弁25,29,31a,31b,33a,33bによる流量調節などは、制御部35によって統括的に制御されている。この制御部35は図示しないメモリなどを備えており、ここには基板Wの処理手順や制御弁31a,31b,33a,33bの切り換えパターンなどを規定したレシピなどが登録されている。制御部35は、基板Wを処理するにあたり、レシピを参照しながら上記各部を制御するとともに、純水や薬液などの処理液を供給する際に以下に説明するような切り換えパターンで制御弁31a,31b,33a,33bを制御する。
【0027】
なお、上記制御部35が本発明における制御手段に相当する。
【0028】
<切り換えパターン1>
上述した制御弁31a,31b,33a,33bの切り換えパターンについて図3及び図4を参照して説明する。なお、図3は制御弁の切り換え例を示すタイムチャートであり、図4は吐出圧の分布を示す模式図であり、そのうちの(a)は一方側の分布を、(b)は他方側の分布を、(c)は平均化された分布を示す。
【0029】
この例では、一対の注入管9,10について、同じ切り換えパターンで制御するので、以下の説明においては注入管9についてのみ説明する。
【0030】
制御部35は、予め設定した所定流量で処理液を流通させる状態(on)と、処理液を流通させず遮断した状態(off)とに、図3に示すように所定のパターンで制御弁31a,31bを切り換える。具体的には、制御弁31aと制御弁31bのon/offを交互に切り換えるように制御する。換言すると、制御弁31aを所定時間onした後に所定時間offするという動作を周期的に処理時間内で繰り返す。これとともに、制御弁31aをonした時点で制御弁31bをoffし、制御弁31aをoffした時点で制御弁31bをonにする。
【0031】
制御弁31aがonされ、制御弁31bがoffされている時は、図4(a)に示すように、注入管9に形成された複数個の吐出口9aの吐出圧(または処理液の吐出方向)が分布することになる。つまり、水頭長の関係により、処理液の供給側に近い方が吐出圧は低く、供給側から遠くなるにしたがって吐出圧は高くなるからである。また、供給側から処理液が送り込まれる関係上、閉止されている制御弁31b側に向かって斜めに処理液が吐出される(なお、模式的に示す関係で傾斜を実際よりも大きく図示している)。
【0032】
一方、制御弁31aがoffされて制御弁31bがonされている時は、図4(b)に示すように、複数個の吐出口9aの吐出圧(または処理液の吐出方向)が分布することになる。この場合は、制御弁31aがonされている場合の逆の分布を示すことになる。
【0033】
上述したような制御部35の制御により、注入管9の中央部を挟んでほぼ対称に分布する二つの異なる吐出圧分布の状態が交互に生じるので、偏りを有する吐出圧の分布は平均化される。つまり、図4(c)中に二点差線で示すように、制御弁31a側から処理液を供給する場合に生じる複数個の吐出口9aにおける吐出圧の差異が、制御弁31b側から処理液を供給する場合に生じる吐出圧の逆の差異により、ほぼ相殺されて平均化される。その結果、吐出圧をほぼ均等にして、処理液の供給を均一にすることができる。
【0034】
<切り換えパターン2>
次に、上述した切り換えパターン1とは異なる制御弁31a,31b,33a,33bの切り換えについて図5を参照して説明する。なお、図5は制御弁の切り換え例を示すタイムチャートである。また、この例でも上記切り換えパターン1と同様に、一対の注入管9,10を同じ切り換えパターンで制御するので、以下の説明においては注入管9についてのみ説明する。
【0035】
この例では、制御弁31a,31bを予め二段階に流量設定しておき、制御部35は、第1の流量で処理液を供給する状態(on1)と、前記第1の流量より大流量の第2の流量で処理液を供給する状態(on2)と、処理液を流通させずに遮断した状態(off)とに、図5に示すように所定のパターンで切り換える。
【0036】
具体的には、制御弁31aと制御弁31bのon1/on2/offを、任意の時点における流量和が一定となるように切り換え制御する。換言すると、制御弁31aを所定時間on2で供給した後に、所定時間on1で供給し、その後offするという動作を周期的に処理時間内で繰り返す。これと同時に、制御弁31aを制御弁31aとは逆のパターンで、つまり制御弁31aをon2とした時点で制御弁31bをoffし、制御弁31aをon1とした時点で制御弁31bもon1とし、制御弁31aをoffした時点で制御弁31bをon2にする。
【0037】
上記のように単にon/offするだけでなく、二段階の流量とオフを順次に切り換えるようにしても、複数個の吐出口9aにおける吐出圧の差異が、ほぼ相殺されて平均化される。したがって、吐出圧をほぼ均等にして、処理液の供給を均一にすることができる。
【0038】
なお、上記のように段階的に流量を切り換えるのではなく、一方側の流量をリニアに増減させ、他方側の流量をそれとは逆に増減させるようにしてもよい。
【0039】
<切り換えパターン3>
上述した制御弁31a,31b,33a,33bの切り換えパターンについて図6を参照して説明する。なお、図6は制御弁の切り換え例を示すタイムチャートである。また、上記切り換えパターン1,2と同様に、この例でも、一対の注入管9,10について、同じ切り換えパターンで制御するので、以下の説明においては注入管9についてのみ説明する。
【0040】
この切り換えパターン3は、上記の切り換えパターン1と同様に、制御弁31a,31bを交互に切り換えるが、いずれの制御弁31a,31bも閉止された時間b1,b2を設けている点において相違する。
【0041】
内槽1に処理液を供給して処理を行う際には、基板Wや内槽1などから離脱したゴミやパーティクルなどが、処理液の吐出流から外れた渦等により形成される滞留液中(淀み)に入り込むことがある。すると、いくら処理液の供給を行っても淀みからそれらを逃がすことは困難である。しかし、本切り換えパターン3のように供給を行わない時間b1,b2を設定すると、淀みを形成する一因である渦を一時的に解消することができ、ゴミ等を処理液の吐出流上に移動させることができる。したがって、次に処理液が吐出された際にゴミ等をうまく流れに乗せて排出させることができ、清浄度高く処理することができる。
【0042】
上記の切り換えパターン1〜3は、一対の注入管9,10が同じ切り換えパターンで制御されるとしたが、互いに逆のパターンで制御されるようにしてもよい。この動作について、切り換えパターン1で切り換える場合を例に採り、図7を参照しつつ説明する。なお、図7は一対の注入管についての吐出圧分布を示す模式図であり、(a)は最初の状態を示し、(b)はその次の状態を示す。
【0043】
制御部35は、注入管9を上述した切り換えパターン1で切り換え制御するとともに、注入管10については切り換えパターン1の逆のパターンで切り換え制御する。具体的には、注入管9については、制御弁31aが開放で、制御弁31bが閉止された状態から開始し、注入管10については、制御弁33aが閉止で、制御弁33bが開放された状態から開始する(図7(a))。すると、一定時間後には、その逆に切り換わる(図7(b))。
【0044】
上記のように注入管9,10において、同じ切り換えパターンを互いに逆に行うようにしても、上述した切り換えパターンと同様の効果を奏することができる。
【0045】
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、以下のように変形実施が可能である。
【0046】
(1)基板処理装置による処理には、上記のように基板Wを処理槽5に収容して処理する他、基板Wを収容しない状態で処理槽5に処理液を供給し、内槽1内を清浄化する処理なども含む。
【0047】
(2)処理する基板Wは上述したように複数枚である必要はなく、単数であってもよい。つまり、一枚の基板Wを処理槽5内の処理液に浸漬させて処理する装置であれば適用可能である。このように処理対象の基板Wが一枚であっても、処理液の吐出ムラに起因して基板Wの「面内」において処理が不均一となることを防止することができるからである。
【0048】
(3)注入管9,10に形成された吐出口9a,10aについても単数・複数を問わない。また、吐出口9a,10aが一つであっても一端側からのみ処理液を供給することにより、吐出口9a,10aから吐出された処理液の、供給方向に沿う吐出圧の分布は不均一となるが、供給側を切り換えることにより吐出圧の差異を相殺することができ、上述した実施例と同様の効果を奏するからである。
【0049】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、制御手段が第1の供給手段と第2の供給手段とを切り換えることにより、一端側から処理液が供給されたり、他端側から処理液が供給されたりする。したがって、一端側から処理液を供給する場合に生じる吐出口における吐出圧の差異が、他端側から処理液を供給する場合に生じる吐出口における吐出圧の逆の差異により、ほぼ相殺されて平均化される。その結果、吐出圧をほぼ均等にして、処理液の供給を均一にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図2】注入管の概略構成図である。
【図3】制御弁の切り換え例を示すタイムチャートである。
【図4】吐出圧の分布を示す模式図であり、(a)は一方側の分布を、(b)は他方側の分布を、(c)は平均化された分布を示す。
【図5】制御弁の切り換え例を示すタイムチャートである。
【図6】制御弁の切り換え例を示すタイムチャートである。
【図7】一対の注入管についての吐出圧分布を示す模式図であり、(a)は最初の状態を示し、(b)はその次の状態を示す。
【符号の説明】
W … 基板
1 … 内槽
3 … 外槽
5 … 処理槽
9,10 … 注入管
9a,10a … 吐出口
31a,33a … 制御弁
31b,33b … 制御弁
35 … 制御部
Claims (6)
- 基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留し、処理液により基板の処理を行うための処理槽と、
前記処理槽内に基板を保持する保持手段と、
側面に形成された吐出口から前記処理槽内に処理液を供給する注入管と、
前記注入管の一端側から処理液を供給する第1の供給手段と、
前記注入管の他端側から処理液を供給する第2の供給手段と、
前記第1の供給手段と前記第2の供給手段とを切り換えて前記処理槽に処理液を供給する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段とを交互に切り換えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記第1の供給手段から供給される処理液と前記第2の供給手段から供給される処理液の流量和が一定となるように、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段の流量を切り換えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段とを交互に切り換える際に、いずれからも処理液が非供給となる時間を設けることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記注入管を一対備え、
前記制御手段は、一方の注入管における切り換えとは逆の切り換えを他方の注入管に対して行うことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記注入管を一対備え、
前記制御手段は、一方と他方の注入管で同じ切り換えを行うことを特徴とする基板処理装置。
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JPWO2014020693A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-07-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
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