JPH09181035A - 半導体ウエーハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエーハの洗浄装置Info
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- JPH09181035A JPH09181035A JP8339316A JP33931696A JPH09181035A JP H09181035 A JPH09181035 A JP H09181035A JP 8339316 A JP8339316 A JP 8339316A JP 33931696 A JP33931696 A JP 33931696A JP H09181035 A JPH09181035 A JP H09181035A
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- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ウエーハを洗浄するとき、洗浄空
間を減らして洗浄液を節減し洗浄時間を短縮して洗浄効
率を向上し得る半導体ウエーハの洗浄装置を提供しよう
とするものである。 【解決手段】 洗浄液を供給する供給管１０a 及び排出
する排出管１０b を備えた外槽１０と、該外槽１０の内
部に設置され上部又は全体が形状記憶合金からなる内槽
１１と、該内槽１１の一側壁面に設置され洗浄液の温度
を調節する温度調節器１３、前記供給管１０a を通って
ウエーハに供給される洗浄液を分配調節するバッフルプ
レート１６と、前記供給管１６上に設置されて洗浄液を
内槽１１の内側に供給するポンプ１７と、洗浄液を浄化
させるフィルター１８と、を備えて構成される。
間を減らして洗浄液を節減し洗浄時間を短縮して洗浄効
率を向上し得る半導体ウエーハの洗浄装置を提供しよう
とするものである。 【解決手段】 洗浄液を供給する供給管１０a 及び排出
する排出管１０b を備えた外槽１０と、該外槽１０の内
部に設置され上部又は全体が形状記憶合金からなる内槽
１１と、該内槽１１の一側壁面に設置され洗浄液の温度
を調節する温度調節器１３、前記供給管１０a を通って
ウエーハに供給される洗浄液を分配調節するバッフルプ
レート１６と、前記供給管１６上に設置されて洗浄液を
内槽１１の内側に供給するポンプ１７と、洗浄液を浄化
させるフィルター１８と、を備えて構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
洗浄装置に係るもので、詳しくは、ウエーハを洗浄する
とき、内部洗浄槽の形状をウエーハの外周縁と同様な形
状に変形させ、洗浄時に必要な占有空間及び洗浄液の循
環量を減らし、ウエーハの微細粒子を除去して、洗浄能
率を向上し得る半導体ウエーハの洗浄装置に関するもの
である。
洗浄装置に係るもので、詳しくは、ウエーハを洗浄する
とき、内部洗浄槽の形状をウエーハの外周縁と同様な形
状に変形させ、洗浄時に必要な占有空間及び洗浄液の循
環量を減らし、ウエーハの微細粒子を除去して、洗浄能
率を向上し得る半導体ウエーハの洗浄装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近来、半導体素子の高集積化に従い、ウ
エーハの表面に残留する微細粒子が該半導体素子の特性
に大きな影響を与えている。そこで、このようなウエー
ハの表面の微細粒子を除去するためのウエーハ洗浄技術
が、半導体製造技術中、非常に重要な課題となってい
る。
エーハの表面に残留する微細粒子が該半導体素子の特性
に大きな影響を与えている。そこで、このようなウエー
ハの表面の微細粒子を除去するためのウエーハ洗浄技術
が、半導体製造技術中、非常に重要な課題となってい
る。
【０００３】現在、ＬＳＩの技術は、既に２μｍサイズ
の半導体素子を量産する段階に進入しているが、このよ
うな微細な半導体素子の製造工程では、超清浄環境と該
超清浄環境を維持するための洗浄技術とが必要になる。
従って、ウエーハの大口径化及び半導体チップサイズ
（Chip Size ）の小型化に適合する洗浄装置の開発が推
進され、特に洗浄槽に流入される洗浄液（洗浄水）を節
減し得る、洗浄槽の課題が該洗浄装置開発の最大目標と
なっている。
の半導体素子を量産する段階に進入しているが、このよ
うな微細な半導体素子の製造工程では、超清浄環境と該
超清浄環境を維持するための洗浄技術とが必要になる。
従って、ウエーハの大口径化及び半導体チップサイズ
（Chip Size ）の小型化に適合する洗浄装置の開発が推
進され、特に洗浄槽に流入される洗浄液（洗浄水）を節
減し得る、洗浄槽の課題が該洗浄装置開発の最大目標と
なっている。
【０００４】そして、従来の半導体ウエーハの洗浄装置
においては、図７に示したように、オーバフローバスシ
ステム（Over Flow Bath System ）を採用し、下部に洗
浄液供給管（１a ）及び複数個の洗浄液排出管（１b ）
が夫々設置された外部洗浄槽（１）（以下、外槽と称
す）と、該外槽の内部に設置される内部洗浄槽（２）
（以下、内槽と称す）と、該内槽の底面に設置されてウ
エーハ（Ｗ）に供給される洗浄液を分配調節するバッフ
ルプレート（BAFFLE PLATE）（３）と、上記供給管（１
a ）に設置されて洗浄液を供給するポンプ（４）と、か
ら構成されていた。
においては、図７に示したように、オーバフローバスシ
ステム（Over Flow Bath System ）を採用し、下部に洗
浄液供給管（１a ）及び複数個の洗浄液排出管（１b ）
が夫々設置された外部洗浄槽（１）（以下、外槽と称
す）と、該外槽の内部に設置される内部洗浄槽（２）
（以下、内槽と称す）と、該内槽の底面に設置されてウ
エーハ（Ｗ）に供給される洗浄液を分配調節するバッフ
ルプレート（BAFFLE PLATE）（３）と、上記供給管（１
a ）に設置されて洗浄液を供給するポンプ（４）と、か
ら構成されていた。
【０００５】このように構成された従来の半導体ウエー
ハの洗浄装置を用いて、ウエーハを洗浄する工程を説明
すると、次のようであった。先ず、洗浄すべきウエーハ
（Ｗ）を内槽（２）の内部に位置させた後、ポンプ
（４）を駆動すると、外槽（１）の供給管（１a ）を通
って内槽（２）の内部に洗浄液が供給され、ウエーハ
（Ｗ）に付着されている異物質が除去される。
ハの洗浄装置を用いて、ウエーハを洗浄する工程を説明
すると、次のようであった。先ず、洗浄すべきウエーハ
（Ｗ）を内槽（２）の内部に位置させた後、ポンプ
（４）を駆動すると、外槽（１）の供給管（１a ）を通
って内槽（２）の内部に洗浄液が供給され、ウエーハ
（Ｗ）に付着されている異物質が除去される。
【０００６】また、上記内槽（２）に供給される洗浄液
は、バッフルプレート（３）に形成された複数の分配ホ
ール（図示せず）により洗浄液の供給量及び該圧力が適
切に調節されてウエーハ（Ｗ）を洗浄する。次いで、洗
浄液が継続供給されて内槽（２）が満ちると、内槽
（２）から溢れて、外槽（１）に流出し、排出管（１０
b ）より排出される。排出された洗浄液は再び前記ポン
プ（４）の駆動により再供給されて循環される。このと
き、循環する洗浄液の汚染が甚だしくなると、所定汚染
基準に従い廃棄処分される。
は、バッフルプレート（３）に形成された複数の分配ホ
ール（図示せず）により洗浄液の供給量及び該圧力が適
切に調節されてウエーハ（Ｗ）を洗浄する。次いで、洗
浄液が継続供給されて内槽（２）が満ちると、内槽
（２）から溢れて、外槽（１）に流出し、排出管（１０
b ）より排出される。排出された洗浄液は再び前記ポン
プ（４）の駆動により再供給されて循環される。このと
き、循環する洗浄液の汚染が甚だしくなると、所定汚染
基準に従い廃棄処分される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このような
従来の半導体ウエーハの洗浄装置においては、ウエーハ
を洗浄するため内槽の頂部まで洗浄液を供給し、洗浄液
が外槽に溢れるというオーバフローバスシステムを採用
し、実際に洗浄されるウエーハの高さ以上に、内槽の頂
部まで洗浄液を供給してるため、洗浄液の節減を図り得
ないという不都合な点があった。
従来の半導体ウエーハの洗浄装置においては、ウエーハ
を洗浄するため内槽の頂部まで洗浄液を供給し、洗浄液
が外槽に溢れるというオーバフローバスシステムを採用
し、実際に洗浄されるウエーハの高さ以上に、内槽の頂
部まで洗浄液を供給してるため、洗浄液の節減を図り得
ないという不都合な点があった。
【０００８】また、洗浄液の流れをウエーハの形状に合
わせて調節することができないため、全てのウエーハの
エッジ（Edge）部分まで洗浄を行うことができないとい
う不都合な点があった。本発明は、このような点に鑑
み、洗浄の際に、洗浄空間を減らして洗浄液を節減する
と共に、ウエーハのエッジ部分まで良好に洗浄を行っ
て、洗浄能率を向上することのできる半導体ウエーハの
洗浄装置を提供することを目的とする。
わせて調節することができないため、全てのウエーハの
エッジ（Edge）部分まで洗浄を行うことができないとい
う不都合な点があった。本発明は、このような点に鑑
み、洗浄の際に、洗浄空間を減らして洗浄液を節減する
と共に、ウエーハのエッジ部分まで良好に洗浄を行っ
て、洗浄能率を向上することのできる半導体ウエーハの
洗浄装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に係る発明では、上方が開放された６面体
状の外槽と、該外槽の内部に設置され、上方が開放され
た６面体状で、ウエーハを収納することができ、その４
方側壁上部のうち少なくとも対向する２面を形状記憶合
金により形成して、内側に変形可能とした内槽と、洗浄
液の供給管より前記内槽に洗浄液を供給し、前記内槽か
ら溢れ出た洗浄液を前記外槽から排出管により排出する
洗浄液循環系と、を設けて、半導体ウエーハの洗浄装置
を構成する。
め、請求項１に係る発明では、上方が開放された６面体
状の外槽と、該外槽の内部に設置され、上方が開放され
た６面体状で、ウエーハを収納することができ、その４
方側壁上部のうち少なくとも対向する２面を形状記憶合
金により形成して、内側に変形可能とした内槽と、洗浄
液の供給管より前記内槽に洗浄液を供給し、前記内槽か
ら溢れ出た洗浄液を前記外槽から排出管により排出する
洗浄液循環系と、を設けて、半導体ウエーハの洗浄装置
を構成する。
【００１０】すなわち、形状記憶合金の内槽を用い、洗
浄の際、洗浄液の温度により、内槽の形状をウエーハの
外周縁と同様な形状に変更させ、これにより洗浄空間を
減らして洗浄液を節減すると共に、ウエーハのエッジ部
分まで良好に洗浄を行って、洗浄能率を向上するのであ
る。請求項２に係る発明では、洗浄液の温度を調節する
温度調節器を備えることを特徴とする。これにより、洗
浄時（変形時）や洗浄後（復元時）の洗浄液の温度を正
確に管理することができる。
浄の際、洗浄液の温度により、内槽の形状をウエーハの
外周縁と同様な形状に変更させ、これにより洗浄空間を
減らして洗浄液を節減すると共に、ウエーハのエッジ部
分まで良好に洗浄を行って、洗浄能率を向上するのであ
る。請求項２に係る発明では、洗浄液の温度を調節する
温度調節器を備えることを特徴とする。これにより、洗
浄時（変形時）や洗浄後（復元時）の洗浄液の温度を正
確に管理することができる。
【００１１】温度調節器を備える場合、洗浄液の温度を
検出する温度センサーと、該温度センサーからの信号に
基づいて前記温度調節器を制御する制御手段とを備える
と更によい（請求項３）。請求項４に係る発明では、前
記内槽の４方側壁上部のうち形状記憶合金部分を記憶形
状と反対方向に機械的に変形させる駆動装置を備えるこ
とを特徴とする。すなわち、所定の機械的力により変形
される形状記憶合金を用い、洗浄後は駆動装置の機械的
力で確実に復元するのである。
検出する温度センサーと、該温度センサーからの信号に
基づいて前記温度調節器を制御する制御手段とを備える
と更によい（請求項３）。請求項４に係る発明では、前
記内槽の４方側壁上部のうち形状記憶合金部分を記憶形
状と反対方向に機械的に変形させる駆動装置を備えるこ
とを特徴とする。すなわち、所定の機械的力により変形
される形状記憶合金を用い、洗浄後は駆動装置の機械的
力で確実に復元するのである。
【００１２】駆動装置としては、前記内槽の４方側壁上
部のうち形状記憶合金部分に夫々装着された複数のヒン
ジ部材と、これらヒンジ部材に夫々掛合された複数のロ
ボットアームと、これらロボットアームを制御する制御
手段とを含んで構成されるものがよい（請求項５）。請
求項６に係る発明では、前記内槽の４方側壁上部のうち
形状記憶合金部分を記憶形状と反対方向に付勢する弾性
部材を備えることを特徴とする。すなわち、所定の機械
的力により変形される形状記憶合金を用い、洗浄後は弾
性部材の付勢力で復元するのである。
部のうち形状記憶合金部分に夫々装着された複数のヒン
ジ部材と、これらヒンジ部材に夫々掛合された複数のロ
ボットアームと、これらロボットアームを制御する制御
手段とを含んで構成されるものがよい（請求項５）。請
求項６に係る発明では、前記内槽の４方側壁上部のうち
形状記憶合金部分を記憶形状と反対方向に付勢する弾性
部材を備えることを特徴とする。すなわち、所定の機械
的力により変形される形状記憶合金を用い、洗浄後は弾
性部材の付勢力で復元するのである。
【００１３】一方、請求項７に係る発明では、前記内槽
の４方側壁上部のうち形状記憶合金部分は、洗浄時に、
ウエーハの外周縁の形状と同様な形状に、ウエーハの外
周縁との距離を１mm以上に維持しながら、内側に変形す
ることを特徴とする。このようにして、洗浄空間を可能
な限り減らすと共に、ウエーハの各部の良好な洗浄を可
能にする。
の４方側壁上部のうち形状記憶合金部分は、洗浄時に、
ウエーハの外周縁の形状と同様な形状に、ウエーハの外
周縁との距離を１mm以上に維持しながら、内側に変形す
ることを特徴とする。このようにして、洗浄空間を可能
な限り減らすと共に、ウエーハの各部の良好な洗浄を可
能にする。
【００１４】また、請求項８に係る発明では、前記内槽
の内面を、耐洗浄化学反応性と耐洗浄温度性とに優れ、
変形時に微粒子（Particle）の発生しない材質で被覆し
たことを特徴とする。これにより、弊害を防止できる。
また、請求項９に係る発明では、前記内槽の底面側に洗
浄液の供給管より供給される洗浄液を分配調節するバッ
フルプレートを備えることを特徴とする。これにより、
洗浄性能を向上できる。
の内面を、耐洗浄化学反応性と耐洗浄温度性とに優れ、
変形時に微粒子（Particle）の発生しない材質で被覆し
たことを特徴とする。これにより、弊害を防止できる。
また、請求項９に係る発明では、前記内槽の底面側に洗
浄液の供給管より供給される洗浄液を分配調節するバッ
フルプレートを備えることを特徴とする。これにより、
洗浄性能を向上できる。
【００１５】また、請求項１０に係る発明では、前記洗
浄液循環系は、洗浄液を吸入吐出して循環させるポンプ
と、循環路の途中で洗浄液を浄化するフィルターとを含
んで構成されることを特徴とする。フィルターにより、
洗浄性能を長期にわたって安定させることができる。
浄液循環系は、洗浄液を吸入吐出して循環させるポンプ
と、循環路の途中で洗浄液を浄化するフィルターとを含
んで構成されることを特徴とする。フィルターにより、
洗浄性能を長期にわたって安定させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を用いて説明する。先ず本発明の第１実施形態につい
て説明する。本発明に係る半導体ウエーハの洗浄装置の
第１実施形態においては、図１に示したように、下部に
洗浄液を供給する供給管（１０a ）と洗浄液を排出する
複数の排出管（１０b ）とを備え上方が開放された６面
体状の外槽（１０）が形成され、該外槽（１０）の内部
に上方が開放された６面体状の内槽（１１）が収納設置
されている。尚、前記供給管（１０a ）は外槽（１０）
には直接開口せず、内槽（１１）の底部に開口してい
る。
面を用いて説明する。先ず本発明の第１実施形態につい
て説明する。本発明に係る半導体ウエーハの洗浄装置の
第１実施形態においては、図１に示したように、下部に
洗浄液を供給する供給管（１０a ）と洗浄液を排出する
複数の排出管（１０b ）とを備え上方が開放された６面
体状の外槽（１０）が形成され、該外槽（１０）の内部
に上方が開放された６面体状の内槽（１１）が収納設置
されている。尚、前記供給管（１０a ）は外槽（１０）
には直接開口せず、内槽（１１）の底部に開口してい
る。
【００１７】ここで、前記内槽（１１）の両方側壁上部
（１２）は、所定の温度でウエーハ（Ｗ）の外周縁の形
状と同様な形状に変更するように、形状記憶合金により
形成されている。且つ、内槽（１１）の周壁内面は、耐
洗浄化学反応性と耐洗浄温度性とに優れ、変形時に微粒
子（Particle）の発生しない材質により塗布されてい
る。
（１２）は、所定の温度でウエーハ（Ｗ）の外周縁の形
状と同様な形状に変更するように、形状記憶合金により
形成されている。且つ、内槽（１１）の周壁内面は、耐
洗浄化学反応性と耐洗浄温度性とに優れ、変形時に微粒
子（Particle）の発生しない材質により塗布されてい
る。
【００１８】また、前記内槽（１１）の底面には洗浄液
の温度を調節するヒータ等の温度調節器（１３）が装着
され、該温度調節器（１３）は制御手段（制御回路）
（１４）により制御されるようになっている。そして、
前記排出管（１０b ）には排出される洗浄液の温度を測
定する温度センサー（１５）が装着され、前記制御回路
（１４）は前記温度センサー（１５）からの信号に基づ
いて実際の温度を感知しつつ前記温度調節器（１３）に
より洗浄液の温度を制御するようになっている。
の温度を調節するヒータ等の温度調節器（１３）が装着
され、該温度調節器（１３）は制御手段（制御回路）
（１４）により制御されるようになっている。そして、
前記排出管（１０b ）には排出される洗浄液の温度を測
定する温度センサー（１５）が装着され、前記制御回路
（１４）は前記温度センサー（１５）からの信号に基づ
いて実際の温度を感知しつつ前記温度調節器（１３）に
より洗浄液の温度を制御するようになっている。
【００１９】更に、前記温度調節器（１３）は、内槽
（１１）の底面に装着することに限定されず、例えば、
供給管（１０a ）の上部のような他の位置に装着するこ
ともできる。そして、前記内槽（１１）の底面上には、
供給管（１０a ）を通って流入する洗浄液を均等にウエ
ーハ（Ｗ）に分配させる分配ホール（図示されず）を有
したバッフルプレート（１６）が設置され、上記供給管
（１０a ）には洗浄液を供給するポンプ（１７）と異物
質を濾過させ洗浄液を浄化するフィルター（１８）とが
夫々装着されている。
（１１）の底面に装着することに限定されず、例えば、
供給管（１０a ）の上部のような他の位置に装着するこ
ともできる。そして、前記内槽（１１）の底面上には、
供給管（１０a ）を通って流入する洗浄液を均等にウエ
ーハ（Ｗ）に分配させる分配ホール（図示されず）を有
したバッフルプレート（１６）が設置され、上記供給管
（１０a ）には洗浄液を供給するポンプ（１７）と異物
質を濾過させ洗浄液を浄化するフィルター（１８）とが
夫々装着されている。
【００２０】このように構成された本発明に係る半導体
ウエーハの洗浄装置を用いて、ウエーハを洗浄する作用
を説明すると、次のようである。すなわち、図２（Ａ）
（Ｂ）に示したように、内槽（１１）の両方側壁上部
（１２）が底面上に立設された状態で洗浄すべきウエー
ハ（Ｗ）をウエーハチャック（図示されず）を用いて該
内槽（１１）の内部に収納させ、供給管（１０a ）に設
置されたポンプ（１７）を駆動すると、洗浄液はフィル
ター（１８）で濾過されながら内槽（１１）の内部に供
給されて洗浄が行われる。
ウエーハの洗浄装置を用いて、ウエーハを洗浄する作用
を説明すると、次のようである。すなわち、図２（Ａ）
（Ｂ）に示したように、内槽（１１）の両方側壁上部
（１２）が底面上に立設された状態で洗浄すべきウエー
ハ（Ｗ）をウエーハチャック（図示されず）を用いて該
内槽（１１）の内部に収納させ、供給管（１０a ）に設
置されたポンプ（１７）を駆動すると、洗浄液はフィル
ター（１８）で濾過されながら内槽（１１）の内部に供
給されて洗浄が行われる。
【００２１】このとき、制御手段（１４）の制御の下、
温度調節器（１３）により洗浄液のの温度が約４０℃〜
５０℃に上昇すると、図３（Ａ）（Ｂ）に示したよう
に、記憶された形状記憶合金の内槽（１１）の両方側壁
上部（１２）が内側向きに変形され、ウエーハ（Ｗ）の
外周縁と同様な形状に変形される。この場合、上記内槽
（１１）の上部内面とウエーハ（Ｗ）の外周縁との間の
距離は１mm以上を維持すべきである。
温度調節器（１３）により洗浄液のの温度が約４０℃〜
５０℃に上昇すると、図３（Ａ）（Ｂ）に示したよう
に、記憶された形状記憶合金の内槽（１１）の両方側壁
上部（１２）が内側向きに変形され、ウエーハ（Ｗ）の
外周縁と同様な形状に変形される。この場合、上記内槽
（１１）の上部内面とウエーハ（Ｗ）の外周縁との間の
距離は１mm以上を維持すべきである。
【００２２】このように、内槽（１１）の両方側壁上部
（１２）が変形され、洗浄空間が縮小された状態で洗浄
液が供給されると、内槽（１１）内の洗浄液がウエーハ
（Ｗ）の外周縁を沿って流れるようになり、ウエーハ
（Ｗ）の上面のエッジ部分に洗浄液の流れが集中され
る。以後、洗浄液が継続供給されると、洗浄液は内槽
（１１）から溢れて外槽（１０）の下部の排出管（１０
b ）を通って排出され、該排出された洗浄液はポンプ
（１７）の駆動により再循環されるか、又は、所定基準
に従い廃棄処分される。
（１２）が変形され、洗浄空間が縮小された状態で洗浄
液が供給されると、内槽（１１）内の洗浄液がウエーハ
（Ｗ）の外周縁を沿って流れるようになり、ウエーハ
（Ｗ）の上面のエッジ部分に洗浄液の流れが集中され
る。以後、洗浄液が継続供給されると、洗浄液は内槽
（１１）から溢れて外槽（１０）の下部の排出管（１０
b ）を通って排出され、該排出された洗浄液はポンプ
（１７）の駆動により再循環されるか、又は、所定基準
に従い廃棄処分される。
【００２３】この場合、前記排出管（１０b ）に連結さ
れた温度センサー（１５）により洗浄液の温度が感知さ
れ、該感知された温度データが制御手段（１４）に供給
され、該制御手段（１４）は感知の温度データにより前
記温度調節器（１３）の温度を調節してウエーハの洗浄
工程が自動に行われ、洗浄が終了すると、温度調節器
（１３）の温度は常温に低下する。
れた温度センサー（１５）により洗浄液の温度が感知さ
れ、該感知された温度データが制御手段（１４）に供給
され、該制御手段（１４）は感知の温度データにより前
記温度調節器（１３）の温度を調節してウエーハの洗浄
工程が自動に行われ、洗浄が終了すると、温度調節器
（１３）の温度は常温に低下する。
【００２４】このようにウエーハの洗浄工程が終了さ
れ、洗浄液の温度が工程遂行温度から常温に下降する
と、形状記憶合金の内槽（１１）の両方側壁上部（１
２）は元の状態に復元され、ウエーハチャックによりウ
エーハ（Ｗ）が洗浄槽の外部に取り出され、次の工程に
移送される。次に本発明の第２実施形態について説明す
る。
れ、洗浄液の温度が工程遂行温度から常温に下降する
と、形状記憶合金の内槽（１１）の両方側壁上部（１
２）は元の状態に復元され、ウエーハチャックによりウ
エーハ（Ｗ）が洗浄槽の外部に取り出され、次の工程に
移送される。次に本発明の第２実施形態について説明す
る。
【００２５】本発明に係る半導体ウエーハの洗浄装置の
第２実施形態においては、図４に示したように、上方が
開放された中空６面体状の外槽１０が形成され、該外槽
（１０）の内部に上方が開放されたほぼ６面体状の内槽
（１１）が収納され、該内槽（１１）の４方側壁の頂部
縁に夫々ヒンジ部材（２０）が装着され、それらヒンジ
部材（２０）に夫々ロボットアーム（２１）の一方側端
が篏合され、それらロボットアーム（２１）が他のヒン
ジに夫々係合されて屈曲された後、それらロボットアー
ム（２１）の基端が制御手段（２２）に掛合されて、内
槽（１１）の４方側壁上部を変形させる駆動装置が構成
され、前記制御手段（２２）により該駆動装置の各ロボ
ットアーム（２１）が動作し、内槽（１１）の４方側壁
上部が変形されるように構成されている。
第２実施形態においては、図４に示したように、上方が
開放された中空６面体状の外槽１０が形成され、該外槽
（１０）の内部に上方が開放されたほぼ６面体状の内槽
（１１）が収納され、該内槽（１１）の４方側壁の頂部
縁に夫々ヒンジ部材（２０）が装着され、それらヒンジ
部材（２０）に夫々ロボットアーム（２１）の一方側端
が篏合され、それらロボットアーム（２１）が他のヒン
ジに夫々係合されて屈曲された後、それらロボットアー
ム（２１）の基端が制御手段（２２）に掛合されて、内
槽（１１）の４方側壁上部を変形させる駆動装置が構成
され、前記制御手段（２２）により該駆動装置の各ロボ
ットアーム（２１）が動作し、内槽（１１）の４方側壁
上部が変形されるように構成されている。
【００２６】且つ、前記ヒンジ部材（２０）は折畳可能
に形成され、前記内槽（１１）の４方側壁上部は所定基
準の機械的力により変形されるように形状記憶合金にて
形成され、その他は前記第１実施形態と同様に構成され
ている。このように構成された本発明に係る半導体ウエ
ーハの洗浄装置を用いて、ウエーハを洗浄する工程を説
明すると、次のようである。
に形成され、前記内槽（１１）の４方側壁上部は所定基
準の機械的力により変形されるように形状記憶合金にて
形成され、その他は前記第１実施形態と同様に構成され
ている。このように構成された本発明に係る半導体ウエ
ーハの洗浄装置を用いて、ウエーハを洗浄する工程を説
明すると、次のようである。
【００２７】図５（Ａ）（Ｂ）に示したように、ロボッ
トアーム（２１）の駆動により内槽（１１）の４方側壁
上部（１２）が底面に直立された状態で、ウエーハチャ
ック（図示されず）を用いて洗浄すべきウエーハ（Ｗ）
を内槽（１１）の内部に収納する。次いで、ポンプ（１
７）を駆動し、約４０℃〜５０℃以上の洗浄液が供給管
（１０）を通って内槽（１１）の内側に供給されると、
図６（Ａ）（Ｂ）に示したように、工程の進行温度（約
４０℃〜５０℃以上）で、ウエーハ（Ｗ）の外周縁形状
と同様な形状に、前記内槽（１１）の４方側壁上部（１
２）が、内側方向に変形される。この場合、前記ロボッ
トアーム（２１）は、機械的力が加えられない状態で、
上記内槽（１１）の上部下面とウエーハ（Ｗ）の外周縁
間の距離が１mm以上を保持するように内槽（１１）の４
方側壁上部（１２）を支えるべきである。
トアーム（２１）の駆動により内槽（１１）の４方側壁
上部（１２）が底面に直立された状態で、ウエーハチャ
ック（図示されず）を用いて洗浄すべきウエーハ（Ｗ）
を内槽（１１）の内部に収納する。次いで、ポンプ（１
７）を駆動し、約４０℃〜５０℃以上の洗浄液が供給管
（１０）を通って内槽（１１）の内側に供給されると、
図６（Ａ）（Ｂ）に示したように、工程の進行温度（約
４０℃〜５０℃以上）で、ウエーハ（Ｗ）の外周縁形状
と同様な形状に、前記内槽（１１）の４方側壁上部（１
２）が、内側方向に変形される。この場合、前記ロボッ
トアーム（２１）は、機械的力が加えられない状態で、
上記内槽（１１）の上部下面とウエーハ（Ｗ）の外周縁
間の距離が１mm以上を保持するように内槽（１１）の４
方側壁上部（１２）を支えるべきである。
【００２８】このように、内槽（１１）の４方側壁上部
（１２）が内側方向に変形され、洗浄空間が縮小された
状態で、ウエーハ（Ｗ）の洗浄が終了されると、前記制
御手段（２２）の制御により上記ロボットアーム（２
１）が駆動して、前記内槽（１１）の４方側壁上部（１
２）が元の位置に復帰され、ウエーハチャックによりウ
エーハ（Ｗ）は洗浄槽の外部に取り出され、次の工程に
移動される。
（１２）が内側方向に変形され、洗浄空間が縮小された
状態で、ウエーハ（Ｗ）の洗浄が終了されると、前記制
御手段（２２）の制御により上記ロボットアーム（２
１）が駆動して、前記内槽（１１）の４方側壁上部（１
２）が元の位置に復帰され、ウエーハチャックによりウ
エーハ（Ｗ）は洗浄槽の外部に取り出され、次の工程に
移動される。
【００２９】この第２実施形態においては、洗浄が終了
した後、形状記憶合金の内槽（１１）の４方側壁上部
（１２）を駆動装置としてのロボットアーム（２１）の
作動により元の位置に復帰させているが、これに限定さ
れず、本発明の請求範囲内で多様な形態に変更して形成
することもできる。例えば、内槽（１１）の４方側壁上
部（１２）と外槽（１０）の内方側壁間にスプリングの
ような弾性部材を追加係合し、形状記憶合金の変更力と
弾性部材の弾性力とを共用して、洗浄中には形状記憶合
金の変更力が弾性部材の弾性力より強いため、該形状記
憶合金の４方側壁を内側方向に変更させ、洗浄工程が終
了して洗浄液の供給が中止されると、形状記憶合金の変
更力が消滅されるため、上記弾性部材の弾性復元力によ
り内槽（１１）の４方側壁上部（１２）を元の状態に復
元させるようにすることもできる。
した後、形状記憶合金の内槽（１１）の４方側壁上部
（１２）を駆動装置としてのロボットアーム（２１）の
作動により元の位置に復帰させているが、これに限定さ
れず、本発明の請求範囲内で多様な形態に変更して形成
することもできる。例えば、内槽（１１）の４方側壁上
部（１２）と外槽（１０）の内方側壁間にスプリングの
ような弾性部材を追加係合し、形状記憶合金の変更力と
弾性部材の弾性力とを共用して、洗浄中には形状記憶合
金の変更力が弾性部材の弾性力より強いため、該形状記
憶合金の４方側壁を内側方向に変更させ、洗浄工程が終
了して洗浄液の供給が中止されると、形状記憶合金の変
更力が消滅されるため、上記弾性部材の弾性復元力によ
り内槽（１１）の４方側壁上部（１２）を元の状態に復
元させるようにすることもできる。
【００３０】また、この第２実施形態においては、温度
調節器（１３）、制御手段（１４）及び温度センサー
（１５）を省略したが、第１実施形態と同様に用いて、
温度管理を行うようにしてもよい。
調節器（１３）、制御手段（１４）及び温度センサー
（１５）を省略したが、第１実施形態と同様に用いて、
温度管理を行うようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明によれば、形状記憶合金を用い、ウエーハを洗浄する
ときに、内槽の形状をウエーハの外周縁と同様な形状に
変更させて洗浄空間を減らすため、洗浄液を節減し得る
という効果がある。しかも、内槽に供給される洗浄液が
ウエーハの外周縁に沿って流れるためウエーハのエッジ
部分の洗浄効率を向上し、洗浄時間を短縮して生産性を
向上し得るという効果がある。
明によれば、形状記憶合金を用い、ウエーハを洗浄する
ときに、内槽の形状をウエーハの外周縁と同様な形状に
変更させて洗浄空間を減らすため、洗浄液を節減し得る
という効果がある。しかも、内槽に供給される洗浄液が
ウエーハの外周縁に沿って流れるためウエーハのエッジ
部分の洗浄効率を向上し、洗浄時間を短縮して生産性を
向上し得るという効果がある。
【００３２】請求項２に係る発明によれば、洗浄液の温
度を調節する温度調節器を備えることで、洗浄時（変形
時）や洗浄後（復元時）の洗浄液の温度を正確に管理す
ることができ、また特に請求項３に係る発明によれば、
温度センサーにより実際の温度を感知しつつ制御するこ
とで、温度調節が良好となる。請求項４に係る発明によ
れば、機械的な駆動装置を備えることで、洗浄後に確実
に復元させることができ、また特に請求項５に係る発明
によれば、ロボットアーム式の駆動装置を用いて、確実
な動作を得ることができる。
度を調節する温度調節器を備えることで、洗浄時（変形
時）や洗浄後（復元時）の洗浄液の温度を正確に管理す
ることができ、また特に請求項３に係る発明によれば、
温度センサーにより実際の温度を感知しつつ制御するこ
とで、温度調節が良好となる。請求項４に係る発明によ
れば、機械的な駆動装置を備えることで、洗浄後に確実
に復元させることができ、また特に請求項５に係る発明
によれば、ロボットアーム式の駆動装置を用いて、確実
な動作を得ることができる。
【００３３】請求項６に係る発明によれば、復元用の弾
性部材を備えることで、簡単にして、洗浄後に確実に復
元させることができる。請求項７に係る発明によれば、
ウエーハの外周縁の形状と同様な形状に、距離を１mm以
上に維持しながら、変形させることで、洗浄空間を可能
な限り減らすと共に、ウエーハの各部の良好な洗浄が可
能になる。
性部材を備えることで、簡単にして、洗浄後に確実に復
元させることができる。請求項７に係る発明によれば、
ウエーハの外周縁の形状と同様な形状に、距離を１mm以
上に維持しながら、変形させることで、洗浄空間を可能
な限り減らすと共に、ウエーハの各部の良好な洗浄が可
能になる。
【００３４】請求項８に係る発明によれば、内槽の内面
に特定の被覆を施すことで、弊害を防止できる。請求項
９に係る発明によれば、バッフルプレートを備えること
で、洗浄性能を向上できる。請求項１０に係る発明によ
れば、フィルターを備えることで、洗浄性能を長期にわ
たって安定させることができる。
に特定の被覆を施すことで、弊害を防止できる。請求項
９に係る発明によれば、バッフルプレートを備えること
で、洗浄性能を向上できる。請求項１０に係る発明によ
れば、フィルターを備えることで、洗浄性能を長期にわ
たって安定させることができる。
【図１】本発明に係る半導体ウエーハの洗浄装置の第１
実施形態を示した概略斜視図である。
実施形態を示した概略斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る内槽にウエーハを
収納した状態を示した図で、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は
平面図である。
収納した状態を示した図で、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は
平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るウエーハ洗浄中の
内槽の変形された状態を示した図で、（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図である。
内槽の変形された状態を示した図で、（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図である。
【図４】本発明に係る半導体ウエーハの洗浄装置の第２
実施形態を示した概略斜視図である。
実施形態を示した概略斜視図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る内槽にウエーハの
収納した状態を示した図で、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は
平面図である。
収納した状態を示した図で、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は
平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るウエーハ洗浄中の
内槽の変形された状態を示した図で、（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図である。
内槽の変形された状態を示した図で、（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図である。
【図７】従来の半導体ウエーハの洗浄装置を示した概略
構成図である。
構成図である。
１０ ：外槽 １０a ：供給管 １０b ：排出管 １１ ：内槽 １２ ：４方側壁上部 １３ ：温度調節器 １４ ：制御手段 １５ ：温度センサー １６ ：バッフルプレート １７ ：ポンプ １８ ：フィルター ２０ ：ヒンジ部材 ２１ ：ロボットアーム ２２ ：制御手段 Ｗ ：ウエーハ
Claims (10)
- 【請求項１】上方が開放された６面体状の外槽（１０）
と、 該外槽（１０）の内部に設置され、上方が開放された６
面体状で、ウエーハ（Ｗ）を収納することができ、その
４方側壁上部（１２）のうち少なくとも対向する２面を
形状記憶合金により形成して、内側に変形可能とした内
槽（１１）と、 洗浄液の供給管（１０a ）より前記内槽（１１）に洗浄
液を供給し、前記内槽（１１）から溢れ出た洗浄液を前
記外槽（１０）から排出管（１０b ）により排出する洗
浄液循環系と、 を含んで構成される半導体ウエーハの洗浄装置。 - 【請求項２】洗浄液の温度を調節する温度調節器（１
３）を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
エーハの洗浄装置。 - 【請求項３】洗浄液の温度を検出する温度センサー（１
５）と、該温度センサー（１５）からの信号に基づいて
前記温度調節器（１３）を制御する制御手段（１４）と
を備えることを特徴とする請求項２記載の半導体ウエー
ハの洗浄装置。 - 【請求項４】前記内槽（１１）の４方側壁上部（１２）
のうち形状記憶合金部分を記憶形状と反対方向に機械的
に変形させる駆動装置を備えることを特徴とする請求項
１〜請求項３のいずれか１つに記載の半導体ウエーハの
洗浄装置。 - 【請求項５】前記駆動装置は、前記内槽（１１）の４方
側壁上部（１２）のうち形状記憶合金部分に夫々装着さ
れた複数のヒンジ部材（２０）と、これらヒンジ部材
（２０）に夫々掛合された複数のロボットアーム（２
１）と、これらロボットアーム（２１）を制御する制御
手段（２２）とを含んで構成されることを特徴とする請
求項４記載の半導体ウエーハの洗浄装置。 - 【請求項６】前記内槽（１１）の４方側壁上部（１２）
のうち形状記憶合金部分を記憶形状と反対方向に付勢す
る弾性部材を備えることを特徴とする請求項１〜請求項
３のいずれか１つに記載の半導体ウエーハの洗浄装置。 - 【請求項７】前記内槽（１１）の４方側壁上部（１２）
のうち形状記憶合金部分は、洗浄時に、ウエーハ（Ｗ）
の外周縁の形状と同様な形状に、ウエーハ（Ｗ）の外周
縁との距離を１mm以上に維持しながら、内側に変形する
ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１つに
記載の半導体ウエーハの洗浄装置。 - 【請求項８】前記内槽（１１）の内面を、耐洗浄化学反
応性と耐洗浄温度性とに優れ、変形時に微粒子の発生し
ない材質で被覆したことを特徴とする請求項１〜請求項
７のいずれか１つに記載の半導体ウエーハの洗浄装置。 - 【請求項９】前記内槽（１１）の底面側に洗浄液の供給
管（１０a ）より供給される洗浄液を分配調節するバッ
フルプレート（１６）を備えることを特徴とする請求項
１〜請求項８のいずれか１つに記載の半導体ウエーハの
洗浄装置。 - 【請求項１０】前記洗浄液循環系は、洗浄液を吸入吐出
して循環させるポンプ（１７）と、循環路の途中で洗浄
液を浄化するフィルター（１８）とを含んで構成される
ことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１つに
記載の半導体ウエーハの洗浄装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR51994/1995 | 1995-12-19 | ||
| KR1019950051994A KR0179781B1 (ko) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
| KR1019950051995A KR0179782B1 (ko) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
| KR51995/1995 | 1995-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181035A true JPH09181035A (ja) | 1997-07-11 |
| JP2762075B2 JP2762075B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=26631491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8339316A Expired - Fee Related JP2762075B2 (ja) | 1995-12-19 | 1996-12-19 | 半導体ウエーハの洗浄装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5673713A (ja) |
| JP (1) | JP2762075B2 (ja) |
| CN (1) | CN1083153C (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| TWI243261B (en) * | 1996-06-14 | 2005-11-11 | Seiko Epson Corp | Pull-up drying method and apparatus |
| JPH1116868A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 薬液置換装置及び薬液置換方法 |
| JP3683485B2 (ja) * | 2000-09-05 | 2005-08-17 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄液の供給システム |
| CN100350566C (zh) * | 2004-01-16 | 2007-11-21 | 茂德科技股份有限公司 | 沟槽的后处理方法与装置 |
| CN101465273B (zh) * | 2007-12-18 | 2011-04-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法及其装置 |
| CN101652029B (zh) * | 2008-08-12 | 2012-06-13 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 清洗装置及清洗系统 |
| CN102097293B (zh) * | 2010-11-19 | 2014-03-12 | 嘉盛半导体(苏州)有限公司 | 半导体封装产品的清洗机台及清洗工艺 |
| CN104536365B (zh) * | 2014-12-09 | 2017-06-13 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种化学液在线加热控制系统及控制方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4736758A (en) * | 1985-04-15 | 1988-04-12 | Wacom Co., Ltd. | Vapor drying apparatus |
| JPS62279640A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | ウエハ洗浄装置 |
| JPH0499025A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-31 | Nec Kyushu Ltd | 水洗装置 |
| JPH07115080A (ja) * | 1993-10-19 | 1995-05-02 | Dan Kagaku:Kk | 洗浄槽 |
| JP4099025B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2008-06-11 | 京セラ株式会社 | セラミック端子 |
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1996
- 1996-12-18 US US08/769,059 patent/US5673713A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-19 CN CN96114249A patent/CN1083153C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-19 JP JP8339316A patent/JP2762075B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1083153C (zh) | 2002-04-17 |
| CN1156900A (zh) | 1997-08-13 |
| JP2762075B2 (ja) | 1998-06-04 |
| US5673713A (en) | 1997-10-07 |
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