JP3712552B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3712552B2 JP3712552B2 JP02117199A JP2117199A JP3712552B2 JP 3712552 B2 JP3712552 B2 JP 3712552B2 JP 02117199 A JP02117199 A JP 02117199A JP 2117199 A JP2117199 A JP 2117199A JP 3712552 B2 JP3712552 B2 JP 3712552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- side wall
- substrate
- processing tank
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板を純水等の処理液により洗浄処理する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
このような基板処理装置としては、QDR(Quick Dump Rinse)槽と呼称される急速排出洗浄槽を使用したものが知られている。この急速排出洗浄槽は、機能水洗槽とも呼称されるものであり、処理槽に対して処理液の供給と排出とを繰り返すことにより、基板に付着している汚染物質および薬液を効果的に洗浄除去するものである。
【0003】
すなわち、この急速排出洗浄槽を利用した基板処理装置は、処理槽と、この処理槽の底部から純水等の処理液を供給する処理液供給手段と、処理槽中において基板を支持する基板支持手段と、処理槽の底部から処理液を急速に排出するための処理液排出手段と、基板支持手段により支持された基板に処理液を噴出するシャワーノズルとを有する。
【0004】
この基板処理装置により基板を洗浄処理する場合においては、処理槽の下方から供給され処理槽の上端部よりオーバフローする処理液により、基板支持手段に支持された基板を洗浄処理する。そして、基板がある程度洗浄されれば、処理液排出手段により処理槽内の処理液を急速に排出する。この処理液の排出時には、基板の乾燥を防止するため、シャワーノズルから基板に処理液を噴出する。
【0005】
処理槽内の処理液が完全に排出されれば、処理液供給手段により処理槽内への処理液の貯留を開始する。そして、再度、処理槽の下方から供給され処理槽の上端部よりオーバフローする処理液により基板支持手段に支持された基板を洗浄処理する。
【0006】
このような処理液の供給と排出動作を複数回繰り返すことにより、基板に付着している汚染物質および薬液を効果的に洗浄除去することが可能となる。このとき、基板を短時間で処理するためには、処理液排出手段は処理槽内の処理液を可能な限り急速に排出しうる構成とすることが好ましい。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような急速排出洗浄槽を利用した基板処理装置においては、処理槽中の処理液を処理槽の底部から排出する構成であることから、処理槽の底部にパーティクル等の汚染物質が残留するという問題点がある。
【0008】
すなわち、上述した基板処理装置は、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質を、処理液をオーバフローさせることにより処理液と共に処理槽の外部に排出するものであるが、処理液の排出時においては処理液は処理槽の底部から排出されることから、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質が、処理槽底部に付着して処理槽内に残留することになる。処理槽内にこのようなパーティクル等の汚染物質が残留した場合には、基板を十分に洗浄処理することが不可能となるという問題が生ずる。
【0009】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、処理槽内へのパーティクル等の汚染物質の残留を防止して基板を十分に洗浄処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装置において、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を移動させることにより、前記処理槽内から処理液を排出させる側壁移動手段と、前記側壁移動手段により移動される前記側壁の移動速度を変更する速度制御手段とを備え、前記速度制御手段は、前記処理槽への処理液の供給動作と前記処理槽からの処理液の排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における側壁の移動速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることを特徴とする。
【0011】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、前記処理槽の底部に対して昇降させている。
【0012】
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、その下端部を中心として回動させている。
【0013】
請求項4に記載の発明は、処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装置において、前記処理槽の底部を前記処理槽の側壁に対して昇降させることにより、前記処理槽内から処理液を排出させる底部昇降手段と、前記底部昇降手段により昇降される前記底部の昇降速度を変更する速度制御手段とを備え、前記速度制御手段は、 前記処理槽への処理液の供給動作と前記処理槽からの処理液の排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における底部の上昇速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1はこの発明の第1実施形態に係る基板処理装置の側面概要図であり、図2はその側壁移動機構5を示す斜視図である。
【0015】
この基板処理装置は、純水等の処理液を貯留するための処理槽1と、処理槽1内において半導体ウエハ等の基板Wを起立状態で支持するための基板支持溝を備えた3個の支持アーム2と、支持アーム2により支持された基板Wに処理液を噴出するための噴出口4を備えたシャワーノズル3と、処理槽1の側壁11を昇降駆動するための側壁移動機構5と、後述する制御部20とを備える。
【0016】
前記処理槽1は、4個の側壁11、12、13、14と、これらの側壁11、12、13、14に連結する単一の底部15と、この底部15に形成された処理液通過口19とを備える。この処理液通過口19は、図示しない電磁弁等を介して処理液の供給源と接続されており、処理槽1には、この処理液通過口19から処理液が供給される。
【0017】
上記4個の側壁11、12、13、14のうちの一つの側壁11は、図2に示す側壁移動機構5と接続されている。この側壁移動機構5は、側壁11を他の側壁12、13、14および底部15に対して昇降させるためのものであり、モータ51の回転軸52に付設されたプーリ53と、同期ベルト54を介してプーリ53に連結されたプーリ55と、プーリ55に固設されたねじ56と、側壁11と接続部材57を介して接続されると共に、ねじ56と螺合するナット部58とを備える。
【0018】
図3に示すように、側壁11の両端部(図3では片側のみを図示)には凹部が形成されており、この凹部内にはパッキング16が配設されている。また、側壁12および14の端面には凸部が形成されており(図3では側壁14のみを図示)、この凸部はパッキング16と当接している。このため、側壁11は、側壁12および14に対して液密な状態で摺動可能となっている。なお、側壁11は、底部15に対しても液密な状態で摺動可能となっている。
【0019】
図4は、基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【0020】
この基板処理装置は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたROM21と、制御時にデータ等が一時的にストアされるRAM22と、論理演算を実行するCPU23とからなる制御部20を備える。この制御部20は、側壁11の昇降速度を制御する速度制御手段として機能するものであり、インターフェース24を介して側壁11を昇降駆動するモータ51の駆動部25と接続されている。
【0021】
次に、上述した構成を有する基板処理装置により基板Wを洗浄処理する処理動作について説明する。図5および図6は、基板Wの洗浄処理動作を示す説明図である。
【0022】
最初に、処理液通過口19から処理槽1内に純水等の処理液を供給し、この純水を処理槽1における4個の側壁11、12、13、14の上端部よりオーバフローさせる。そして、この状態において、図示しないチャック等の基板搬送装置により、前段の処理工程から薬液処理の完了した基板Wを搬送した後、この基板Wを基板搬送装置から3個の支持アーム2に受け渡す。なお、3個の支持アーム2は互いに同期して昇降可能に構成されており、処理槽1の上部において基板搬送装置から基板Wを受け取った後、基板Wと共に図1に示す位置まで下降する。
【0023】
この状態においては、図5(a)に示すように、基板Wは処理槽1の下方から供給され処理槽1の上端部よりオーバフローする処理液中に配置されることになる。そして、この状態で一定時間が経過することにより、基板Wは洗浄処理される。このとき、基板W等から発生するパーティクル等の汚染物質は、処理槽1の上端部からオーバフローする処理液と共に処理槽1外に排出される。
【0024】
次に、図5(b)に示すように、側壁移動機構5により側壁11を下降させる。この側壁11の下降に伴って、処理槽1内の処理液は、側壁11の上端部よりオーバフローする。すなわち、処理槽1内の処理液は、その液面付近から処理槽1の外に排出されることになる。
【0025】
なお、このときの処理液液面の低下に伴い、基板Wが処理液中から露出する。この基板Wの露出により基板Wの表面が乾燥することを防止するため、側壁11を下降させるに先立って、シャワーノズル3の噴出口4から支持アーム2により支持された基板Wに向けて処理液を噴出しておく。
【0026】
側壁11が下降を継続し、図5(c)に示すように、側壁11の上端部が底部15の上面と同一の高さとなった状態では、処理槽11内の処理液は全て排出されることになる。
【0027】
次に、図6(d)に示すように、処理液通過口19から処理槽1内に処理液を供給する。処理槽1内の処理液が処理槽11内に満たされれば、図6(e)に示すように、シャワーノズル3からの処理液の噴出を停止する。そして、再度、図5(a)に示すように、処理槽1の下方から供給され処理槽1の上端部よりオーバフローする処理液により基板Wを洗浄処理する。
【0028】
以上の動作を数回繰り返すことにより、基板Wを十分に洗浄処理することができる。このとき、洗浄に供されて汚染された洗浄液を排出する動作を繰り返すことから、基板Wに付着している汚染物質および薬液を効果的に洗浄除去することが可能となる。
【0029】
このとき、特に、上述した基板処理装置においては、処理槽1内に貯留されていた処理液は、側壁11の上端部よりオーバフローすることにより、その液面付近から処理槽1の外に排出される。このため、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質は、処理液と共に処理槽1の外に排出されることになる。従って、パーティクル等の汚染物質が処理槽中に残留することを有効に防止することが可能となる。
【0030】
また、上述した基板処理装置においては、処理槽1の側壁11を下降させることにより処理槽1内の処理液を排出する構成であることから、側壁11の下降速度を大きくすることにより、処理槽11内の処理液を特に急速に排出することが可能となる。このため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、その処理効率を向上させることが可能となる。
【0031】
さらに、上述した基板処理装置においては、側壁移動機構5が処理槽1を構成する4個の側壁11、12、13、14のうちの一つの側壁11を昇降させることから、処理槽1の側方のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【0032】
なお、上述した処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における側壁11の下降速度は、各回の排出動作毎に異なる速度としている。より具体的には、各回の排出動作毎に、制御部20がモータ51の駆動部25に異なる信号を送信することにより、モータ51の回転速度、すなわち、側壁11の下降速度を異ならせている。
【0033】
このように、処理液の排出時における側壁11の下降速度を各回毎に異ならせることにより、処理液の排出時に処理槽1内で処理液の液溜まりが発生する位置を変更することが可能となり、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返すことと相俟って、基板Wの全面を均一に処理することが可能となる。
【0034】
なお、上述した処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、側壁11の下降による処理液の排出のみならず、処理液通過口19からも処理液を排出する動作を組み込むことにより、処理槽1内の処理液の液溜まりが発生する位置をさらに変更して、基板Wの全面を均一に処理するようにしてもよい。
【0035】
また、上述した実施形態においては、処理槽1における4個の側壁11、12、13、14のうち、単一の側壁11のみを昇降させる場合について説明したが、他の3個の側壁12、13、14のうちの1〜3個をも側壁11と共に昇降させるようにしてもよい。
【0036】
次に、この発明の他の実施例について説明する。図7はこの発明の第2実施例に係る側壁移動機構6を示す斜視図である。
【0037】
上述した第1実施形態においては、側壁移動機構5を利用して、4個の側壁11、12、13、14のうちの一つの側壁11を昇降移動させている。これに対して、この第2実施形態においては、側壁移動機構6を利用して4個の側壁11、12、13、14のうちの一つの側壁11を、その下端部を中心として回動させる構成となっている。なお、その他の構成については、上述した第1実施形態と同一であるため、それらについての詳細な説明は省略する。
【0038】
この第2実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽1の4個の側壁11、12、13、14のうちの一つの側壁11は、図7に示す側壁移動機構6と接続されている。この側壁移動機構6は、側壁11をその下端部を中心として回動させるためのものであり、側壁11の下端部に付設された支軸64と、この支軸64に対して軸63を介して接続された円盤部材62と、そのシリンダロッドが円盤部材62の外周部付近に接続されたエアシリンダ61とを備える。
【0039】
この側壁移動機構6においては、エアシリンダ61のシリンダロッドが伸縮することにより、円盤部材62が軸63を中心に回転し、これに伴って、側壁11が支軸64を中心に回動する。
【0040】
なお、図8に示すように、側壁12および14の端縁にはパッキング17が配設されており(図8では側壁12のみを図示)、このパッキング17は側壁11と当接可能となっている。このため、側壁11は、側壁12および14に対して液密な状態で当接する構成となっている。
【0041】
この第2実施形態に係る基板処理装置においても、上述した第1実施形態に係る基板処理装置と同様、処理槽1内に貯留されていた処理液は、側壁11の回動に伴って主として側壁11の上端部よりオーバフローすることとなり、その液面付近から処理槽1の外に排出される。このため、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質は、処理液と共に処理槽1の外に排出されることになる。従って、パーティクル等の汚染物質が処理槽中に残留することを有効に防止することが可能となる。
【0042】
また、上述した第2実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽1の側壁11を回動させることにより処理槽1内の処理液を排出する構成であることから、側壁11の回動速度を大きくすることにより、処理槽11内の処理液を特に急速に排出することが可能となる。このため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、その処理効率を向上させることが可能となる。
【0043】
さらに、上述した第2基板処理装置においては、側壁移動機構6が処理槽1を構成する4個の側壁11、12、13、14のうちの一つの側壁11をその下端部を中心として回動させることから、処理槽1の上下方向のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【0044】
なお、この第2実施形態においても、液溜まりの発生位置を変更して基板の全面を均一に洗浄するため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合の処理液排出時における側壁11の回動速度を、上述した第1実施形態の場合と同様、各回の排出動作毎に異なる速度としている。より具体的には、各回の排出動作毎に、図4に示す制御部20がエアシリンダ61の駆動部25に異なる信号を送信することにより、エアシリンダ61の駆動速度、すなわち、側壁11の回動速度を異ならせている。
【0045】
上述した第2実施形態においては、側壁11をその下端部を中心として回動させているが、側壁11をその上端部またはその側端部を中心として回動させることにより、処理槽1内から処理液を排出する構成としてもよい。また、側壁11を側壁12、14および底部15の端面から離隔する方向に平行移動させることにより、処理槽1内から処理液を排出する構成としてもよい。
【0046】
次に、この発明のさらに他の実施例について説明する。図9はこの発明の第3実施例に係る底部昇降機構7を示す側面概要図である。
【0047】
上述した第1、第2実施形態においては、いずれも、側壁移動機構5、6を利用して、4個の側壁11、12、13、14のうちの一つの側壁11を移動させている。これに対して、この第3実施形態においては、底部昇降機構7を利用して処理槽1の底部15を4個の側壁11、12、13、14に対して昇降させる構成となっている。なお、その他の構成については、上述した第1、第2実施形態と同一であるため、それらについての詳細な説明は省略する。
【0048】
この第3実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽1の底部15はパッキング18を介して4個の側壁11、12、13、14と当接している。このため、底部15は、4個の側壁11、12、13、14に対して液密な状態で摺動可能となっている。そして、この底部15は、図9に示す底部昇降機構7と接続されている。
【0049】
この底部昇降機構7は、モータ71の回転軸73に付設されたプーリ74に対し、同期ベルト75を介して連結された複数個のプーリ76を備える。また、底部15の下面には複数個の支持部材78が固設されており、この支持部材78には各々ねじ77が立設されている。このねじ77は、各々、前記プーリ76に形成されたねじ部と螺合している。このため、モータ71の駆動でプーリ76が回転することにより、底部15はねじ77と共に昇降する。
【0050】
処理槽1内に処理液が貯留された状態で、底部15が上昇した場合においては、処理槽1内に貯留された処理液は、4個の側壁11、12、13、14の上端部からオーバフローしながら排出される。そして、底部15が4個の側壁11、12、13、14の上端部と同一の高さ位置まで上昇すれば、処理槽1内の処理液は、全て排出されることになる。
【0051】
この第3実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽1内に貯留されていた処理液は、底部15の上昇に伴って、4個の側壁11、12、13、14の上端部よりオーバフローすることとなり、その液面付近から処理槽1の外に排出される。このため、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質は、処理液と共に処理槽1の外に排出されることになる。従って、パーティクル等の汚染物質が処理槽中に残留することを有効に防止することが可能となる。
【0052】
また、上述した第3実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽1の底部15を上昇させることにより処理槽1内の処理液を排出する構成であることから、底部15の上昇速度を大きくすることにより、処理槽11内の処理液を特に急速に排出することが可能となる。このため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、その処理効率を向上させることが可能となる。
【0053】
さらに、上述した第3実施形態に係る基板処理装置においては、底部昇降機構7が処理槽1の底部15を4個の側壁11、12、13、14に対して昇降させることから、処理槽1の側方および上下方向のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【0054】
なお、この第3実施形態においても、液溜まりの発生位置を変更して基板の全面を均一に洗浄するため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合の処理液排出時における底部15の上昇速度を、上述した第1、第2実施形態の場合と同様、各回の排出動作毎に異なる速度としている。より具体的には、各回の排出動作毎に、図4に示す制御部20がモータ71の駆動部25に異なる信号を送信することにより、モータ71の回転速度、すなわち、底部15の上昇速度を異ならせている。
【0055】
上述した第1、第2、第3実施形態においては、いずれも、前段の処理工程において薬液処理が終了した基板Wを処理槽1に搬送して洗浄処理する基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、薬液通過口19から処理槽1内に供給する薬液を順次変更することにより、処理槽1内において基板Wに複数種の薬液処理を施した後、この基板Wを上述した行程により処理槽1内において洗浄処理する基板処理装置にこの発明を適用してもよい。
【0056】
また、上述した第1、第2、第3実施形態においては、いずれも、基板Wを3個の支持アーム2により直接支持して洗浄処理する基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、カセット内に収納された基板Wを処理槽1内に浸漬して洗浄処理する基板処理装置にこの発明を適用することも可能である。
【0057】
また、上述した第1、第2、第3実施形態においては、処理槽1内に対する純水等の処理液の供給時に、処理槽1内に処理液を供給しながらこの処理液を処理槽1における4個の側壁11、12、13、14の上端部よりオーバーフローさせる構成としたが、処理槽1から処理液をオーバーフローさせずに処理槽1内の基板Wに対して処理を行なう構成としてもよい。
【0058】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を側壁移動手段を使用して移動させることにより処理槽内から処理液を排出する構成であることから、処理槽中に浮遊するパーティクル等の汚染物質を処理液と共に処理槽の外部に有効に排出することができる。このため、処理槽内へのパーティクル等の汚染物質の残留を防止して基板を十分に洗浄処理することが可能となる。
【0059】
また、側壁の移動速度を変更する速度制御手段を備え、側壁の移動速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることから、処理液の排出時に処理槽中に形成される処理液の液溜まりの位置を変更することが可能となる。このため、基板の全面を均一に洗浄処理することが可能となる。
【0060】
請求項2に記載の発明によれば、側壁移動手段が処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を処理槽の底部に対して昇降させることから、処理槽の側方のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【0061】
請求項3に記載の発明によれば、側壁移動手段が処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁をその下端部を中心として回動させることから、処理槽の上下方向のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【0062】
請求項4に記載の発明によれば、底部昇降手段を使用して処理槽の底部を処理槽の側壁に対して昇降させることにより処理槽内から処理液を排出する構成であることから、処理槽中に浮遊するパーティクル等の汚染物質を処理液と共に処理槽の外部に有効に排出することができる。このため、処理槽内へのパーティクル等の汚染物質の残留を防止して基板を十分に洗浄処理することが可能となる。
【0063】
また、底部の昇降速度を変更する速度制御手段を備え、底部の上昇速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることから、処理液の排出時に処理槽中に形成される処理液の液溜まりの位置を変更することが可能となる。このため、基板の全面を均一に洗浄処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 基板処理装置の側面概要図である。
【図2】 側壁移動機構5を示す斜視図である。
【図3】 側壁11と側壁14との当接関係を示す要部拡大図である。
【図4】 基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図5】 基板Wの洗浄処理動作を示す説明図である。
【図6】 基板Wの洗浄処理動作を示す説明図である。
【図7】 側壁移動機構6を示す斜視図である。
【図8】 側壁11と側壁12との当接関係を示す要部拡大図である。
【図9】 底部昇降機構7を示す側面概要図である。
【符号の説明】
1 処理槽
2 支持アーム
3 シャワーノズル
5 側壁移動機構
6 側壁移動機構
7 底部昇降機構
11 側壁
12 側壁
13 側壁
14 側壁
15 底部
19 処理液通過口
20 制御部
51 モータ
61 エアシリンダ
71 モータ
W 基板
Claims (4)
- 処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装置において、
前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を移動させることにより、前記処理槽内から処理液を排出させる側壁移動手段と、
前記側壁移動手段により移動される前記側壁の移動速度を変更する速度制御手段とを備え、
前記速度制御手段は、前記処理槽への処理液の供給動作と前記処理槽からの処理液の排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における側壁の移動速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、前記処理槽の底部に対して昇降させる基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、その下端部を中心として回動させる基板処理装置。 - 処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装置において、
前記処理槽の底部を前記処理槽の側壁に対して昇降させることにより、前記処理槽内から処理液を排出させる底部昇降手段と、
前記底部昇降手段により昇降される前記底部の昇降速度を変更する速度制御手段とを備え、
前記速度制御手段は、前記処理槽への処理液の供給動作と前記処理槽からの処理液の排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における底部の上昇速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02117199A JP3712552B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02117199A JP3712552B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000218243A JP2000218243A (ja) | 2000-08-08 |
JP3712552B2 true JP3712552B2 (ja) | 2005-11-02 |
Family
ID=12047485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02117199A Expired - Fee Related JP3712552B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3712552B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111632896A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-08 | 安徽拔沃乎机电科技有限公司 | 应用于pcb电路全面清洗的清洗构件 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4838904B1 (ja) * | 2011-02-21 | 2011-12-14 | 島田化成株式会社 | ワーク洗浄方法及びそのシステム |
JP5802098B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-10-28 | 島田化成株式会社 | ワーク洗浄方法及びそのシステム並びにその洗浄装置 |
CN114101187B (zh) * | 2021-12-20 | 2023-01-10 | 马宏杰 | 眼科医疗器具清洁灭菌系统 |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP02117199A patent/JP3712552B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111632896A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-08 | 安徽拔沃乎机电科技有限公司 | 应用于pcb电路全面清洗的清洗构件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000218243A (ja) | 2000-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010153888A (ja) | 基板洗浄乾燥装置 | |
JPWO2005098919A1 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体 | |
JP2009200524A (ja) | 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP2016082177A (ja) | 基板液処理装置 | |
CN112620279B (zh) | 湿工艺装置 | |
JPH1133468A (ja) | 回転式基板処理装置およびカップの洗浄方法 | |
KR101205828B1 (ko) | 기판 세정 방법 | |
JP3712552B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009049432A (ja) | ブラシ洗浄装置およびブラシ洗浄方法 | |
JP4080584B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
JP6983571B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4268237B2 (ja) | ブラシ洗浄装置 | |
JP2000167469A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5080885B2 (ja) | 基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法 | |
JP2000208466A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR101460272B1 (ko) | 노즐 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
JP6101023B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI384333B (zh) | Development processing device | |
JP4215869B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR100797082B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2001310162A (ja) | 処理装置及び処理方法及び基板洗浄装置及び基板洗浄方法及び現像装置及び現像方法 | |
KR102667272B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 | |
TWI832253B (zh) | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 | |
JP7451595B2 (ja) | 基板処理方法 | |
KR100738443B1 (ko) | 기판 세정장치 및 기판 세정방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050816 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050817 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |