JP2000218243A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理槽内へのパーティクル等の汚染物質の残
留を防止して基板を十分に洗浄処理することができる基
板処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 処理槽１を構成する４個の側壁１１、１
２、１３、１４のうちの一つの側壁１１は、側壁移動機
構５と接続されている。この側壁移動機構５は、側壁１
１を他の側壁１２、１３、１４および底部１５に対して
昇降させるためのものであり、モータ５１の回転軸５２
に付設されたプーリ５３と、同期ベルト５４を介してプ
ーリ５３に連結されたプーリ５５と、プーリ５５に固設
されたねじ５６と、側壁１１と接続部材５７を介して接
続されると共に、ねじ５６と螺合するナット部５８とを
備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を純水等の処理液により洗浄処理す
る基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】このような基板処理装置としては、ＱＤ
Ｒ（Ｑｕｉｃｋ Ｄｕｍｐ Ｒｉｎｓｅ）槽と呼称され
る急速排出洗浄槽を使用したものが知られている。この
急速排出洗浄槽は、機能水洗槽とも呼称されるものであ
り、処理槽に対して処理液の供給と排出とを繰り返すこ
とにより、基板に付着している汚染物質および薬液を効
果的に洗浄除去するものである。

【０００３】すなわち、この急速排出洗浄槽を利用した
基板処理装置は、処理槽と、この処理槽の底部から純水
等の処理液を供給する処理液供給手段と、処理槽中にお
いて基板を支持する基板支持手段と、処理槽の底部から
処理液を急速に排出するための処理液排出手段と、基板
支持手段により支持された基板に処理液を噴出するシャ
ワーノズルとを有する。

【０００４】この基板処理装置により基板を洗浄処理す
る場合においては、処理槽の下方から供給され処理槽の
上端部よりオーバフローする処理液により、基板支持手
段に支持された基板を洗浄処理する。そして、基板があ
る程度洗浄されれば、処理液排出手段により処理槽内の
処理液を急速に排出する。この処理液の排出時には、基
板の乾燥を防止するため、シャワーノズルから基板に処
理液を噴出する。

【０００５】処理槽内の処理液が完全に排出されれば、
処理液供給手段により処理槽内への処理液の貯留を開始
する。そして、再度、処理槽の下方から供給され処理槽
の上端部よりオーバフローする処理液により基板支持手
段に支持された基板を洗浄処理する。

【０００６】このような処理液の供給と排出動作を複数
回繰り返すことにより、基板に付着している汚染物質お
よび薬液を効果的に洗浄除去することが可能となる。こ
のとき、基板を短時間で処理するためには、処理液排出
手段は処理槽内の処理液を可能な限り急速に排出しうる
構成とすることが好ましい。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したような急速排
出洗浄槽を利用した基板処理装置においては、処理槽中
の処理液を処理槽の底部から排出する構成であることか
ら、処理槽の底部にパーティクル等の汚染物質が残留す
るという問題点がある。

【０００８】すなわち、上述した基板処理装置は、処理
液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質を、処理液を
オーバフローさせることにより処理液と共に処理槽の外
部に排出するものであるが、処理液の排出時においては
処理液は処理槽の底部から排出されることから、処理液
中に浮遊するパーティクル等の汚染物質が、処理槽底部
に付着して処理槽内に残留することになる。処理槽内に
このようなパーティクル等の汚染物質が残留した場合に
は、基板を十分に洗浄処理することが不可能となるとい
う問題が生ずる。

【０００９】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、処理槽内へのパーティクル等の汚染物
質の残留を防止して基板を十分に洗浄処理することがで
きる基板処理装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗
浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出
して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装
置において、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくと
も一つの側壁を側壁移動手段を使用して移動させること
により、前記処理槽内から処理液を排出することを特徴
とする。

【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記側壁移動手段は、前記処理槽を構
成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、前記処理槽
の底部に対して昇降させている。

【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記側壁移動手段は、前記処理槽を構
成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、その下端部
を中心として回動させている。

【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請
求項３いずれかに記載の発明において、前記側壁移動手
段は、前記側壁の移動速度を変更する速度制御手段をさ
らに備えている。

【００１４】請求項５に記載の発明は、処理槽内に供給
された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとと
もに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理
液を交換するようにした基板処理装置において、底部昇
降手段を使用して、前記処理槽の底部を前記処理槽の側
壁に対して昇降させることにより、前記処理槽内から処
理液を排出することを特徴とする。

【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の発明において、前記底部昇降手段は、前記底部の昇降
速度を変更する速度制御手段をさらに備えている。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態
に係る基板処理装置の側面概要図であり、図２はその側
壁移動機構５を示す斜視図である。

【００１７】この基板処理装置は、純水等の処理液を貯
留するための処理槽１と、処理槽１内において半導体ウ
エハ等の基板Ｗを起立状態で支持するための基板支持溝
を備えた３個の支持アーム２と、支持アーム２により支
持された基板Ｗに処理液を噴出するための噴出口４を備
えたシャワーノズル３と、処理槽１の側壁１１を昇降駆
動するための側壁移動機構５と、後述する制御部２０と
を備える。

【００１８】前記処理槽１は、４個の側壁１１、１２、
１３、１４と、これらの側壁１１、１２、１３、１４に
連結する単一の底部１５と、この底部１５に形成された
処理液通過口１９とを備える。この処理液通過口１９
は、図示しない電磁弁等を介して処理液の供給源と接続
されており、処理槽１には、この処理液通過口１９から
処理液が供給される。

【００１９】上記４個の側壁１１、１２、１３、１４の
うちの一つの側壁１１は、図２に示す側壁移動機構５と
接続されている。この側壁移動機構５は、側壁１１を他
の側壁１２、１３、１４および底部１５に対して昇降さ
せるためのものであり、モータ５１の回転軸５２に付設
されたプーリ５３と、同期ベルト５４を介してプーリ５
３に連結されたプーリ５５と、プーリ５５に固設された
ねじ５６と、側壁１１と接続部材５７を介して接続され
ると共に、ねじ５６と螺合するナット部５８とを備え
る。

【００２０】図３に示すように、側壁１１の両端部（図
３では片側のみを図示）には凹部が形成されており、こ
の凹部内にはパッキング１６が配設されている。また、
側壁１２および１４の端面には凸部が形成されており
（図３では側壁１４のみを図示）、この凸部はパッキン
グ１６と当接している。このため、側壁１１は、側壁１
２および１４に対して液密な状態で摺動可能となってい
る。なお、側壁１１は、底部１５に対しても液密な状態
で摺動可能となっている。

【００２１】図４は、基板処理装置の主要な電気的構成
を示すブロック図である。

【００２２】この基板処理装置は、装置の制御に必要な
動作プログラムが格納されたＲＯＭ２１と、制御時にデ
ータ等が一時的にストアされるＲＡＭ２２と、論理演算
を実行するＣＰＵ２３とからなる制御部２０を備える。
この制御部２０は、側壁１１の昇降速度を制御する速度
制御手段として機能するものであり、インターフェース
２４を介して側壁１１を昇降駆動するモータ５１の駆動
部２５と接続されている。

【００２３】次に、上述した構成を有する基板処理装置
により基板Ｗを洗浄処理する処理動作について説明す
る。図５および図６は、基板Ｗの洗浄処理動作を示す説
明図である。

【００２４】最初に、処理液通過口１９から処理槽１内
に純水等の処理液を供給し、この純水を処理槽１におけ
る４個の側壁１１、１２、１３、１４の上端部よりオー
バフローさせる。そして、この状態において、図示しな
いチャック等の基板搬送装置により、前段の処理工程か
ら薬液処理の完了した基板Ｗを搬送した後、この基板Ｗ
を基板搬送装置から３個の支持アーム２に受け渡す。な
お、３個の支持アーム２は互いに同期して昇降可能に構
成されており、処理槽１の上部において基板搬送装置か
ら基板Ｗを受け取った後、基板Ｗと共に図１に示す位置
まで下降する。

【００２５】この状態においては、図５（ａ）に示すよ
うに、基板Ｗは処理槽１の下方から供給され処理槽１の
上端部よりオーバフローする処理液中に配置されること
になる。そして、この状態で一定時間が経過することに
より、基板Ｗは洗浄処理される。このとき、基板Ｗ等か
ら発生するパーティクル等の汚染物質は、処理槽１の上
端部からオーバフローする処理液と共に処理槽１外に排
出される。

【００２６】次に、図５（ｂ）に示すように、側壁移動
機構５により側壁１１を下降させる。この側壁１１の下
降に伴って、処理槽１内の処理液は、側壁１１の上端部
よりオーバフローする。すなわち、処理槽１内の処理液
は、その液面付近から処理槽１の外に排出されることに
なる。

【００２７】なお、このときの処理液液面の低下に伴
い、基板Ｗが処理液中から露出する。この基板Ｗの露出
により基板Ｗの表面が乾燥することを防止するため、側
壁１１を下降させるに先立って、シャワーノズル３の噴
出口４から支持アーム２により支持された基板Ｗに向け
て処理液を噴出しておく。

【００２８】側壁１１が下降を継続し、図５（ｃ）に示
すように、側壁１１の上端部が底部１５の上面と同一の
高さとなった状態では、処理槽１１内の処理液は全て排
出されることになる。

【００２９】次に、図６（ｄ）に示すように、処理液通
過口１９から処理槽１内に処理液を供給する。処理槽１
内の処理液が処理槽１１内に満たされれば、図６（ｅ）
に示すように、シャワーノズル３からの処理液の噴出を
停止する。そして、再度、図５（ａ）に示すように、処
理槽１の下方から供給され処理槽１の上端部よりオーバ
フローする処理液により基板Ｗを洗浄処理する。

【００３０】以上の動作を数回繰り返すことにより、基
板Ｗを十分に洗浄処理することができる。このとき、洗
浄に供されて汚染された洗浄液を排出する動作を繰り返
すことから、基板Ｗに付着している汚染物質および薬液
を効果的に洗浄除去することが可能となる。

【００３１】このとき、特に、上述した基板処理装置に
おいては、処理槽１内に貯留されていた処理液は、側壁
１１の上端部よりオーバフローすることにより、その液
面付近から処理槽１の外に排出される。このため、処理
液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質は、処理液と
共に処理槽１の外に排出されることになる。従って、パ
ーティクル等の汚染物質が処理槽中に残留することを有
効に防止することが可能となる。

【００３２】また、上述した基板処理装置においては、
処理槽１の側壁１１を下降させることにより処理槽１内
の処理液を排出する構成であることから、側壁１１の下
降速度を大きくすることにより、処理槽１１内の処理液
を特に急速に排出することが可能となる。このため、処
理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、その処
理効率を向上させることが可能となる。

【００３３】さらに、上述した基板処理装置において
は、側壁移動機構５が処理槽１を構成する４個の側壁１
１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１を昇降さ
せることから、処理槽１の側方のスペースが小さい場合
であっても、処理液を有効に排出することが可能とな
る。

【００３４】なお、上述した処理液の供給と排出動作を
複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における側壁１
１の下降速度は、各回の排出動作毎に異なる速度として
いる。より具体的には、各回の排出動作毎に、制御部２
０がモータ５１の駆動部２５に異なる信号を送信するこ
とにより、モータ５１の回転速度、すなわち、側壁１１
の下降速度を異ならせている。

【００３５】このように、処理液の排出時における側壁
１１の下降速度を各回毎に異ならせることにより、処理
液の排出時に処理槽１内で処理液の液溜まりが発生する
位置を変更することが可能となり、処理液の供給と排出
動作を複数回繰り返すことと相俟って、基板Ｗの全面を
均一に処理することが可能となる。

【００３６】なお、上述した処理液の供給と排出動作を
複数回繰り返す場合に、側壁１１の下降による処理液の
排出のみならず、処理液通過口１９からも処理液を排出
する動作を組み込むことにより、処理槽１内の処理液の
液溜まりが発生する位置をさらに変更して、基板Ｗの全
面を均一に処理するようにしてもよい。

【００３７】また、上述した実施形態においては、処理
槽１における４個の側壁１１、１２、１３、１４のう
ち、単一の側壁１１のみを昇降させる場合について説明
したが、他の３個の側壁１２、１３、１４のうちの１〜
３個をも側壁１１と共に昇降させるようにしてもよい。

【００３８】次に、この発明の他の実施例について説明
する。図７はこの発明の第２実施例に係る側壁移動機構
６を示す斜視図である。

【００３９】上述した第１実施形態においては、側壁移
動機構５を利用して、４個の側壁１１、１２、１３、１
４のうちの一つの側壁１１を昇降移動させている。これ
に対して、この第２実施形態においては、側壁移動機構
６を利用して４個の側壁１１、１２、１３、１４のうち
の一つの側壁１１を、その下端部を中心として回動させ
る構成となっている。なお、その他の構成については、
上述した第１実施形態と同一であるため、それらについ
ての詳細な説明は省略する。

【００４０】この第２実施形態に係る基板処理装置にお
いては、処理槽１の４個の側壁１１、１２、１３、１４
のうちの一つの側壁１１は、図７に示す側壁移動機構６
と接続されている。この側壁移動機構６は、側壁１１を
その下端部を中心として回動させるためのものであり、
側壁１１の下端部に付設された支軸６４と、この支軸６
４に対して軸６３を介して接続された円盤部材６２と、
そのシリンダロッドが円盤部材６２の外周部付近に接続
されたエアシリンダ６１とを備える。

【００４１】この側壁移動機構６においては、エアシリ
ンダ６１のシリンダロッドが伸縮することにより、円盤
部材６２が軸６３を中心に回転し、これに伴って、側壁
１１が支軸６４を中心に回動する。

【００４２】なお、図８に示すように、側壁１２および
１４の端縁にはパッキング１７が配設されており（図８
では側壁１２のみを図示）、このパッキング１７は側壁
１１と当接可能となっている。このため、側壁１１は、
側壁１２および１４に対して液密な状態で当接する構成
となっている。

【００４３】この第２実施形態に係る基板処理装置にお
いても、上述した第１実施形態に係る基板処理装置と同
様、処理槽１内に貯留されていた処理液は、側壁１１の
回動に伴って主として側壁１１の上端部よりオーバフロ
ーすることとなり、その液面付近から処理槽１の外に排
出される。このため、処理液中に浮遊するパーティクル
等の汚染物質は、処理液と共に処理槽１の外に排出され
ることになる。従って、パーティクル等の汚染物質が処
理槽中に残留することを有効に防止することが可能とな
る。

【００４４】また、上述した第２実施形態に係る基板処
理装置においては、処理槽１の側壁１１を回動させるこ
とにより処理槽１内の処理液を排出する構成であること
から、側壁１１の回動速度を大きくすることにより、処
理槽１１内の処理液を特に急速に排出することが可能と
なる。このため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り
返す場合に、その処理効率を向上させることが可能とな
る。

【００４５】さらに、上述した第２基板処理装置におい
ては、側壁移動機構６が処理槽１を構成する４個の側壁
１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１をその
下端部を中心として回動させることから、処理槽１の上
下方向のスペースが小さい場合であっても、処理液を有
効に排出することが可能となる。

【００４６】なお、この第２実施形態においても、液溜
まりの発生位置を変更して基板の全面を均一に洗浄する
ため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合の
処理液排出時における側壁１１の回動速度を、上述した
第１実施形態の場合と同様、各回の排出動作毎に異なる
速度としている。より具体的には、各回の排出動作毎
に、図４に示す制御部２０がエアシリンダ６１の駆動部
２５に異なる信号を送信することにより、エアシリンダ
６１の駆動速度、すなわち、側壁１１の回動速度を異な
らせている。

【００４７】上述した第２実施形態においては、側壁１
１をその下端部を中心として回動させているが、側壁１
１をその上端部またはその側端部を中心として回動させ
ることにより、処理槽１内から処理液を排出する構成と
してもよい。また、側壁１１を側壁１２、１４および底
部１５の端面から離隔する方向に平行移動させることに
より、処理槽１内から処理液を排出する構成としてもよ
い。

【００４８】次に、この発明のさらに他の実施例につい
て説明する。図９はこの発明の第３実施例に係る底部昇
降機構７を示す側面概要図である。

【００４９】上述した第１、第２実施形態においては、
いずれも、側壁移動機構５、６を利用して、４個の側壁
１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１を移動
させている。これに対して、この第３実施形態において
は、底部昇降機構７を利用して処理槽１の底部１５を４
個の側壁１１、１２、１３、１４に対して昇降させる構
成となっている。なお、その他の構成については、上述
した第１、第２実施形態と同一であるため、それらにつ
いての詳細な説明は省略する。

【００５０】この第３実施形態に係る基板処理装置にお
いては、処理槽１の底部１５はパッキング１８を介して
４個の側壁１１、１２、１３、１４と当接している。こ
のため、底部１５は、４個の側壁１１、１２、１３、１
４に対して液密な状態で摺動可能となっている。そし
て、この底部１５は、図９に示す底部昇降機構７と接続
されている。

【００５１】この底部昇降機構７は、モータ７１の回転
軸７３に付設されたプーリ７４に対し、同期ベルト７５
を介して連結された複数個のプーリ７６を備える。ま
た、底部１５の下面には複数個の支持部材７８が固設さ
れており、この支持部材７８には各々ねじ７７が立設さ
れている。このねじ７７は、各々、前記プーリ７６に形
成されたねじ部と螺合している。このため、モータ７１
の駆動でプーリ７６が回転することにより、底部１５は
ねじ７７と共に昇降する。

【００５２】処理槽１内に処理液が貯留された状態で、
底部１５が上昇した場合においては、処理槽１内に貯留
された処理液は、４個の側壁１１、１２、１３、１４の
上端部からオーバフローしながら排出される。そして、
底部１５が４個の側壁１１、１２、１３、１４の上端部
と同一の高さ位置まで上昇すれば、処理槽１内の処理液
は、全て排出されることになる。

【００５３】この第３実施形態に係る基板処理装置にお
いては、処理槽１内に貯留されていた処理液は、底部１
５の上昇に伴って、４個の側壁１１、１２、１３、１４
の上端部よりオーバフローすることとなり、その液面付
近から処理槽１の外に排出される。このため、処理液中
に浮遊するパーティクル等の汚染物質は、処理液と共に
処理槽１の外に排出されることになる。従って、パーテ
ィクル等の汚染物質が処理槽中に残留することを有効に
防止することが可能となる。

【００５４】また、上述した第３実施形態に係る基板処
理装置においては、処理槽１の底部１５を上昇させるこ
とにより処理槽１内の処理液を排出する構成であること
から、底部１５の上昇速度を大きくすることにより、処
理槽１１内の処理液を特に急速に排出することが可能と
なる。このため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り
返す場合に、その処理効率を向上させることが可能とな
る。

【００５５】さらに、上述した第３実施形態に係る基板
処理装置においては、底部昇降機構７が処理槽１の底部
１５を４個の側壁１１、１２、１３、１４に対して昇降
させることから、処理槽１の側方および上下方向のスペ
ースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出する
ことが可能となる。

【００５６】なお、この第３実施形態においても、液溜
まりの発生位置を変更して基板の全面を均一に洗浄する
ため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合の
処理液排出時における底部１５の上昇速度を、上述した
第１、第２実施形態の場合と同様、各回の排出動作毎に
異なる速度としている。より具体的には、各回の排出動
作毎に、図４に示す制御部２０がモータ７１の駆動部２
５に異なる信号を送信することにより、モータ７１の回
転速度、すなわち、底部１５の上昇速度を異ならせてい
る。

【００５７】上述した第１、第２、第３実施形態におい
ては、いずれも、前段の処理工程において薬液処理が終
了した基板Ｗを処理槽１に搬送して洗浄処理する基板処
理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、
薬液通過口１９から処理槽１内に供給する薬液を順次変
更することにより、処理槽１内において基板Ｗに複数種
の薬液処理を施した後、この基板Ｗを上述した行程によ
り処理槽１内において洗浄処理する基板処理装置にこの
発明を適用してもよい。

【００５８】また、上述した第１、第２、第３実施形態
においては、いずれも、基板Ｗを３個の支持アーム２に
より直接支持して洗浄処理する基板処理装置にこの発明
を適用した場合について説明したが、カセット内に収納
された基板Ｗを処理槽１内に浸漬して洗浄処理する基板
処理装置にこの発明を適用することも可能である。

【００５９】また、上述した第１、第２、第３実施形態
においては、処理槽１内に対する純水等の処理液の供給
時に、処理槽１内に処理液を供給しながらこの処理液を
処理槽１における４個の側壁１１、１２、１３、１４の
上端部よりオーバーフローさせる構成としたが、処理槽
１から処理液をオーバーフローさせずに処理槽１内の基
板Ｗに対して処理を行なう構成としてもよい。

【００６０】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、処理槽
を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を側壁移動
手段を使用して移動させることにより処理槽内から処理
液を排出する構成であることから、処理槽中に浮遊する
パーティクル等の汚染物質を処理液と共に処理槽の外部
に有効に排出することができる。このため、処理槽内へ
のパーティクル等の汚染物質の残留を防止して基板を十
分に洗浄処理することが可能となる。

【００６１】請求項２に記載の発明によれば、側壁移動
手段が処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側
壁を処理槽の底部に対して昇降させることから、処理槽
の側方のスペースが小さい場合であっても、処理液を有
効に排出することが可能となる。

【００６２】請求項３に記載の発明によれば、側壁移動
手段が処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側
壁をその下端部を中心として回動させることから、処理
槽の上下方向のスペースが小さい場合であっても、処理
液を有効に排出することが可能となる。

【００６３】請求項４に記載の発明によれば、側壁移動
手段が側壁の移動速度を変更する速度制御手段をさらに
備えることから、処理液の排出時に処理槽中に形成され
る処理液の液溜まりの位置を変更することが可能とな
る。このため、基板の全面を均一に洗浄処理することが
可能となる。

【００６４】請求項５に記載の発明によれば、底部昇降
手段を使用して処理槽の底部を処理槽の側壁に対して昇
降させることにより処理槽内から処理液を排出する構成
であることから、処理槽中に浮遊するパーティクル等の
汚染物質を処理液と共に処理槽の外部に有効に排出する
ことができる。このため、処理槽内へのパーティクル等
の汚染物質の残留を防止して基板を十分に洗浄処理する
ことが可能となる。

【００６５】請求項６に記載の発明によれば、底部昇降
手段が底部の昇降速度を変更する速度制御手段をさらに
備えることから、処理液の排出時に処理槽中に形成され
る処理液の液溜まりの位置を変更することが可能とな
る。このため、基板の全面を均一に洗浄処理することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板処理装置の側面概要図である。

【図２】側壁移動機構５を示す斜視図である。

【図３】側壁１１と側壁１４との当接関係を示す要部拡
大図である。

【図４】基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロッ
ク図である。

【図５】基板Ｗの洗浄処理動作を示す説明図である。

【図６】基板Ｗの洗浄処理動作を示す説明図である。

【図７】側壁移動機構６を示す斜視図である。

【図８】側壁１１と側壁１２との当接関係を示す要部拡
大図である。

【図９】底部昇降機構７を示す側面概要図である。

【符号の説明】

１ 処理槽 ２ 支持アーム ３ シャワーノズル ５ 側壁移動機構 ６ 側壁移動機構 ７ 底部昇降機構 １１ 側壁 １２ 側壁 １３ 側壁 １４ 側壁 １５ 底部 １９ 処理液通過口 ２０ 制御部 ５１ モータ ６１ エアシリンダ ７１ モータ Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 JB02 JC19 3B201 AA02 AA03 AB44 BB02 BB04 BB23 BB33 BB93 CB12 CD22 CD43 5E343 AA22 AA26 EE06 FF23 GG20

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理槽内に供給された処理液中に基板を
   浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処
   理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした
   基板処理装置において、 前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁
   を側壁移動手段を使用して移動させることにより、前記
   処理槽内から処理液を排出することを特徴とする基板処
   理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち
   少なくとも一つの側壁を、前記処理槽の底部に対して昇
   降させる基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち
   少なくとも一つの側壁を、その下端部を中心として回動
   させる基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３いずれかに記載の
   基板処理装置において、 前記側壁移動手段は、前記側壁の移動速度を変更する速
   度制御手段をさらに備える基板処理装置。
5. 【請求項５】 処理槽内に供給された処理液中に基板を
   浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処
   理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした
   基板処理装置において、 底部昇降手段を使用して、前記処理槽の底部を前記処理
   槽の側壁に対して昇降させることにより、前記処理槽内
   から処理液を排出することを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置におい
   て、 前記底部昇降手段は、前記底部の昇降速度を変更する速
   度制御手段をさらに備える基板処理装置。