JPH0499025A - 水洗装置 - Google Patents
水洗装置Info
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- JPH0499025A JPH0499025A JP20852490A JP20852490A JPH0499025A JP H0499025 A JPH0499025 A JP H0499025A JP 20852490 A JP20852490 A JP 20852490A JP 20852490 A JP20852490 A JP 20852490A JP H0499025 A JPH0499025 A JP H0499025A
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- JP
- Japan
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- pure water
- tank
- semiconductor substrates
- washing tank
- water
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 32
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 4
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に使用される水洗装置に関す
る。
る。
従来、エツチングや洗浄が終了した半導体基板を水洗す
る装置は、純水を満たした水洗槽内に半導体基板を浸漬
し、水洗槽底部の供給管、及び水洗層の斜め上部のシャ
ワーノズルより純水を供給しながら、基板に付着してい
る薬液やごみを洗い流す方式をとっていた。この時薬液
やごみを含んだ純水は、水洗槽底部の排水口、または水
洗槽上部端よりオーバーフローにより排水されていた。
る装置は、純水を満たした水洗槽内に半導体基板を浸漬
し、水洗槽底部の供給管、及び水洗層の斜め上部のシャ
ワーノズルより純水を供給しながら、基板に付着してい
る薬液やごみを洗い流す方式をとっていた。この時薬液
やごみを含んだ純水は、水洗槽底部の排水口、または水
洗槽上部端よりオーバーフローにより排水されていた。
しかしながら、上述した従来の水洗方法では、斜め上部
からのシャワーによる給水及び水洗槽上部からのオーバ
ーフローによる排水の為に、水洗槽内での純水の循環が
悪く、半導体装置製造上、最も大きな障害要因であるご
み等の粒子は巻き上げられ、純水表面、または水洗槽内
の純水中に浮遊、拡散されて停滞していた。また、水洗
槽内及び水洗槽上部端へと浮遊、拡散しているごみは、
水洗終了後、半導体基板を空気中に引き出す時点で基板
表面に再付着し、歩留を低下させる要因となっていた。
からのシャワーによる給水及び水洗槽上部からのオーバ
ーフローによる排水の為に、水洗槽内での純水の循環が
悪く、半導体装置製造上、最も大きな障害要因であるご
み等の粒子は巻き上げられ、純水表面、または水洗槽内
の純水中に浮遊、拡散されて停滞していた。また、水洗
槽内及び水洗槽上部端へと浮遊、拡散しているごみは、
水洗終了後、半導体基板を空気中に引き出す時点で基板
表面に再付着し、歩留を低下させる要因となっていた。
本発明の水洗装置は、底部に排水口が設けられた水洗槽
と、前記排水口の位置より上部に設けられ半導体基板を
入れたキャリアを載置するための載置板と、内面部に純
水を吐出させるためのノズルが設けられた水洗槽の蓋と
を含んで構成される。
と、前記排水口の位置より上部に設けられ半導体基板を
入れたキャリアを載置するための載置板と、内面部に純
水を吐出させるためのノズルが設けられた水洗槽の蓋と
を含んで構成される。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図はこの発明の一実施例を説明する為の水洗装置の
断面図である。
断面図である。
第１図において、水洗槽１０の底部には排水口５が設け
られており、そしてこの排水口５の位置より上部には半
導体基板３を入れたキャリア４を載置するための、孔１
１を有するパンチング板９が設けられている。また、水
洗槽１０の上部には、内面部に純水を吐出させるための
ノズル２が設けられた！！１がちょうつがい等により取
付けられている。更に、水洗槽１０内の半導体基板３の
入った位置より高い部分にも純水供給口８を設け、更に
循環ポンプ６及びフィルター７を通過した排水口５から
の純水は、水洗槽上部のＩｌｌに付いているノズル２か
ら半導体基板３の間へ垂直に吐出されるように構成され
ている。
られており、そしてこの排水口５の位置より上部には半
導体基板３を入れたキャリア４を載置するための、孔１
１を有するパンチング板９が設けられている。また、水
洗槽１０の上部には、内面部に純水を吐出させるための
ノズル２が設けられた！！１がちょうつがい等により取
付けられている。更に、水洗槽１０内の半導体基板３の
入った位置より高い部分にも純水供給口８を設け、更に
循環ポンプ６及びフィルター７を通過した排水口５から
の純水は、水洗槽上部のＩｌｌに付いているノズル２か
ら半導体基板３の間へ垂直に吐出されるように構成され
ている。
このように構成された本実施例によれば、水洗槽１０上
部から垂直に吐出された純水を槽下部の排水口５より排
水する事で、常時水洗槽１０内に上部から下部へと純水
の流れを作り、槽内の純水中及び特に半導体基板３間に
停滞・浮遊するごみ等の粒子を除去でき、水洗終了後の
再付着を防止できる。
部から垂直に吐出された純水を槽下部の排水口５より排
水する事で、常時水洗槽１０内に上部から下部へと純水
の流れを作り、槽内の純水中及び特に半導体基板３間に
停滞・浮遊するごみ等の粒子を除去でき、水洗終了後の
再付着を防止できる。
以上説明したように本発明は、水洗槽上部の蓋のノズル
より純水を垂直に半導体基板間へ吐出させ、また排水を
水洗槽下部の排水口から行うことで、上部から下部へと
垂直方向に常時純水の流れができるため、これまで問題
となっていた水洗槽内でのごみ等の停滞は軽減される為
、半導体基板を空気中へ引き出す際のごみの再付着も少
なくなる。またこの垂直方向の流れにより、水洗槽内に
ごみが浮遊し拡散するのを防ぐことができるという効果
がある。
より純水を垂直に半導体基板間へ吐出させ、また排水を
水洗槽下部の排水口から行うことで、上部から下部へと
垂直方向に常時純水の流れができるため、これまで問題
となっていた水洗槽内でのごみ等の停滞は軽減される為
、半導体基板を空気中へ引き出す際のごみの再付着も少
なくなる。またこの垂直方向の流れにより、水洗槽内に
ごみが浮遊し拡散するのを防ぐことができるという効果
がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・蓋、２・・・ノズル、３・・・半導体基板、４
・・・キャリア、５・・・排水口、６・・・循環ポンプ
、７・・・フィルタ、８・・・給水口、９川パンチング
板、１ｏ・・・水洗槽、１１・・・孔。
・・・キャリア、５・・・排水口、６・・・循環ポンプ
、７・・・フィルタ、８・・・給水口、９川パンチング
板、１ｏ・・・水洗槽、１１・・・孔。
Claims (1)
- 底部に排水口が設けられた水洗槽と、前記排水口の位
置より上部に設けられ半導体基板を入れたキャリアを載
置するための載置板と、内面部に純水を吐出させるため
のノズルが設けられた水洗槽の蓋とを含むことを特徴と
する水洗装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20852490A JPH0499025A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 水洗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20852490A JPH0499025A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 水洗装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499025A true JPH0499025A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16557612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20852490A Pending JPH0499025A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 水洗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499025A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148457A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Tadahiro Omi | ウェットステーション並びにそのウェットステーションを用いたウェット洗浄方法及びウェット洗浄装置 |
| US5673713A (en) * | 1995-12-19 | 1997-10-07 | Lg Semicon Co., Ltd. | Apparatus for cleansing semiconductor wafer |
| US5842491A (en) * | 1995-12-18 | 1998-12-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5921257A (en) * | 1996-04-24 | 1999-07-13 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| US6350322B1 (en) | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6837253B1 (en) * | 2002-04-22 | 2005-01-04 | Imtec Acculine, Inc. | Processing tank with improved quick dump valve |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP20852490A patent/JPH0499025A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148457A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Tadahiro Omi | ウェットステーション並びにそのウェットステーションを用いたウェット洗浄方法及びウェット洗浄装置 |
| US5842491A (en) * | 1995-12-18 | 1998-12-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5673713A (en) * | 1995-12-19 | 1997-10-07 | Lg Semicon Co., Ltd. | Apparatus for cleansing semiconductor wafer |
| US5921257A (en) * | 1996-04-24 | 1999-07-13 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| US6645311B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6656289B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-12-02 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6601595B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6607001B1 (en) * | 1997-03-21 | 2003-08-19 | Micron Technology, Inc. | System of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6641677B1 (en) | 1997-03-21 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6350322B1 (en) | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7422639B2 (en) | 1997-03-21 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7204889B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7163019B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6896740B2 (en) | 1997-03-21 | 2005-05-24 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6860279B2 (en) | 1999-07-14 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6672319B2 (en) | 1999-07-14 | 2004-01-06 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6539963B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6647996B2 (en) | 1999-07-14 | 2003-11-18 | Micron Technology, Inc. | Method of diffusing pressurized liquid |
| US6837253B1 (en) * | 2002-04-22 | 2005-01-04 | Imtec Acculine, Inc. | Processing tank with improved quick dump valve |
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