KR100313518B1 - 웨이퍼 세정장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 바닥면에 케미컬 공급 및 배액관이 형성되어 있는 케미컬 배스와, 케미컬 배스 내부에 설치되어 있고 각각의 홀에 필터가 설치되어있는 케미컬 홀 플래이트 및 케미컬 배스의 외주변에 설치되어 있고 증류수 공급관이 연결되어 있으며 증류수 공급 홀을 통해 케미컬 배스에 증류수를 공급할 수 있는 증류수 배스로 구성되는 웨이퍼 세정장치를 제공한다. 본 발명에 의하면 간단한 장치에 의하여 웨이퍼 세정 후 세정액 및 배스 내 남아있는 오염물질을 효과적으로 제거하여, 잔존하는 오염물질이 후속되는 웨이퍼 세정 과정에서 웨이퍼에 달라붙거나 세정 효과를 떨어뜨리는 것을 방지할 수 있다.

Description

웨이퍼 세정장치{WET STATION BATH FOR WAFER}
본 발명은 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼 세정장치의 한부분인 케미컬 배스(chemical bath)에 있어서 웨이퍼 세정 후 배스 내부에 잔존하는 이물질로 오염되어 이후에 연속으로 진행되는 웨이퍼들을 오염시키고 있어, 케미컬 배스 내부의 오염원을 제거할 수 있도록 한 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.
여기서, 케미컬 배스라 함은 U 세정 및 HF 세정 배스를 지칭한다.
종래의 웨이퍼 세정장치의 케미컬 배스는 도 1에 도시된 바와 같이 케미컬 홀 플래이트(1), 케미컬 공급 및 배액(drain)관(2), 케미컬 배스(5), 케미컬 외조(outer bath)(6), 케미컬 서브 배스 배액관(3), 케미컬 서브 공급관(4)으로 구성되어 있다.
도면을 통해 종래의 케미컬 배스 내의 웨이퍼 세정 과정을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
케미컬 공급 및 배액관(2)을 통해 NH4OH, H2O2, H2O, HF 등의 케미컬을 케미컬 배스(5)에 공급한다. 케미컬 배스(5)에 케미컬이 가득 채워지면 웨이퍼가 케미컬 배스(5)에서 세정된다. 웨이퍼 세정이 완료되면 케미컬이 케미컬 공급 및 배액관(2)을 통해 배액된다. 웨이퍼 세정 도중 케미컬이 부족하게 되면 케미컬 외조(6)에 담겨 있는 케미컬을 케미컬 서브 배스 배액관(3) 및 케미컬 서브 공급관(4)을통해 케미컬 배스(5)에 공급한다. 케미컬 공급 및 배액시에는 케미컬 홀 플래이트(1)를 통해 케미컬 배스(5) 내부에 골고루 공급되도록 유도한다. 도 2에 케미컬 홀 플래이트(1)의 평면도를 나타내고 도 3에는 그 단면을 구체적으로 나타내었다. 케미컬 홀 플래이트(1) 상의 여러개의 홀이 케미컬의 통로가 된다.
웨이퍼 세정이 완료되면 케미컬이 케미컬 공급 및 배액관(2)을 통해 배액되는데, 이 때 웨이퍼 세정 중에 발생한 이물질(particle)이 케미컬 배스(5) 내부에 잔존하여 다음 웨이퍼가 세정되는 도중 웨이퍼에 달라붙게 된다.
특히, 세정 중 발생한 이물질이 케미컬 배스(5)의 바닥과 벽면에 달라붙은 상태에서 새로운 케미컬이 계속적으로 공급되므로 이물질이 배스 내에 지속적으로 쌓이게 된다.
따라서 본 발명은 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 세정 후 세정액 및 배스 내 오염물질을 효과적으로 제거하는 장치를 제공하여, 잔존하는 오염물질이 후속되는 웨이퍼 세정 과정에서 웨이퍼에 달라붙거나 세정 효과를 떨어뜨리는 것을 방지하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 케미컬 배스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 케미컬 배스 내의 케미컬 홀 플래이트를 모식적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 1의 케미컬 배스 내의 케미컬 홀 플래이트를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명에 의한 웨이퍼 세정장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4의 웨이퍼 세정장치 내부에 설치된 케미컬 홀 플레이트의 평면도이다.
도 6은 도 4의 웨이퍼 세정장치 내부에 설치된 케미컬 홀 플레이트의 단면도이다.
도 7은 본 발명에 의한 웨이퍼 세정장치에서 케미컬 배스 외주변에 형성된 증류수 배 및 증류수 공급관을 나타내는 모식도이다.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
1:케미컬 홀 플래이트 2:케미컬 공급 및 배액관
3:케미컬 서브 배스 드레인관 4:케미컬 서브 공급관
5:케미컬 배스 6:케미컬 외조
7:고정대 8:웨이퍼
11:케미컬 홀 플래이트 12:케미컬 공급 및 배액관
13:증류수 공급관 14:증류수 공급홀
15:케미컬 배스 16:증류수 배스
17:배스 바닥 19:홀
20:필터
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 바닥면에 케미컬 공급 및 배액관이 형성되어 있는 케미컬 배스와, 케미컬 배스 내부에 설치되어 있고 각각의 홀에 필터가 설치되어있는 케미컬 홀 플래이트 및 케미컬 배스의 외주변에 설치되어 있고 증류수 공급관이 연결되어 있으며 증류수 공급 홀을 통해 케미컬 배스에 증류수를 공급할 수 있는 증류수 배스로 구성되는 웨이퍼 세정장치를 제공한다.
상기 케미컬 홀 플래이트에 형성되어 있는 각각의 홀은 밑면에 개폐가 가능한 필터가 부착되어 있어 케미컬의 배액시 오염 물질의 효과적인 배출을 가능하게 하고, 케미컬의 공급시 오염물질의 역류를 막을 수 있도록 하였다.
상기 장치에 의해 웨이퍼 세정 후 이물질이 웨이퍼 세정장치의 케미컬 배스 내부에 남아있을 때, 다음 웨이퍼의 세정 전에 배스 바깥 상단에 설치된 증류수 배스에서 증류수를 공급하여 케미컬 배스를 세정할 수 있고, 케미컬 배스에 케미컬을 공급할 때 필터를 통해 공급하게 되므로 케미컬 배스 내부로 이물질이 투입되는 것을 방지할 수 있도록 한다.
도면을 참조하며 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
도 4에는 본 발명에 의한 웨이퍼 세정장치가 나타나 있고, 도 5 및 도 6에는 도 4의 웨이퍼 세정장치 내에 설치된 케미컬 홀 플레이트가 구체적으로 나타나 있다. 웨이퍼 세정용 케미컬은 케미컬 공급 및 배액관(12)을 통해 케미컬 배스(15)에 공급된다. 케미컬이 케미컬 배스(15)에 가득 채워지면 웨이퍼(미도시)가 투입되고 세정이 시작된다. 일정 시간 동안 웨이퍼 세정이 진행되고 나면 케미컬 배스(15)에서 웨이퍼를 꺼내고, 케미컬 배스(15)에 있던 케미컬은 케미컬 홀 플래이트(11)에 있는 홀(19)을 통해 케미컬 공급 및 배액관(12)으로 배액된다. 이 때 필터(20)는 도 6에 도시된 바와 같이 열린 상태로 유지된다. 케미컬의 배액이 완료되면 증류수 배스(16)에 있던 증류수가 증류수 공급 홀(14)을 통해 케미컬 배스(15)의 벽면과 바닥으로 흘러, 남아 있던 이물질(particle)을 세정한다.
증류수 배스(16)에서 증류수가 공급되어 케미컬 배스(15)를 세정하고 나면 케미컬 홀 플래이트(11)에 있는 필터(20)가 닫히고, 케미컬 공급 및 배액관(12)을 통해 새로운 케미컬이 공급된다. 새로운 케미컬이 공급되면, 다시 웨이퍼가 투입되고, 웨이퍼의 세정이 진행된다.
상기 과정의 반복에 의해 웨이퍼 세정 후 케미컬 배스(15)에 남아 있는 이물질을 증류수 배스(16)에 있는 증류수로 세정하여 케미컬 배스(16)를 이물질이 없는 깨끗한 상태로 유지할 수 있다. 또한 케미컬 홀 플래이트(11)에 있는 필터(20)를 통해 케미컬이 공급되므로 케미컬 배스 바닥(17)에 있던 이물질이 케미컬 공급시 역류하는 것을 제어할 수 있다.
도 7은 본 발명에 의한 웨이퍼 세정장치에서 케미컬 배스 외주변에 형성된 증류수 배스(16) 및 증류수 공급관(14)을 나타내는 모식도로서, 케미컬 배스(15)의 외주변을 따라 증류수 공급관(14)이 형성되어 있는 모습을 나타내고 있다.
본 발명에 의하면 간단한 장치에 의하여 웨이퍼 세정 후 세정액 및 배스 내 남아있는 오염물질을 효과적으로 제거하여, 잔존하는 오염물질이 후속되는 웨이퍼 세정 과정에서 웨이퍼에 달라붙거나 세정 효과를 떨어뜨리는 것을 방지할 수 있다.

Claims (2)

  1. 바닥면에 케미컬 공급 및 배액관이 형성되어 있는 케미컬 배스와, 케미컬 배스 내부에 설치되어 있고 각각의 홀에 필터가 설치되어있는 케미컬 홀 플래이트 및 케미컬 배스의 외주변에 설치되어 있고 증류수 공급관이 연결되어 있으며 증류수 공급 홀을 통해 케미컬 배스에 증류수를 공급할 수 있는 증류수 배스로 구성되는 웨이퍼 세정장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 케미컬 홀 플래이트에 형성되어 있는 각각의 홀은 밑면에 개폐가 가능한 필터가 부착되어 있는 웨이퍼 세정장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687011B1 (ko) * 2006-01-13 2007-02-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101151568B1 (ko) * 2011-02-14 2012-05-31 주식회사 엘지실트론 약액 수용 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661209A (ja) * 1992-08-04 1994-03-04 Sony Corp 洗浄装置及びこれを用いた半導体ウエハなどの基板の洗浄方法
JPH07115080A (ja) * 1993-10-19 1995-05-02 Dan Kagaku:Kk 洗浄槽
KR19980047007A (ko) * 1996-12-13 1998-09-15 양승택 무선근거리통신망을 이용한 이동단말의 위치 추적 방법
KR19990034356A (ko) * 1997-10-29 1999-05-15 구본준 반도체 케미컬 필터 웨팅장치
KR19990040661A (ko) * 1997-11-19 1999-06-05 구본준 반도체 웨이퍼 세정장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661209A (ja) * 1992-08-04 1994-03-04 Sony Corp 洗浄装置及びこれを用いた半導体ウエハなどの基板の洗浄方法
JPH07115080A (ja) * 1993-10-19 1995-05-02 Dan Kagaku:Kk 洗浄槽
KR19980047007A (ko) * 1996-12-13 1998-09-15 양승택 무선근거리통신망을 이용한 이동단말의 위치 추적 방법
KR19990034356A (ko) * 1997-10-29 1999-05-15 구본준 반도체 케미컬 필터 웨팅장치
KR19990040661A (ko) * 1997-11-19 1999-06-05 구본준 반도체 웨이퍼 세정장치

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