KR100687011B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR100687011B1
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구교욱
김정민
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 복수의 처리액들을 순차적으로 사용하여 공정을 수행하는 장치를 제공한다. 본 발명의 장치는 처리액들의 회수가 가능하도록 각각의 처리액을 회수하는 처리액 회수통들을 구비하고, 또한, 공정 진행시 발생되는 오염가스를 분리배출하는 배기부재를 가진다.
처리액, 회수, 배기, 식각, 탈이온수, 오염가스

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도;
도 2는 종방향으로 절단된 처리액 회수부재의 사시도;
도 3은 처리액 회수부재의 분해단면도;
도 4는 내부 받침대 및 외부 받침대의 사시도;
도 5는 외부 받침대의 사시도;
도 6은 분리판의 일 예를 보여주는 사시도;
도 7은 도 6의 선 A-A′을 따라 절단한 단면도;
도 8은 도 6의 분리판이 외부 받침대에 결합된 상태를 보여주는 도면;
도 9는 분리판의 다른 예를 보여주는 사시도;
도 10은 도 9의 분리판이 외부 받침대에 결합된 상태를 보여주는 도면; 그리고
도 11 내지 도 13은 도 1의 장치를 사용하여 공정이 수행되는 과정을 보여주는 도면들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 지지부재 120 : 지지판
140 : 지지축 200 : 처리액 공급부재
220 : 노즐 300 : 처리액 회수부재
300a, 300b, 300c : 외부 회수통, 내부 회수통, 중간 회수통
304a, 304b, 304c : 배출관
320a, 320b, 320c : 외부 받침대, 내부 받침대, 중간 받침대
340a, 340b, 340c : 외통, 내통, 중간통
400 : 배기부재 420 : 배기관
440 : 분리판 500 : 승강부재
본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 상에 복수의 처리액들을 공급하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 포토, 식각, 연마 등과 같은 다양한 공정들이 요구된다. 이들 공정 중 식각 공정은 웨이퍼 상으로 식각액 또는 식각 가스를 공급하여 웨이퍼 상에 형성된 특정막, 유기물질, 또는 파티클을 제거하는 공정이다.
식각 공정 수행시 웨이퍼 상에서 제거하고자 하는 대상물의 종류에 따라 다양한 종류의 식각액이 사용된다. 일반적으로 사용되고 있는 식각 장치는 측벽 또는 저면에 배출관이 연결되며 내부에 웨이퍼가 놓여지는 척이 제공된 하나의 용기를 가진다. 용기의 상부에는 척에 놓인 웨이퍼 상으로 식각액 및 탈이온수를 공급하는 공급관이 제공된다. 그러나 상술한 식각 장치에서 복수의 식각액들을 순차적으로 공급하여 공정을 수행하는 경우, 용기 또는 배출관 내에 잔류하는 식각액과 배출이 이루어지는 식각액이 혼합되므로 배출된 식각액을 회수하여 재사용할 수 없다. 이는 고가의 식각액을 낭비하는 문제가 있다.
또한, 식각액을 회수하기 위해서 식각액의 종류에 따라 상이한 식각 장치에서 공정을 수행하는 경우, 장치들간 웨이퍼 이송에 많은 시간이 소요되고, 복수의 식각 장치들의 설치로 인해 설비가 대형화된다.
또한, 식각액을 사용하여 공정 진행시 흄(fume) 등과 같은 오염가스가 발생된다. 이 때 발생되는 흄들을 동일한 통로 및 동일한 배기관을 통해 배기하면, 통로 또는 배기관 내에서 흄들이 반응하여 통로의 내벽 또는 배기관의 내벽에 증착된다. 이로 인해 배기 압력이 기설정된 압력에서 벗어나 공정 불량을 유발한다. 특히, 발생되는 오염가스가 산 성분의 흄과 염기 성분의 흄을 포함하는 경우, 흄들간의 반응이 잘 일어나 상술한 문제는 더욱 커진다.
본 발명은 기판 처리 공정을 효율적으로 수행할 수 있는 구조를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정에 사용된 식각액과 같은 처리액의 회수가 가능한 구조를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정 진행 중 발생되는 흄들이 서로 반응하여 배기통로 또 는 배기관에 증착됨에 따라 공정 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 복수의 처리액들을 사용하여 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 장치는 기판이 놓여지며 기판을 회전시키는 지지부재, 상기 지지부재에 놓여진 기판 상으로 복수의 처리액들을 공급하는 처리액 공급부재, 상기 지지부재가 위치되는 공간을 제공하고 상기 처리액 공급부재로부터 공급된 처리액을 분리 회수하도록 배치되는 복수의 처리액 회수통들을 가지는 처리액 회수부재, 공정 진행시 상기 처리액들로부터 발생되는 오염가스들을 분리 배기하는 배기부재, 그리고 상기 처리액 회수통들의 유입구에 대한 상기 지지부재의 상대 높이를 변화하기 위해 상기 지지부재와 상기 처리액 회수부재 중 적어도 어느 하나를 이동시키는 승강부재를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 처리액 회수통들은 가장 안쪽에 배치되는 내부 회수통과 가장 바깥쪽에 배치되는 외부 회수통을 가진다. 상기 내부 회수통은 내부 받침대와 내통을 가진다. 상기 내부 받침대는 바닥벽, 내측벽, 그리고 외측벽을 가져 내부에 처리액 및 오염 가스가 유입되는 공간을 제공하며, 상기 내측벽에 오염가스가 배기되는 통로 및 처리액이 배출되는 배출구가 형성된다. 상기 내통은 상기 외측벽 상에 놓여지며 처리액 및 오염가스가 상기 내부 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공한다.
상기 외부 회수통은 외부 받침대와 외통을 가진다. 상기 외부 받침대는 바닥 벽과 외측벽을 가져 내부에 처리액 및 오염가스가 유입되는 공간을 제공하며, 상기 외부 받침대에는 상기 처리액이 배출되는 배출구가 형성된다. 상기 외통은 상기 외부 받침대의 외측벽 상에 놓여지며 처리액 및 오염가스가 상기 외부 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공한다.
일 예에 의하면, 상기 내부 받침대의 외측벽의 상단과 상기 내통의 하단에는 서로 맞물리도록 홈 또는 돌기가 형성된다.
일 예에 의하면, 상기 외부 받침대에는 복수의 배기구들이 형성되고, 상기 배기부재는 상기 배기구 각각에 결합되는 배기관, 상기 내통 및 내부 받침대를 통해 상기 외부 받침대 내 공간으로 유입된 오염가스와 상기 외통을 통해 상기 외부 받침대 내 공간으로 유입된 오염가스가 분리 배출되도록 상기 외부 받침대 내 공간을 구획하는 분리판을 포함한다. 상기 배기구들은 상기 외부 받침대의 가장자리 영역에 배치된다. 상기 분리판은 상기 분리판의 내부에 구획된 공간이 상기 내부 받침대에 형성된 개구와 통하고 상기 배기구들 중 적어도 하나의 배기구를 포함하고, 상기 분리판의 외부에 구획된 공간이 상기 외통과 통하고 상기 배기구들 중 적어도 하나의 배기구를 포함하도록 형상지어진다.
일 예에 의하면, 상기 배기구들은 상기 외부 받침대의 가장자리 영역에 배치되고, 상기 분리판은 상기 외부 받침대의 가장자리 영역과 중앙 영역의 경계를 따라 배치되며 내부공간이 상기 내부 받침대의 개구와 통하도록 제공되는 경계부와 상기 배기구들 중 선택된 일부 배기구와 통하고 상기 경계부의 내부공간으로부터 연장된 공간을 가지도록 상기 경계부로부터 상기 가장자리 영역으로 돌출되는 확장 부를 가진다.
상기 외부 받침대 상에는 상부로 돌출된 돌기가 형성되고, 상기 분리판의 하단에는 상기 외부 받침대 상에 형성된 돌기와 상응되는 형상을 가지는 홈이 형성되어, 상기 분리판의 홈과 상기 외부 받침대의 돌기가 맞물리도록 상기 분리판이 상기 외부 받침대 상에 놓여져 상기 분리판과 상기 외부 받침대가 결합될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 배기관은 그 선단이 상기 외부 받침대의 바닥벽으로부터 상부로 일정거리 돌출되어 배치되도록 설치된다.
상기 처리액 회수통들은 상기 내부 회수통과 상기 외부 회수통 사이에 배치되는 적어도 하나의 중간 회수통을 더 포함한다. 상기 중간 회수통은 중간 받침대와 중간통을 가진다. 상기 중간 받침대는 바닥벽, 내측벽, 그리고 외측벽을 가져 내부에 처리액 및 오염 가스가 유입되는 공간을 제공하며 상기 내측벽에 오염가스가 배기되는 통로 및 처리액이 배출되는 배출구가 형성된다. 상기 중간통은 상기 외측벽 상에 놓여지며 처리액 및 오염가스가 상기 내부 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공하는 중간통을 구비한다.
일 예에 의하면, 상기 중간 받침대와 상기 내부 받침대는 일체로 형성되고, 상기 내부 받침대의 외측벽의 상단과 상기 내통의 하단에는 서로 맞물리도록 홈 또는 돌기가 형성되어 상기 내통이 상기 내부 받침대에 놓여짐으로써 상기 내통과 상기 내부 받침대가 결합되고, 상기 중간 받침대의 외측벽의 상단과 상기 중간통의 하단에는 서로 맞물리도록 홈 또는 돌기가 형성되어 상기 중간통이 상기 중간 받침대에 놓여짐으로써 상기 중간통과 상기 중간 받침대가 결합되고, 상기 외부 받침대 의 외측벽의 상단과 상기 외통의 하단에는 서로 맞물리도록 홈 또는 돌기가 형성되어 상기 외통이 상기 외부 받침대에 놓여짐으로써 상기 외통과 상기 외부 받침대가 결합될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 처리액은 서로 상이한 시기에 상기 지지부재 상에 놓여진 기판으로 공급되는 적어도 2종류의 식각액들을 포함한다. 또한, 상기 처리액은 상기 식각액들과 서로 상이한 시기에 상기 지지부재 상에 놓여진 기판으로 공급되는 세정액을 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 처리액은 서로 상이한 시기에 상기 지지부재 상에 놓여진 기판으로 공급되는 적어도 2종류의 식각액들과 상기 식각액들과 서로 상이한 시기에 상기 지지부재 상에 놓여진 기판으로 공급되는 세정액을 포함하고, 상기 장치에는 상기 세정액이 외부 배기통을 통해 배출되고, 상기 식각액들이 내부 배기통 또는 중간 배기통을 통해 배출되도록 상기 승강부재를 제어하는 제어기가 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 지지부재는 상기 기판이 놓여지는 지지판, 상기 지지판을 지지하는 지지축, 그리고 상기 지지축을 회전시키는 기판 구동기를 가지고, 상기 처리액 공급부재는 공정 진행시 상기 지지판에 놓여진 기판의 상부에 배치되는 노즐, 상기 노즐과 결합되는 지지대, 그리고 상기 노즐이 상기 지지판에 놓여진 기판의 상부와 이로부터 벗어난 위치로 이동되도록 상기 지지대를 구동하는 노즐 구동기를 가지며, 상기 승강부재는 상기 지지판 및 상기 지지대가 고정결합된 받침판과 상기 받침판을 승하강시키는 수직구동기를 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 13을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 위해 과장된 것이다.
본 실시예에서는 식각액 및 세정액과 같은 처리액을 사용하여 웨이퍼(W)와 같은 기판을 식각하는 식각 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며 복수의 처리액을 웨이퍼(W) 상에 각각 공급하여 공정을 수행하는 다양한 장치에 적용 가능하다. 또한, 본 실시예에서는 기판으로 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명하나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판 지지부재(100), 처리액 공급부재(200), 처리액 회수부재(300), 배기 부재(400), 그리고 승강부재(500)를 가진다.
기판 지지부재(100)는 공정 진행 중 웨이퍼(W)를 지지하며, 공정이 진행되는 동안 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 기판 지지부재(100)는 원형의 상부면을 가지는 지지판(120)을 가진다. 지지판(120)은 그 상부면 중앙부에 웨이퍼(W)와 접촉되어 웨이 퍼(W)를 지지하는 지지핀들(122)을 가진다. 또한, 지지판(120)은 그 상부면 가장자리에 웨이퍼(W)가 지지판(120) 상의 정위치에 놓여지도록 웨이퍼(W)를 정렬하는 정렬핀들(124)을 가진다. 정렬핀들(124)은 대략 3 내지 6개가 일정간격으로 자신의 중심축을 기준으로 회전가능하게 설치된다. 공정진행시 정렬핀들(124)은 웨이퍼(W)의 측부와 접촉되어 웨이퍼(W)가 정위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 상술한 구조와 달리 기판 지지부재(100)는 지지핀들(122) 없이 지지판(120) 내에 제공된 진공라인(도시되지 않음)을 통해 웨이퍼(W)를 직접 흡착할 수 있다. 지지판(120)의 하부면에는 지지축(140)이 고정결합되고, 지지축(140)은 기판 구동기(160)에 의해 회전 가능하게 제공된다. 기판 구동기(160)는 회전력을 제공하기 위해 모터(도시되지 않음)를 구비한다.
처리액 공급부재(200)는 기판 지지부재(100) 상에 놓여진 웨이퍼(W)로 처리액들을 공급한다. 처리액 공급부재(200)는 지지판(120) 상에 놓여진 웨이퍼(W)에 대체로 수직하게 배치되며 웨이퍼(W)로 처리액을 공급하는 노즐(220)을 가진다. 노즐(220)은 지지대에 의해 지지된다. 지지대는 수평 지지대(240)와 수직 지지대(260)를 가진다. 수평 지지대(240)는 노즐(220)과 직각을 유지하도록 수평방향으로 배치된다. 노즐(220)은 수평 지지대(240)의 일단에 결합된다. 수평 지지대(240)의 타단에는 수평 지지대(240)와 직각을 유지하도록 수직 방향으로 배치되는 수직 지지대(260)가 결합된다. 수직 지지대(260)는 공정 진행시 또는 공정 전후에 노즐 구동기(280)에 의해 회전된다. 노즐 구동기(280)는 회전력을 제공하기 위해 모터(도시되지 않음)를 구비한다.
처리액 공급부재(200)는 복수의 처리액들을 각각 공급한다. 예컨대, 처리액 공급부재(200)는 복수의 식각액을 웨이퍼(W) 상으로 순차적으로 공급할 수 있다. 선택적으로 처리액 공급부재(200)는 탈이온수와 같은 세정액을 추가적으로 공급할 수 있다. 처리액 공급부재(200)는 하나의 노즐(220)을 가지고, 노즐(220) 내에는 처리액들이 서로 다른 경로를 통해 웨이퍼(W)로 공급되도록 복수의 통로들이 형성될 수 있다. 선택적으로 복수의 노즐들(220)이 제공되고, 각각의 노즐(220)은 하나의 처리액을 웨이퍼(W)로 공급할 수 있다. 식각액의 종류는 웨이퍼(W)에서 제거하고자 하는 막질의 종류에 따라 다양하게 제공될 수 있다. 이하, 본 실시예에서는 처리액이 2 종류의 식각액들과 세정액을 공급하는 경우를 예로 들어 설명한다. 식각액들로는 산 성분을 가지는 식각액과 염기 성분을 가지는 식각액이 사용되고, 세정액으로는 탈이온수가 사용된다.
처리액 회수부재(300)는 노즐(220)로부터 공급되는 처리액들을 각각 회수하여 처리액(특히, 식각액)의 재사용이 가능하도록 한다. 도 2는 종방향으로 절단된 처리액 회수부재(300)의 사시도이고, 도 3은 처리액 회수부재(300)의 분해단면도이다. 또한, 도 4는 내부 받침대(320b) 및 외부 받침대(320a)의 사시도이고, 도 5는 외통(340a)의 사시도이다. 도 2 내지 도 5를 참조하면, 처리액 회수부재(300)는 안쪽에 지지판(120)이 위치되는 공간(350)을 제공한다. 처리액 회수부재(300)는 지지판(120)의 측방향으로 지지판(120)를 감싸도록 배치되는 처리액 회수통들(300a, 300b, 300c)과 이들 각각에 연결되는 배출관(304a, 304b, 304c)을 가진다. 처리액 회수통들(300a, 300b, 300c) 중 가장 바깥쪽에 배치되는 회수통을 외부 회수통 (300a)이라 칭하고, 가장 안쪽에 배치되는 회수통을 내부 회수통(300b)이라 칭하며, 외부 회수통(300a)과 내부 회수통(300b) 사이에 배치되는 회수통을 중간 회수통(300c)이라 칭한다. 본 실시예에서는 중간 회수통(300c)이 하나만 제공되는 경우를 예로 들어 설명하나, 사용되는 처리액의 수에 따라 중간 회수통(300c)은 복수개가 제공될 수 있다.
이하, 처리액 회수통들(300a, 300b, 300c)의 구조에 대하여 상술한다.
외부 회수통(300a)은 외부 받침대(320a)와 외통(340a)을 가진다. 외부 받침대(320a)는 바닥벽(322a), 외측벽(324a), 그리고 내측 프레임(326a)을 가진다. 바닥벽(322a)은 대체로 환형의 링 형상을 가지진다. 외측벽(324a)은 바닥벽(322a)의 외측 끝단으로부터 상부로 수직 방향으로 일정높이 돌출된다. 내측 프레임(326a)은 바닥벽(322a)의 내측 끝단으로부터 상부로 수직 방향으로 일정 높이 돌출된 수직부(331a)와 그 끝단으로부터 수평 방향으로 연장된 수평부(332a)를 가진다. 수평부(332a)의 중앙에는 상술한 지지축(140)이 관통되는 홀(333a)이 제공된다. 상술한 구조로 인해, 외부 받침대(320a)에는 외측벽(324a), 바닥벽(322a), 그리고 프레임(326a)에 의해 둘러싸인 상부가 제공된 환형의 링 형상의 공간(321a)이 제공된다.
외통(340a)은 대체로 상하방향으로 수직하게 배치된 환형의 링 형상의 측벽(342a)과 이의 끝단으로부터 안쪽으로 갈수록 상향 경사진 링 형상의 상부벽(344a)을 가진다. 이러한 상부벽(344a)의 형상은 오염가스가 유입 및 흐름이 원활하도록 한다.
외부 받침대(320a)의 외측벽 상단(328a)과 외통(340a)의 측벽 하단(348a)은 서로 맞물리게 홈과 돌기를 가지도록 형상지어진다. 일 예에 의하면, 외부 받침대(320a)의 외측벽 상단(328a)은 안쪽에서 바깥쪽으로 갈수록 높아지도록 단차지고, 외통(340a)의 측벽 하단(348a)은 외부 받침대(320a)의 외측벽 상단(328a)과 맞물리도록 이와 반대로 단차진다. 다른 예에 의하면, 외부 받침대(320a)의 외측벽 상단과 외통(340a)의 측벽 하단은 서로 맞물리도록 요철 구조로 제공된다.
내부 회수통(300b)은 내부 받침대(320b)와 내통(340b)을 가진다. 내부 받침대(320b)는 외부 받침대(320a)에 의해 제공된 공간(321a)의 수직 상부에 외부 받침대(320a)로부터 일정 높이 이격되도록 배치된다. 내부 받침대(320b)는 바닥벽(322b), 외측벽(324b), 그리고 내측벽(326b)을 가진다. 바닥벽(322b)은 대체로 환형의 링 형상을 가지진다. 외측벽(324b)은 바닥벽(322b)의 외측 끝단으로부터 상부로 수직 방향으로 일정높이 돌출된다. 내측벽(326b)은 바닥벽(322b)의 내측 끝단으로부터 상부로 수직 방향으로 일정 높이 돌출된다. 상술한 구조로 인해, 내부 받침대(320b)에는 바닥벽(322b), 외측벽(324b), 그리고 내측벽(326b)에 의해 둘러싸인 상부가 제공된 환형의 링 형상의 공간(321b)이 제공된다.
내통(340b)은 대체로 상하방향으로 수직하게 배치된 환형의 링 형상의 측벽(342b)과 이의 끝단으로부터 안쪽으로 갈수록 상향 경사진 링 형상의 상부벽(344b)을 가진다.
내부 회수통(300b)의 내측벽(326b)에는 개구들(325b)이 형성된다. 개구들(325b)은 공정 진행 중 내통(340b)을 따라 유입된 오염가스가 외부 받침대(320a) 내 공간(321a)으로 흐르는 통로로서 기능한다. 개구들(325b)은 서로간에 일정거리 이격되며 내측벽(326b) 둘레 전체에 균일하게 배치되도록 형성된다.
내부 받침대(320b)의 외측벽 상단(328b)과 내통(340b)의 측벽 하단(348b)은 서로 맞물리게 홈과 돌기를 가지도록 형상지어진다. 일 예에 의하면, 내부 받침대(320b)의 외측벽 상단(328b)은 안쪽에서 바깥쪽으로 갈수록 높아지도록 단차지고, 내통(340b)의 측벽 하단(348b)은 내부 받침대(320b)의 외측벽 상단(328b)과 맞물리도록 이와 반대로 단차진다. 다른 예에 의하면, 외부 받침대(320a)의 외측벽 상단(328b)과 외통(340a)의 측벽 하단(348b)은 서로 맞물리도록 요철 구조로 제공된다.
또한, 내부 받침대(320b)의 안쪽에는 고정 프레임(330b)이 제공된다. 고정 프레임(330b)은 내부 받침대(320b)의 내측벽(326b) 상단으로부터 대체로 안쪽으로 상향 경사지게 배치된 환형의 링 형상의 상부벽(331b)과 이의 내측 끝단으로부터 아래 방향으로 수직하게 연장되는 환형의 링 형상의 측벽(332b)을 가진다. 고정 프레임(330b)과 내부 받침대(320b)는 일체로 제작되는 것이 바람직하다.
고정 프레임(330b)의 측벽 하단(336b)과 외부 회수통(300a)의 내측 프레임(326a)의 측벽 상단(334a)은 서로 맞물리게 홈과 돌기를 가지도록 형상지어진다. 일 예에 의하면, 내측 프레임의 측벽 상단(334a)은 안쪽에서 갈수록 높아지도록 단차지고, 고정 프레임(330b)의 측벽 하단(336b)은 내측 프레임의 측벽 상단(334a)과 맞물리도록 이와 반대로 단차진다. 다른 예에 의하면, 내측 프레임의 측벽 상단(334a)과 고정 프레임(330b)의 측벽 하단(336b)은 서로 맞물리도록 요철 구조로 제공된다.
중간 회수통(300c)은 중간 받침대(320c)와 중간통(340c)을 가진다. 중간 받 침대(320c)는 외부 받침대(320a)에 의해 제공된 공간(321a)의 수직 상부에 외부 받침대(320a)로부터 일정 높이 이격되도록 배치된다. 중간 받침대(320c)는 외측벽(324c), 바닥벽(322c), 그리고 내측벽(326c)을 가진다. 바닥벽(322c)은 대체로 환형의 링 형상을 가지진다. 외측벽(324c)은 바닥벽(322c)의 외측 끝단으로부터 상부로 수직 방향으로 일정높이 돌출된다. 내측벽(326c)은 바닥벽(322c)의 내측 끝단으로부터 상부로 수직 방향으로 일정 높이 돌출된다. 상술한 구조로 인해, 내부 받침대(320b)에는 외측벽(324c), 바닥벽(322c), 그리고 내측벽(326c)에 의해 둘러싸인 상부가 제공된 환형의 링 형상의 공간(321c)이 제공된다. 바람직하게는 중간 받침대(320c)와 내부 받침대(320b)는 일체로 제작되고, 중간 받침대(320c)의 내측벽 상단(328c)은 내부 받침대(320b)의 외측벽 하단으로부터 수직하게 아래로 연장된다. 그러나 이와 달리 중간 받침대(320c)와 내부 받침대(320b)는 각각 제조되고, 중간 받침대(320c)의 내측벽 상단(328c)은 외부 받침대(320a)의 바닥벽(322a)에 고정결합될 수 있다.
중간통(340c)은 대체로 상하방향으로 수직하게 배치된 환형의 링 형상의 측벽(342c)과 측벽(342c)의 끝단으로부터 안쪽으로 갈수록 상향 경사진 링 형상의 상부벽(344c)을 가진다.
중간 받침대(320c)의 내측벽(326c)에는 개구들(325c)이 형성된다. 개구들(325c)은 공정 진행 중 중간통(340c)을 따라 유입된 오염가스가 외부 받침대(320a) 내 공간(321a)으로 흐르는 통로로서 기능한다. 개구들(325c)은 서로간에 일정거리 이격되며 내측벽(326c) 둘레 전체에 균일하게 배치되도록 형성된다.
중간 받침대(320c)의 외측벽 상단(328c)과 중간통(340c)의 측벽 하단(348c)은 서로 맞물리게 홈과 돌기를 가지도록 형상지어진다. 일 예에 의하면, 중간 받침대(320c)의 외측벽 상단(328c)은 안쪽에서 바깥쪽으로 갈수록 높아지도록 단차지고, 중간통(340c)의 측벽 하단(348c)은 중간 받침대(320c)의 외측벽 상단(328c)과 맞물리도록 이와 반대로 단차진다. 다른 예에 의하면, 중간 받침대(320c)의 외측벽 상단(328c)과 중간통(340c)의 측벽 하단(348c)은 서로 맞물리도록 요철 구조로 제공된다.
내통(340b)의 상부벽(344b), 중간통(340c)의 상부벽(344c), 그리고 외통(340a)의 상부벽(344a)은 순차적으로 아래에서 위 방향으로 상하 방향으로 서로 일정거리 이격되도록 배치된다. 내통(340b)과 고정 프레임(330b)의 상부벽(331b) 사이에는 웨이퍼(W)가 배치되는 공간(350)을 향해 유입구(352b)가 형성되며 내부 받침대(320b)에 의해 제공된 공간(321b)으로 처리액 및 오염가스를 안내하는 통로(354b)가 제공된다. 또한, 중간통(340c)과 내통(340b) 사이에는 웨이퍼(W)가 배치되는 공간(350)을 향해 유입구(352c)가 형성되며 중간 받침대(320c)에 의해 제공된 공간(321c)으로 처리액 및 오염가스를 안내하는 통로(354c)가 제공된다. 또한, 외통(340a)과 중간통(340c) 사이에는 웨이퍼(W)가 배치되는 공간(350)을 향해 유입구(352a)가 형성되며 외부 받침대(320a)에 의해 제공된 공간(321a)으로 처리액 및 오염가스를 안내하는 통로(354a)가 제공된다.
외부 받침대(320a), 내부 받침대(320b), 그리고 중간 받침대(320c) 각각의 바닥벽(322a, 322b, 322c)에는 배출구(도 8의 302a, 302b, 302c)가 형성되고, 배출 구(302a, 302b, 302c)에는 각 받침대(320a, 320b, 320c)에 의해 제공된 공간(321a, 321b, 321c) 내로 유입된 처리액을 배출하는 배출관(304a, 304b, 304c)이 결합된다. 각각의 배출관(304a, 304b, 304c)에는 오염가스의 강제 흡입을 위해 펌프(도시되지 않음)가 설치된다. 또한, 외부 받침대(320a)에는 배기부재(400)가 제공된다. 배기부재(400)는 복수의 배기관들(420)과 분리판(440)을 가진다. 외부 받침대(320의 바닥벽(322a)에는 복수의 배기구들(402)이 형성되며, 각각의 배기구(402)에는 배기관들(420)이 외부 받침대(320a)의 바닥벽(322a)으로부터 일정높이 돌출되도록 삽입된다. 배기구(402)는 처리액의 수와 동일하게 제공될 수 있다. 선택적으로 처리액이 탈이온수를 포함하는 경우, 배기구들(402)의 수는 탈이온수를 제외한 처리액의 수와 동일하게 제공될 수 있다.
각각의 회수통들(300a, 300b, 300c)을 통해 배기되는 오염가스들이 동일한 통로(배기관 포함)을 통해 배기되는 경우, 통로 등에 잔류하는 오염가스와 통로를 흐르는 오염가스가 서로 반응하여 통로의 내벽에 증착될 수 있다. 이는 파티클의 발생 원인이 되고, 내벽에 많은 량이 증착된 경우 배기 압력이 설정압력으로부터 벗어나는 원인이 되어 공정 불량을 유발한다. 특히, 산 성분을 포함하는 오염가스와 염기 성분을 포함하는 오염가스가 생성되는 식각액들을 사용하여 공정을 수행하는 경우, 오염가스들 간의 반응성은 매우 높아 상술한 문제는 더욱 커진다.
따라서 각 식각액을 사용하여 공정 수행시 발생되는 오염가스의 배기통로는 서로 상이한 것이 바람직하다. 본 실시예의 장치(10) 구조 사용시, 오염가스들이 서로 혼합가능한 영역은 외부 받침대(320a)에 의해 제공되는 공간(321a)이다. 분리 판(340)은 외부 받침대(320a)에 의해 제공된 공간(321a)을 복수의 영역들(321a1, 321a2)로 구획한다. 구획된 영역들(321a1, 321a2) 각각은 식각액이 배출되는 처리액 회수통들(300a, 300b) 중 어느 하나의 처리액 회수통과 통하며, 적어도 하나의 배기구(302)를 포함한다. 각 영역(321a1, 321a2) 내에 제공된 배기구(302)의 수 및 크기는 공정시 사용되는 처리액의 량, 공정 압력 등을 고려하여 결정된다.
분리판(440)과 외부 받침대(320a)는 서로 맞물리는 홈과 돌기 구조를 가지도록 형상지어진다. 일 예에 의하면, 외부 받침대(320a)의 바닥벽(322a) 상에는 바깥쪽에서 안쪽으로 갈수록 높아지도록 단차진 돌출부(360)가 제공되고, 분리판(440)의 하단(442a)은 외부 받침대(320a) 상에 제공된 돌출부(360)와 맞물리도록 이와 반대로 단차진다. 다른 예에 의하면, 외부 받침대(320a) 상에 제공된 돌출부(360)의 상단과 분리판(440)의 하단(442a)은 서로 맞물리도록 요철 구조로 제공된다.
또한, 분리판(440)과 대체로 그 상부에 위치된 내부 받침대(320b)는 서로 맞물리는 홈과 돌기를 구조를 가지도록 형상지어진다. 분리판(440)의 상단(442b) 및 내부 받침대(320b)의 내측벽 하단(327b)은 서로 대응되도록 단차지거나 요철 구조를 가질 수 있다.
아래의 예에서는 처리액으로서 2종류의 식각액과 탈이온수가 사용되는 경우를 예로 든다. 이 경우, 외부 받침대(320a) 내 공간(321a)은 식각액의 수와 동일하게 2개의 영역들(321a1, 321a2)로 구획되고, 하나의 분리판(440)이 사용된다.
도 6은 분리판의 일 예를 보여주는 사시도이고, 도 7은 도 6의 선 A-A′을 따라 절단한 단면도이고, 도 8은 도 6의 분리판이 외부 받침대에 결합된 상태를 보여주는 도면이다. 또한, 도 9는 분리판의 다른 예를 보여주는 사시도이고, 도 10은 도 9의 분리판이 외부 받침대에 결합된 상태를 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 배기구들(402)은 외부 받침대(320a)의 중심으로부터 반경방향으로 대체로 동일한 거리를 가지도록 배치된다. 여기에서 배기구들(402)이 형성된 영역을 외부 받침대(320a)의 가장자리 영역(312a1)이라 칭하고, 그 안쪽 영역을 중앙 영역(312a2)이라 칭한다. 분리판(440)은 대체로 외부 받침대(320a)의 가장자리 영역(312a1)과 중앙 영역(312a2)의 경계를 따라 배치되는 경계부(442)와 이로부터 가장자리 영역(312a1)으로 돌출된 확장부(444)를 가진다. 확장부(444)는 외부 받침대(320a)의 가장자리 영역(312a1)에 제공된 배기구들(402) 중 하나 또는 일부의 배기구(402b)를 포함하도록 연장된다. 확장부(444) 내 공간과 경계부(442) 내 공간은 서로 연결되어, 경계부(442) 내 공간으로 유입된 오염가스는 확장부(444)에 포함된 배기구(402b)를 통해 배기된다. 경계부(442)는 상하 방향으로 관통되고, 확장부(442)는 상부가 막히도록 형성된다. 따라서 내부 회수통(300b)을 통해 흐르는 오염가스는 분리판(440) 내부에 제공된 공간을 통해 배기되고, 중간 회수통(300c)을 통해 흐르는 오염가스는 분리판(440) 외부에 제공된 공간을 통해 배기된다. 상술한 구조의 분리판(440) 사용시, 한정된 크기의 외부 받침대(320a)에 비교적 큰 넓이의 배기구(402)를 제공할 수 있어 장치(10) 크기를 소형화할 수 있 다.
도 9와 도 10을 참조하면, 각각의 분리판(440′)은 상하방향으로 통공(446)이 형성된 환형의 링 형상을 가지고, 외부 받침대(320a)의 각각의 영역(321a1, 321a2) 내에 하나 또는 복수의 배기구들(402a′, 402b′)이 제공된다. 상술한 형상의 분리판(440′) 사용시 분리판(440′)의 제작 등이 간단한 장점이 있다.
내부 회수통(300b) 내로 유입된 처리액은 내부 받침대(320b)의 바닥벽(322b)에 결합된 배출관(304b)을 통해 배출되고, 내부 회수통(300b) 내로 유입된 오염가스는 내부 회수통(300b)의 내측벽(326b)에 제공된 개구(325b)를 통해 외부 받침대(320a)에서 분리판(440) 내 영역으로 흐른 후 배기구(402b)를 통해 배기된다. 중간 회수통(300c) 내로 유입된 처리액은 중간 받침대(320c)의 바닥벽(322c)에 결합된 배출관(304c)을 통해 배출되고, 중간 회수통(300c) 내로 유입된 오염가스는 중간 받침대(322c)의 내측벽(326c)에 제공된 개구(325c)를 통해 외부 받침대(320a)에서 분리판(440) 외부 영역으로 흐른 후 배기구(402a)를 통해 배기된다. 또한, 외부 회수통(300a) 내로 유입된 처리액은 외부 받침대(320a)의 바닥벽(322a)에 결합된 배출관(304a)을 통해 배출된다. 각각의 배출관(304a, 304b, 304c)을 통해 배출된 처리액은 필터(도시되지 않음) 등을 거친 후 처리액 공급부재(200)로 순환된다.
승강부재(500)는 처리액 회수부재(300) 내에서 기판 지지부재(100)와 처리액 회수통들(320a, 320b, 340)간 상대 높이가 조절되도록 처리액 회수부재(300) 또는 기판 지지부재(100)를 상하 이동시킨다. 승강부재(500)는 웨이퍼(W)로 공급되는 처 리액의 종류에 따라 웨이퍼가 외통(340a), 중간통(340c), 그리고 내통(340b)에 의해 제공된 유입구(352a, 352b, 352c)와 대응되는 높이에 위치되도록 지지판(120)을 이동시킨다. 공정 진행시 기판 지지부재(100)와 노즐(220)이 동일 거리를 유지하는 것이 바람직하다. 이를 위해 기판 지지부재(100)가 승하강시 처리액 공급부재(200)도 동시에 승하강하는 것이 바람직하다.
일 예에 의하면, 승강부재(500)는 받침대(520) 및 수직 구동기(540)를 가진다. 받침대(520)는 기판 지지부재(100)의 지지축(140) 및 처리액 공급부재(200)의 수직 지지대(260)와 고정결합되고, 수직 구동기(540)는 받침대(520)를 상하로 수직이동한다. 하나의 수직 구동기(540)를 사용하여 노즐(220)과 지지판(120)을 동시에 이동하므로, 노즐(220)과 지지판(120)과의 수직거리를 항상 동일하게 유지할 수 있다. 선택적으로 노즐(220)과 받침대(520)는 별도의 구동기(540)에 의해 구동될 수 있다.
승강부재(500)는 제어기(도시되지 않음)에 의해 구동된다. 제어기는 세정액이 외부 회수통(300a)을 통해 배출되고, 식각액들은 내부 회수통(300b) 또는 중간 회수통(300c)을 통해 배출되도록 승강부재(500)를 제어한다.
다음에는 도 11 내지 도 13을 참조하여, 공정이 수행되는 과정을 순차적으로 설명한다. 도 11 내지 도 13에서 실선은 처리액이 흐르는 경로를 나타내고, 점선은 오염가스가 흐르는 경로를 나타낸다.
처음에 도 11에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)는 지지판(120) 상에 로딩되고, 웨이퍼(W)가 내부 회수통(300b)의 유입구(352b)와 대응되는 높이에 배치되도록 지 지판(120)이 이동된다. 웨이퍼(W)는 회전되고, 노즐(220)로부터 식각액이 웨이퍼(W) 중심으로 공급된다. 원심력에 의해 식각액은 웨이퍼(W) 중심에서 가장자리 영역으로 퍼져 웨이퍼(W) 상의 막질 또는 파티클을 제거한다. 공정에 사용된 식각액은 유입구(352b)를 통해 내부 회수통(300b)으로 유입된 후 배출관(304b)을 통해 배출되고, 공정 진행 중 발생되는 오염가스는 내부 회수통(300b)으로 유입된 후 외부 받침대(320a)의 분리판(440) 내 영역으로 흐른 후 배기관(420a)을 통해 배기된다.
다음에 도 12에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 중간 회수통(300c)의 유입구(352c)와 대응되는 높이에 배치되도록 지지판(120)이 이동된다. 웨이퍼(W)는 회전되고, 노즐(220)로부터 식각액이 웨이퍼(W) 중심으로 공급된다. 이 때 공급되는 식각액의 종류는 도 11에서 공급된 식각액과 상이한 종류의 식각액이 공급된다. 원심력에 의해 식각액은 웨이퍼(W) 중심에서 가장자리 영역으로 퍼져 웨이퍼(W) 상의 막질 또는 파티클을 제거한다. 공정에 사용된 식각액은 유입구(352c)를 통해 중간 회수통(300c)으로 유입된 후 배출관(304c)을 통해 배출되고, 공정 진행 중 발생되는 오염가스는 중간 회수통(300c)으로 유입된 후 외부 받침대(320a)의 분리판(440) 외부 영역으로 흐른 후 배기관(402b)을 통해 배기된다.
다음에 도 13에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 외부 회수통(300a)의 유입구(352a)와 대응되는 높이에 배치되도록 지지판(120)이 이동된다. 노즐(220)로부터 탈이온수가 공급되고 웨이퍼(W)는 회전된다. 탈이온수는 웨이퍼 표면에 잔류하는 식각액을 제거한다. 공정에 사용된 탈이온수는 외부 회수통(300a)으로 유입된 후 외부 받침대(320a)에 제공된 배출관(304a)을 통해 배출된다.
상술한 바와 같이 탈이온수에 의한 웨이퍼 세척은 식각액들에 의한 공정이 완료된 후 최종적으로 수행될 수 있다. 선택적으로 탈이온수에 의한 웨이퍼 세척은 각각의 식각액에 의한 공정이 완료된 후 각각 수행될 수 있다.
상술한 방법으로 인해, 공정에 사용된 식각액은 각각 분리 회수 가능하므로 식각액의 재사용이 가능하다. 또한, 공정 진행 중 발생되는 오염가스는 각각 분리 배기되므로 오염가스들의 반응으로 인해 공정 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 식각액들은 식각액 회수통에 각각 제공된 배출관을 통해 배출되고 탈이온수는 공기와 함께 배출이 이루어지므로, 비교적 간단한 구성으로 필요한 처리액들만을 분리회수하여 재사용할 수 있다.
또한, 처리액 회수통들이 기판 지지부재의 측방향으로 점진적으로 멀어지고 그 개구가 층을 이루도록 배치되며, 배기통이 처리액 회수부재의 아래에 제공되는 구조를 가지므로 공간에서 처리액의 회수가 이루어지는 높이에 관계없이 기류가 전체적으로 균일하게 형성된다.
또한, 배출관이 식각액 회수통의 하부벽과 수직하게 연결되므로 식각액 회수통 내에서 식각액의 배출이 효율적으로 이루어진다.

Claims (21)

  1. 복수의 처리액들을 사용하여 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 놓여지며, 기판을 회전시키는 지지부재와;
    상기 지지부재에 놓여진 기판 상으로 복수의 처리액들을 공급하는 처리액 공급부재와;
    상기 지지부재가 위치되는 공간을 제공하고, 상기 처리액 공급부재로부터 공급된 처리액을 분리 회수하도록 배치되는 복수의 처리액 회수통들을 가지는 처리액 회수부재와;
    공정 진행시 상기 처리액들로부터 발생되는 오염가스들을 분리 배기하는 배기부재와; 그리고
    상기 처리액 회수통들의 유입구에 대한 상기 지지부재의 상대 높이를 변화하기 위해 상기 지지부재와 상기 처리액 회수부재 중 적어도 어느 하나를 이동시키는 승강부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 처리액 회수통들 각각은 상기 지지부재를 감싸도록 배치되며, 상기 처리액 회수통이 상기 지지부재로부터 멀리 위치될수록 상기 처리액 회수통의 유입구는 높게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 처리액 회수통들은 가장 안쪽에 배치되는 내부 회수통과 가장 바깥쪽에 배치되는 외부 회수통을 가지고,
    상기 내부 회수통은,
    바닥벽, 내측벽, 그리고 외측벽을 가져 내부에 처리액 및 오염 가스가 유입되는 공간을 제공하며, 상기 내측벽에 오염가스가 배기되는 통로 및 처리액이 배출되는 배출구가 형성된 내부 받침대와;
    상기 외측벽 상에 놓여지며, 처리액 및 오염가스가 상기 내부 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공하는 내통을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 외부 회수통은,
    바닥벽과 외측벽을 가져 내부에 처리액 및 오염가스가 유입되는 공간을 제공하며, 처리액이 배출되는 배출구가 형성된 외부 받침대와;
    상기 외부 받침대의 외측벽 상에 놓여지며 처리액 및 오염가스가 상기 외부 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공하는 외통을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 내부 받침대의 외측벽의 상단과 상기 내통의 하단에는 서로 맞물리도록 홈 또는 돌기가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 외부 받침대에는 복수의 배기구들이 형성되고,
    상기 배기부재는,
    상기 배기구 각각에 결합되는 배기관과;
    상기 내통 및 내부 받침대를 통해 상기 외부 받침대 내 공간으로 유입된 오염가스와 상기 외통을 통해 상기 외부 받침대 내 공간으로 유입된 오염가스가 분리 배출되도록 상기 외부 받침대 내 공간을 구획하는 분리판을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 배기구들은 상기 외부 받침대의 가장자리 영역에 배치되고,
    상기 분리판은,
    상기 분리판의 내부에 구획된 공간이 상기 내부 받침대에 형성된 개구와 통하고 상기 배기구들 중 적어도 하나의 배기구를 포함하고, 상기 분리판의 외부에 구획된 공간이 상기 외통과 통하고 상기 배기구들 중 적어도 하나의 배기구를 포함하도록 형상지어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 배기구들은 상기 외부 받침대의 가장자리 영역에 배치되고,
    상기 분리판은,
    상기 외부 받침대의 가장자리 영역과 중앙 영역의 경계를 따라 배치되며 내부공간이 상기 내부 받침대의 개구와 통하도록 제공되는 경계부와;
    상기 배기구들 중 선택된 일부 배기구와 통하고 상기 경계부의 내부공간으로부터 연장된 공간을 가지도록 상기 경계부로부터 상기 가장자리 영역으로 돌출되는 확장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 외부 받침대 상에는 상부로 돌출된 돌기가 형성되고,
    상기 분리판의 하단에는 상기 외부 받침대 상에 형성된 돌기와 상응되는 형상을 가지는 홈이 형성되어,
    상기 분리판의 홈과 상기 외부 받침대의 돌기가 맞물리도록 상기 분리판이 상기 외부 받침대 상에 놓여져 상기 분리판과 상기 외부 받침대가 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 배기관은 그 선단이 상기 외부 받침대의 바닥벽으로부터 상부로 일정거리 돌출되어 배치되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 4항에 있어서,
    상기 처리액 회수통들은 상기 내부 회수통과 상기 외부 회수통 사이에 배치되는 적어도 하나의 중간 회수통을 더 포함하되,
    상기 중간 회수통은,
    바닥벽, 내측벽, 그리고 외측벽을 가져 내부에 처리액 및 오염 가스가 유입되는 공간을 제공하며, 상기 내측벽에 오염가스가 배기되는 통로 및 처리액이 배출되는 배출구가 형성된 중간 받침대와;
    상기 외측벽 상에 놓여지며, 처리액 및 오염가스가 상기 내부 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공하는 중간통을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 중간 받침대와 상기 내부 받침대는 일체로 형성되고,
    상기 내부 받침대의 외측벽의 상단과 상기 내통의 하단에는 서로 맞물리도록 홈 또는 돌기가 형성되어 상기 내통이 상기 내부 받침대에 놓여짐으로써 상기 내통과 상기 내부 받침대가 결합되고,
    상기 중간 받침대의 외측벽의 상단과 상기 중간통의 하단에는 서로 맞물리도록 홈 또는 돌기가 형성되어 상기 중간통이 상기 중간 받침대에 놓여짐으로써 상기 중간통과 상기 중간 받침대가 결합되고,
    상기 외부 받침대의 외측벽의 상단과 상기 외통의 하단에는 서로 맞물리도록 홈 또는 돌기가 형성되어 상기 외통이 상기 외부 받침대에 놓여짐으로써 상기 외통과 상기 외부 받침대가 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 처리액은 서로 상이한 시기에 상기 지지부재 상에 놓여진 기판으로 공급되는 적어도 2종류의 식각액들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 처리액은 상기 식각액들과 서로 상이한 시기에 상기 지지부재 상에 놓여진 기판으로 공급되는 세정액을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 처리액은 상기 처리액은 서로 상이한 시기에 상기 지지부재 상에 놓여진 기판으로 공급되는 적어도 2종류의 식각액들과 상기 식각액들과 서로 상이한 시기에 상기 지지부재 상에 놓여진 기판으로 공급되는 세정액을 포함하며,
    상기 장치는 상기 승강부재를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 세정액은 외부 배기통을 통해 배출되고, 상기 식각액들은 내부 배기통 또는 중간 배기통을 통해 배출되도록 상기 승강부재를 제어하는 것 을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 지지부재는 상기 기판이 놓여지는 지지판, 상기 지지판을 지지하는 지지축, 그리고 상기 지지축을 회전시키는 기판 구동기를 가지고,
    상기 처리액 공급부재는 공정 진행시 상기 지지판에 놓여진 기판의 상부에 배치되는 노즐, 상기 노즐과 결합되는 지지대, 그리고 상기 노즐이 상기 지지판에 놓여진 기판의 상부와 이로부터 벗어난 위치로 이동되도록 상기 지지대를 구동하는 노즐 구동기를 가지며,
    상기 승강부재는 상기 지지판 및 상기 지지대가 고정결합된 받침판과 상기 받침판을 승하강시키는 수직구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 11항에 있어서,
    상기 외부 받침대에는 복수의 배기구들이 형성되고,
    상기 배기부재는,
    상기 배기구 각각에 결합되는 배기관과;
    상기 내통, 상기 외통, 그리고 상기 중간통을 통해 상기 외부 받침대 내의 공간으로 유입된 처리액들 중 식각액들이 서로 상이한 배기관을 통해 배기되도록 상기 외부 받침대 내 공간을 복수개로 분리하는 분리판들을 포함하는 것을 특징으 로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 4항에 있어서,
    상기 내부 받침대에 형성된 배출구는 상기 내부 받침대의 바닥벽에 제공되고, 상기 외부 받침대에 형성된 배출구는 상기 외부 받침대의 바닥벽에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 복수의 처리액들을 사용하여 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 놓여지며, 기판을 회전시키는 지지부재와;
    상기 지지부재에 놓여진 기판 상으로 복수의 처리액들을 공급하는 처리액 공급부재와;
    안쪽에 상기 지지부재가 위치되는 공간을 제공하고, 상기 처리액 공급부재로부터 공급된 처리액을 분리 회수하는 경로들을 가지는 처리액 회수부재를 포함하되,
    상기 처리액 회수부재는,
    바닥벽, 내측벽, 그리고 외측벽을 가져 내부에 처리액이 유입되는 공간을 제공하고 처리액이 배출되는 배출구가 형성되는 내부 받침대와;
    상기 내부 받침대를 감싸도록 배치되며 바닥벽과 외측벽을 가져 내부에 처리액이 유입되는 공간을 제공하는, 그리고 처리액이 배출되는 배출구가 형성된 외부 받침대와;
    상기 내부 받침대의 외측벽 상에 놓여지며, 처리액 이 상기 내부 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공하는 내통과;
    상기 외부 받침대의 외측벽 상에 놓여지며 처리액이 상기 외부 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공하는 외통을 구비하되,
    상기 내부 받침대의 외측벽 상단 및 상기 내통의 하단은 각각 서로 맞물리게 홈과 돌기를 가지도록 형상지어지고, 상기 외부 받침대의 외측벽 상단 및 상기 외통의 하단은 각각 서로 맞물리게 홈과 돌기를 가지도록 형상지어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 처리액 회수부재는,
    상기 내부 받침대로부터 외측으로 연장되도록 제공되며, 바닥벽, 내측벽, 그리고 외측벽을 가져 내부에 처리액이 유입되는 공간을 제공하고 처리액이 배출되는 배출구가 형성되는 중간 받침대와;
    상기 중간 받침대의 외측벽 상에 놓여지며, 처리액이 상기 중간 받침대에 형성된 공간으로 유입되는 경로를 제공하는 중간통을 더 구비하되,
    상기 중간 받침대의 외측벽 상단 및 상기 중간통의 하단은 각각 서로 맞물리게 홈과 돌기를 가지도록 형상지어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  21. 제 19항 또는 제 20항에 있어서,
    상기 내부 받침대의 내측벽에는 상기 외부 받침대 내 공간과 통하며 공정 진행 중 발생되는 오염가스가 배기되는 개구가 형성되고,
    상기 외부 받침대에 의해 제공된 공간에는 상기 외통을 통해 유입되는 오염가스와 상기 내통을 통해 유입되는 오염가스가 분리배기되도록 상기 외부 받침대에 의해 제공된 공간을 구획하는 분리판을 더 구비하되,
    상기 분리판과 상기 외부 받침대는 각각 서로 맞물리게 홈과 돌기를 가지도록 형상지어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315089A (zh) * 2010-07-01 2012-01-11 株式会社迪思科 旋转清洗装置
KR101276091B1 (ko) * 2011-09-20 2013-06-18 주식회사 제우스 기판 세정장치
KR20140052850A (ko) * 2012-10-25 2014-05-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101914481B1 (ko) * 2017-03-09 2018-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102042362B1 (ko) * 2018-11-05 2019-11-07 세메스 주식회사 기판처리장치
KR102226471B1 (ko) * 2020-10-30 2021-03-11 주식회사 위드텍 기판 검사기의 시료 용액 샘플링 방법 및 그 장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101004432B1 (ko) 2008-06-10 2010-12-28 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치
JP5318010B2 (ja) * 2010-03-26 2013-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
EP2383771B1 (de) * 2010-04-29 2020-04-22 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Lösen einer Polymerschicht von einer Oberfläche eines Substrats
JP5242632B2 (ja) 2010-06-03 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
KR101592058B1 (ko) 2010-06-03 2016-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액처리 장치
JP5309118B2 (ja) 2010-12-17 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP5844681B2 (ja) * 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
CN103357637B (zh) * 2012-03-31 2016-06-22 弘塑科技股份有限公司 清洗蚀刻机台移动式泄液槽的排气装置
JP5964740B2 (ja) * 2012-12-21 2016-08-03 株式会社荏原製作所 研磨装置
US10395915B2 (en) * 2013-02-28 2019-08-27 Semes Co., Ltd. Nozzle assembly, substrate treatment apparatus including the nozzle assembly, and method of treating substrate using the assembly
JP6239893B2 (ja) * 2013-08-07 2017-11-29 株式会社荏原製作所 ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber
CN111146123B (zh) * 2019-12-26 2022-07-26 厦门通富微电子有限公司 一种液体收集装置、显影/刻蚀机台及显影/刻蚀方法
KR102583458B1 (ko) 2020-11-27 2023-09-26 세메스 주식회사 기판 처리액 회수 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20230016859A (ko) 2021-07-27 2023-02-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005777A (ko) * 1996-06-05 1998-03-30 김광호 측면 홀을 갖는 케미컬 베스
KR980005368U (ko) * 1996-06-29 1998-03-30 웨이퍼 세정용 세정조
KR20010028185A (ko) * 1999-09-18 2001-04-06 김영환 웨이퍼 세정장치
KR20030061039A (ko) * 2002-01-07 2003-07-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0434902Y2 (ko) * 1987-01-13 1992-08-19
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
JP3317855B2 (ja) 1996-09-02 2002-08-26 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP3432092B2 (ja) * 1996-11-11 2003-07-28 松下電器産業株式会社 光ディスク原盤処理方法及び処理装置
TW499504B (en) * 1999-09-09 2002-08-21 Yu-Tsai Liu Single chamber processing apparatus having multi-chamber functions
JP3892687B2 (ja) * 2001-08-06 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
EP1609172B1 (en) 2003-03-20 2009-01-14 Sez Ag Device and method for wet treatment of disc-shaped articles
JP4105574B2 (ja) * 2003-03-26 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4043455B2 (ja) * 2004-05-28 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005777A (ko) * 1996-06-05 1998-03-30 김광호 측면 홀을 갖는 케미컬 베스
KR980005368U (ko) * 1996-06-29 1998-03-30 웨이퍼 세정용 세정조
KR20010028185A (ko) * 1999-09-18 2001-04-06 김영환 웨이퍼 세정장치
KR20030061039A (ko) * 2002-01-07 2003-07-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315089A (zh) * 2010-07-01 2012-01-11 株式会社迪思科 旋转清洗装置
KR101276091B1 (ko) * 2011-09-20 2013-06-18 주식회사 제우스 기판 세정장치
KR20140052850A (ko) * 2012-10-25 2014-05-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101974663B1 (ko) 2012-10-25 2019-09-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101914481B1 (ko) * 2017-03-09 2018-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102042362B1 (ko) * 2018-11-05 2019-11-07 세메스 주식회사 기판처리장치
KR102226471B1 (ko) * 2020-10-30 2021-03-11 주식회사 위드텍 기판 검사기의 시료 용액 샘플링 방법 및 그 장치

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