TWI424462B - 基板處理設備及維持該設備的方法 - Google Patents

基板處理設備及維持該設備的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI424462B
TWI424462B TW098138236A TW98138236A TWI424462B TW I424462 B TWI424462 B TW I424462B TW 098138236 A TW098138236 A TW 098138236A TW 98138236 A TW98138236 A TW 98138236A TW I424462 B TWI424462 B TW I424462B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
movable
chamber
exhaust
substrate
processing unit
Prior art date
Application number
TW098138236A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201021089A (en
Inventor
Hyoung Rae Noh
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of TW201021089A publication Critical patent/TW201021089A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI424462B publication Critical patent/TWI424462B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

基板處理設備及維持該設備的方法
本文揭示之本發明係關於一種用於處理一基板之設備及一種維持該設備的方法。
半導體裝置大體上以如下方式製造：在一製程中，包含電子裝置之電路形成於一用作一半導體基板之矽晶圓上；在一晶片電特性揀選(electrical die sorting,EDS)製程中，檢查形成於該製程中之半導體裝置之電子特性；及在一封裝總成製程中，該等半導體裝置分別用一環氧樹脂密封並單獨封裝。
該製程包含若干子製程，諸如：一沉積(deposition)製程以用於在一晶圓上形成一膜，一化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)製程以用於平坦化該膜，一光刻(photolithography)製程以用於在該膜上形成一光阻圖案，一蝕刻(etch)製程以用於藉由使用該光阻圖案蝕刻該膜以形成一具有電子特性之圖案，一離子佈植(ion implanting)製程以用於將離子佈植入該晶圓之預定區域，一清潔(cleaning)製程以用於自該晶圓移除污染物，及一檢驗(inspection)製程以用於檢驗於其上形成該膜或圖案之晶圓的表面。
該光刻製程包含一在使用該光阻劑塗佈該晶圓之後加熱該晶圓之製程、一在曝光該光阻劑之後加熱該晶圓之製程，及一在顯像該光阻劑之後加熱該晶圓之製程。此外，該光刻製程包含一冷卻製程，以用於在此類加熱製程之後降低該晶圓之溫度。
一光刻系統包含一由一塗佈設備、一顯像設備及一烘烤設備構成之系統；及一用於執行一曝光製程之單獨系統。為有效地使用設備之空間，該光刻系統之塗佈設備、該顯像設備及該烘烤設備設置於多個層級中。
然而，此類多層級結構使得難以確保用於修理一製程設備之內部所必需之空間，因此難以執行維護工作。
本發明提供一種基板處理系統，其被配置以確保一空間以用於維護工作。
本發明亦提供一種基板處理系統，其中維護工作可輕鬆執行於一具有多級結構之基板處理設備上，且可在維護工作期間執行排氣。
本發明亦提供一種基板處理系統，其中排氣可在一維護工作執行於一具有屜式結構之基板處理設備上時執行。
本發明亦提供一種基板處理系統，其中可輕鬆執行一維護工作，以減少維護時間及系統停機時間，並改良生產效率。
本發明並不限於上述內容，但熟習此項技術者將自以下說明清楚瞭解本文未述及之其他事實。
本發明之各具體實施例為基板處理設備，該設備包含：一室，其包含一內部空間；一處理單元，其設置於該室之內部空間，且可自該室透過該室之一側向外移動，該處理單元包含一排氣管線；及一排氣構件，其設置於該室處，其中，該排氣構件連接至該排氣管線，且該排氣構件包含一活動排氣口，其被配置以根據該處理單元之運動而移動。
在某些具體實施例中，該排氣構件可更包含一包含一狹縫狀開口之排氣管，且該活動排氣口可沿該開口活動。
在其他具體實施例中，該排氣構件可更包含：一密封皮帶，其被配置以與該活動排氣口一起移動，且密封該開口；及導引滾輪，其設置於該開口之一側及另一側附近，以用於導引該密封皮帶之運動。
在此外具體實施例中，該排氣管可設置於該室之一側，且該排氣管之一長度方向可平行於該處理單元之一運動方向。
在又及其他具體實施例中，該處理單元可更包含：一基板支撐構件，其包含一旋轉頭，該旋轉頭被配置以於其上接收一基板；及一處理容器，其圍繞該旋轉頭以收集自一基板浮動之處理流體。
在此外具體實施例中，該室可更包含：一導軌，其沿該處理單元之一運動方向設置；及一活動基座，其被配置以沿該導軌移動，其中，該處理單元可設置於該活動基座處。
在另一具體實施例中，該室可更包含：一第一側，其包含一基板口；一第二側，其與該第一側相對；及第三及第四側，其連接該第一和第二側，其中，該第二側可被配置以藉由移動一門打開以提供一打開側，以用於透過該打開之側向外移動該處理單元。
在本發明之其他具體實施例中，提供用於處理一基板之設備，該等設備包含：一室，其包含一內部空間；一處理單元，其設置於該室之內部空間，且可於該室之第一和第二相對位置之間移動；及一活動排氣口，其可移動至一第一位置以及至一第二位置，而在該第一位置，該活動排氣口連接至放置於該第一相對位置之處理單元，而在該第二位置，該活動排氣口連接至放置於該第二相對位置處之處理單元。
在某些具體實施例中，該處理單元可於該第一相對位置容納於該室之內部空間中，且可於該第二相對位置自該室朝外放置，以便執行一維護工作。
在其他具體實施例中，該設備可更包含一排氣管，其連接至一外部主排氣管線，及其中一開口形成為一通道，該活動排氣口可沿該通道於該第一和第二位置之間移動。
在更多其他具體實施例中，該設備可更包含：一密封皮帶，其被配置以與該活動排氣口一起移動，且密封該開口；及導引滾輪，其設置於該開口之一側及另一側附近，以用於導引該密封皮帶之運動。
在又及其他具體實施例中，該設備可更包含：一導軌，其於該室中設置於該處理單元之一運動方向上；及一活動基座，其被配置以沿該導軌移動，其中，該處理單元設置於該活動基座處。
在本發明之更多其他具體實施例中，提供用於處理一基板之設備，該等設備包含：一室，其包含一內部空間及一打開側，被配置以藉由一門關閉及打開；一活動基座，其設置於該室之內部空間，且可透過該室之打開側移動；一處理容器，其設置於該活動基座處以圍繞一基板放置於其上之一旋轉頭，以便收集一自該基板浮動之處理流體；一排氣管線，其連接至該處理容器；及一排氣管，其連接至該排氣管線且設置一活動排氣口，該活動排氣口可在與該活動基座相同之方向上移動。
在某些具體實施例中，該室可藉由該活動基座被劃分為一上層空間及一下層空間，且該排氣管固定至該下層空間。
在其他具體實施例中，該排氣管可包含：一狹縫狀開口，在此該活動排氣口係活動設置；及一密封皮帶，其被配置以與該活動排氣口一起移動，且密封該開口。
在更多其他具體實施例中，該設備可更包含：導引滾輪，其設置於該開口之一側及另一側附近，以用於導引該密封皮帶之運動。
在本發明之更多其他具體實施例中，提供維持一基板處理設備之方法，該基板處理設備包含一處理單元及一活動排氣口，該處理單元於一室之第一和第二相對位置之間之活動，該活動排氣口透過一排氣管線連接至該處理單元，且可根據該處理單元之運動在一排氣管上活動，該方法包含：將該處理單元自該第一相對位置移動至該第二相對位置；且允許該活動排氣口根據該處理單元之移動，沿該排氣管自一第一位置移動至一第二位置。
在某些具體實施例中，可容許該活動排氣口自該定位於一形成於該排氣管中之開口之一端處之第一位置，移動至該定位於該開口另一端處之第二位置。
在其他具體實施例中，當該活動排氣口移動時，該排氣管之開口可藉由一與該活動排氣口一起移動之密封皮帶密封。
現將根據本發明之各具體實施例，參照隨附該等圖式對一用於處理一基板之設備及一維持該設備的方法進行說明。在該等圖式中，類似元件符號在整個說明中指示類似元件。在以下說明中，對於吾人熟習之製程、熟習之裝置結構，及熟習之技術將不作詳細說明，以避免對本發明之模糊解釋。
(具體實施例)
在目前具體實施例中，作為可使用一基板處理設備1處理之基板之一實例，圖解及說明了一半導體基板。然而，本發明並不限於此。即，本發明可應用於各種基板，諸如一玻璃基板。
第一圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之一基板處理設備1之示意視圖。該基板處理設備1用於在一晶圓上執行一光刻(photolithography)製程。
參照第一圖，該基板處理設備1包含一索引部件10、一處理部件20，及一介面部件30，其按順序彼此平行地設置於一方向上(以下稱作一第一方向62)。該索引部件10包含卡匣平臺12及一機器通道14。
其中容納諸如晶圓之半導體基板之卡匣12a，放置於該卡匣平臺12上。一機器14a設置於該機器通道14上，以用於在放置於該等卡匣平臺12上之卡匣12a與處理部件20之間運送晶圓。該機器14a能夠在一水平平面上，在上述第一方向62及一垂直方向(以下稱作一第二方向64)上移動，且該機器14a能夠在一垂直方向上移動。對於相關技術中之普通技術者，該機器14a之水平及垂直運動結構將顯而易見，且因此將省略其詳細說明。
該處理部件20用於執行一塗佈製程，以用於使用一諸如光阻劑之感光材料塗佈一晶圓；以及一顯像製程，以用於在該晶圓上執行一曝光製程之後，自該晶圓移除該光阻劑之曝露或非曝露區域。該處理部件20包含塗佈單元70、顯像單元80，及烘烤單元50(參見第二圖)。
連接至一曝光部件40之介面部件30設置於該處理部件20之一側。一機器32設置於該介面部件30處，以用於在該曝光部件40與該處理部件20之間運送晶圓。該機器32能夠在該第二方向64及該垂直方向移動。
第二圖係圖解說明該處理部件20之實例之透視圖。
該處理部件20包含一第一處理室20a及一第二處理室20b。該第一和第二處理室20a及20b次第堆疊。在該第一處理室20a處，設置單元以用於執行一塗佈製程，且在該第二處理室20b處，設置單元以用於執行一顯像製程。即，該等塗佈單元70及該等烘烤單元50設置於該第一處理室20a處，且該等顯像單元80及該等烘烤單元50設置於該第二處理室20b處。舉例而言，該第一處理室20a設置於該第二處理室20b之頂側處。或者，該第一處理室20a可設置於該第二處理室20b之底側處。
在上述結構中，晶圓按順序移動經過該索引部件10、該第一處理室20a、該介面部件30、該曝光部件40、該介面部件30、該第二處理室20b，及該索引部件10。即，在一光刻製程期間，晶圓在一迴路形通道中沿該上側及該下側移動。
第三圖係第一處理室20a之平面視圖。
參照第三圖，一第一通道60a沿該第一處理室20a之中心部分，在該第一方向62上縱向延伸。該第一通道60a之一端連接至該索引部件10，且該第一通道60a之另一端連接至該介面部件30。該等烘烤單元50沿該第一通道60a之一側設置成一列，且該等塗佈單元70沿該第一通道60a之另一側設置成一列。該等烘烤單元50及該等塗佈單元70垂直堆疊。一第一機器62a設置於該第一通道60a處，以用於在該介面部件30、該等塗佈單元70、該等烘烤單元50及該索引部件10之間運送晶圓。一導軌64a設置於該第一通道60a處，以便該第一機器62a可在該第一方向62上直線移動。
舉例而言，該第一處理室20a之該等烘烤單元50包含：一烘烤單元，其用於執行一預烘烤製程，以便將一基板加熱至一預定溫度，以在向該基板塗佈光阻劑之前，自該基板移除有機物質或潮濕；一烘烤單元，其用於在向該基板塗佈光阻劑之後，執行一軟烘烤製程；及一烘烤單元，其用於執行一冷卻該基板之製程。
第四圖係圖解說明該第二處理室20b之平面視圖。
參照第四圖，一第二通道60b沿該第二處理室20b之中心部分，在該第一方向62上縱向延伸。該第二通道60b之一端連接至該索引部件10，且該第二通道60b之另一端連接至該介面部件30。該等烘烤單元50沿該第二通道60b之一側設置成一列，且該等顯像單元80沿該第二通道60b之另一側設置成一列。該等烘烤單元50及該等顯像單元80垂直堆疊。一第二機器62b設置於該第二通道60b處，以便於該介面部件30、該等顯像單元80、該等烘烤單元50及該索引部件10之間運送晶圓。
舉例而言，該第二處理室20b之該等烘烤單元50包含：一烘烤單元，其用於在顯像光阻劑(其藉由曝光而變更)之後執行一硬烘烤製程；一烘烤單元，其以用於在光阻劑曝露於一光源之後執行一後曝光製程；以及，一烘烤單元，其以用於執行一基板冷卻製程。
一導軌64b設置於該第二通道60b處，以便該第二機器62b可在該第一方向62上直線移動。與上述結構不同，一第一通道可提供於一第一處理室之一側，且塗佈單元及烘烤單元可設置於該第一處理室之另一側處；及一第二通道可提供在一第二處理室之一側，且顯像單元及烘烤單元可設置於該第二處理室之另一側處。
第五圖和第六圖係圖解說明該顯像單元80之平面視圖及側截面視圖。在目前具體實施例中，係以該顯像單元80作為一實例說明。然而，目前具體實施例可應用於一塗佈單元，或一用於藉由使用各種處理流體移除一基板上剩餘之污染物及膜之清潔/蝕刻單元。在第六圖中，為清晰起見未圖解說明一噴嘴構件。
參照第五圖和第六圖，該等顯像單元80包含一室82、一處理容器100、一基板支撐構件200、一噴嘴構件300，及一排氣構件400。
該室82提供一封閉內部空間，且一風機濾網單元89設置於該室82之一上側。該風機濾網單元89在該室82中建立一垂直氣流。一基板口84形成於該室82與該第二通道60b相鄰之一第一側83，且該室82與第一側83相對之一側(該處形成該基板口84)作為一打開側85打開。該打開側85藉由一蓋86關閉。
在該風機濾網單元89中，一過濾器及一供氣扇設置為一模組，以便在過濾之後將清潔空氣供應至該室82之內部。清潔空氣透過該風機濾網單元89供應至該室82之內部，且藉由該清潔空氣形成一垂直氣流。該垂直氣流在一基板頂端上形成均勻空氣流。空氣從該室82之內部透過一連接至該處理容器100之排氣管線152、一設置於一活動基座900處之吸氣口，及一設置於一功能區域(UA)中之排氣管排除至外部，以便該處理容器100之周圍區域可保持於一高度清潔狀態。
如第六圖中所示，該室82藉由該活動基座900劃分為一製程區域(process area,PA)及該功能區域(utility area,UA)。該活動基座900可沿安裝於該室82上之導軌910移動，且可透過該打開側85自該室82抽出至一維護位置(參見第十圖)。該處理容器100及該噴嘴構件300安裝於該活動基座900上，且該處理容器100及該噴嘴構件300與該活動基座900一起，自一製程位置(第五圖中所示之一第一狀態)移動至該維護位置(第十圖中所示之一第二狀態)。儘管在第六圖中未完全描述，一提升單元600之一驅動單元，及連接至該噴嘴構件300之各種管道，以及一排放管線及連接至該處理容器100之排氣管線152，設置於該功能區域(UA)中。因此，該製程區域(PA)可與該功能區域(UA)隔離，以用於將該製程區域(PA)保持於一高度清潔狀態。
該處理容器100設置於該活動基座900上。該處理容器100具有一帶有一打開頂側之圓柱形形狀，且於該處理容器100中形成一處理空間，以用於處理一基板(w)。一基板(w)透過該處理容器100之打開頂側載入該處理容器100及自其卸載。
該處理容器100圍繞該基板支撐構件200。當於一基板(w)上執行一顯像、清潔或乾燥製程時，旋轉該基板(w)，且自該旋轉基板(w)浮動之流體(諸如一顯像液、一清潔溶液，及乾燥氣體)收集於該處理容器100中。因此，外部裝置或該周圍環境可保持清潔。此外，可收集顯像液以便再用，且可於該基板(w)上方形成一均勻氣流。
該處理容器100包含一外部空間(a)及一內部空間(b)。自一基板(w)浮動之顯像液及氣體被引入該外部空間(a)，且該外部空間(a)藉由一外壁132及一垂直壁壘134形成。一排泄口150形成於該外部空間(a)之一底側136中，以用於排除顯像液。一排氣口142形成於該內部空間(b)之一底側中，以用於排除氣體。一排氣管線152連接至該處理容器100之排氣口142，以用於強制排氣。該排氣管線152連接至該排氣構件400之一活動排氣口。
一垂直活動環形蓋160設置於該處理容器100之外壁132處。當在一旋轉頭210上裝載一基板(w)或卸載一處理基板(w)時，該蓋160藉由該提升單元600垂直移動。該提升單元600於一高於一基板位置之上位及一低於該基板位置之下位之間，垂直移動該蓋160。
該提升單元600在一垂直方向上沿直線移動該處理容器100。當該處理容器100垂直移動時，該處理容器100相對該旋轉頭210之高度發生變化。該提升單元600包含一支架、一活動軸及一主動件。該支架固定至該處理容器100之一外壁，且可藉由該主動件垂直移動之活動軸固定至該支架。當在該旋轉頭210上裝載或自其卸載一基板(w)時，該蓋160向下移動，以便該等旋轉頭210自該處理容器100之頂側突出。
在目前具體實施例之基板處理設備1中，該處理容器100垂直移動，以改變該處理容器100相對該基板支撐構件200之垂直位置。或者，該基板支撐構件200可垂直移動，以改變該處理容器100相對該基板支撐構件200之垂直位置。
該基板支撐構件200設置於該處理容器100內部。該基板支撐構件200用於在一製程期間支撐一基板(w)，且如果需要，該基板支撐構件200可在一製程期間藉由一主動件240(以後說明)旋轉。該基板支撐構件200包含該旋轉頭210，且該旋轉頭210之頂側平滑，以於其上接收一基板(w)。為防止一基板(w)由於離心力自該旋轉頭210掉落，該基板(w)可藉由使用該旋轉頭210中形成之一真空管線(未顯示)，真空附著至該旋轉頭210。與不此同，一基板(w)之橫向邊緣可藉由使用安裝於該旋轉頭210處之夾定銷固定。一心軸220固定至該旋轉頭210之底側，且該心軸220被配置以藉由該主動件240旋轉。該主動件240包含一馬達(未顯示)、一皮帶(未顯示)，及一滑輪(未顯示)。
該噴嘴構件300設置於該處理容器100之外。該噴嘴構件300將處理流體供應至一固定至該基板支撐構件200之基板(w)，以用於在該基板(w)上執行顯像、清潔及乾燥製程。
第七圖係圖解說明該排氣構件400之透視圖，第八圖係圖解說明該排氣構件400之平面橫截視圖，且第九圖係圖解說明該排氣構件400之側截面視圖。
參照第六至九圖，該等排氣構件400建立一排氣壓力(吸入壓力)，以用於吸取在一製程期間引入該處理容器100之空氣，及自該室82之上側吸取空氣。該排氣構件400包含一排氣管410、一活動排氣口420、一密封皮帶430，及導引滾輪440。
該排氣管410固定至該功能區域(utility area,UA)之一側。一排氣壓力自一排氣泵(未顯示)應用於該排氣管410，且該排氣管410連接至一埋設於一半導體生產線(工廠)之地板中之主排氣管線416。該排氣管410之長度方向平行於該活動基座900之運動方向，且該排氣管410之長度可大於該活動基座900之移動距離。一狹縫狀開口412形成於該排氣管410之一側中。該開口412之長度可至少與該活動基座900之移動距離相同。
該活動排氣口420設置於該開口412上，且連接至該排氣管線152。該活動排氣口420被配置以根據該活動基座900之運動，而沿該開口412移動。
該密封皮帶430係提供以用於密封該開口412。該活動排氣口420設置於該密封皮帶430處。該密封皮帶430及該活動排氣口420被配置以一起移動。該密封皮帶430在以下狀態下滑動：該密封皮帶430接觸該排氣管410之一於其中形成該開口412之內部側。該等導引滾輪440分別接近該開口412兩側，且用於導引該密封皮帶430之運動。
第十圖係圖解說明該處理容器100之平面視圖，其中該處理容器自該室82抽出，以執行維護工作。
對於在該處理容器100或該噴嘴構件300上之維護工作，首先，自該室82之打開側85卸離該蓋86，且透過該打開側85拉出該活動基座900，以便將該活動基座900沿該導軌910抽出至該室82之外部。此時，連接至該處理容器100之排氣管線152的排氣構件400之活動排氣口420，亦沿該開口412移動，其距離對應於該活動基座900之移動距離。即，該活動排氣口420與該排氣管線152之間的連接點，自一對應於該處理容器100中該處理容器100之位置之第一位置(該開口412接近該基板口84之一端)移動至一對應於該室82之外該處理容器100之位置之第二位置(該開口412接近該打開側85之另一端)。
如第十圖中所示，儘管該處理容器100自該室82取出以便執行一維護工作，該處理容器100之排氣管線152不自該排氣構件400之活動排氣口420切斷，以便一排氣壓力可連續應用於該處理容器100之內部。因此，當於該處理容器100上執行一維護工作時，該處理容器100之污染可最小，因為不清潔空氣(含粒子)可由於一應用於該處理容器100內部之排氣壓力，而被強制從該處理容器100之內部排除。特定而言，因為該排氣管線152連接至該活動基座900之一吸氣孔902以及該處理容器100之內部，一排氣壓力亦可應用於該活動基座900之一上區域。
根據本發明，可確保一空間以便執行一維護工作。
此外，根據本發明，一維護工作可輕鬆執行於一具有多級結構之基板處理設備上，且排氣可在維護工作期間執行。
此外，根據本發明，排氣可於維護工作期間在一具有屜式結構之基板處理設備上執行。
此外，根據本發明，因為維護工作可輕鬆執行，可減少維護時間及系統宕機時間，且可改良生產效率。
以上所揭示之標的應被視為示意性的，而非限制性的，且該等所附申請專利範圍意欲涵蓋落入本發明之真正精神及範圍之內之所有此等修改、增強及其他具體實施例。因此，在法律容許之最大範圍內，本發明之範圍藉由以下申請專利範圍及其等效項之最寬泛可允許解釋來判定，且不應受上述詳細說明約束或限制。
1．．．基板處理設備
10．．．索引部件
12．．．卡匣平臺
12a．．．卡匣
14．．．機器通道
14a．．．機器
20．．．處理部件
20a．．．第一處理室
20b．．．第二處理室
30．．．介面部件
32．．．機器
40．．．曝光部件
50．．．烘烤單元
60a．．．第一通道
60b．．．第二通道
62．．．第一方向
62a．．．第一機器
62b．．．第二通道
64．．．第二方向
64a．．．導軌
64b．．．導軌
70．．．塗佈單元
80．．．顯像單元
82．．．室
83．．．第一側
84．．．基板口
85．．．打開側
86．．．蓋
89．．．風機濾網單元
90．．．活動基座
100．．．處理容器
132．．．外壁
134．．．垂直壁壘
136．．．底側
142．．．排氣口
150．．．排泄口
152．．．排氣管線
160．．．蓋
200．．．基板支撐構件
210．．．旋轉頭
220．．．心軸
240．．．主動件
300．．．噴嘴構件
400．．．排氣構件
410．．．排氣管
412．．．開口
416．．．排氣管線
420．．．活動排氣口
430．．．密封皮帶
440．．．導引滾輪
600．．．提升單元
900．．．活動基座
902．．．吸氣孔
910．．．導軌
W．．．基板
PA．．．製程區域
UA．．．功能區域
a．．．外部空間
b．．．內部空間
隨附該等圖式包含於本文中係以提供對本發明之進一步瞭解，且併入及構成此規範之一部分。該等圖式圖解說明本發明之各例示性具體實施例，並與「實施方式」一起，用於解釋本發明之原理。在該等圖式中：
第一圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之一用於處理一基板之設備之示意視圖；
第二圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之第一圖中所示基板處理設備之一處理部件之透視圖；
第三圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之第二圖中所示處理部件之一第一處理室之平面視圖；
第四圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之第二圖中所示處理部件之一第二處理室之平面視圖；
第五圖和第六圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之一顯像單元之平面視圖及側截面視圖；
第七圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之一排氣構件之透視圖；
第八圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之該排氣構件之平面橫截視圖；
第九圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之該排氣構件之側截面視圖；及
第十圖係圖解說明根據本發明之一具體實施例之一活動基座之平面視圖，其中該活動基座被抽出以便維護一處理容器。
80．．．顯像單元
82．．．室
84．．．基板口
89．．．風機濾網單元
100．．．處理容器
132．．．外壁
134．．．垂直壁壘
136．．．底側
142．．．排氣口
150．．．排泄口
152．．．排氣管線
160．．．蓋
200．．．基板支撐構件
210．．．旋轉頭
220．．．心軸
240．．．主動件
400．．．排氣構件
416．．．排氣管線
900．．．活動基座
910．．．導軌
PA．．．製程區域
UA．．．功能區域
a．．．外部空間
b．．．內部空間

Claims (14)

  1. 一種基板處理設備，其包括：一室，其包括一內部空間；一處理單元，其設置於該室之內部空間，且可自該室透過該室之一側向外移動，該處理單元包括一排氣管線；以及一排氣構件，其設置於該室處，包括：一包括一狹縫狀開口之排氣管，且該活動排氣口可沿該開口活動；一密封皮帶，該密封皮帶被配置以與該活動排氣口一起移動，且密封該開口；及導引滾輪，其設置於該開口之一側及另一側附近，以用於導引該密封皮帶之運動；其中，該排氣構件連接至該排氣管線，且該排氣構件包括一活動排氣口，其被配置以根據該處理單元之運動而移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理設備，其中，該排氣管設置於該室之一側，且該排氣管之一長度方向平行於該處理單元之一運動方向。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理設備，其中，該處理單元更包括：一基板支撐構件，其包括一旋轉頭，該旋轉頭被配置以於其上接收一基板；及一處理容器，其圍繞該旋轉頭以收集自一基板 浮動之處理流體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理設備，其中，該室更包括：一導軌，其沿該處理單元之一運動方向設置；及一活動基座，其被配置以沿該導軌移動，其中，該處理單元設置於該活動基座處。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理設備，其中，該室更包括：一第一側，其包括一基板口；一第二側，其與該第一側相對；及第三及第四側，其連接該第一和第二側，其中，該第二側被配置藉由移動一門打開，以為提供一打開側，而該處理單元透過該打開側向外移動。
  6. 一種基板處理設備，其包括：一室，其包括一內部空間；一處理單元，其設置於該室之內部空間，且可於該室之第一和第二相對位置之間移動；一活動排氣口，該活動排氣口可移動至一第一位置，在此該活動排氣口連接至放置於該第一相對位置之處理單元；以及該活動排氣口可移動至一第二位置，在此該活動排氣口連接至放置於該第二相對位置處之處理單元； 一排氣管，該排氣管連接至一外部主排氣管線，且於其中一開口形成為一通道；一密封皮帶，其被配置以與該活動排氣口一起移動，且密封該開口；及導引滾輪，其設置於該開口之一側及另一側附近，以用於導引該密封皮帶之運動。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理設備，其中，該處理單元於該第一相對位置容納於該室之內部空間中，且於該第二相對位置自該室朝外放置，以便執行一維護工作。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理設備，其中，該活動排氣口可沿該通道於該第一和第二位置之間移動。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理設備，其更包括：一導軌，其於該室處設置於該處理單元之一運動方向上；及一活動基座，其被配置以沿該導軌移動，其中，該處理單元設置於該活動基座處。
  10. 一種基板處理設備，其包括：一室，其包括一內部空間及一打開側，該打開側被配置以藉由一門關閉及打開；一活動基座，其設置於該室之內部空間，且可透過該室之打開側移動； 一處理容器，其設置於該活動基座處以圍繞一基板放置於其上之一旋轉頭，以便收集一自該基板浮動之處理流體；一排氣管線，其連接至該處理容器；及一排氣管，其連接至該排氣管線，且於此設置一活動排氣口，該活動排氣口可在與該活動基座相同之方向上活動，包括：一狹縫狀開口，在此可活動地設置該活動排氣口；一密封皮帶，其被配置以與該活動排氣口一起移動，且密封該開口；及導引滾輪，該等導引滾輪設置於該開口之一側及另一側附近，以用於導引該密封皮帶之運動。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之設備，其中，該室藉由該活動基座劃分為一上層空間及一下層空間，且該排氣管固定至該下層空間。
  12. 一種維持一基板處理設備之方法，包含一處理單元及一活動排氣口，該處理單元可於一室之第一和第二相對位置之間之活動，該活動排氣口透過一排氣管線連接至該處理單元，且可根據該處理單元之運動在一包括一密封皮帶與複數個導引滾輪之排氣管上活動，該方法包括：將該處理單元自該第一相對位置移動至該第二 相對位置；及允許該活動排氣口根據該處理單元之移動，沿該排氣管自一第一位置移動至一第二位置。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中，該活動排氣口容許自該第一位置移動至該第二位置，而該第一位置係定位於一形成於該排氣管中之開口之一端，第二位置係定位於該開口之另一端。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中，當該活動排氣口移動時，該排氣管之開口藉由與該活動排氣口一起移動之密封皮帶密封。
TW098138236A 2008-11-18 2009-11-11 基板處理設備及維持該設備的方法 TWI424462B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080114532A KR101052818B1 (ko) 2008-11-18 2008-11-18 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에서의 정비 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201021089A TW201021089A (en) 2010-06-01
TWI424462B true TWI424462B (zh) 2014-01-21

Family

ID=42171055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098138236A TWI424462B (zh) 2008-11-18 2009-11-11 基板處理設備及維持該設備的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8631756B2 (zh)
JP (1) JP4973893B2 (zh)
KR (1) KR101052818B1 (zh)
CN (1) CN101740347B (zh)
TW (1) TWI424462B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101170761B1 (ko) * 2010-11-01 2012-08-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US8841207B2 (en) * 2011-04-08 2014-09-23 Lux Material Co., Ltd. Reusable substrates for electronic device fabrication and methods thereof
JP6083954B2 (ja) 2011-06-06 2017-02-22 キヤノン株式会社 現像剤補給容器及び現像剤補給システム
KR101895932B1 (ko) * 2011-08-23 2018-09-07 세메스 주식회사 포토 마스크 세정 설비의 냉각장치
KR101895403B1 (ko) * 2011-11-22 2018-09-06 세메스 주식회사 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치
KR102096948B1 (ko) * 2013-07-04 2020-04-06 세메스 주식회사 기판 처리 설비
US9209062B1 (en) * 2014-05-28 2015-12-08 Spintrac Systems, Inc. Removable spin chamber with vacuum attachment
KR20170048787A (ko) * 2015-10-27 2017-05-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101885571B1 (ko) * 2016-07-07 2018-08-07 세메스 주식회사 기판 반송 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20220108560A (ko) * 2021-01-27 2022-08-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6203218B1 (en) * 1998-07-31 2001-03-20 Tokyo Electron Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6293713B1 (en) * 1999-07-02 2001-09-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US20020053319A1 (en) * 2000-11-07 2002-05-09 Shuichi Nagamine Solution treatment method and solution treatment unit
US7290948B2 (en) * 2002-07-22 2007-11-06 Yoshitake Ito Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7357840B2 (en) * 2004-02-27 2008-04-15 Asml Holding N.V. Solvent bath and drain

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW333658B (en) * 1996-05-30 1998-06-11 Tokyo Electron Co Ltd The substrate processing method and substrate processing system
US5855681A (en) 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
JPH1140490A (ja) 1997-07-14 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転式処理装置
US6309116B1 (en) * 1999-06-09 2001-10-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
US6264450B1 (en) * 2000-01-13 2001-07-24 Keith F. Woodruff Flexible vane pump
EP1204139A4 (en) * 2000-04-27 2010-04-28 Ebara Corp SUPPORT AND ROTATION DEVICE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
WO2002047139A2 (en) * 2000-12-04 2002-06-13 Ebara Corporation Methode of forming a copper film on a substrate
JP2005093769A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および気圧調節方法
JP2005087944A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100666352B1 (ko) * 2005-05-26 2007-01-11 세메스 주식회사 기판 세정 건조 장치 및 방법
KR20080000876A (ko) 2006-06-28 2008-01-03 삼성전자주식회사 플리커 측정 장치, 액정 표시 장치의 테스트 시스템 및액정 표시 장치의 플리커 튜닝 방법
KR20080045803A (ko) * 2006-11-21 2008-05-26 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 제조설비의 배기라인 구조
KR100916005B1 (ko) * 2007-07-09 2009-09-10 한서에이치케이(주) 플라즈마 에칭 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6203218B1 (en) * 1998-07-31 2001-03-20 Tokyo Electron Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6293713B1 (en) * 1999-07-02 2001-09-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US20020053319A1 (en) * 2000-11-07 2002-05-09 Shuichi Nagamine Solution treatment method and solution treatment unit
US7290948B2 (en) * 2002-07-22 2007-11-06 Yoshitake Ito Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7338223B2 (en) * 2002-07-22 2008-03-04 Yoshitake Ito Developing method and apparatus for performing development processing properly and a solution processing method enabling enhanced uniformity in the processing
US7357840B2 (en) * 2004-02-27 2008-04-15 Asml Holding N.V. Solvent bath and drain

Also Published As

Publication number Publication date
KR101052818B1 (ko) 2011-07-29
US20100122773A1 (en) 2010-05-20
JP4973893B2 (ja) 2012-07-11
KR20100055688A (ko) 2010-05-27
CN101740347B (zh) 2012-01-04
TW201021089A (en) 2010-06-01
JP2010123964A (ja) 2010-06-03
CN101740347A (zh) 2010-06-16
US8631756B2 (en) 2014-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI424462B (zh) 基板處理設備及維持該設備的方法
KR101061696B1 (ko) 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법
KR101901012B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5006274B2 (ja) 基板処理装置
US10534265B2 (en) Apparatus for treating substrate and method for cleaning guide plate
KR20180025448A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102467054B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102315667B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JP2008288447A (ja) 基板処理装置
JP2012015385A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102343636B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101053992B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102522960B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2006190828A (ja) 基板処理装置
KR102121241B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102270937B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20130025133A (ko) 기판처리장치
KR102119683B1 (ko) 홈 포트, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR101958641B1 (ko) 기판 처리 장치 및 홈포트 배기 방법
KR102289486B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102415319B1 (ko) 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101022780B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102420346B1 (ko) 기판처리장치
KR102295573B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101968486B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법