CN101740347B - 处理基材的设备和维护该设备的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种处理基材的设备。该设备包括腔室、处理单元和排气部件。该腔室具有内部空间。该处理单元设置在该腔室的内部空间中并可通过该腔室的一侧从该腔室向外移动。该处理单元包括排气管线。该排气部件设置在该腔室中。该排气部件与该排气管线连接，该排气部件包括被设置成跟随该处理单元的移动而移动的可动排气口。

Description

处理基材的设备和维护该设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求享有2008年11月18日提交的韩国专利申请No.10-2008-0114532的优先权，在此引入该韩国专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种处理基材的设备和维护该设备的方法。
背景技术
半导体器件的制作通常如下：在制作工艺中，包括电器件的电路形成在用作半导体基材的硅晶片上；在芯片电测(EDS)工艺中，检测在制作工艺中形成的半导体器件的电特性；以及在封装组装工艺中，各半导体器件分别被环氧树脂密封且独立封装。
制作工艺包括各个子工艺，例如在晶片上形成薄膜的沉积工艺、使薄膜平面化的化学机械抛光(CMP)工艺、在薄膜上形成光致抗蚀剂图案的光刻工艺、利用光致抗蚀剂图案蚀刻薄膜以形成具有电特性的图案的蚀刻工艺、向晶片的预定区域注入离子的离子注入工艺、除去晶片上的污染物的清洁工艺以及检测晶片上形成有薄膜或图案的表面的检测工艺。
光刻工艺包括在用光致抗蚀剂涂布晶片之后加热晶片的步骤、在使光致抗蚀剂曝光之后加热晶片的步骤以及在使光致抗蚀剂显影之后加热晶片的步骤。此外，光刻工艺包括在加热步骤之后降低晶片温度的冷却步骤。
光刻系统包括由涂布设备、显影设备和烘烤设备构成的系统以及进行曝光工艺的单独系统。为有效利用设备的空间，光刻系统的涂布设备、显影设备和烘烤设备以多级方式排列。
然而，这样的多级结构难以确保维修处理设备内部所需的空间，因此难以进行维护工作。
发明内容
本发明提供一种可确保维护工作用的空间的基材处理系统。
本发明还提供一种基材处理系统，在该系统中，可容易地对具有多级结构的基材处理设备进行维护工作，并且在维护工作过程中可以排气。
本发明还提供一种基材处理系统，在该系统中，当对具有抽屉结构的基材处理设备进行维护工作时可以排气。
本发明还提供一种基材处理系统，在该系统中，可容易地进行维护工作以减少维护时间和系统停工期，并且可以提高生产效率。
本发明并不局限于上述内容，本领域技术人员从下面的描述可清楚地理解在此未说明的其他事实。
本发明的实施例提供一种处理基材的设备，所述设备包括：具有内部空间的腔室；处理单元，设置在所述腔室的内部空间中并可通过所述腔室的一侧从所述腔室向外移动，所述处理单元包括排气管线；以及设置在所述腔室中的排气部件，其中所述排气部件与所述排气管线连接，所述排气部件包括被设置成跟随所述处理单元的移动而移动的可动排气口。
在一些实施例中，所述排气部件还可以包括具有狭缝状开口的排气管，并且所述可动排气口可沿着所述开口移动。
在其他实施例中，所述排气部件还可以包括：被设置成与所述可动排气口一起移动并密封所述开口的密封皮带；以及靠近所述开口的一侧和另一侧设置的导辊，用于引导所述密封皮带的运动。
在其他实施例中，所述排气管可以设置在所述腔室的一侧，并且所述排气管的长度方向可以与所述处理单元的移动方向平行。
在其他实施例中，所述处理单元还可以包括：基材支撑部件，包括用于在其上接收基材的旋转头；以及包围所述旋转头的处理容器，用于收集从基材漂流的处理流体。
在其他实施例中，所述腔室还可以包括：沿所述处理单元的移动方向设置的导轨；以及被设置成沿所述导轨移动的可动基座，其中所述处理单元可以设置在所述可动基座上。
在其他实施例中，所述腔室还可以包括：包括基材端口的第一侧；与第一侧相对的第二侧；以及与第一侧和第二侧连接的第三侧和第四侧，其中第二侧可以被设置成通过移去门而打开以提供开口侧，以使所述处理单元通过所述开口侧向外移动。
在本发明的其他实施例中，提供一种处理基材的设备，所述设备包括：具有内部空间的腔室；处理单元，设置在所述腔室的内部空间中并可在相对于所述腔室的第一相对位置和第二相对位置之间移动；以及可动排气口，可移动至第一位置和第二位置，在第一位置，所述可动排气口与在第一相对位置处的所述处理单元连接，在第二位置，所述可动排气口与在第二相对位置处的所述处理单元连接。
在一些实施例中，所述处理单元在第一相对位置时可被收容在所述腔室的内部空间中，在第二相对位置时可处于所述腔室的外部，以进行维护工作。
在其他实施例中，所述设备还可以包括与外部主排气管线连接的排气管，在所述排气管中形成有作为通道的开口，所述可动排气口可沿着所述开口在第一位置和第二位置之间移动。
在其他实施例中，所述设备还可以包括：被设置成与所述可动排气口一起移动并密封所述开口的密封皮带；以及靠近所述开口的一侧和另一侧设置的导辊，用于引导所述密封皮带的运动。
在其他实施例中，所述设备还可以包括：沿所述处理单元的移动方向设置在所述腔室中的导轨；以及被设置成沿所述导轨移动的可动基座，其中所述处理单元设置在所述可动基座上。
在本发明的其他实施例中，提供一种处理基材的设备，所述设备包括：具有内部空间以及由门关闭和打开的开口侧的腔室；可动基座，设置在所述腔室的内部空间中并可通过所述腔室的开口侧移动；处理容器，设置在所述可动基座上并包围在其上放置基材的旋转头，用于收集从所述基材漂流的处理流体；与所述处理容器连接的排气管线；以及与所述排气管线连接的排气管，可动排气口设置在所述排气管上，所述可动排气口可沿着与所述可动基座相同的方向移动。
在一些实施例中，所述腔室可以被所述可动基座分成上部空间和下部空间，并且所述排气管被固定于所述下部空间中。
在其他实施例中，所述排气管可以包括：狭缝状开口，所述可动排气口可移动地设置在所述开口处；以及被设置成与所述可动排气口一起移动并密封所述开口的密封皮带。
在其他实施例中，所述设备还可以包括：靠近所述开口的一侧和另一侧设置的导辊，用于引导所述密封皮带的运动。
在本发明的其他实施例中，提供一种维护基材处理设备的方法，所述设备包括处理单元和可动排气口，所述处理单元可在相对于所述腔室的第一相对位置和第二相对位置之间移动，所述可动排气口通过排气管线与所述处理单元连接并可跟随所述处理单元的移动而在排气管上移动，所述方法包括：将所述处理单元从第一相对位置移动至第二相对位置；以及使所述可动排气口跟随所述处理单元的移动而沿着所述排气管从第一位置移动至第二位置。
在一些实施例中，使所述可动排气口从位于在所述排气管中形成的开口一端的第一位置移动至位于所述开口另一端的第二位置。
在其他实施例中，当移动所述可动排气口时，使用与所述可动排气口一起移动的密封皮带密封所述排气管的开口。
附图说明
附图用于进一步理解本发明，且被并入说明书中构成说明书的一部分。附图显示本发明的示例性实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是显示根据本发明实施例的处理基材的设备的示意图；
图2是显示根据本发明实施例的图1所示的基材处理设备的处理部的立体图；
图3是显示根据本发明实施例的图2所示的处理部的第一处理腔室的平面图；
图4是显示根据本发明实施例的图2所示的处理部的第二处理腔室的平面图；
图5和图6是显示根据本发明实施例的显影单元的平面图和侧剖视图；
图7是显示根据本发明实施例的排气部件的立体图；
图8是显示根据本发明实施例的排气部件的平面剖视图；
图9是显示根据本发明实施例的排气部件的侧剖视图；以及
图10是显示根据本发明实施例为进行处理容器的维护将可动基座抽出的平面图。
具体实施方式
下面根据本发明的实施例并参照附图来说明处理基材的设备和维护该设备的方法。在所有附图中，相同附图标记指的是相同元素。在下面的说明中，没有对已知的方法、已知的设备结构和已知的技术进行详细说明，以避免对本发明的解释不清楚。
实施例
在本实施例中，将半导体基材作为可使用基材处理设备1处理的基材的例子进行显示和说明。然而，本发明并不限于此。即，本发明可用于诸如玻璃基材等各种基材。
图1是显示根据本发明实施例的基材处理设备1的示意图。基材处理设备1被用来在晶片上进行光刻工艺。
参照图1，基材处理设备1包括沿一个方向(下面，也称作第一方向62)且彼此平行地顺序配置的指示部10、处理部20和连接部30。指示部10包括盒子平台12和自动装置通道14。
其中容纳有诸如晶片等半导体基材的盒子12a被放置在盒子平台12上。自动装置14a被设置在自动装置通道14上，用于在被置于盒子平台12上的盒子12a和处理部20之间载运晶片。自动装置14a能够在水平面上沿上述第一方向62和垂直方向(下面，也称作第二方向64)移动，并且自动装置14a能够沿垂直方向移动。自动装置14a的水平和垂直移动结构对本领域技术人员来说是显而易见的，因此省略其详细说明。
处理部20被用来进行用诸如光致抗蚀剂等感光材料涂布晶片的涂布工艺和在对晶片进行曝光工艺之后从晶片上除去光致抗蚀剂的曝光或非曝光区域的显影工艺。处理部20包括涂布单元70、显影单元80和烘烤单元50(参照图2)。
与曝光部40连接的连接部30设置在处理部20的一侧。自动装置32设置在连接部30，用于在曝光部40和处理部20之间载运晶片。自动装置32能够沿第二方向64和垂直方向移动。
图2是显示处理部20的例子的立体图。
处理部20包括第一处理腔室20a和第二处理腔室20b。第一处理腔室20a和第二处理腔室20b彼此叠置。在第一处理腔室20a，设有用于进行涂布工艺的单元，在第二处理腔室20b，设有用于进行显影工艺的单元。即，涂布单元70和烘烤单元50被设置在第一处理腔室20a，而显影单元80和烘烤单元50被设置在第二处理腔室20b。例如，第一处理腔室20a被设置在第二处理腔室20b的上侧。或者，可以将第一处理腔室20a设置在第二处理腔室20b的下侧。
在上述结构中，晶片通过指示部10、第一处理腔室20a、连接部30、曝光部40、连接部30、第二处理腔室20b和指示部10顺序移动。即，在光刻工艺过程中，晶片沿着上侧和下侧以环形途径移动。
图3是第一处理腔室20a的平面图。
参照图3，第一通道60a在第一处理腔室20a的中央部沿第一方向62纵向延伸。第一通道60a的一端与指示部10连接，第一通道60a的另一端与连接部30连接。烘烤单元50沿着第一通道60a的一侧排成一排，涂布单元70沿着第一通道60a的另一侧排成一排。沿垂直方向叠置烘烤单元50和涂布单元70。第一自动装置62a被设置在第一通道60a，用于在连接部30、涂布单元70、烘烤单元50和指示部10间载运晶片。导轨64a被设置在第一通道60a，使得第一自动装置62a可沿第一方向62直线移动。
例如，第一处理腔室20a的烘烤单元50包括用于在用光致抗蚀剂涂布基材之前进行预烘工艺将基材加热到预定温度以除去基材上的有机物质或湿气的烘烤单元、用于在用光致抗蚀剂涂布基材之后进行软烘工艺的烘烤单元和用于进行冷却基材工艺的烘烤单元。
图4是显示第二处理腔室20b的平面图。
参照图4，第二通道60b在第二处理腔室20b的中央部沿第一方向62纵向延伸。第二通道60b的一端与指示部10连接，第二通道60b的另一端与连接部30连接。烘烤单元50沿着第二通道60b的一侧排成一排，显影单元80沿着第二通道60b的另一侧排成一排。沿垂直方向叠置烘烤单元50和显影单元80。第二自动装置62b被设置在第二通道60b，用于在连接部30、显影单元80、烘烤单元50和指示部10间载运晶片。
例如，第二处理腔室20b的烘烤单元50包括用于在曝光使光致抗蚀剂显影之后进行硬烘工艺的烘烤单元、用于在光致抗蚀剂曝光之后进行曝光后工艺的烘烤单元和用于进行基材冷却工艺的烘烤单元。
导轨64b被设置在第二通道60b，使得第二自动装置62b可沿第一方向62直线移动。与上述结构不同的是，第一通道可设置在第一处理腔室的一侧，涂布单元和烘烤单元可设置在第一处理腔室的另一侧；并且第二通道可设置在第二处理腔室的一侧，显影单元和烘烤单元可设置在第二处理腔室的另一侧。
图5和图6是显示显影单元80的平面图和侧剖视图。在本实施例中，以显影单元80为例进行解释说明。然而，本实施例可适用于涂布单元或者用于使用各种处理液除去残留在基材上的污染物和薄膜的清洁/蚀刻单元。在图6中，为清楚起见未显示喷嘴部件。
参照图5和图6，显影单元80包括腔室82、处理容器100、基材支撑部件200、喷嘴部件300和排气部件400。
腔室82提供封闭的内部空间，风扇过滤单元89被设置在腔室82的上侧。风扇过滤单元89在腔室82内产生垂直气流。基材端口84形成在腔室82与第二通道60b相邻的第一侧83上，腔室82上与形成有基材端口84的第一侧83相对的一侧是敞开的，作为开口侧85。开口侧85被盖子86封闭着。
在风扇过滤单元89中，过滤器和空气供应风扇被设置成模块，以便在过滤之后向腔室82的内部供应清洁空气。清洁空气经风扇过滤单元89被供应到腔室82的内部，并且清洁空气形成了垂直气流。垂直气流在基材的顶部形成均匀气流。空气从腔室82的内部通过与处理容器100连接的排气管线152、设置在可动基座900上的抽吸端口和设置在设施区(UA)内的排气管排出，使得处理容器100的周边区域保持在高度洁净状态。
如图6所示，腔室82被可动基座900分成处理区(PA)和设施区(UA)。可动基座900可沿着安装在腔室82上的导轨910移动，并从腔室82经开口侧85被拉到维护位置(参照图10)。处理容器100和喷嘴部件300安装在可动基座900上，处理容器100和喷嘴部件300与可动基座900一起从处理位置(图5所示的第一状态)移动至维护位置(图10所示的第二状态)。虽然在图6中未完全显示，但是升降单元600的驱动单元、与喷嘴部件300连接的各个管子以及与处理容器100连接的排出管线和排气管线152都设置在设施区(UA)。因此，可以使处理区(PA)与设施区(UA)隔离，从而使处理区(PA)保持在高度洁净状态。
处理容器100被设置在可动基座900上。处理容器100呈上侧敞开的圆柱形状，且在处理容器100内形成了处理基材(w)的处理空间。基材(w)通过处理容器100的敞开上侧被装载到处理容器100中以及从处理容器100中卸载。
处理容器100包围基材支撑部件200。当在基材(w)上进行显影、清洁或干燥工艺时，基材(w)旋转，从旋转的基材(w)漂流的流体(如显影剂、清洁液和干燥气体)被收集在处理容器100内。因此，可以保持外部设备或周围环境清洁。此外，可以收集显影剂以再用，且在基材(w)上方可以形成均匀气流。
处理容器100包括外部空间(a)和内部空间(b)。从基材(w)漂流的显影剂和气体被引到外部空间(a)，外部空间(a)由外壁132和垂直隔壁134形成。排出端口150形成在外部空间(a)的底侧136上，用于排出显影剂。排气口142形成在内部空间(b)的底侧上，用于排放气体。排气管线152与处理容器100的排气口142连接，用于强制气体排放。排气管线152与排气部件400的可动排气口连接。
垂直方向可移动的环形盖子160被设置在处理容器100的外壁132上。当将基材(w)装载到旋转头210上或卸载已处理的基材(w)时，升降单元600垂直移动盖子160。升降单元600在比基材位置高的上升位置和比基材位置低的下降位置之间垂直移动盖子160。
升降单元600沿垂直方向线性移动处理容器100。随着处理容器100垂直移动，处理容器100相对于旋转头210的高度变化。升降单元600包括支架、可动轴和驱动器。支架被固定在处理容器100的外壁上，由驱动器垂直移动的可动轴被固定在支架上。当将基材(w)装载到旋转头210上或者从旋转头210卸载时，向下移动盖子160，使得旋转头210突出于处理容器100的上侧。
在本实施例的基材处理设备1中，垂直移动处理容器100，以使处理容器100相对于基材支撑部件200的垂直位置变化。或者，可垂直移动基材支撑部件200，以使处理容器100相对于基材支撑部件200的垂直位置变化。
基材支撑部件200设置在处理容器100的内部。基材支撑部件200被用来在处理过程中支撑基材(w)，并且如果需要，在处理过程中可用驱动器240(后面说明)来旋转基材支撑部件200。基材支撑部件200包括旋转头210，旋转头210的顶侧是平的，以便在其上接收基材(w)。为防止基材(w)因离心力而脱离旋转头210，可使用旋转头210中形成的真空管线(图未示)将基材(w)真空吸附在旋转头210上。与此不同，可使用安装在旋转头210上的夹持销来固定基材(w)的侧边缘。心轴220被固定在旋转头210的底侧上，并且心轴220被设置成由驱动器240旋转。驱动器240包括马达(图未示)、皮带(图未示)和皮带轮(图未示)。
喷嘴部件300被设置在处理容器100的外部。喷嘴部件300向固定在基材支撑部件200上的基材(w)供应处理流体，以在基材(w)上进行显影、清洁和干燥处理。
图7是显示排气部件400的立体图，图8是显示排气部件400的平面剖视图，图9是显示排气部件400的侧剖视图。
参照图6～图9，排气部件400产生排气压(抽吸压)，以抽出在处理过程中引入处理容器100内的空气和来自腔室82上侧的空气。排气部件400包括排气管410、可动排气口420、密封皮带430和导辊440。
排气管410被固定在设施区(UA)的一侧。排气泵(图未示)向排气管410提供排气压，排气管410与埋在半导体生产线(工厂)的地板下的主排气管线416连接。排气管410的长度方向与可动基座900的移动方向平行，排气管410的长度可以比可动基座900的移动距离大。狭缝状开口412形成在排气管410的一侧。开口412的长度可至少等于可动基座900的移动距离。
可动排气口420设置在开口412上，并与排气管线152连接。可动排气口420被设置成跟随可动基座900的移动而沿开口412移动。
密封皮带430被设置用于密封开口412。可动排气口420被设置在密封皮带430处。密封皮带430和可动排气口420被设置成一起移动。密封皮带430在形成开口412的地方使密封皮带430与排气管410的内侧接触的状态下滑动。各导辊440分别靠近开口412的两侧，用于引导密封皮带430的运动。
图10是显示为进行维护工作从腔室82抽出处理容器100的平面图。
为对处理容器100或喷嘴部件300进行维护工作，首先，从腔室82的开口侧85拆下盖子86，通过开口侧85拉出可动基座900，从而沿着导轨910将可动基座900抽出至腔室82的外部。此时，与处理容器100的排气管线152连接的排气部件400的可动排气口420也沿着开口412移动与可动基座900的移动距离相当的距离。即，可动排气口420和排气管线152之间的连接点从对应于处理容器100在腔室82内部的位置的第一位置(开口412靠近基材端口84的一端)移动至对应于处理容器100在腔室82外部的位置的第二位置(开口412靠近开口侧85的另一端)。
如图10所示，虽然为进行维护工作从腔室82中取出了处理容器100，但是处理容器100的排气管线152与排气部件400的可动排气口420并未分离，使得可对处理容器100的内部持续施加排气压。因此，当对处理容器100进行维护工作时，可使处理容器100受到最低程度的污染，这是因为由于排气压被施加到处理容器100的内部，因而可以从处理容器100的内部强制排出非洁净空气(包含微粒)。具体而言，由于排气管线152与可动基座900的抽吸孔902以及处理容器100的内部连接，排气压也可施加到可动基座900的上部区域。
根据本发明，可以确保维护工作的空间。
此外，根据本发明，可容易地对具有多级结构的基材处理设备进行维护工作，并且在维护工作过程中可以排气。
此外，根据本发明，在对具有抽屉结构的基材处理设备进行维护工作过程中可以排气。
此外，根据本发明，由于可容易地进行维护工作，因此可以减少维护时间和系统停工期，并且可以提高生产效率。
上述公开的主题应被认为是说明性的，而不是限制性的，并且所附权利要求书意图覆盖落入本发明真正精神和范围内的所有修改、增加和其他实施例。因此，在法律允许的最大程度内，本发明的范围应根据所附权利要求和其等同物的最宽可允许解释来确定，而不应受到上述详细说明的约束和限制。

Claims (14)

1.一种处理基材的设备，包括：
具有内部空间的腔室；
处理单元，设置在所述腔室的内部空间中并可通过所述腔室的一侧从所述腔室向外移动，所述处理单元包括排气管线；以及
设置在所述腔室中的排气部件，
其中所述排气部件与所述排气管线连接，所述排气部件包括：
具有狭缝状开口的排气管；
被设置成密封所述开口的密封皮带；以及
可动排气口，其中所述可动排气口可沿着所述开口与所述密封皮带一起移动，使得所述可动排气口被设置成跟随所述处理单元的移动而移动。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述排气部件还包括靠近所述开口的一侧和另一侧设置的导辊，用于引导所述密封皮带的运动。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述排气管设置在所述腔室的一侧，并且所述排气管的长度方向与所述处理单元的移动方向平行。
4.如权利要求1所述的设备，其中所述处理单元还包括：
基材支撑部件，包括用于在其上接收基材的旋转头；以及
包围所述旋转头的处理容器，用于收集从基材漂流的处理流体。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述腔室还包括：
沿所述处理单元的移动方向设置的导轨；以及
被设置成沿所述导轨移动的可动基座，
其中所述处理单元设置在所述可动基座上。
6.如权利要求1所述的设备，其中所述腔室还包括：
包括基材端口的第一侧；
与第一侧相对的第二侧；以及
与第一侧和第二侧连接的第三侧和第四侧，
其中第二侧被设置成通过移去门而打开以提供开口侧，以使所述处理单元通过所述开口侧向外移动。
7.一种处理基材的设备，包括：
具有内部空间的腔室；
处理单元，设置在所述腔室的内部空间中并可在相对于所述腔室的第一相对位置和第二相对位置之间移动；
与外部主排气管线连接的排气管，在所述排气管中形成有作为通道的开口；
被设置成密封所述开口的密封皮带；以及
可动排气口，其中所述可动排气口可沿着所述开口与所述密封皮带一起移动至第一位置和第二位置，在第一位置，所述可动排气口与在第一相对位置处的所述处理单元连接，在第二位置，所述可动排气口与在第二相对位置处的所述处理单元连接。
8.如权利要求7所述的设备，其中所述处理单元在第一相对位置时被收容在所述腔室的内部空间中，在第二相对位置时位于所述腔室的外部，以进行维护工作。
9.如权利要求7所述的设备，还包括靠近所述开口的一侧和另一侧设置的导辊，用于引导所述密封皮带的运动。
10.如权利要求9所述的设备，还包括：
沿所述处理单元的移动方向设置在所述腔室中的导轨；以及
被设置成沿所述导轨移动的可动基座，
其中所述处理单元设置在所述可动基座上。
11.一种处理基材的设备，包括：
具有内部空间以及由门关闭和打开的开口侧的腔室；
可动基座，设置在所述腔室的内部空间中并可通过所述腔室的开口侧移动；
处理容器，设置在所述可动基座上并包围在其上放置基材的旋转头，用于收集从所述基材漂流的处理流体；
与所述处理容器连接的排气管线；以及
与所述排气管线连接的排气管，其中所述排气管包括：
狭缝状开口，可动排气口可移动地设置在所述开口处；以及
被设置成密封所述开口的密封皮带，其中所述可动排气口与所述密封皮带一起移动，使得所述可动排气口可沿着与所述可动基座相同的方向移动。
12.如权利要求11所述的设备，其中所述腔室被所述可动基座分成上部空间和下部空间，并且所述排气管被固定于所述下部空间中。
13.如权利要求11所述的设备，还包括靠近所述开口的一侧和另一侧设置的导辊，用于引导所述密封皮带的运动。
14.一种维护基材处理设备的方法，所述设备包括处理单元和可动排气口，所述处理单元可在相对于所述腔室的第一相对位置和第二相对位置之间移动，所述可动排气口通过排气管线与所述处理单元连接并可跟随所述处理单元的移动而在排气管上移动，所述方法包括：
将所述处理单元从第一相对位置移动至第二相对位置；以及
在使用与所述可动排气口一起移动的密封皮带密封在所述排气管中形成的开口的同时，使所述可动排气口跟随所述处理单元的移动而沿着所述排气管从位于所述开口一端的第一位置移动至位于所述开口另一端的第二位置。
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