JP4973893B2 - 基板処理装置及び基板処理装置での整備方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理装置での整備方法 Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理装置での整備方法に関する。
一般的に、半導体装置は、半導体基板として用いられるシリコンウェーハ上に電気素子を含む電気的な回路を形成するFab工程と、前記Fab工程で形成された半導体装置の電気的な特性を検査するためのEDS(electrical die sorting)工程と、前記半導体装置を各々エポキシ樹脂で封止し、個別化させるためのパッケージ組み立て工程とを通じて製造される。
前記Fab工程は、ウェーハ上に膜を形成するための蒸着工程と、前記膜を平坦化するための化学的機械的研磨工程と、前記膜上にフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程と、前記フォトレジストパターンを利用して前記膜を電気的な特性を有するパターンで形成するためのエッチング工程と、ウェーハの所定の領域に特定イオンを注入するためのイオン注入工程と、ウェーハ上の不純物を除去するための洗浄工程と、前記膜またはパターンが形成されたウェーハの表面を検査するための検査工程などを含む。
ここで、フォトリソグラフィ工程は、前記ウェーハ上にフォトレジストを塗布した後に加熱する工程と、前記フォトレジストの露光後に加熱する工程と、前記フォトレジストを現像した後に加熱する工程とを含む。また、前記フォトリソグラフィ工程は、前記加熱工程後に前記フォトレジストを一定の温度まで冷却する冷却工程を含む。
フォトリソグラフィ工程を実行するためのシステムは、塗布工程を担当する塗布処理装置と、現像工程を担当する現像処理装置と、ベイク工程を担当するベイク処理装置とを具備するシステムと、露光工程を担当する別途のシステムに区別される。フォトリソグラフィ工程を実行するためのシステムは、装備空間を効率的に利用するために塗布処理装置、現像処理装置、及びベイク処理装置が複層で配置される。
しかし、このような複層配置構造では、処理装置の内部を整備するための空間確保が難しく、整備作業に困難性がある。
韓国特許公開第1998−0042482号公報 韓国特許公開第2002−0035758号公報
本発明の目的は、整備空間を確保することができる基板処理システムを提供することにある。
本発明の目的は、基板処理装置が複層で構成された構造において整備作業が容易にでき、整備作業中にも排気可能な基板処理システムを提供することにある。
本発明の目的は、引き出し式で引き出すことができる基板処理装置において、整備中にも排気が行われる基板処理システムを提供することにある。
本発明の目的は、整備作業を容易にすることによって、整備作業にかかる時間とシステムの非稼動時間を減らして、作業の効率性を向上することができる基板処理システムを提供することにある。
なお、本発明の目的はこれに制限されない。言及されなかった他の目的は、当業者であれば以下の記載から明確に理解されるであろう。
上述の課題を解決するための本発明の基板処理装置は、内部空間を有するチャンバと、前記チャンバの内部空間に設置され、前記チャンバの一面を通じて引き出すことができ、排気ラインを有する処理ユニットと、前記チャンバに設置される排気部材とを含み、前記排気部材は、スリット形態の開口を有する排気ダクトと、前記排気ラインと連結され、前記処理ユニットの移動によって前記開口に沿って動く移動排気ポートと、前記移動排気ポートと共に移動し、前記開口を密閉するシーリングベルトと、を含む。
本発明の実施形態によると、前記排気部材は、前記開口の一側と前記開口の他側に隣接して配置され、前記シーリングベルトの移動をガイドするガイドローラをさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記排気ダクトは、該長さ方向が前記処理ユニットの移動方向と平行になるように前記チャンバの一側面に設置される。
本発明の実施形態によると、前記処理ユニットは、基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置され、基板上で飛散する処理流体を回収する処理容器とを含む。
本発明の実施形態によると、前記チャンバは、前記処理ユニットの引き出し方向に沿って設置されるガイドレールと、前記ガイドレールに沿って移動し、前記処理ユニットが設置される移動ベースとをさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記チャンバは、基板出入口を有する第1面と、前記第1面と向き合う第2面と、第1面と第2面とを連結する第3側面と第4側面とを含み、前記第2面はドアによって開放され、前記処理ユニットが引き出される開放面を提供する。
上述の課題を解決するための基板処理装置は、内部空間を有するチャンバと、前記チャンバの内部空間に設置され、前記チャンバに対する相対位置が第1状態と第2状態に位置変更可能な処理ユニットと、前記第1状態に位置する前記処理ユニットと連結される第1位置と、前記第2状態に位置する前記処理ユニットと連結される第2位置への移動が可能な移動排気ポートと、前記基板処理装置は、外部のメイン排気ラインと連結され、前記移動排気ポートの第1位置と前記第2位置へ移動可能になるように移動通路を提供する開口を有する排気ダクトと、前記移動排気ポートと共に移動し、前記開口を密閉するシーリングベルトと、を有する。
本発明の実施形態によると、前記第1状態は、前記処理ユニットが前記チャンバの内部空間に収納された状態であり、前記第2状態は、前記処理ユニットの整備のために前記チャンバから引き出された状態である。
本発明の実施形態によると、前記基板処理装置は、前記開口の一側と前記開口の他側に隣接して配置され、前記シーリングベルトの移動をガイドするガイドローラとをさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記基板処理装置は、前記処理ユニットの位置変更方向に沿って前記チャンバに設置されるガイドレールと、前記ガイドレールに沿って移動し、前記処理ユニットが設置される移動ベースとをさらに含む。
上述の課題を解決するための基板処理装置は、内部空間を有し、ドアによって開放される開放面を有するチャンバと、前記チャンバの内部空間に設置され、前記チャンバの開放面を通じて引き出すことができる移動ベースと、前記移動ベースに設置され、基板が置かれるスピンヘッドを囲むように設置され、基板上で飛散する処理流体を回収する処理容器と、前記処理容器に連結される排気ラインと、前記排気ラインと連結され、前記移動ベースの移動方向と同一の方向に移動可能な移動排気ポートが設置された排気ダクトとを含み、前記排気ダクトは、前記移動排気ポートが移動可能に位置されるスリット形態の開口と、前記移動排気ポートと共に移動し、前記開口を密閉するシーリングベルトとを含む。
本発明の実施形態によると、前記チャンバは、前記移動ベースによって上部空間と下部空間に区画され、前記排気ダクトは前記下部空間に固定設置される。
本発明の実施形態によると、前記排気ダクトは、前記開口の一側と前記開口の他側に隣接して配置され、前記シーリングベルトの移動をガイドするガイドローラをさらに含む。
上述の課題を解決するための基板処理装置での整備方法は、処理ユニットを第1状態から第2状態に位置変更する段階と、前記処理ユニットの位置変更によって、前記移動排気ポートが前記排気ダクトの第1位置から第2位置に位置変更する段階とを含み、前記移動排気ポートの位置変更は、前記排気ダクトに形成された開口の一側端の第1位置から他側端の第2位置に移動し、前記移動排気ポートの位置変更時、前記排気ダクトの開口はシーリングベルトによって密閉され、前記シーリングベルトは前記移動排気ポートと共に移動する。
本発明によると、整備空間を確保することができる。
また、本発明によると、基板処理装置が複層で構成された構造において、整備作業が容易にすることができ、且つ整備作業中にも排気可能である。
また、本発明によると、引き出し式で引き出すことができる基板処理装置において、整備中にも排気が行われることができる。
また、本発明によると、整備作業が容易であることによって、整備作業にかかる時間とシステムの非稼働時間を減らして、作業の効率性を向上することができる。
本発明の基板処理装置を概略的に示す構成図である。 図1の装置で処理部の一例を示す斜視図である。 図2の処理部で第1処理室の平面図である。 図2の処理部で第2処理室の平面図である。 現像ユニットの構成を示す平面構成図である。 現像ユニットの構成を示す側面構成図である。 排気部材の斜視図である。 排気部材の平断面図である。 排気部材の側断面図である。 移動ベースが処理容器を整備することができる位置に引き出された状態を示す平面図である。
以下、添付の図面を参照して本発明の望ましい実施形態によるベイク装置を詳細に説明する。なお、各図面の構成要素に参照符号を付加することにおいて、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図面上に表示されても、できるだけ同一の符号を有するようにする。また、本発明の要旨を詳細に説明するため、公知の構成や機能についてはその詳細な説明を省略する。
(実施例)
本実施形態では基板処理装置1が処理する基板として半導体基板を一例として図示して説明するが、本発明はこれに限定されず、ガラス基板のような多様な種類の基板にも適用可能である。
図1は、本発明の基板処理装置1の一例を概略的に示す図面である。基板処理装置1はウェーハ上にフォトリソグラフィ工程を実行する。
図1を参照すると、基板処理装置1は、インデックス部10と、処理部20と、インターフェース部30とを有し、これらは順次に一方向(以下、第1方向62)に並んで配置される。インデックス部10は、カセット据置台12とロボット移動路14とを有する。
ウェーハのような半導体基板が収容されたカセット12aはカセット据置台12に置かれる。ロボット移動路14にはカセット据置台12に置かれたカセット12aと処理部20との間にウェーハを移送するロボット14aが設置される。ロボット14aは水平面上で上述の第1方向62と垂直した方向(以下、第2方向64)及び上下方向に移動することができる構造を有する。水平方向及び上下方向にロボット14aを移送する構造については、当業者であれば容易に構成することができるので、詳細な説明を省略する。
処理部20は、ウェーハにフォトレジストのような感光液を塗布する塗布工程と、露光工程が実行されたウェーハで露光された領域またはその反対領域のフォトレジストを除去する現像工程とを実行する。処理部20には、塗布ユニット70、現像ユニット80、及びベイクユニット50が提供される。
処理部20の一側には、露光部40と連結されるインターフェース部30が提供される。インターフェース部30には、露光部40と処理部20との間にウェーハを移送するロボット32が配置される。ロボット32は上述の第2方向64及び上下方向に移動することができる構造を有する。
図2は、図1の処理部20の一例を示す斜視図である。
処理部20は、第1処理室20aと第2処理室20bとを有する。第1処理室20aと第2処理室20bは互いに積層された構造を有する。第1処理室20aには塗布工程を実行するユニットが提供され、第2処理室20bには現像工程を実行するユニットが提供される。すなわち、第1処理室20aには塗布ユニット70とベイクユニット50が提供され、第2処理室20bには現像ユニット80とベイクユニット50が提供される。一例によると、第1処理室20aは第2処理室20bの上部に配置される。これと異なり、第1処理室20aが第2処理室20bの下部に配置される構成であってもよい。
上述の構造によって、ウェーハは、インデックス部10と、第1処理室20aと、インターフェース部30と、露光部40と、インターフェース部30と、第2処理室20bと、インデックス部10とに順次移動される。すなわち、フォトリソグラフィ工程の実行時、ウェーハは上下方向にループ式で移動される。
図3は、第1処理室20aの平面図である。
図3を参照すると、第1処理室20aには中央に第1移動路60aが上述の第1方向62に長く提供される。第1移動路60aの一端はインデックス部10と連結され、第1移動路60aの他端はインターフェース部30と連結される。第1移動路60aの一側にはベイクユニット50が第1移動路60aに沿って一列に配置され、第1移動路60aの他側には塗布ユニット70が第1移動路60aに沿って一列に配置される。これと共に、ベイクユニット50及び塗布ユニット70は上下に複数個が積層して配置される。第1移動路60aにはインターフェース部30、塗布ユニット70、ベイクユニット50、及びインデックス部10の間でウェーハを移送する第1ロボット62aが提供される。第1ロボット62aが第1方向62に直線移動するように、第1移動路60aにはガイドレール64aが提供される。
第1処理室20aのベイクユニット50としては、フォトレジストを塗布する前に基板を所定の温度で加熱し、基板表面の有機物や水分を除去するプリベイク(Pre−Baking)工程を実行するベイクユニット、フォトレジストを基板上に塗布した後に行うソフトベイク(Soft−Baking)工程を実行するベイクユニット、及び基板を冷却する工程を実行するベイクユニットなどを例としてあげることができる。
図4は、第2処理室20bの平面図である。
図4を参照すると、第2処理室20bの中央には第2移動路60bが上述の第1方向62に長く提供される。第2移動路60bの一端はインデックス部10と連結され、第2移動路60bの他端はインターフェース部30と連結される。第2移動路60bの一側にはベイクユニット50が第2移動路60bに沿って一列に配置され、第2移動路60bの他側には現像ユニット80が第2移動路60bに沿って一列に配置される。これと共に、ベイクユニット50及び現像ユニット80は上下に複数個が積層して配置される。第2移動路60bにはインターフェース部30、現像ユニット80、ベイクユニット50、及びインデックス部10の間でウェーハを移送する第2ロボット62bが提供される。
第2処理室20bのベイクユニット50としては、光が照射されて変形したフォトレジストを現像した後に行うハードベイク(Hard−Baking)工程を実行するベイクユニット、フォトレジストを光源で露光させた後に行う露光後ベイク(Post Exposure Baking)工程を実行するベイクユニット、及び基板を冷却する工程を実行するベイクユニットなどを例としてあげることができる。
第2ロボット62bが第1方向62に直線移動するように、第2移動路60bにはガイドレール64bが提供される。なお、上述と異なり、第1処理室20aの一側に第1移動路60aが配置され、第1処理室20aの他側に塗布ユニット70とベイクユニット50が配置される構成であってもよい。また、第2処理室20bの一側に第2移動路60bが配置され、第2処理室20bの他側に現像ユニット80とベイクユニット50が配置される構成であってもよい。
図5及び図6は、現像ユニット80の構成を示す平面構成図及び側面構成図である。本実施形態では現像ユニット80を処理ユニットの例としてあげて説明するが、塗布ユニット70や、多様な処理流体を用いて基板表面に残留する異物及び膜を除去する洗浄及びエッチング工程を実行するような他の処理ユニットにも、同様の構成を適用することができる。図6では図面の便宜上、ノズル部材を省略した。
図5及び図6を参照すると、現像ユニット80は、チャンバ82と、処理容器100と、基板支持部材200と、ノズル部材300と、排気部材400とを含む。
チャンバ82は、密閉された内部空間を提供し、上部にはファンフィルタユニット89が設置される。ファンフィルタユニット89は、チャンバ82の内部に垂直気流を発生させる。チャンバ82は、第2移動路60bと隣接する第1面83に基板出入口84が形成され、基板出入口84が形成された第1面83と向き合う第2面は整備作業のために開放される開放面85からなる。この開放面85は、ドアをなすカバー86によって密閉される。第1面83と第2面は、第3側面と第4側面で連結される。
ファンフィルタユニット89は、フィルタと空気供給ファンが1つのユニットでモジュール化されたものであり、清浄空気をフィルタリングしてチャンバ82の内部に供給する装置である。清浄空気はファンフィルタユニット89を通過してチャンバ82の内部に供給されて、垂直気流を形成する。このような空気の垂直気流は基板の上部に均一な気流を提供する。チャンバ82内部の空気は、処理容器100に連結された排気ライン152と、移動ベース900に設置された吸入口902に流入され、ユーティリティー領域UAに設置された排気ダクト410を通じて外部に排気される。これによって、処理容器100周辺は常に高清浄度を維持する。
図6に示すように、チャンバ82は移動ベース900によって、上部空間からなる工程領域PAと、下部空間からなるユーティリティー領域UAに区画される。移動ベース900は、チャンバ82に設置されたガイドレール910に沿ってチャンバ82の開放面85を通じて引き出されて整備位置(図10に示す)に移動することができる。ガイドレール910は、位置変更方向に沿って配置される。移動ベース900には処理容器100とノズル部材300が設置され、処理容器100とノズル部材300は移動ベース900とともに工程処理位置(図5に表示された第1状態)から整備位置(図10に表示された第2状態)に移動される。図面には一部のみ示したが、ユーティリティー領域UAには、処理容器100と連結される排出ライン(図示せず)や排気ライン152以外にも、昇降ユニット600の駆動部や、ノズル部材300と連結される各種配管が位置する。そのため、工程領域PAは高清浄度を維持するためにユーティリティー領域UAから隔離されることが望ましい。
処理容器100は、移動ベース900に設置される。処理容器100は、上部が開口された円筒形状を有し、基板wを処理するための工程空間を提供する。処理容器100の開口された上面は基板wの搬出及び搬入通路として提供される。
処理容器100は、基板支持部材200の周りを囲むように設置される。処理容器100は基板wの現像、洗浄、及び乾燥工程が進行される間回転する基板w上で飛散する流体(現像液、洗浄液、乾燥ガスなど)を流入させ、集めるためのものである。これによって、外部の他の装置や周りの汚染を防止するだけでなく、現像液の回収及び基板wの上部の均一な気流流れを提供する。
処理容器100は、外側空間aと内側空間bとを有する。外側空間aは基板wから飛散する現像液と気体が流入される空間であり、外側壁132と垂直隔壁134によって形成され、その底面136には現像液をドレインするためのドレインポート150が形成される。そして、処理容器100の内側空間の底面には気体排気のための排気ポート142が形成される。処理容器100の排気ポート142には気体の強制排気が行われるように排気ライン152が連結される。排気ライン152は排気部材400の移動排気ポート420と連結される。
一方、処理容器100の外側壁132には昇降可能な環形のカバー160が設置される。カバー160は基板wをスピンヘッド210上に搬入するか、処理が終わった基板wを搬出することができるように昇降ユニット600によって昇降される。カバー160は昇降ユニット600によって基板wより高いアップ位置と、基板wより低いダウン位置に昇降される。
昇降ユニット600は、処理容器100を上下方向に直線移動させる。処理容器100が上下に移動することによって、スピンヘッド210に対する処理容器100の相対高さが変更される。昇降ユニット600は、ブラケット612と、移動軸614と、駆動器616とを有する。ブラケット612は、処理容器100の外壁に固定設置され、ブラケット612には駆動器616により上下方向に移動する移動軸614が固定結合される。基板wがスピンヘッド210にローディング、またはスピンヘッド210からアンローディングされる時、スピンヘッド210が処理容器100の上部に突き出すようにカバー160は下降する。
この実施形態において、基板処理処置1は、処理容器100を垂直移動させて、処理容器100と基板支持部材200との間の相対的な垂直位置を変更させる。しかし、基板処理処置1は、基板支持部材200を垂直移動させて、処理容器100と基板支持部材200との間の相対的な垂直位置を変更させる構成であってもよい。
基板支持部材200は、処理容器100の内側に設置される。基板支持部材200は工程進行中、基板wを支持し、工程が進行される間、必要によって後述の駆動器240によって回転される。基板支持部材200は、基板wが置かれる平坦な上部面を有するスピンヘッド210を有する。スピンヘッド210は、基板wが遠心力によってスピンヘッド210から離脱しないように、内部に形成された真空ライン(図示しない)を通じて基板wを直接真空吸着することができる。上述の構造と異なり、基板支持部材200は、スピンヘッド210に設置されるチャッキングピンを通じて基板wの側面から基板wのエッジ(edge)を機械的に固定する構成であってもよい。スピンヘッド210の下部面にはスピン220が固定結合し、スピン220は、駆動器240によって回転可能に提供される。図示しないが、駆動器240は、回転力を提供するためのモータ、ベルト、及びプーリなどを具備する。
ノズル部材300は、処理容器100の外側に位置する。ノズル部材300は基板wを現像、洗浄、及び乾燥するための処理流体を、基板支持部材200に固定された基板wに供給する。
図7は、排気部材400の斜視図であり、図8は、排気部材400の平断面図であり、図9は、排気部材400の側断面図である。
図6乃至図9に示すように、排気部材400は、工程時、処理容器100の内部に流入される空気及びチャンバ82の上部空間の空気を吸いこむための排気圧力(吸入圧力)を提供する。排気部材400は排気ダクト410と、移動排気ポート420と、シーリングベルト430と、ガイドローラ440とを含む。
排気ダクト410は、ユーティリティー領域UAの一側面に固定設置される。排気ダクト410は排気ポンプ(図示しない)から排気圧が提供され、半導体生産ライン(Fab)の底空間に埋設されたメイン排気ライン416と連結される。排気ダクト410は該長さ方向が移動ベース900の移動方向と平行に提供され、該長さは移動ベース900の移動距離より長いことが望ましい。排気ダクト410の一側面には、移動通路となるスリット形態の開口412が形成される。該開口412は少なくとも移動ベース900の移動距離と同一の距離を有することが望ましい。
移動排気ポート420は、開口412内に位置し、排気ライン152と連結される。移動排気ポート420は、移動ベース900の移動によって開口412内で移動可能になるように提供される。
シーリングベルト430は、開口412を密閉するための構成である。シーリングベルト430には移動排気ポート420が設置される。シーリングベルト430は移動排気ポート420と共に移動する。シーリングベルト430は、開口412が形成された排気ダクト410の内側面と密着された状態でスライド移動される。ガイドローラ440は、開口412の一側と他側に各々隣接して配置され、シーリングベルト430の移動をガイドする。
図10は、処理容器100が整備のためにチャンバ82から引き出された状態を示す図面である。
処理容器100やノズル部材300の整備作業のためには、まず、チャンバ82の開放面85に設置されたカバー86を分離し、移動ベース900を開放面85方向に引っぱり、移動ベース900をガイドレール910に沿ってチャンバ82の外に引き出す。この時、処理容器100の排気ライン152と連結された排気部材400の移動排気ポート420も、移動ベース900の移動距離だけ開口412に沿って移動する。すなわち、移動排気ポート420と排気ライン152の連結位置は、処理容器100がチャンバ82の内部に位置する時の第1位置(基板出入口84と近い開口の一側端)から、処理容器100がチャンバ82の外部に引き出された時の第2位置(開放面85と近い開口の他側端)に変更される。
図10のように、排気部材400は、処理容器100が整備のためにチャンバ82から引き出された状態でも処理容器100の排気ライン152と移動排気ポート420が連結されて、持続的に排気圧力を提供することができる。したがって、作業者が処理容器100を整備する間にも処理容器100の内部には排気圧が提供され、処理容器100の内部に流入される清浄ではない空気(パーティクルが含まれた空気)を強制排気させることができるので、処理容器100の汚染を最小化させることができる。特に、排気ライン152は処理容器100とも連結されているが、移動ベース900に形成された吸入口902とも連結されているので、移動ベース900の上部にも排気圧が提供される。
以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したに過ぎず、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。つまり、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施形態によって、本発明の技術思想の範囲が限定されるのではない。本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって解釈され、それらと同等な範囲内にあるすべての技術思想は本発明の権利範囲に含まれる。
82 チャンバ
100 処理容器
200 基板支持部材
300 ノズル部材
400 排気部材

Claims (14)

  1. 内部空間を有するチャンバと、
    前記チャンバの内部空間に設置され、前記チャンバの一面を通じて引き出すことができ、排気ラインを有する処理ユニットと、
    前記チャンバに設置される排気部材とを含み、
    前記排気部材は、
    スリット形態の開口を有する排気ダクトと、
    前記排気ラインと連結され、前記処理ユニットの移動によって前記開口に沿って動く移動排気ポートと、
    前記移動排気ポートと共に移動し、前記開口を密閉するシーリングベルトと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記排気部材は、
    前記開口の一側と前記開口の他側に隣接して配置され、前記シーリングベルトの移動をガイドするガイドローラをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記排気ダクトは、
    該長さ方向が前記処理ユニットの移動方向と平行になるように前記チャンバの一側面に設置されることを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
  4. 前記処理ユニットは、
    基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、
    前記スピンヘッドの周りを囲むように設置され、基板上で飛散する処理流体を回収する処理容器とを含むことを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
  5. 前記チャンバは、
    前記処理ユニットの引き出し方向に沿って設置されるガイドレールと、
    前記ガイドレールに沿って移動し、前記処理ユニットが設置された移動ベースをさらに含むことを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
  6. 前記チャンバは、
    基板出入口を有する第1面と、前記第1面と向き合う第2面と、第1面と第2面とを連結する第3側面と第4側面とを含み、
    前記第2面はドアによって開放され、前記処理ユニットが引き出される開放面を提供することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  7. 内部空間を有するチャンバと、
    前記チャンバの内部空間に設置され、前記チャンバに対する相対位置が第1状態と第2状態に位置変更可能な処理ユニットと、
    前記第1状態に位置する前記処理ユニットと連結される第1位置と、前記第2状態に位置する前記処理ユニットと連結される第2位置への移動が可能な移動排気ポートと、
    外部のメイン排気ラインと連結され、前記移動排気ポートの第1位置と前記第2位置に移動可能になるように移動通路を提供する開口を有する排気ダクトと、
    前記移動排気ポートと共に移動し、前記開口を密閉するシーリングベルトと、を有することを特徴とする基板処理装置。
  8. 前記第1状態は、前記処理ユニットが前記チャンバの内部空間に収納された状態であり、前記第2状態は、前記処理ユニットの整備のために前記チャンバから引き出された状態であることを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
  9. 前記排気ダクトは、
    前記開口の一側と前記開口の他側に隣接して配置され、前記シーリングベルトの移動をガイドするガイドローラをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
  10. 前記処理ユニットの位置変更方向に沿って前記チャンバに設置されるガイドレールと、
    前記ガイドレールに沿って移動し、前記処理ユニットが設置される移動ベースとをさらに含むことを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
  11. 内部空間を有し、ドアによって開放される開放面を有するチャンバと、
    前記チャンバの内部空間に設置され、前記チャンバの開放面を通じて引き出すことができる移動ベースと、
    前記移動ベースに設置され、基板が置かれるスピンヘッドを囲むように設置され、基板上で飛散する処理流体を回収する処理容器と、
    前記処理容器に連結される排気ラインと、
    前記排気ラインと連結され、前記移動ベースの移動方向と同一方向に移動可能な移動排気ポートが設置された排気ダクトとを含み、
    前記排気ダクトは、
    前記移動排気ポートが移動可能に位置するスリット形態の開口と、
    前記移動排気ポートと共に移動し、前記開口を密閉するシーリングベルトとを含むことを特徴とする基板処理装置。
  12. 前記チャンバは、
    前記移動ベースにより上部空間と下部空間に区画され、
    前記排気ダクトは、前記下部空間に固定設置されることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
  13. 前記排気ダクトは、
    前記開口の一側と前記開口の他側に隣接して配置され、前記シーリングベルトの移動をガイドするガイドローラをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。
  14. チャンバに対する相対位置が第1状態と第2状態に位置変更可能な処理ユニットと、前記処理ユニットとは排気ラインを通じて連結され、前記処理ユニットの位置変更によって排気ダクト上で移動される移動排気ポートを有する基板処理装置での整備方法において、
    前記処理ユニットを第1状態から第2状態に位置変更する段階と、
    前記処理ユニットの位置変更によって、前記移動排気ポートが前記排気ダクトの第1位置から第2位置に位置変更する段階とを含み、
    前記移動排気ポートの位置変更は、
    前記排気ダクトに形成された開口の一側端の第1位置から他側端の第2位置に移動するものであり、
    前記移動排気ポートの位置変更時、前記排気ダクトの開口は、シーリングベルトによって密閉され、前記シーリングベルトは、前記移動排気ポートと共に移動することを特徴とする基板処理装置での整備方法。
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