KR101061696B1 - 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 도포막 현상장치 및 도포막 현상방법에 관한 것으로서 기판의 출입을 실시하기 위해서 윗쪽에 개방한 개구부와 기판으로의 도포막형성시에 생기는 불필요한 환경을 배기하기 위한 배기구와 외기를 흡인하기 위한 흡인구를 가지는 처리 컵 과 불필요한 환경을 배기구로부터 흡인하는 흡인 수단을 구비하고 처리 컵의 개구부에 수용된 기판의 주변부와 개구부는 소정의 간격을 갖고 배치되고 처리 컵에 수용된 기판보다 아래쪽에는 흡인구로부터 배기구에 이르는 배기 유로가 형성되는 기술을 제공한다.

Description

도포막 형성장치 및 도포막 형성방법{APPARATUS AND METHOD OF FORMING AN APPLIED FILM}

도 1은 본 발명과 관련되는 도포막형성 장치로서의 레지스트 도포 처리 유니트를 구비하는 레지스트 도포 현상 시스템의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.

도 2는 도 1의 레지스트 도포 현상 시스템의 정면도이다.

도 3 도 1의 레지스트 도포 현상 시스템의 배면도이다.

도 4는 본 발명과 관련되는 도포막형성 장치로서의 레지스트 도포 처리 유니트의 제1의 실시의 형태의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.

도 5는 본 발명과 관련되는 도포막형성 장치로서의 레지스트 도포 처리 유니트의 제２의 실시의 형태의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.

도 6은 흡인구 주변의 다른 형태를 나타내는 일부 확대도이다.

도 7은 종래의 도포막 형성 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.

본 발명은 기판상에 도포액의 막을 형성하는 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법에 관하고 특히 대략 수평으로 보지되고 또한 회전제어가 이루어지는 기판 의 상면에 도포액을 적하하고 도포액을 막형상으로 확산하여 도포막을 형성하는 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법에 관한다.

반도체 디바이스의 제조에 있어서의 포토리소그래피 공정에 있어서는 예를 들면 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼로 칭호 한다) 상에 도포액인 레지스트액을 도포해 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광 후에 레지스트막내의 화학반응을 촉진시키는 가열 처리(포스트 익스포져 베이킹), 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리등이 차례로 행해지고 웨이퍼상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.

이들의 일련의 처리 공정 가운데 레지스트 도포 공정에 있어서는 예를 들면 일본국 특개평 07-320999호 공보에 나타나는 바와 같은 스핀 코팅법을 이용한 도포막형성 장치가 알려져 있다. 도 7은 일본국 특개평 07-320999호 공보에 나타나는 도포막형성 장치의 구성을 일부 간략화해 나타낸 도이다. 도 7에 나타나는 도포막형성 장치 (200)에 있어서는 웨이퍼(W)를 재치 고정한 스핀 척 (201)을 회전시켜 웨이퍼(W) 상면의 중심부에 용제 공급 기구 (202)에 의해 노즐 (203)으로부터 레지스트액의 용매로서의 용제(시너등)가 먼저 적하되어 확산되고 그 다음에 레지스트 공급 기구 (204)에 의해 노즐 (205)로부터 레지스트액이 떨어진다. 그리고 적하된 레지스트액은 웨이퍼(W)의 회전력과 원심력에 의해 웨이퍼 중심부로부터 주변부를 향해 소용돌이 형상으로 확산되어 도포된다.

그런데 일본국 특개평 07-320999호 공보에 나타나는 바와 같은 스핀 코팅법을 이용한 도포처리에 있어서는 웨이퍼 (W)상에서 확산되는 레지스트액 가운데 여분의 레지스트액은 웨이퍼 (W)의 회전력에 의해 웨이퍼 (W) 밖으로 흩뿌려진다. 흩뿌려지고 비산한 레지스트액 가운데 일부는 도포 컵 (206)내에 수용되고 일부는 웨이퍼(W)의 주변에 있어서 미스트상의 환경이 된다. 이 때문에 일본국 특개평 07-320999호 공보에 나타나는 구성에 있어서는 도포 컵 (206)의 하부에 배기구 (207)이 설치되고 웨이퍼(W)의 주변에 발생한 미스트를 배기구 (207)로부터 흡인하도록 되고 있다.

그러나 도 7에 나타나는 바와 같이 도포 컵 (206)의 윗쪽이 개방되어 배기구 (207)이 웨이퍼(W)의 하부에 배치되는 구성의 경우 형성되는 배기 유로의 영향에 의해 막두께가 불균일이 된다고 하는 기술적 과제가 있었다.

즉 도시하는 바와 같이 배기구 (207)으로부터 웨이퍼(W) 주변의 미스트를 흡인하는 경우 미스트는 웨이퍼(W) 윗쪽의 외기와 함께 흡인되어 윗쪽에서 하부로 향해 배기 유로가 형성된다. 그 결과 웨이퍼(W)의 중앙부보다 주변부에 강한 풍압이 더해져 주변부가 빨리 건조해 건조한 레지스트상에 더 레지스트액이 도포되기 때문에 웨이퍼(W)의 중앙부보다 주변부의 막두께가 두꺼워지고 있었다.

또 도 7에 나타나는 바와 같이 도포 컵 (206)과 웨이퍼(W)의 사이에는 큰 간극 (G)이 형성되기 때문에 웨이퍼(W)의 윗쪽에도 미스트가 새어 이동한다. 이 때문에 웨이퍼(W)의 윗쪽에까지 이동한 미스트를 모든 배기구 (207)으로부터 흡인하려면 강력한 흡인력을 필요로 한다고 하는 과제도 있었다.

또한 도 7의 구성에 있어서 배기량을 측정함에는 배기 유로의 하류 즉 배기구 (207)등에 풍속계나 유량계를 설치할 필요가 있지만 그 경우 미스트에 의해 계 측기가 오염되어 정밀도 좋게 배기량의 측정을 할 수 없다고 하는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은 대략 수평으로 보지되고 또한 회전 제어가 이루어지는 기판의 상면에 도포액을 적하하고 기판의 회전력에 의해 도포액을 막상으로 확산해 도포막을 형성하는 도포막형성 장치에 있어서 도포막의 막두께를 균일하게 형성할 수 있음과 동시에 도포막형성중에 기판 주위에 비산한 미스트 형상의 도포액의 기판 윗쪽으로의 누설을 저감 할 수 있고 또한 상기 미스트 형상의 도포액의 배기에 필요로 하는 흡인력을 삭감할 수 있고 또한 배기량을 정밀도 좋게 측정할 수 있는 도포막형성 장치 및 도포막 형성방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명과 관련되는 도포막형성 장치는 기판상에 적하된 도포액을 기판의 회전력에 의해 막상으로 확산해 기판 상면에 도포막을 형성하는 도포막형성 장치로서 기판을 대략 수평으로 유지해 상기 기판을 회전시키는 기판 보지 회전 장치와, 기판의 상면에 도포액을 적하하는 도포액공급 장치와, 기판의 출입을 행하도록 윗쪽으로 개방한 개구부, 기판으로의 도포막형성시에 생기는 불필요한 환경을 배기하기 위한 배기구 및 외기를 흡인하기 위한 흡인구를 가지는 처리 컵과, 불필요한 환경을 배기구로부터 흡인하는 흡인 장치를 구비하고, 처리 컵의 개구부에 수용된 기판의 주변부와 개구부는 기판 윗쪽의 처리 공간과 상기 기판의 하부의 공간을 분리하는 것이 가능한 소정의 간극을 갖고 배치되고 또한 처리 컵에 수용된 기판보다도 아래쪽에는 흡인구로부터 배기구에 이르는 배기 유로가 형성됨과 동시에 간극과 배기 유로가 연통하고 있다.

상기 도포막형성 장치에 있어서 바람직하게는 기판의 주변부와 개구부는 기판의 지름 방향의 간격이 3 mm이내, 높이 방향의 간격이 0.5~2 mm의 범위로서 또한 처리 컵 개구부보다 기판의 주변부의 쪽이 낮아지도록 배치되고 있다.

이와 같이 처리 컵의 개구부와 기판 주변부가 소정의 간격을 갖고 배치되는 것으로 기판으로의 도포액의 도포가 실시되는 기판 윗쪽의 처리 공간과 배기·배액을 위한 기판 하부의 공간이 분리된다. 이것에 의해 처리 컵내에서 발생한 미스트 형상의 도포액을 포함한 불필요한 환경의 기판 윗쪽으로의 누설이 억제된다.

또 처리 컵내에 있어서 외기를 흡인하기 위한 흡인구와 처리 컵외에 배기하기 위한 배기구가 설치되기 때문에 처리 컵내에 배기 유로가 형성되어 작은 흡인력으로서도 도포막형성 처리에 의해 발생한 미스트를 배기할 수가 있다.

또한 상기 구성에 의하면 처리 컵의 개구부로부터는 배기에 수반하는 강한 외기의 유입은 일어나지 않고 기판 주변부에 있어서의 도포액의 건조가 억제된다. 이것에 의해 막두께 분포의 균일성이 뛰어난 도포막을 얻을 수 있다.

상기 도포막형성 장치에 있어서 바람직하게는 흡인구에는 흡기 유량을 측정하는 흡기량 센서가 설치된다.

이와 같이 배기 유로의 상류에 위치하는 흡인구에 흡기량 센서가 설치되는 것으로 흡기량 센서가 미스트에 의해 오염되지 않고 정밀도 좋게 흡기 유량을 측정할 수가 있다. 또한 상기 처리 컵의 개구부와 기판 주변부의 간격으로부터 유입하는 환경 유량은 적기 때문에 이 흡기 유량은 배기 유량과 거의 동일한 값이다. 또 오염이 없는 것으로부터 메인터넌스와 관련되는 코스트를 저감 할 수가 있다.

상기 도포막형성 장치에 있어서 바람직하게는 배기 유로에 있어서 흡기량 센서보다 하류에는 불필요한 환경의 흡인구로의 역류를 억제하는 역류 방지부가 형성된다.

이와 같이 구성하는 것에 의해 불필요한 환경인 미스트를 흡인하는 흡인 장치의 구동이 정지했을 경우로서도 상기 흡인구로의 미스트의 역류를 억제해 미스트에 의한 흡기량 센서의 오염을 방지할 수가 있다.

상기 도포막형성 장치는 바람직하게는 처리 컵의 상부에 끼워 맞춰져 기판의 윗쪽에 대략 밀폐된 처리 공간을 형성하기 위한 덮개를 더 구비한다.

상기 도포막형성 장치는 바람직하게는 처리 공간에 도포액의 용제를 미스트 형상에 공급하는 환경 제어장치를 더 갖추어 환경 제어장치에 의해 처리 공간에 미스트 형상의 용제가 공급된 상태로 도포액공급 장치에 의해 적하된 도포액이 기판 보지 회전 장치에 의한 기판의 회전 의해 확산된다.

이와 같이 구성하는 것으로써 도포막 형성중에 확산되는 용제의 증발이 억제되어 확산되는 도포액의 선단측의 건조 고체화를 방지할 수가 있다.

따라서 더욱 도포액의 막두께의 균일화를 도모할 수 있음과 동시에 도포액 및 배기·배액의 소량화를 도모할 수가 있다.

본 발명과 관련되는 도포막형성 방법은 기판상에 적하된 도포액을 기판의 회전력에 의해 막상에 확산해 기판 상면에 도포막을 형성하는 도포막형성 방법으로서 기판을 기판 보지 회전 장치상에 대략 수평으로 유지하는 스텝과 기판 보지 회전 장치상에서 회전하는 기판의 상면에 도포액을 적하하는 스텝과 기판으로의 도포막형성시에 생기는 불필요한 환경을 배기하는 스텝을 구비하고 불필요한 환경을 배기하는 스텝은 기판 윗쪽의 처리 공간과 상기 기판의 하부의 공간을 분리한 상태로 행해진다.

상기 방법에 의하면 기판으로의 도포액의 도포가 실시되는 기판 윗쪽의 처리 공간과 배기·배액을 위한 기판 하부의 공간이 분리되는 것으로 불필요한 환경의 기판 윗쪽으로의 누설이 억제된다.

상기 도포막형성 방법에 있어서 바람직하게는 도포액을 적하하는 스텝은 기판 윗쪽의 처리 공간을 대략 밀폐한 상태로 행해진다.

또한 상기 도포막형성 방법에 있어서 바람직하게는 도포액을 적하하는 스텝은 처리공간에 도포액의 용제를 미스트 형상으로 공급하는 스텝을 포함하고 용제를 미스트 형상으로 공급한 상태로 도포액이 기판의 회전에 의해 확산된다.

이것에 의해 도포막형성중에 확산되는 용제의 증발이 억제되어 확산되는 도포액의 선단측의 건조 고체화를 방지할 수가 있다.

따라서 보다 도포액의 막두께의 균일화를 도모할 수 있음과 동시에 도포액 및 배기·배액의 소량화를 도모할 수가 있다.

이하 본 발명에 관련되는 도포막형성 장치에 대해 도에 나타내는 실시의 형태에 근거해 설명한다.

도 1에 나타나는 바와 같이 레지스트 도포 현상 시스템 (1)은 예를 들면 25 매의 웨이퍼 (W)를 카셋트 단위로 외부로부터 레지스트 도포 현상 시스템 (1)에 대해서 반입출하거나 카셋트 (C)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출하거나 하는 카셋트 스테이션 (2)와 포트리소그래피 공정중에서 매엽식에 소정의 처리를 가하는 복수의 각 처리 유니트를 다단으로 배치하고 있는 처리 스테이션 (3)과 이 처리 스테이션 (3)에 인접해 설치되고 있는 도시하지 않는 노광 장치와의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 하는 인터페이스부 (4)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.

카셋트 스테이션 (2)에는 카셋트 재치대 (5)가 설치되고 해당 카셋트 재치대 (5)는 복수의 카셋트 (C)를 X방향(도 1중의 상하 방향)으로 일렬로 재치 자유롭게 되고 있다. 또 카셋트 스테이션 (2)에는 반송로 (6)상을 X방향을 따라 이동 가능한 웨이퍼 반송체 (7)이 설치되고 있다. 이 웨이퍼 반송체 (7)은 카셋트 (C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z방향;도 1의 단면에 대해서 수직인 방향)에도 이동자유롭고 X축방향으로 배열된 각 카셋트의 웨이퍼(W)에 대해서 선택적으로 액세스 할 수 있도록 구성되고 있다.

한층 더 웨이퍼 반송체 (7)은 Z축주위의 θ방향으로 회전 가능하고 후술하는 처리 스테이션 (3)측의 제3의 처리 장치군 (G3)에 속하는 온조유니트 (60)이나 트랜지션 유니트 (61)에 대해서도 액세스 할 수 있도록 되고 있다.

카셋트 스테이션 (2)에 인접하는 처리 스테이션 (3)은 복수의 처리 장치가 다단으로 배치된 예를 들면 5개의 처리 장치군 (G1~G5)를 구비하고 있다.

처리 스테이션 (3)에 있어서 도 1안의 아래 쪽에 카셋트 스테이션 (2)측으로부터 제1의 처리 장치군 (G1); 제2의 처리 장치군 (G2)가 차례로 배치되고 있다. 또 도 1안의 위쪽에 카셋트 스테이션 (2)측으로부터 제3의 처리 장치군 (G3) ; 제4의 처리 장치군 (G4)및 제5의 처리 장치군 (G5)가 차례로 배치되고 있다.

또 제3의 처리 장치군 (G3)과 제4의 처리 장치군 (G4)의 사이에는 제1의 반송 장치 (10)이 설치되고 이 제1의 반송 장치 (10)은 제1의 처리 장치군 (G1)· 제3의 처리 장치군 (G3) 및 제4의 처리 장치군 (G4)내의 각 처리 장치에 선택적으로 액세스 해 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되고 있다.

또 제4의 처리 장치군 (G4)와 제5의 처리 장치군 (G5)의 사이에는 제2의 반송 장치 (11)이 설치되고 이 제2의 반송 장치 (11)은 제2의 처리 장치군 (G2)· 제4의 처리 장치군 (G5)내의 각 처리 장치에 선택적으로 액세스 해 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되고 있다.

또 제1의 처리 장치군 (G1)에는 웨이퍼(W)에 소정의 액체를 공급해 처리를 실시하는 액처리 장치 예를 들면 도 2에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 처리 유니트(COT; 20 · 21· 22), 노광 처리시의 빛의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 보텀 코팅 유니트(BARC, 23·24)가 아래로부터 차례로 5단으로 겹쳐져 있다.

또 제2의 처리 장치군 (G2)에는 액처리 장치 예를 들면 웨이퍼(W)에 현상액을 공급해 현상 처리하는 현상 처리 유니트(DEV, 30~34)가 아래로부터 차례로 5단으로 겹쳐져 있다.

또 제1의 처리 장치군 (G1) 및 제2의 처리 장치군 (G2)의 최하단에는 각 처리 장치군 (G1,G2)내의 액처리 장치에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬 실(CHM,35·36)이 각각 설치되고 있다.

또 도 3에 나타나는 바와 같이 제3의 처리 장치군 (G3)에는 온조유니트(TCP, 60) ; 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 트랜지션 유니트(TRS, 61); 정밀도가 높은 온도 관리하에서 웨이퍼(W)를 온도 조절하는 고정밀도 온조유니트(CPL, 62~ 64) 및 웨이퍼(W)를 고온으로 가열 처리하는 고온도 열처리 유니트(BAKE, 65~68)이 차례로 9단으로 겹쳐져 있다.

제4의 처리 장치군 (G4)에서는 예를 들면 고정밀도온조유니트(CPL, 70) ; 레지스트 도포 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 프리 베이킹 유니트(PAB, 71~74) 및 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트베이킹 유니트(POST, 75~79)가 아래로부터 차례로 10단으로 겹쳐져 있다.

또 제5의 처리 장치군 (G5)에서는 웨이퍼(W)를 열처리하는 복수의 열처리 장치 예를 들면 고정밀도 온조유니트(CPL, 80~83); 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 복수의 포스트 익스포져 베이킹유니트(PEB, 84~89)가 아래로부터 차례로 10단으로 겹쳐져 있다.

또 제1의 반송 장치 (10, 도 1 참조)의 X방향 정방향측에는 복수의 처리 장치가 배치되고 있고 예를 들면 도 3에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)를 소수화 처리하기 위한 애드히젼 유니트(AD, 90·91), 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 유니트(HP, 92·93)이 아래로부터 차례로 4단으로 겹쳐져 있다.

또 제2의 반송 장치 (11, 도 1 참조)의 X방향 정방향측에는 예를 들면 웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하는 주변 노광 유니트(WEE, 94)가 배치되고 있다.

또 인터페이스부 (4)에는 예를 들면 도 1에 나타나는 바와 같이 X방향을 향해 연장하는 반송로 (40) 위를 이동하는 웨이퍼 반송체 (41)과 버퍼 카셋트 (42)가 설치되고 있다. 웨이퍼 반송체 (41)은 Z방향으로 이동 가능한 동시에 θ방향에도 회전 가능하고 인터페이스부 (4)에 인접한 도시하지 않는 노광 장치와, 버퍼 카셋트 (42) 및 제5의 처리 장치군 (G5)에 대해서 액세스 해 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 되고 있다.

계속하여 이와 같이 구성된 레지스트 도포 현상 시스템 (1)에 있어서의 일련의 포토리소그래피 공정에 대해서 설명한다.

먼저 카셋트 스테이션 (2)에 있어서 미처리의 웨이퍼(W)를 수용한 카셋트 (C)로부터 1매의 웨이퍼 (W)가 웨이퍼 반송체 (7)에 의해 제3의 처리 장치군 (G3)의 트랜지션 유니트(TRS, 61)에 반송된다. 거기서 웨이퍼(W)는 위치 맞춤이 행해진 후 애드히젼 유니트 (AD, 90·91)에 반송되고 소수화 처리를 한다. 그 다음에 고정밀도 온조유니트(CPL, 62~64)에서 소정의 냉각 처리를 하고 제1의 처리 장치군 (G1)의 레지스트 도포 처리 유니트 (COT, 20~22)에 반송되고 웨이퍼 표면상으로의 레지스트 도포 처리가 행해진다. 또한 트랜지션 장치 (61)로부터 레지스트 도포 장치 (20~22)까지의 웨이퍼(W)의 반송은 제1의 반송 장치 (10)에 의해 행해진다.

그리고 웨이퍼(W)는 제1의 반송 장치 (10)에 의해 제4의 처리 장치군 (G4)의 프리 베이킹 장치 (71~74)에 반송되어 소정의 가열 처리 즉 프리베이크 처리가 행해진다. 프리베이크된 웨이퍼(W)는 주변 노광 유니트(WEE, 94)에 반송되어 거기서 웨이퍼(W)의 엣지부만이 노광 처리된다.

그 후 웨이퍼(W)는 제 5 처리장치군 (G5)의 고정밀도 온조유니트(CPL, 80~83)에 있어서 냉각 처리가 되어 인터페이스부 (4)의 웨이퍼 반송체 (41)에 의해 버퍼 카셋트 (42)에 일시 보관된다.

그리고 버퍼 카셋트 (42)에 일시적으로 보지된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송체 (41)에 의해 꺼내져 도시하지 않는 노광 장치에 인도되어 거기서 노광 처리를 한다.

노광 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는 다시 인터페이스부 (4)를 개재하여 제5의 처리 장치군 (G5)의 포스트 익스포져 베이킹유니트(PEB, 84~89)에 반송되어 거기서 노광 후의 가열 처리를 한다.

그 다음에 웨이퍼(W)는 제2의 반송 장치 (11)에 의해 제2의 처리 장치군 (G2)의 현상 처리 장치 (30~34)에 반송되고 현상 처리를 해 그 다음에 제4의 처리 장치군 (G4)의 포스트베이킹 유니트(POST, 75~79)에 반송되어 거기서 현상 처리 후의 가열 처리를 한다. 그리고 웨이퍼(W)는 제3의 처리 장치군 (G3)의 고정밀도 온조유니트(CPL, 62~64)로 냉각 처리가 행해져 웨이퍼 반송체 (7)에 의해 카셋트 (C)에 되돌려진다.

계속되어 본 발명과 관련되는 도포막형성 장치로서의 레지스트 도포 처리 유니트(COT, 20~22)에 대해서 상세하게 설명한다. 또한 복수 배치되는 레지스트 도포 처리 유니트(COT, 20~22)는 각각 같은 구성을 가지고 있는 것으로 하고 이하에서는 레지스트 도포 처리 유니트(COT, 20)을 예로 그 구성에 대해서 설명한다.

도 4에 도시하는 바와 같이 레지스트 도포 처리 유니트(COT, 20)은 웨이퍼(W)를 대략 수평 자세로 보지하는 스핀 척 (51)과, 스핀 척 (51)을 회전시키는 회전 기구 (52)와, 스핀 척 (51)을 승강시키는 승강기구 (53)와, 스핀 척 (41)을 수용하는 처리 컵 (55)을 구비하고 있다.

또한 스핀 척 (51)과 회전 기구 (52)에 의해 기판 보지 회전 장치가 구성된다.

또 스핀 척 (51)은 도시하지 않는 흡인 기구에 의해 웨이퍼(W)를 감압 흡착해 보지할 수가 있도록 되고 있다. 또 처리 컵 (55)의 윗쪽으로부터는 도시하지 않는 필터 팬 유니트(FFU)으로부터 청정한 공기가 다운 플로우로서 웨이퍼(W)를 향해 공급되게 되어 있다.

또 웨이퍼(W)의 윗쪽에는 레지스트액의 용매로서 시너액등의 용제를 적하하기 위한 노즐 (56)이 도시하지 않는 이동 기구에 의해 수평 방향 및 수직 방향으로 이동 가능하게 설치되고 노즐 (56)에는 용제 공급 수단 (57)에 의해 상기 용제가 공급되도록 되고 있다. 또 노즐 (56)과 동일하게 웨이퍼(W)의 윗쪽에 노즐 (58)이 도시하지 않는 이동 기구에 의해 수평 및 수직 방향으로 이동 가능하게 설치되고 레지스트 공급 기구 (59)에 의해 노즐 (58)에 레지스트액이 공급되게 되어 있다. 또한 레지스트 공급 기구 (59) 및 노즐 (58)에 의해 도포액공급 장치가 구성된다.

또 처리 컵 (55)는 웨이퍼(W)의 외측을 둘러싸도록 배치된 외주 부재 (43)와, 외주 부재 (43)의 내측에 있어서 웨이퍼(W)의 아래쪽에 근접해 스핀 척 (51)을 둘러싸도록 배치된 기류 제어 부재 (44)와, 외주 부재 (43)의 내측에서 기류 제어 부재 (44)보다 아래쪽에 배치된 내컵 (45)으로 이루어진다.

외주 부재 (43)은 통형상의 제1의 수직벽 (43a)과, 이 제1의 수직벽 (43a)의 상부에 내측으로 향해 연장하여 설치된 천정부 (43b)와, 천정부 (43b)의 내주 둘레에 일체 형성되어 내벽면이 외측 아래쪽으로 향해 경사진 내주 둘레부 (43c)로 이루어진다. 또한 이 내주 둘레부 (43c)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 컵 (55)에 대해 출입하기 위한 개구부 (55b)가 형성된다.

또 기류 제어 부재 (44)는 스핀 척 (51)을 둘러싸도록 링형상으로 형성되어 각각이 배기 유로를 형성하기 위해서 설치된 제1벽 (44a)· 제2벽 (44b)· 제3벽 (44c)로 이루어진다. 또한 제1벽 (44a)는 외측 아래쪽으로 향해 경사져 설치되어 처리 컵 (55)내에 회수되는 레지스트액을 내컵 (45)내에 이끌도록 되고 있다. 또 제3벽 (44c)는 배기 유로를 형성하도록 설치되고 있다.

또 내컵 (45)는 외주 부재 (43)의 제1의 수직벽 (43a)보다 안쪽에 있어서 통형상으로 형성되고 제1의 수직벽 (43a)와 함께 외기의 흡인구 (55a)를 형성하는 제2의 수직벽 (45a)과, 제2의 수직벽 (45a)의 하단에서 내측으로 형성된 저부 (45b)로 이루어진다. 또한 이 저부 (45b)에는 처리 컵 (55)내에 발생하는 미스트를 배기하기 위한 배기구 (55c)와, 내컵 (45)내에 회수된 레지스트액을 배출하기 위한 배액구 (55d)가 형성되고 있다.

또 이와 같이 형성된 처리 컵 (55)내에 웨이퍼(W)가 수용되면 개구부 (55b)와 웨이퍼(W)의 주변부는 소정의 간격을 갖고 배치된다. 즉 도 4에 나타나는 바와 같이 상기 기판의 지름 방향의 간극이 3 mm이내, 높이 방향의 간극이 0.5~2 mm의 범위이고 또한 처리 컵 개구부보다 기판의 주변부의 쪽이 낮아지도록 배치되고 있다.

이것에 의해 처리 컵 (55)내에서 흩뿌려져 비산한 도포액은 처리 컵 (55)의 내주 둘레부 (43c)에 충돌하고 처리 컵 (55)내에 회수된다.

또 처리 컵 (55)내에서 미스트상이 된 레지스트액을 포함한 불필요한 환경은 개구부 (55b)와 웨이퍼(W)의 주변부의 간격으로부터 조금 흡인되기 때문에 웨이퍼(W)의 윗쪽으로 새는 경우는 없다. 덧붙여 상기 간격으부터 기판 윗쪽의 환경도 흡인되지만 그 흡기량은 극히 조금이기 때문에 기판 주변에 위치하는 도포액을 다른 부분의 도포액에 비해 급속히 건조시키는 경우는 없다.

또 배기구 (55c)의 하류에는 도시하지 않는 흡인 장치(550)가 설치되고 있어 이 흡인 장치가 구동하면 웨이퍼(W)의 아래쪽에 있어서 흡인구 (55a)로부터 배기구 (55c)에 이를 때까지의 배기 유로가 형성되게 되어 있다.

또 간극과 배기 유로는 연통하고 있기 때문에 처리 컵 (55)내에서 발생한 미스트는 흡인구 (55a)로부터 흡인된 외기와 함께 상기 배기 유로를 통과해 배기구 (55c)로부터 배기된다.

또 흡기량 센서로서 유량을 측정하는 유량계 (46)이 흡인구 (55a)내에 설치된다. 즉 유량계 (46)은 배기 유로의 상류에 설치되어 미스트에 의해 오염되지 않게 되어 있다. 또한 상기한 바와 같이 상기 간극으부터의 흡기량은 적기 때문에 이 흡기 유량은 배기 유량과 거의 동일하다.

이와 같이 유량계 (46)에 의해 배기 유량을 실질적으로 측정할 수 있기 때문 에 미스트 발생부보다 상류 측에 배기 유량 센서의 설치가 가능하고 센서부로의 미스트의 부착 등에 의한 측정 오차가 생기지 않고 보다 정확한 배기량의 모니터링이 가능하다는 효과가 있다.

이러한 구성에 있어서 도 1에 나타낸 제1의 반송 장치 (10)에 의해 레지스트 도포 처리 유니트(COT, 20)에 웨이퍼(W)가 반송되면 웨이퍼(W)는 승강기구 (53)에 의해 윗쪽에 이동된 스핀 척 (51)에 의해 대략 수평으로 흡착 보지된다.

스핀 척 (51)에 흡착 보지된 웨이퍼(W)는 승강기구 (53)에 의해 처리 컵 (55)내로 이동해 수용되고 웨이퍼(W)의 상면 중앙부에 노즐 (56)으로부터 소정량의 용제가 떨어진다. 그 다음에 스핀 척 (51)은 회전 기구 (52)에 의해 회전되어 웨이퍼(W)상에 적하된 용제는 웨이퍼(W)상에서 확산된다.

그리고 용제의 확산중에 노즐 (58)으로부터 레지스트액이 적하되고 용제의 막을 개재하여 레지스트액이 확산해 웨이퍼(W)에 레지스트막이 형성된다.

또한 이 때 웨이퍼(W)로부터 주위에 비산하는 여분의 레지스트액은 처리 컵 (55)에 의해 회수되어 일부는 미스트가 되어 처리 컵 (55)내에 발생한다.

한편 처리 컵 (55)에 있어서는 흡인 장치(550)가 구동함으로써 흡인구 (55a)로부터 배기구 (55c)에 이를 때까지의 배기 유로가 형성되어 처리 컵 (55)내의 미스트는 불필요한 환경으로서 흡인구 (55a)로부터 흡인된 외기와 함께 배기 유로를 통과해 배기구 (55c)로부터 배기된다.

이상과 같이 본 발명에 관련되는 제 1의 실시의 형태에 의하면 개구부 (55b)와 웨이퍼(W)의 주변부가 약간의 거리 수치로 되어 웨이퍼 (W)로의 레지스트 도포가 실시되는 웨이퍼(W)의 윗쪽의 처리 공간과, 배기·배액을 위한 웨이퍼(W)의 아래쪽 공간이 분리된다. 이것에 의해 기판 주변으로부터 흩뿌려진 도포액을 처리 컵내에 회수할 수 있음과 동시에 처리 컵 (55)내에서 발생한 미스트의 웨이퍼 (W)윗쪽으로의 누설을 억제 할 수 있다.

또 처리 컵 (55)내에 외기를 흡인하기 위한 흡인구 (55a)와, 처리 컵 (55)외에 배기하기 위한 배기구 (55c)가 형성된다. 이것에 의해 처리 컵 (55)내에 배기 유로가 형성되어 작은 흡인력으로서도 도포 형성 처리에 의해 발생한 미스트를 배기할 수가 있다.

또 상기와 같이 배기 유로가 형성되기 때문에 개구부 (55b)로부터는 배기에 수반하는 외기의 강한 유입은 일어나지 않고 웨이퍼(W)의 주변부에 있어서의 레지스트의 건조가 억제된다. 이것에 의해 막두께 분포의 균일성이 뛰어난 레지스트막을 얻을 수 있다.

또한 배기 유로의 상류에 위치하는 흡인구 (55a)에 유량계 (46)이 설치되는 것으로 유량계 (46)이 미스트에 의해 오염되지 않고 정밀도 좋고 배기량을 측정할 수가 있다. 또 오염이 없는 것으로부터 메인터넌스와 관련되는 코스트를 저감 할 수가 있다.

이어서 본 발명과 관련되는 도포 형성 장치로서의 레지스트 도포 처리 유니트의 제２의 실시의 형태에 대해서 설명한다. 또한 도 5에 있어서 도 4에 근거해 설명한 레지스트 도포 처리 유니트(COT)의 제 1의 실시 형태와 같은 구성의 부분에 대해서는 같은 부호로 나타내고 그 상세한 설명은 반복하지 않는다.

도 5에 나타내는 레지스트 도포 처리 유니트(COT, 20)은 도 4에 나타낸 제 1의 실시의 형태의 구성에 대해 도포 처리가 실시되는 처리 공간을 밀폐 구조로 하는 점에 있어서 다르다. 즉 도 5의 구성에 있어서는 도 4에 나타낸 스핀 척 (51) 및 처리 컵 (55)의 구성에 부가하여 처리 컵 (55)의 상부 개구를 막는 덮개 (50)를 구비하고, 그들에 의해 주요부가 구성되고 있다.

상기 덮개 (50)은 돔형상으로 형성되고 또한 상부중앙에는 복수의 관로를 가지는 축부 (50a)가 형성되고 있다. 이 축부 (50a)는 현수 지지 아암 (50b)에 의해 현수 지지되고, 현수 지지 아암 (50b)은 도시하지 않는 승강기구에 의해 승강 이동 제어가 이루어진다. 즉, 현수 지지 아암 (50b)의 승강 이동에 의해 처리 컵 (55)의 상부에 대해 덮개 (50)이 수직 이동해 덮개로서 개폐 동작이 되도록 구성되고 있다. 또한 덮개 (50)의 하부 주변에는 O링 등의 씰 부재 (50c)가 설치되고 있어 덮개 (50)와, 처리 컵 (55)이 접촉(결합)한 상태로 내부의 처리 공간이 밀폐하도록 되고 있다.

또 축부 (50a)에는 용제를 공급하는 용제 공급 기구 (57)에 접속된 제1의 용제 공급 통로 (50d)와 레지스트액을 공급하는 레지스트 공급 기구 (59)에 접속된 레지스트액 공급 통로 (50e)가 형성되고 있다. 제1의 용제 공급 통로 (50d)의 선단에는 용제를 웨이퍼(W)상에 적하하기 위한 노즐 (12)가 설치되고 레지스트액 공급 통로 (50e)의 선단에는 레지스트액을 웨이퍼(W)상에 적하하기 위한 노즐 (13)이 설치되고 있다. 또한 레지스트 공급 기구 (59)와 레지스트액 공급 통로 (50e)와 노즐 (13)에 의해 도포액 공급 장치가 구성된다.

또 축부 (50a)에는 제2의 용제 공급 통로 (50f) 및 건조공기 공급 통로 (50g)가 형성되어 제2의 용제 공급 통로 (50f)는 순환 통로 (14)에 접속되어 건조공기 공급 통로 (50g)는 건조공기 공급 관로 (25)에 접속되고 있다.

이 경우 순환 관로 (14)는 제2의 용제 공급 통로 (50f)와 배기구 (55c)에 접속되고 있고 이 순환 관로 (14)에는 배기구 (55c)로부터 차례로 배기중의 액체를 분리하는 기액분리기 (14a) ·송풍 팬 (14b)· 필터 (14c) 및 개폐 밸브 (14d)가 설치되고 있다.

또 순환 관로 (14)의 송풍 팬 (14b)와 필터 (14c)와의 사이에는 레지스트액의 용제 예를 들면 시너액 (B)를 수용하는 탱크 (14e)에 접속하는 토출관 (14f)가 접속되고 있다. 또 탱크 (14e)는 도시하지 않는 캐리어 가스 공급원에 캐리어 가스 공급관 (14g)를 개재하여 접속되고 있다.

이것에 의해 환경 제어 장치가 구성되어 캐리어 가스 공급원으로부터 탱크 (14e)중의 시너 (B)내에 공급되는 캐리어 가스 예를 들면 He가스에 의해 시너 (B)가 순환 관로 (14)에 흘러 순환 관로 (14)내에 흐르는 공기에 의해 미스트 형상이 되어 처리 공간 (15)에 공급되도록 되고 있다.

한편 건조공기 공급 관로 (25)는 건조공기 공급 통로 (50g)와 제습기 (25e)에 접속되어 이 건조공기 공급 관로 (25)에는 개폐 밸브 (25a)· 필터 (25b)· 송풍 팬 (25c) 및 온도 콘트롤러 (25d)가 설치되고 있다.

이 구성에 있어서 제습기 (25e)에 의해 소정의 습도 예를 들면 40% 이하에 제습된 공기가 온도 콘트롤러 (25d)에 의해 소정 온도 예를 들면 실온(약 23˚C)으로 설정되어 처리 공간 (15)내에 공급되도록 구성되고 있다.

이상 설명한 레지스트 도포 처리 유니트 (20)의 구성에 의한 레지스트 도포 처리 공정에 있어서는 다음과 같이 처리를 한다.

먼저 덮개 (50)이 상부로 이동한 상태로 웨이퍼(W)가 반송되고 웨이퍼(W)는 승강기구 (53)에 의해 윗쪽에 이동된 스핀 척 (51)에 의해 대략 수평으로 흡착 보지된다.

스핀 척 (51)에 흡착 보지된 웨이퍼(W)는 승강기구 (53)에 의해 처리 컵 (55)내 로 이동해 웨이퍼(W)의 상면 중앙부에 노즐 (12)로부터 소정량의 용제가 떨어진다. 그 다음에 스핀 척 (51)은 회전 기구 (52)에 의해 회전되어 웨이퍼(W)상에 적하된 용제는 웨이퍼(W)상에서 확산된다. 그리고 용제의 확산중에 노즐 (13)으로부터 레지스트액이 떨어진다.

또 동시에 덮개 (50)이 강하하여 처리 컵 (55)에 대해서 밀폐하고 처리 공간 (15)를 형성함과 동시에 순환 관로 (14)중에 공급되는 미스트 형상 시너나 제2의 용제 공급 통로 (50f)로부터 처리 공간 (15)내에 공급되어 이 상태로 레지스트액이나 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산된다.

레지스트액이나 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산된 후 개폐 밸브 (14d)를 닫는 것과 동시에 개폐 밸브 (25a)를 개방해 건조공기를 처리 공간 (15)내에 공급해 처리 공간 (15)내의 시너 환경을 해제한다. 이 때 처리 공간 (15)내에 건조공기를 공급하지 않고 덮개 (50)을 윗쪽으로 이동하는 것으로 처리 공간 (15)내의 시너 환경을 해제하도록 해도 괜찮다. 이 환경 해제와 동시에 흩뿌려 건조하게 레지스트막을 형성한다.

또한 레지스트액의 확산 처리에 있어서 웨이퍼(W)로부터 주위에 비산하는 여분의 레지스트액은 처리 컵 (55)에 의해 회수되어 일부는 미스트가 되어 처리 컵 (55)내에 발생한다. 처리 컵 (55)에 있어서는 도시하지 않는 흡인 장치가 구동함으로써 흡인구 (55a)로부터 배기구 (55c)에 이를 때까지의 배기 유로가 형성되어 처리 컵 (55)내의 미스트는 불필요한 환경으로서 흡인구 (55a)로부터 흡인된 외기와 함께 상기 배기 유로를 통과해 배기구 (55c)로부터 배기된다.

이상과 같이 본 발명에 관련되는 제２의 실시의 형태에 의하면 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 확산시킬 때에 처리 공간을 밀폐해 처리 환경중에 레지스트액의 용제(시너액)를 미스트 형상으로 해 공급함으로써 확산되는 용제의 증발이 억제되어 기판 주변부에 확산한 레지스트액의 건조 고체화를 방지하도록 할 수 있다.

따라서 상기의 제 1의 실시의 형태에 있어서 얻을 수 있는 효과에 부가하여 보다 레지스트액의 막두께의 균일화를 도모할 수 있음과 동시에 레지스트액 및 배기·배액의 소량화를 도모할 수가 있다.

또한 상기 제1 및 제２의 실시의 형태에 있어서 설명한 것처럼 흡인구 (55a)에는 유량계 (46)이 설치된다. 그렇지만 배기구 (55c)로부터 흡인을 실시하는 흡인 장치가 구동 정지한 경우에 처리 컵 (55)내에 남는 미스트가 흡기구 (55a)내에 역류 해 유량계 (46)을 오염할 우려가 있다.

거기서 도 6의 흡인구 (55a)의 주변 확대도에 나타나는 바와 같이 배기 유로에 있어서의 유량계 (46)보다 하류에 외기의 흡인에는 영향을 주지 않지만 미스트의 역류를 억제하도록 경사진 복수의 기류 제어판 (33a)로부터 이루어지는 역류 방지부 (33)를 설치하는 것이 바람직하다. 이 역류 방지부(33)를 설치함으로써, 보다 확실히 유량계 (46)의 오염을 방지할 수가 있다.

또 상기 실시의 형태에 있어서는 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예로 했지만 본 발명에 있어서의 기판은 반도체 웨이퍼에 한정하지 않고 LCD 기판· CD기판· 유리 기판· 포토마스크· 프린트 기판등도 가능하다.

본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼등의 기판을 처리하는 레지스트 도포 처리 유니트에 적용할 수 있어 반도체 제조업계 전자 디바이스 제조업계등에 있어서 매우 적합하게 이용할 수가 있다.

본 발명에 의하면 대략 수평으로 보지되고 또한 회전 제어가 되는 기판의 상면에 도포액을 적하하고 기판의 회전력에 의해 도포액을 막형상으로 확산해 도포막을 형성하는 도포막형성 장치에 있어서 도포막의 막두께를 균일하게 형성할 수 있음과 동시에 도포막형성중에 기판 주위에 비산한 미스트 형상의 도포액의 기판 윗쪽으로의 누수를 저감 할 수 있고 또한 상기 미스트 형상의 도포액의 배기에 필요로 하는 흡인력을 삭감할 수 있고 또한 배기량을 정밀도 좋 게 측정할 수 있는 도포막형성 장치를 얻을 수 있다.

Claims (15)

1. 기판상에 적하된 도포액을 기판의 회전력에 의해 막상으로 확산하고 기판 상면에 도포막을 형성하는 도포막형성 장치이며,

   상기 기판을 수평으로 보지해 상기 기판을 회전시키는 기판 보지 회전 수단과,

   상기 기판의 상면에 도포액을 적하하는 도포액 공급 수단과,

   상기 기판의 출입을 행하기 위하여 윗쪽으로 개방한 개구부, 상기 기판으로의 도포막 형성시에 생기는 불필요한 환경을 배기하기 위한 배기구 및 기판의 아래쪽에서 외기를 흡인하기 위한 흡인구를 가지는 처리 컵과,

   상기 불필요한 환경을 상기 배기구로부터 흡인하는 흡인 수단을 구비하고,

   상기 처리 컵의 개구부에 수용된 상기 기판의 주변부와 상기 개구부는 상기 기판 윗쪽의 처리 공간과 상기 기판의 아래쪽의 공간을 분리하는 것이 가능한 소정의 간극을 갖고 배치되고, 또한 상기 처리 컵에 수용된 상기 기판보다 아래쪽에는 상기 흡인구로부터 상기 배기구에 이르는 배기 유로가 형성됨과 동시에 상기 간극과 배기 유로가 연통하고 있는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 기판의 주변부와 상기 개구부는 상기 기판의 지름 방향의 간극이 3 mm이내, 높이 방향의 간극이 0.5~2 mm의 범위이며, 또한 처리 컵 개구부보다 기판의 주변부쪽이 낮아지도록 배치되고 있는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
3. 청구항 1에 있어서,

   상기 흡인구에는 흡기 유량을 측정하는 흡기량 센서가 설치되는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
4. 청구항 3에 있어서,

   상기 배기 유로에 있어서 상기 흡기량 센서보다 하류에는 상기 불필요한 환경의 상기 흡인구로의 역류를 억제하는 역류 방지 수단이 형성되는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 처리 컵의 상부에 결합되고, 상기 기판의 윗쪽에 밀폐된 처리 공간을 형성하기 위한 덮개를 더 구비한 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
6. 청구항 5에 있어서,

   상기 처리 공간에 도포액의 용제를 미스트상으로 공급하는 환경 제어 수단을 더 구비하고,

   상기 환경 제어 수단에 의해 상기 처리 공간에 미스트상의 용제가 공급된 상태로 상기 도포액공급 수단에 의해 적하된 도포액이 상기 기판 보지 회전 수단에 의한 기판의 회전에 의해 확산되는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
7. 기판상에 적하된 도포액을 기판의 회전력에 의해 막상으로 확산하고 기판 상면에 도포막을 형성하는 도포막형성 장치이며,

   상기 기판을 수평으로 보지하여 상기 기판을 회전시키는 기판 보지 회전 장치와,

   상기 기판의 상면에 도포액을 적하하는 도포액공급 장치와,

   상기 기판의 출입을 행하기 위하여 윗쪽으로 개방한 개구부, 상기 기판으로의 도포막형성시에 생기는 불필요한 환경을 배기하기 위한 배기구 및 기판의 아래쪽에서 외기를 흡인하기 위한 흡인구를 가지는 처리 컵과,

   상기 불필요한 환경을 상기 배기구로부터 흡인하는 흡인 장치를 구비하고,

   상기 처리 컵의 개구부에 수용된 상기 기판의 주변부와 상기 개구부는 상기 기판 윗쪽의 처리 공간과 상기 기판의 아래쪽의 공간을 분리하는 것이 가능한 소정의 간극을 갖고 배치되고, 또한 상기 처리 컵에 수용된 상기 기판보다 아래쪽에는 상기 흡인구로부터 상기 배기구에 이르는 배기 유로가 형성됨과 동시에 상기 간극과 배기 유로가 연통하고 있는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
8. 청구항 7에 있어서,

   상기 기판의 주변부와 상기 개구부는 상기 기판의 지름 방향의 간극이 3 mm 이내, 높이 방향의 간극이 0.5~2 mm의 범위이며, 또한 처리 컵 개구부보다 기판의 주변부쪽이 낮아지도록 배치되고 있는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
9. 청구항 7에 있어서,

   상기 흡인구에는 흡기 유량을 측정하는 흡기량 센서가 설치되는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
10. 청구항 9에 있어서,

    상기 배기 유로에 있어서 상기 흡기량 센서보다 하류에는 상기 불필요한 환경의 상기 흡인구로의 역류를 억제하는 역류방지부가 형성되는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
11. 청구항 7에 있어서,

    상기 처리 컵의 상부에 결합되고, 상기 기판의 윗쪽에 밀폐된 처리 공간을 형성하기 위한 덮개를 더 구비한 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
12. 청구항 11에 있어서,

    상기 처리 공간에 도포액의 용제를 미스트상으로 공급하는 환경 제어장치를 더 구비하고,

    상기 환경 제어장치에 의해 상기 처리 공간에 미스트상의 용제가 공급된 상태로 상기 도포액공급 장치에 의해 적하된 도포액이 상기 기판 보지 회전 장치에 의한 기판의 회전에 의해 확산되는 것을 특징으로 하는 도포막형성 장치.
13. 기판상에 적하된 도포액을 기판의 회전력에 의해 막상으로 확산해 기판 상면에 도포막을 형성하는 도포막형성 방법이며,

    상기 기판을 기판 보지 회전 장치 상에 수평으로 보지하는 스텝과,

    상기 기판 보지 회전 장치상에서 회전하는 상기 기판의 상면에 도포액을 적하하는 스텝과,

    상기 기판으로의 도포막형성시에 생기는 불필요한 환경을 배기하는 스텝을 구비하고,

    상기 불필요한 환경을 배기하는 스텝은 상기 기판 윗쪽의 처리 공간과 상기 기판의 아래쪽의 공간을 분리한 상태로 행해지는 것을 특징으로 하는 도포막형성 방법.
14. 청구항 13에 있어서,

    상기 도포액을 적하하는 스텝은 상기 기판 윗쪽의 처리 공간을 밀폐한 상태로 행해지는 것을 특징으로 하는 도포막형성 방법.
15. 청구항 14에 있어서,

    상기 도포액을 적하하는 스텝은 상기 처리 공간에 상기 도포액의 용제를 미스트상으로 공급하는 스텝을 포함하고,

    상기 용제를 미스트상으로 공급한 상태로 상기 도포액이 상기 기판의 회전에 의해 확산되는 것을 특징으로 하는 도포막형성 방법.

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