CN113539890A - 基板处理用排气装置 - Google Patents

基板处理用排气装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113539890A
CN113539890A CN202110410487.0A CN202110410487A CN113539890A CN 113539890 A CN113539890 A CN 113539890A CN 202110410487 A CN202110410487 A CN 202110410487A CN 113539890 A CN113539890 A CN 113539890A
Authority
CN
China
Prior art keywords
external
internal
fluid
exhaust
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110410487.0A
Other languages
English (en)
Inventor
金南辰
白承大
金成烨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeus Co Ltd
Original Assignee
Zeus Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeus Co Ltd filed Critical Zeus Co Ltd
Publication of CN113539890A publication Critical patent/CN113539890A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及基板处理用排气装置，包括：腔室部；安装于腔室部的基底部；安装于基底部的转轴部；操作台部，安装于转轴部且能够旋转，并且使放置于操作台部的基板旋转；杯部，安装于基底部，并且将向基板喷射的药液以按照各成分分离回收的方式引导；以及内部排气部，配置于转轴部与杯部之间，用于排出流体，能够防止漂浮物质导致基板受损。

Description

基板处理用排气装置
技术领域
本发明涉及基板处理用排气装置，更加详细地，涉及能够迅速地排出腔室内部的气体从而防止基板受污染的基板处理用排气装置。
背景技术
一般情况下，半导体制造工序中的晶片加工工序有如下工序：光致抗腐蚀涂覆工序(Photoresist Coating)、显影工序(Develop&Bake)、蚀刻工序(Etching)、化学气相沉积工序(Chemical Vapor Deposition)、抛光工序(Ashing)等。
作为用于去除在执行上述多个步骤的工序的过程中粘贴在基板的各种污染物的工序，有利用药液(Chemical)或者去离子水(DI water，Deionized Water)的清洗工序(WetCleaning Process)。
并且，在执行清洗工序之后，还有用于干燥残留于半导体基板表面的药液或者去离子水的干燥(Drying)工序。作为用于执行干燥工序的基板干燥装置，使用利用机械力学性旋转力来干燥半导体基板的旋转干燥装置(Spin dry)和利用IPA(异丙醇，isopropylalcohol)的化学反应来干燥半导体基板的IPA干燥装置。
目前，在执行各个工序时气体漂浮，存在包含在漂浮的气体中的杂质粘贴于基板从而污染基板的问题。从而提出了改善这一问题的必要性。
韩国公开专利公报第2019-0011472号(2019.02.07.公开，发明名称：晶片干燥装置及方法)中公开了本发明的背景技术。
发明内容
本发明是为了改善上述技术问题而提出的，其目的在于提供基板处理用排气装置，能够迅速地排出腔室内部的气体从而防止基板受污染。
根据本发明的基板处理用排气装置的特征在于，包括：腔室部；基底部，安装于所述腔室部；转轴部，安装于所述基底部；操作台部，安装于所述转轴部并且能够进行旋转，并且使放置于所述操作台部的基板旋转；杯部，安装于所述基底部，将向所述基板喷射的药液以按照各成分分离回收的方式引导；以及内部排气部，配置于所述转轴部与所述杯部之间，用于排出流体。
另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述内部排气部包括：内部吸入部，形成为围绕所述转轴部的外侧，存在于所述杯部与所述转轴部之间的流体流入所述内部吸入部；内部引导部，连接于所述内部吸入部，引导流入所述内部吸入部中的流体；以及内部排出部，与所述内部引导部连通，向外部排出通过所述内部引导部移动的流体。
另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述内部排出部包括：内部导管部，连接于所述基底部，并且与所述内部引导部连通；内部开闭部，打开或关闭所述内部导管部；内部马达部，用于启动所述内部开闭部；内部测量部，安装于所述腔室部，测量所述腔室部的内部压力；以及，内部控制部，接收所述内部测量部的测量信号，以控制所述内部马达部。
根据本发明的基板处理用排气装置的特征在于，还包括：外部排气部，配置于所述杯部的外侧，用于排出流体。
另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述基底部包括：基底下板部，结合于所述腔室部，并且配置于基底上板部的下方，所述内部排气部安装于所述基底下板部；以及所述基底上板部，结合于所述腔室部，所述外部排气部安装于所述基底上板部。
另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述外部排气部包括：外部吸入部，形成为围绕所述杯部的外侧，存在于所述腔室部与所述杯部之间的流体流入所述外部吸入部；外部引导部，连接于所述外部吸入部，引导流入所述外部吸入部的流体；以及，外部排出部，与所述外部引导部连通，向外部排出通过所述外部引导部移动的流体。
另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述外部吸入部包括：第一外部吸入部，配置为呈环状围绕所述杯部的外侧，并且安装于所述基底部，所述第一外部吸入部的内部形成有流体能够移动的空间；以及第二外部吸入部，形成于所述第一外部吸入部的外侧，形成流体能够流入的孔。
另外，基板处理用排气装置的特征在于，所述外部排出部包括：第一外部排出部，连接于所述基底部，并且与所述外部引导部连通；第二外部排出部，与所述第一外部排出部连接，并且左右两侧是敞开的；第三外部排出部，与所述第二外部排出部连接，向按照各性状分离并排出的分离排出部引导流体；以及第四外部排出部，形成于所述第三外部排出部，调节流体排出量。
根据本发明的基板处理用排气装置，内部排气部能够迅速地去除漂浮在杯部内部的物质，外部排气部能够迅速地去除漂浮在腔室部内部的物质。由此，能够防止因漂浮物质导致基板受到污染以及基板受到污染所导致的基板受损。
附图说明
图1是示意性示出根据本发明一实施例的基板处理用排气装置的图。
图2是示意性示出根据本发明一实施例的内部排气部的剖视图。
图3是示意性示出根据本发明一实施例的供内部排气部安装的杯部的立体图。
图4是示意性示出根据本发明一实施例的内部排出部的图。
图5是示意性示出根据本发明一实施例的外部排气部的立体图。
图6是示意性示出根据本发明一实施例的外部吸入部的图。
图7是示意性示出根据本发明一实施例的外部排出部的图。
附图标记说明
10：腔室部；20：基底部；21：基底下板部；22：基底上板部；30：转轴部；40：操作台部；50：杯部；60：内部排气部；61：内部吸入部；62：内部引导部；63：内部排出部；70：外部排气部；71：外部吸入部72：外部引导部；73：外部排出部；100：基板。
具体实施方式
下面，参照附图说明根据本发明的基板处理用排气装置的实施例。在进行说明时，为了说明的清楚性以及方便性，有时会夸张示出附图中示出的线条的宽度或构成元素的大小等。并且，后述的术语是鉴于本发明中的功能而定义的术语，根据使用者、操作者的意愿或者习惯可以有所变化。因此，应该基于本说明书整体内容对这些术语加以定义。
图1是示意性示出根据本发明一实施例的基板处理用排气装置的图。参照图1，根据本发明一实施例的基板处理用排气装置1包括腔室部10、基底部20、转轴部30、操作台部40、杯部50以及内部排气部60。这样的基板处理用排气装置1还可以包括外部排气部70。
腔室部10的内部形成有作业空间，通过打开或关闭门，可以实现基板100的进出。腔室部10安装有基底部20。这样的基底部20可以配置在腔室部20内部。
转轴部30安装于基底部20，操作台部40安装于转轴部30从而能够进行旋转。随着转轴部30被驱动，这样的操作台部40进行旋转，随之使放置于操作台部40的基板100旋转。
杯部50安装于基底部20，将向基板100喷射的药液以按照各成分分离回收的方式引导。作为一例，杯部50在三个杯子中的任意一个向上方移动时围绕基板100，并且可以引导碱性药液、酸性药液、有机性药液分离排出。
内部排气部60配置于转轴部30与杯部50之间，用于排出流体。作为一例，内部排气部60可以将存在于转轴部30与杯部50之间的气体以及包含在气体中的物质强制性地排出到外部。这样的内部排气部60均匀且迅速地吸入漂浮在转轴部30与杯部50之间的内部物质，从而可以防止污染物质导致基板100受损。
外部排气部70配置在杯部50的外侧，用于排出流体。作为一例，外部排气部70可以将存在于杯部50与腔室部10之间的气体以及包含在气体中的物质强制性地排出到外部。这样的外部排气部70均匀且迅速地吸入腔室部10的内部物质，从而可以防止污染物质导致基板100受损。
根据本发明一实施例的腔室部10包括下部腔室部11以及上部腔室部12。下部腔室部11可以覆盖基底部20的下部，上部腔室部12可以覆盖基底部20的上部。这时，下部腔室部11可以覆盖机械室90，在该机械室90处配置用于处理基板100的各种机械设备。另外，上部腔室部12围绕转轴部30、操作台部40和杯部50，可以根据需要，以内置这些部件的方式进行封闭，从而稳定地维持基板100的作业环境。
根据本发明一实施例的基底部20包括基底下板部21以及基底上板部22。
基底下板部21结合于腔室部10，内部排气部60安装于基底下板部21。作为一例，基底下板部21可以包括供转轴部30安装的下板座部211以及从下板座部211向上方延伸的下板支承部212。下板座部211结合于下部腔室部11，可以被单独的结构物支承，在下板座部211的下方可以形成机械室90。
基底上板部22结合于腔室部10，外部排气部70安装于基底上板部22。作为一例，基底上板部22配置于下板座部211的上方，可以被下板支承部212支承。这样的基底上板部22的侧面部可以被上部腔室部12覆盖。
图2是示意性示出根据本发明一实施例的内部排气部的剖视图，图3是示意性示出根据本发明一实施例的供内部排气部安装的杯部的立体图，图4是示意性示出根据本发明一实施例的内部排出部的图。参照图2至图4，根据本发明一实施例的内部排气部60包括内部吸入部61、内部引导部62以及内部排出部63。
内部吸入部61形成为围绕转轴部30外侧，存在于杯部50与转轴部30之间的流体流入内部吸入部61。作为一例，内部吸入部61可以安装于杯部50。
更加具体地，杯部50可以包括：安装于下板座部211的杯基底部51；以及安装于杯基底部51并且能够上下移动的三个杯覆盖部52。
另外，杯基底部51可以包括：放置于下板座部211的第一杯基底部511；从第一杯基底部511的内周面向上方延伸并且供转轴部30贯通的第二杯基底部512；以及从第一杯基底部511的外周面向上方延伸以围绕杯覆盖部52的第三杯基底部513。这时，内部吸入部61可以配置为围绕第二杯基底部512，第一杯基底部511形成有向内部吸入部61内侧突出的第四杯基底部514。
更加具体地，内部吸入部61可以包括第一内部吸入部611、第二内部吸入部612以及第三内部吸入部613。
第一内部吸入部611的下端部紧贴于下板座部211，并且以第四杯基底部514接触到第一内部吸入部611内侧面的方式围绕第二杯基底部512。
第二内部吸入部612可以从第一内部吸入部611的上端部向内侧方向延伸，且紧贴于第二杯基底部512的外周面。
第三内部吸入部613沿第一内部吸入部611的圆周方向形成有多个，可以形成流体可通过的孔。这样的第三内部吸入部613可以配置为具有均匀的间隔距离，可以根据需要，集中配置多个第三内部吸入部613或者将孔的大小设计成不同大小。
内部引导部62连接于内部吸入部62，且引导流入内部吸入部61中的流体。作为一例，内部引导部62从第一内部吸入部611的局部外周面延伸，可以将流体引导到形成于第一杯基底部511以向外部排出流体的第五杯基底部515。这样的内部引导部62的下端部可以紧贴于第一杯基底部511，在内侧面可以以相对的方式配置有第四杯基底部514。
内部排出部63与内部引导部62连通，并且将通过内部引导部62移动的流体排出到外部。作为一例，内部排出部63可以与第一杯基底部511直接连接或者与基底部20连接，并且与第五杯基底部515连通，从而引导流体的移动。
根据本发明一实施例的内部排出部63包括内部导管部631、内部开闭部632、内部马达部633、内部测量部634以及内部控制部635。
内部导管部631连接于基底部20并且与内部引导部62连通。这样的内部导管部631向内部排出通过内部引导部62移动的流体。作为一例，内部导管部631的一端部可以与基底下板部21的底面连接，另一端部可以与分离排出部200连通。另一方面，杯覆盖部52按照各性状上下移动，碱性流体、酸性流体和有机性流体可以在分离排出部200中按照各性状分离并排出。这时，分离排出部200可以感应杯覆盖部52的工作状态，以实施性状分离。
内部开闭部632打开或关闭内部导管部631。作为一例，内部导管部631具有圆筒形形状。另外，内部开闭部632可以具有圆盘形状，并且以可旋转方式安装于内部导管部631来打开或关闭内部导管部631。
内部马达部633启动内部开闭部632。作为一例，内部马达部633可以安装于内部导管部631外侧，并且与内部开闭部632的旋转轴连接，从而使得旋转轴旋转。
内部测量部634安装于腔室部10，用于测量腔室部10的内部压力。作为一例，内部测量部634安装于腔室部10内侧，并且可以根据需要，在腔室部10的上下部均匀配置多个，并且可以配置在杯部50内部。这样的内部测量部634可以测量腔室部10内部的温度和湿度等各种大气环境。
内部控制部635接收内部测量部54的测量信号，以控制内部马达部633。通过这样的内部控制部635，在腔室部10的内部压力脱离设定区间时，内部马达部633被驱动，从而引导腔室部10的内部压力以便维持在设定区间。
图5是示意性示出根据本发明一实施例的外部排气部的立体图。参照图5，根据本发明一实施例的外部排气部70包括外部吸入部71、外部引导部72以及外部排出部73。
外部吸入部71形成为围绕杯部50的外侧，存在于腔室部10与杯部50之间的流体流入外部吸入部71。作为一例，外部吸入部71可以安装于基底上板部22。
外部引导部72连接于外部吸入部71，对流入外部吸入部71中的流体进行引导。作为一例，外部引导部72可以从外部吸入部71的局部外周面延伸，且与形成于基底上板部22的孔连通。
外部排出部73与外部引导部72连通，将通过外部引导部72移动的流体排出到外部。作为一例，外部排出部73可以结合于基底上板部22的底面。
图6是示意性示出根据本发明一实施例的外部吸入部的图。参照图6，根据本发明一实施例的外部吸入部71包括第一外部吸入部711以及第二外部吸入部712。
第一外部吸入部711配置为呈环状围绕杯部50外侧，安装于基底部20，且在内部形成流体可移动的空间。作为一例，第一外部吸入部711可以具有截面形成封闭区间的导管形状或者其下端部敞开且安装于基底上板部22的上侧面。
第二外部吸入部712形成于第一外部吸入部711的外侧，形成流体可流入的孔。这样的第二外部吸入部712可以配置为具有均匀的间隔距离，可以根据需要，集中配置多个或者将孔的大小设计成不同大小。
图7是示意性示出根据本发明一实施例的外部排出部的图。参照图7，根据本发明一实施例的外部排出部73可以包括第一外部排出部731、第二外部排出部732、第三外部排出部733以及第四外部排出部734。
第一外部排出部731连接于基底部20，并且与外部引导部72连通。作为一例，第一外部排出部731可以结合于基底上板部22的底面，并且可以通过基底下板部21后延伸到机械室90。
第二外部排出部732连接于第一外部排出部731，并且左右两侧是敞开的。作为一例，第二外部排出部732具有用于向三个方向引导流体的管道形状，并且上部连接于第一外部排出部731，左侧端部是敞开的，从而可以将机械室90内部流体排出到外部。
第三外部排出部733连接于第二外部排出部732，向按照各性状分离并排出的分离排出部200引导流体。作为一例，杯覆盖部52按照各性状上下移动，碱性流体、酸性流体、有机性流体可以在分离排出部200中按照各性状分离并排出。这时，分离排出部200可以感应杯覆盖部52的工作状态，以实施性状分离。
第四外部排出部734形成于第三外部排出部733，用于调节流体排出量。作为一例，第四外部排出部734可以是能够调节通过第三外部排出部733的流体量的阀体。这样的第四外部排出部734可以感应腔室部10的内部状态或者分离排出部200的状态，自动调节排出量。
下面说明具有上述构成的根据本发明一实施例的基板处理用排气装置。
如果操作台部40通过转轴部30的驱动进行旋转，则装载于操作台部40的基板100进行旋转，通过各种喷射喷嘴，向基板100喷射药液，实施基板100处理工序。
这时，基板100配置于杯部50的内部，喷射到基板100的药液可以分为碱性药液、酸性药液、有机性药液。
另一方面，内部排气部60配置在转轴部30与杯部50之间。这样的内部排气部60沿着内部吸入部61的周围形成多个孔，因此可均匀且迅速地吸入漂浮在转轴部30与杯部50之间的漂浮物质，从而能够防止污染物质的漂浮导致基板100受损。另外，根据按照药液的各性状进行的工序信号，可以区分回收包括碱性药液、酸性药液、有机性药液的漂浮物质。
另外，外部排气部70配置于杯部50外侧。这样的外部排气部70沿着杯部50周围形成多个孔，因此可均匀且迅速地吸入漂浮在腔室部10内部的漂浮物质，从而能够防止污染物质的漂浮导致基板100受损。
根据本发明一实施例的基板处理用排气装置1，内部排气部60可以迅速地去除漂浮在杯部50内部的物质，外部排气部70迅速地去除漂浮在腔室部10内部的物质。由此，能够防止漂浮物质导致基板100受污染以及基板100受污染所导致的基板受损。
参照附图示出的实施例说明了本发明，但是这些实施例只是示例性的，本领域技术人员应该可以理解能够由此得到各种变形以及等同的其它实施例。因此，应该基于权利要求书来定义本发明的真正的技术保护范围。

Claims (8)

1.一种基板处理用排气装置，其特征在于，包括：
腔室部；
基底部，安装于所述腔室部；
转轴部，安装于所述基底部；
操作台部，安装于所述转轴部并且能够进行旋转，并且使放置于所述操作台部的基板旋转；
杯部，安装于所述基底部，将向所述基板喷射的药液以按照各成分分离回收的方式引导；以及
内部排气部，配置于所述转轴部与所述杯部之间，用于排出流体。
2.根据权利要求1所述的基板处理用排气装置，其特征在于，
所述内部排气部包括：
内部吸入部，形成为围绕所述转轴部的外侧，存在于所述杯部与所述转轴部之间的流体流入所述内部吸入部；
内部引导部，连接于所述内部吸入部，引导流入所述内部吸入部中的流体；以及
内部排出部，与所述内部引导部连通，向外部排出通过所述内部引导部移动的流体。
3.根据权利要求2所述的基板处理用排气装置，其特征在于，
所述内部排出部包括：
内部导管部，连接于所述基底部，并且与所述内部引导部连通；
内部开闭部，打开或关闭所述内部导管部；
内部马达部，用于启动所述内部开闭部；
内部测量部，安装于所述腔室部，测量所述腔室部的内部压力；以及
内部控制部，接收所述内部测量部的测量信号，以控制所述内部马达部。
4.根据权利要求1所述的基板处理用排气装置，其特征在于，
所述基板处理用排气装置还包括：
外部排气部，配置于所述杯部的外侧，用于排出流体。
5.根据权利要求4所述的基板处理用排气装置，其特征在于，
所述基底部包括：
基底下板部，结合于所述腔室部，并且配置于基底上板部的下方，所述内部排气部安装于所述基底下板部；以及
所述基底上板部，结合于所述腔室部，所述外部排气部安装于所述基底上板部。
6.根据权利要求4所述的基板处理用排气装置，其特征在于，
所述外部排气部包括：
外部吸入部，形成为围绕所述杯部的外侧，存在于所述腔室部与所述杯部之间的流体流入所述外部吸入部；
外部引导部，连接于所述外部吸入部，引导流入所述外部吸入部的流体；以及
外部排出部，与所述外部引导部连通，向外部排出通过所述外部引导部移动的流体。
7.根据权利要求6所述的基板处理用排气装置，其特征在于，
所述外部吸入部包括：
第一外部吸入部，配置为呈环状围绕所述杯部的外侧，并且安装于所述基底部，所述第一外部吸入部的内部形成有流体能够移动的空间；以及
第二外部吸入部，形成于所述第一外部吸入部的外侧，形成流体能够流入的孔。
8.根据权利要求6所述的基板处理用排气装置，其特征在于，
所述外部排出部包括：
第一外部排出部，连接于所述基底部，并且与所述外部引导部连通；
第二外部排出部，与所述第一外部排出部连接，并且左右两侧是敞开的；
第三外部排出部，与所述第二外部排出部连接，向按照各性状分离并排出的分离排出部引导流体；以及
第四外部排出部，形成于所述第三外部排出部，调节流体排出量。
CN202110410487.0A 2020-04-16 2021-04-16 基板处理用排气装置 Pending CN113539890A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200045725A KR20210128067A (ko) 2020-04-16 2020-04-16 기판 처리용 배기장치
KR10-2020-0045725 2020-04-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113539890A true CN113539890A (zh) 2021-10-22

Family

ID=78124329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110410487.0A Pending CN113539890A (zh) 2020-04-16 2021-04-16 基板处理用排气装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20210128067A (zh)
CN (1) CN113539890A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210128067A (ko) 2021-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101779240B1 (ko) 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 폐쇄형 챔버
US5169408A (en) Apparatus for wafer processing with in situ rinse
EP1848024B1 (en) Liquid processing apparatus
KR100855129B1 (ko) 매엽식 기판세정방법
TWI424462B (zh) 基板處理設備及維持該設備的方法
US6680253B2 (en) Apparatus for processing a workpiece
JP5006274B2 (ja) 基板処理装置
KR101619166B1 (ko) 기판의 세정·건조 처리 장치
KR101934661B1 (ko) 기판 처리 장치
EP1234327A1 (en) Reactor for processing a semiconductor wafer
WO2008013118A1 (fr) Dispositif de traitement des liquides et procédé de traitement des liquides
KR20190022357A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US20220163900A1 (en) Apparatus for treating substrate
CN115332110A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN113539890A (zh) 基板处理用排气装置
JP3894141B2 (ja) 塗布装置
KR101053992B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4298840B2 (ja) スピン処理装置およびスピン処理方法
KR20210128519A (ko) 기판 처리용 분리배출장치
JP2022118372A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP3594416B2 (ja) 回転式基板処理装置
JP2001276714A (ja) スピン処理装置
KR20040006789A (ko) 기판을 코팅하기 위한 장치
CN113539888A (zh) 基板处理装置
JP2009071327A (ja) スピン処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination