CN115332110A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：基板保持部，其具备圆盘状的基座构件和多个保持构件，所述基板保持部将基板保持为水平姿势；旋转驱动部，其以使基板保持部绕铅垂轴线旋转的方式对基板保持部进行旋转驱动；处理液喷嘴，其向保持于基板保持部的基板供给处理液；吹扫气体喷嘴，其向形成在保持于基板保持部的基板的下表面与基座构件的上表面之间的基板下方空间内喷出吹扫气体；吹扫气体流量控制设备，其控制从吹扫气体喷嘴喷出的吹扫气体的流量；以及控制部。控制部控制气体流量控制设备的动作，以从吹扫气体喷嘴向基板下方空间内以抵消伴随保持有基板的基板保持部的旋转而在基板下方空间内产生的负压的流量喷出吹扫气体。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在半导体装置的制造中使用一种基板处理装置，该基板处理装置一边使被保持为水平姿势的基板绕铅垂轴旋转，一边对基板的上表面和/或下表面实施清洗处理。在专利文献1中记载有这样的基板处理装置的一例。该基板处理装置设置有圆盘状的旋转基座和设置于旋转基座的周缘部附近的三个以上的基板保持构件。在旋转基座的中央部设置有清洗液供给部和气体喷出口。一边使基板旋转一边由清洗液供给部向基板的下表面中央部供给清洗液，由此进行清洗基板的下表面的清洗处理。之后，停止清洗液的供给并使基板继续旋转，由此进行使基板干燥的干燥处理。
在干燥处理时，从气体喷出口向基板的下方的空间供给气体(非活性气体或干燥空气)，以促进干燥。如果在清洗处理时清洗液进入气体喷出口，则进入的清洗液会在气体的喷出开始时以雾状吹出，从而污染基板。为了防止该情况，在清洗处理时以比干燥处理时小的流量也从气体喷出口吹出气体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-135178号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够削减基板的下表面的微粒的技术。
用于解决问题的方案
根据本公开的一个实施方式，提供了一种基板处理装置，该基板处理装置具备：基板保持部，其具备圆盘状的基座构件和多个保持构件，所述多个保持构件设置于所述基座构件的周缘部，以使基板在所述基座构件的上方与所述基座构件分离的方式保持所述基板，所述基板保持部将所述基板保持为水平姿势；旋转驱动部，其以使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转的方式对所述基板保持部进行旋转驱动；处理液喷嘴，其向保持于所述基板保持部的所述基板供给处理液；液承接杯，其设置于所述基板保持部的周围，用于接住从由所述基板保持部保持并旋转的基板飞散出的处理液；杯排气路，其一端与液承接杯的排气口连接，并且另一端与负压产生源连接，所述杯排气路用于对所述液承接杯内的气氛进行抽吸；吹扫气体喷嘴，其向形成在保持于所述基板保持部的基板的下表面与所述基座构件的上表面之间的基板下方空间内喷出吹扫气体；吹扫气体流量控制设备，其控制从所述吹扫气体喷嘴喷出的吹扫气体的流量；以及控制部，其至少控制所述吹扫气体流量控制设备的动作，其中，所述控制部控制所述吹扫气体流量控制设备的动作，以从所述吹扫气体喷嘴向所述基板下方空间内以抵消伴随保持有所述基板的基板保持部的旋转而在所述基板下方空间内产生的负压的流量喷出吹扫气体。
发明的效果
根据本公开，能够削减基板的下表面的微粒。
附图说明
图1是一个实施方式所涉及的基板处理装置的纵剖侧视图。
图2是基板处理装置中包括的处理单元的纵向概要截面图。
图3是说明与晶圆旋转速度对应的杯排气路内的压力P3的设定的曲线图。
图4是表示调查吹扫气体喷出流量与微粒增量之间的关系所得到的实验结果的曲线图。
图5是表示吹扫气体喷出流量与杯排气路内的压力P3之间的关系的曲线图。
图6是表示在晶圆下方空间设置有压力传感器的实施方式的概要图。
具体实施方式
参照附图来说明基板处理装置的一个实施方式。
图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。下面，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，并将铅垂向上方向设为Z轴正方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3邻接地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置有多个承载件C，该承载件C将多张基板、在本实施方式中为多张半导体晶圆(以下称为晶圆W)以水平状态进行收容。
搬送部12与承载件载置部11邻接地设置，在所述搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心回转，所述基板搬送装置13使用晶圆保持机构来在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。
处理站3与搬送部12邻接地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列地设置在搬送部15的两侧。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够沿水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴为中心回转，所述基板搬送装置17使用晶圆保持机构来在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的搬送。
处理单元16对由基板搬送装置17搬送来的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如为计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读出并执行存储于存储部19的程序来控制基板处理系统1的动作。
此外，该程序也可以记录于计算机可读取的存储介质，从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，并将取出的晶圆W载置于交接部14。由处理站3的基板搬送装置17从交接部14取出被载置于交接部14的晶圆W，并将该晶圆W搬入到处理单元16。
在由处理单元16对被搬入到处理单元16的晶圆W进行了处理之后，由基板搬送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出，并载置于交接部14。然后，由基板搬送装置13将被载置于交接部14的处理完毕的晶圆W返回到承载件载置部11的承载件C。
接着，参照图2来说明处理单元16的结构。
如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持旋转机构30、处理流体供给部40、液承接杯50以及旋转杯60。
腔室20收容基板保持旋转机构30、处理流体供给部40以及液承接杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风扇过滤单元)21。FFU 21用于在腔室20内形成下降流。
基板保持旋转机构30具有基板保持部31和旋转驱动部33。基板保持部31具有：圆盘状的基座板311，其具有比晶圆W稍大的直径；多个吸盘部(保持构件)312，所述多个吸盘部设置于基座板311的周缘部；以及中空的旋转轴313，其从基座板311的下表面中央部向下方延伸。通过由吸盘部312把持晶圆W，来将晶圆W以水平姿势保持于基板保持部31。旋转驱动部33例如包括电动旋转马达，能够使旋转轴313绕铅垂轴线旋转。
基板保持部31还具有基板升降部314。基板升降部314具有与形成于基板保持部31的基座板311的上表面的圆形的凹部嵌合的圆盘体315、从圆盘体315的上表面突出的多个支承销316、以及从圆盘体315的下表面中央部向下方延伸的中空的轴317。基板升降部314的轴317收容于基板保持部31的旋转轴313的内部。
设置有升降机构318以使基板升降部314升降。升降机构318具有例如气缸或滚珠丝杠等直线致动器319、以及借助直线致动器319在上下方向上移动来将轴317的下端向上推的升降构件320。通过升降机构318，能够使圆盘体315在下降位置(图2所示的位置)与上升位置(向上方远离基座板311的位置)之间移动。
基板保持部31的吸盘部312能够通过附设于基座板311的吸盘操作机构来在把持晶圆W的周缘部的把持位置与远离晶圆W的解放位置之间移动。吸盘操作机构例如包括通过被移动到下降位置的圆盘体315按压而动作的连杆机构。吸盘操作机构构成为：在圆盘体315位于下降位置时使吸盘部312位于把持位置，在圆盘体315位于上升位置时使吸盘部312位于解放位置。这样的吸盘操作机构是公知的，省略图示及说明。
至少在圆盘体315位于下降位置时，基座板311与圆盘体315会通过由互补的凹凸(例如设置于圆盘体315的上表面及基座板311的下表面中的一方的突起和设置于另一方的凹部)构成的适当的互锁构造而一体地旋转。
也就是说，基座板311与圆盘体315能够相对地升降，但至少在圆盘体315位于下降位置时基座板311与圆盘体315不能相对旋转，或者基座板311与圆盘体315始终不能相对旋转。也可以是，使基座板311的旋转轴313与圆盘体315的轴317以能够相对地升降且不能相对旋转的方式卡合。
在将晶圆W搬入到处理单元16时，使基板升降部314的圆盘体315位于上升位置。在该状态下，穿过设置于腔室20的侧壁的搬入搬出口(未图示)而进入到腔室20内的基板搬送装置17的臂将晶圆W交接到基板升降部314的支承销316。之后，使圆盘体315下降至下降位置。由伴随该动作而移动到把持位置的吸盘部312来把持晶圆W，并且晶圆W从支承销316稍稍远离。另外，圆盘体315与基板保持部31的基座板311以不能相对旋转的方式卡合。由此，成为晶圆W被基板保持部31牢固地保持的状态。在将晶圆W从处理单元16搬出时，执行与上述相反的过程即可。
在基板升降部314的轴317的内部设置有吹扫气体供给管91(吹扫气体喷嘴)。吹扫气体供给管91的内部作为吹扫气体供给路。在吹扫气体供给管91的上端部设置有用于向晶圆W的下表面(背面)与基座板311及圆盘体315之间的空间喷射吹扫气体的一个以上的吹扫气体喷射孔92。
一个以上的吹扫气体喷射孔92能够包括向正上方喷射吹扫气体的吹扫气体喷射孔、向水平方向喷射吹扫气体的吹扫气体喷射孔以及向斜上方喷射吹扫气体的吹扫气体喷射孔中的至少任一方。在像这样设置多个吹扫气体喷射孔的情况下，也可以是，在吹扫气体供给管91的上端安装形成有多个吹扫气体喷射孔的盖。
吹扫气体供给管91被设置为在基板保持部31的旋转轴313和基板升降部314的轴317旋转时吹扫气体供给管91也能够维持非旋转状态。吹扫气体供给管91被设置为在使基板升降部314的轴317升降时吹扫气体供给管91也不沿上下方向移动。
也可以将轴317内的空洞设为吹扫气体供给路，来代替在轴317内设置吹扫气体供给管91。在该情况下，轴317具有作为吹扫气体喷嘴的作用。另外，在该情况下，例如也能够经由与轴317的下端部连接的旋转接头来向吹扫气体供给路内供给吹扫气体。
吹扫气体供给管91与吹扫气体供给机构94连接。吹扫气体供给机构94具有吹扫气体供给源941(例如作为工厂供给能源(日语：工場用力)的氮气供给源)、与吹扫气体供给管91连接的气体供给路942、以及设置于气体供给路942的开闭阀、流量控制阀、流量计等流量控制设备943。作为吹扫气体，还能够使用干燥空气。
处理流体供给部40用于对晶圆W供给处理流体(处理液、处理气体等)。处理流体供给部40具备用于向保持于基板保持部31并旋转的晶圆W喷出(供给)处理液的多个处理液喷嘴41、42、43。例如从处理液喷嘴41喷出清洗用药液(例如DHF(稀氢氟酸))，从处理液喷嘴42喷出作为冲洗液的DIW(去离子水也就是纯水)，从处理液喷嘴43喷出高挥发性且低表面张力的干燥辅助用的有机溶剂例如IPA(异丙醇)。作为处理液，也可以包括SC-1等碱性药液。处理流体中也可以包含向晶圆W的表面吹送以促进晶圆W的表面的干燥的氮气那样的干燥辅助用的气体。
从未图示的处理液供给机构向各处理液喷嘴(41～43)供给各种处理液(处理流体)，所述处理液供给机构具备与处理液供给源连接并且设置有开闭阀和流量调整阀等流量调整器的处理液供给路。
处理液喷嘴41～43安装于一个以上(在图示例中为一个)的喷嘴臂44。喷嘴臂44能够通过臂驱动机构45进行升降和回转，由此，能够在处理位置(晶圆W的中心部的正上方与晶圆周缘部的正上方之间的任意位置)与液承接杯50的外方的等待位置之间移动。
液承接杯50具有多个杯体，在图示例中具有两个杯体(51、52)，其中的一个杯体(52)可动以进行流路切换。详细地说，液承接杯50具有位于外侧的不动的环状的第一杯体51、位于该第一杯体51的内侧的可升降的环状的第二杯体52、以及进一步位于第二杯体52的内侧的不动的内壁54。
此外，在本说明书中，在记载为“半径方向(径向)”和“圆周方向(周向)”的情况下，除非有特别说明，否则是指以整体上大致形成为旋转体(几何学用语中的旋转体)的液承接杯的中心轴线(其与基板保持部31的旋转中心轴线相同)为中心的半径(或直径)方向及圆周的方向。
在图2的左侧表示处于上升位置的第二杯体52，在图2的右侧表示处于下降位置的第二杯体52。第一杯体51、第二杯体52以及内壁54不旋转。在第一杯体51与第二杯体52之间形成有第一流路501，在第二杯体52与内壁54之间形成有第二流路502。
第二杯体52能够通过在图2中概要性地表示的升降机构52EV进行升降。在第二杯体52处于下降位置时，第一杯体51的伸出部5102与第二杯体52的伸出部5202彼此分离，使第一流路501向晶圆W的周缘的附近开口(参照图2的右半部分)。在第二杯体52处于上升位置时，伸出部5102与伸出部5202彼此接近，使第二流路502向晶圆W的周缘的附近开口(参照图2的左半部分)。
在第一流路501和第二流路502各自的中途设置有弯曲部，通过弯曲部使方向急剧地改变，由此从流过各流路的气液混合流体中分离出液体成分。分离出的液体成分下落到与第一流路501对应的液承接部511以及与第二流路502对应的液承接部512内。液承接部511、512经由各自对应的排液口521、522同与药液的种类(酸性、碱性、有机(在本例中为酸性和有机))相应的工厂的液体排液系统(简单地用箭头表示)连接。
在液承接杯50的底部形成有与第一流路501及第二流路502连通的杯排气口55。杯排气口55与杯排气路56连接。
在腔室20(处理单元16的壳体)的下部且液承接杯50的外部设置有用于对腔室20内的气氛进行排气的腔室排气口57。腔室排气口57与腔室排气路58连接。在腔室排气路58设置有例如由蝶阀59构成的流量控制阀。
腔室排气路58与杯排气路56合流。在合流部的下游侧，在杯排气路56设置有切换阀53。通过对切换阀53进行切换，能够使杯排气口55同与排气的种类相应的工厂排气系统(酸排气系统、碱排气系统、有机排气系统等)连通。工厂排气系统为负压(负压的水平大致维持固定)，因此对与工厂排气系统连通的空间(液承接杯50内的空间、杯排气路56、腔室排气路58等)内的气氛进行抽吸。
能够通过调节腔室排气路58的蝶阀59的开度，来调节杯排气路56与腔室排气路58的排气流量比。当减小蝶阀59的开度时，杯排气路56的排气流量增加，其结果，对液承接杯50内更强地进行抽吸。
也可以仅在杯排气路56设置蝶阀59，还可以在杯排气路56和腔室排气路58双方设置蝶阀59。
旋转杯60安装于基板保持部31的基座板311，与基座板311一起旋转。旋转杯60具有上杯体61和下杯体62。上杯体61和下杯体62通过多个固定构件63(在图2中仅示出一个固定构件63)固定于基座板311，该多个固定构件63沿着圆周方向隔开间隔地安装于基座板311的外周部。
在经由杯排气路56对液承接杯50内进行抽吸时，处于液承接杯50的上部开口的上方的空间内的气体(从FFU喷出的清洁空气)被向液承接杯50内引入。被向液承接杯50内引入的空气的大部分通过上杯体61与下杯体62之间的空间而流入到第一流路501或第二流路502(参照箭头F1)。
另外，当基板保持部31和晶圆W旋转时，处于圆盘状的旋转体(晶圆W、基座板311、圆盘体315等)的表面附近的气体(清洁空气、氮气等)被该旋转体的表面拖拽而向旋转体的外周缘部流动。流过晶圆W的上表面(表面)侧的气体(参照箭头F2)主要通过上杯体61与下杯体62之间的空间而流入到第一流路501或第二流路502。流过晶圆W的下表面(背面)与基座板311及圆盘体315之间的空间(以下，为了简便而称为“晶圆下方空间S0”)的气体(参照箭头F3)主要通过下杯体62与基座板311之间而流入到第一流路501或第二流路502。
此外，关于在本案申请中概要性地示出的液承接杯50和旋转杯60的具体的形状及结构的一例，在与本案申请人的在先专利申请(日本特愿2013-205418号)有关的专利公开公报(日本特开2014-123713号)中详细地进行了说明，因此也对此进行参照。
接着，对在控制装置4的控制下自动地进行的处理单元16的动作简单地进行说明。
由基板搬送装置17将未处理的晶圆W搬入到处理单元16，并将该晶圆W保持于基板保持部31。即，成为图2所示的状态。接着，晶圆W开始旋转。向旋转的晶圆W的表面首先供给药液(例如DHF等酸性药液)来实施药液清洗处理(药液清洗工序)，接着供给冲洗液(例如DIW)来实施冲洗处理(冲洗工序)。
之后，向旋转的晶圆W的表面供给干燥用液(例如IPA)，来将晶圆表面W的冲洗液置换为干燥用液(干燥用液置换工序)。接着，停止干燥用液的供给并继续使晶圆W旋转，由此使晶圆W干燥(干燥工序)。
在执行上述的工序的期间，被供给到晶圆W的表面的处理液(药液、冲洗液、干燥用液等)由于离心力而向晶圆W的外方飞散。飞散出的液成为微小液滴(雾)，漂浮在晶圆W的周围(尤其是晶圆W的周缘部的附近的空间)。当该雾再次附着于晶圆W时，成为微粒的成因。
液承接杯50的内部空间始终经由杯排气路56被抽吸，因此从FFU 21向下流出的清洁气体(清洁空气、清洁干燥空气、或者混合有氮气的清洁空气等)被向液承接杯50内引入，通过晶圆W的周缘部的附近而流入到第一流路501或第二流路502(参照箭头F1)，并经由杯排气口55被从液承接杯50排出。在晶圆W的周缘部附近的空间内漂浮的雾随着上述的清洁气体的流动而流入到第一流路501或第二流路502。在流经第一流路501或第二流路502的中途，雾与清洁气体分离，并经由排液口521或排液口522被从液承接杯50排出。
在此，着眼于晶圆下方空间S0。在晶圆W旋转时，如上所述，晶圆下方空间S0内的气体被晶圆W、基座板311以及圆盘体315的旋转拖拽，而向晶圆下方空间S0的半径方向外侧的空间流动(参照箭头F3)。由于像这样，晶圆下方空间S0内的气体出到外侧，因此晶圆下方空间S0内的压力(以下称为“压力P0”)下降。
将第一流路501中的上杯体61与下杯体62之间的空间的出口附近的区域称为“区域S1”，将区域S1内的压力称为“压力P1”。另外，将第二流路502中的上杯体61与下杯体62之间的空间的出口附近的区域称为“区域S2”，将区域S2内的压力称为“压力P2”。另外，将杯排气路56中的比与腔室排气路58的合流点稍靠上游侧的区域称为“区域S3”，将区域S3内的压力称为“压力P3”。另外，将腔室20内的液承接杯50的外侧且晶圆W的上表面(表面)的上方的空间称为“空间SC”，将空间SC内的压力称为“压力PC”。
在第一流路501的入口开口时，当晶圆下方空间S0内的压力P0低于第一流路501的区域S1的压力P1时，存在于区域S1内的包含处理液的雾的气体的一部分(例如通过下杯体62的外周缘与基座板311的外周缘之间的间隙而)流入到晶圆下方空间S0。流入到晶圆下方空间S0的雾附着于晶圆W的下表面(背面)，成为微粒的成因。因此，期望至少在处理液的雾漂浮于区域S1的期间设为压力P0≥压力P1(以下称为“条件1”)，以防止晶圆W的下表面的污染。
同样，在第二流路502的入口开口时，期望设为压力P0≥压力P2(以下称为“条件1’”)。
另外，当晶圆下方空间S0内的压力P0低于晶圆周缘部的上方的区域SC的压力PC时，存在于区域SC的包含处理液的雾的气体的一部分(例如通过下杯体62的外周缘与晶圆W的外周缘之间的间隙而)流入到晶圆下方空间S0。因而，期望至少在处理液的雾漂浮于区域SC的期间设为压力P0≥压力PC(以下称为“条件2”)，以防止晶圆W的下表面的污染。
但是，不优选的是，为了满足条件1、2而使压力P1、PC降低。晶圆W的周缘部附近的气体的流动(流速、紊流发生状况等)主要是由空间SC内的压力PC与区域S1内的压力P1之差决定的。当区域S1内的气体的流动不适当时，例如有可能从晶圆W脱离的处理液的雾再次附着于晶圆W的表面，而污染最重要的晶圆W的表面。为了使这样的可能性最小化，控制杯排气流量(由此压力P1是决定的)。另外，空间SC内的压力PC虽然由FFU的气体(清洁空气)供给流量和腔室排气流量来决定，但这两个流量通常并不会大幅度地变化，而是维持大致固定。也就是说，压力P1、PC不是仅为了防止晶圆W的下表面的污染而应该大幅度地被变化的值。
此外，在装置的实际运用的一个方式中，通过根据液处理的内容和晶圆W的旋转速度控制腔室排气路58的蝶阀59的开度来控制杯排气流量，以使尤其在晶圆W的附近形成最佳的气流。工厂排气系统的负压维持大致固定，当增大蝶阀59的开度时，腔室排气路58的排气流量增加，另一方面，杯排气路56的排气流量减少，当减小蝶阀59的开度时相反。当减小杯排气流量时，杯排气路56的区域S3的压力P3增高，当增大杯排气流量时，杯排气路56的区域S3的压力P3降低。
图3的曲线图表示装置的实际运用的一例。在图3的曲线图中，横轴是晶圆W的旋转速度(rpm)，纵轴是杯排气路56的区域S3的压力P3。下侧的线表示在液承接杯50内形成有第一流路501时的控制，而且上侧的线表示在液承接杯50内形成有第二流路502时的控制。由于第一流路501的形状与第二流路502的形状互不相同，因此对于所述第一流路501和第二流路502，改变晶圆旋转速度与压力P3(也就是蝶阀59的开度)之间的关系，以形成最佳的晶圆W周缘部附近的气流。
此外，在所使用的处理液为药液的情况下和为冲洗液的情况下，也可以变更压力P3(即杯排气流量)。是因为，药液的雾再次附着于晶圆W的情况下的不良影响比冲洗液的雾再次附着于晶圆W的情况下的不良影响大。
图3的曲线图所示的关系是没有来自吹扫气体供给管91的气体喷出的状态下的关系。此外，当使晶圆W旋转时，会因上述的气流F2、F3的影响而向第一流路501或第二流路502推进气体，因此当晶圆W转速增大时，杯排气路56的区域S3的压力P3增大。图3的曲线图所示的压力P3的值是也包括该影响的值。
已经确认存在以下关系：在使蝶阀59的开度固定的情况下，当杯排气路56的区域S3的压力P3上升(下降)时，第一流路501的区域S1的压力P1也上升(下降)(存在正相关)，压力P3和压力P1的变化趋势也类似，压力P3高于压力P1。由于液承接杯50的结构上的原因，难以直接测定压力P1。因此，在以下的说明中，将由设置于杯排气路56的压力传感器测定出的压力P3用作压力P1的指标(是否有气体从第一流路501向晶圆下方空间S0流入的指标)。此外，在第二流路502开口的情况下，压力P3与压力P2的关系也可以说是相同的。
在此，返回到防止包含处理液的雾的气体到晶圆下方空间S0的说明。由于如上所述不优选为了满足条件1(或者条件1’)和条件2而使压力P1(或者压力P2)、PC下降(变化)，因而优选通过增大晶圆下方空间S0内的压力P0，来满足上述条件1(或者条件1’)、条件2。因此，使从吹扫气体供给管91向晶圆下方空间S0内喷出的气体的流量增大即可。
但是，还要考虑到以下情况：当使来自吹扫气体供给管91的气体的喷出流量过度地增大时，有可能晶圆W的被气体碰撞的部分的温度下降，而会损害晶圆W的温度的面内均匀性。
接着，对调查在晶圆W的背面产生的微粒的量所得到的实验结果进行说明，该晶圆W是晶圆W的表面被以改变来自吹扫气体供给管91的气体的喷出流量(以下为了简便也称为“吹扫气体喷出流量B”)的方式进行了液处理时的晶圆。将晶圆W的旋转速度(以下为了简便也称为“晶圆旋转速度R”)设为了1000rpm和1500rpm。在该实验中，以在吹扫气体喷出流量B为零时实现图3的曲线图所示的排气路56的区域S3的压力P3的方式设定了与晶圆旋转速度R为1000rpm及1500rpm分别对应的蝶阀59的开度。也就是说，使得晶圆旋转速度R为1000rpm时的压力P3为59kPa，晶圆旋转速度R为1500rpm时的压力P3为71kPa。此外，蝶阀59的开度维持了吹扫气体喷出流量B为零时的开度(也就是说，蝶阀59的开度未根据吹扫气体喷出流量B的变化而变更)。
在图4的曲线图中表示在液承接杯50内形成有第二流路502的状态下进行的实验的结果。在图4的曲线图中，横轴是吹扫气体喷出流量B(L/min)，纵轴是从液处理后的40nm以上的大小的微粒的数量减去液处理前的40nm以上的大小的微粒的数量所得到的数值、也就是微粒数增量(ΔN)(Adder Particle Counts)。○(空心圆)的绘制线表示晶圆旋转速度为1000rpm时的数据，●(黑圆)的绘制线表示晶圆旋转速度为1500rpm时的数据。
在晶圆旋转速度R为1000rpm的情况下，微粒数增量(ΔN)伴随吹扫气体喷出流量B的增大而减少(由于晶圆下方空间S0内的压力P0增大)，在吹扫气体喷出流量B为40L/min时，微粒数增量(ΔN)减少至不产生问题的水平。也就是说，此时能够视为由供给到晶圆下方空间S0的吹扫气体抵消了由于晶圆W的旋转而在晶圆下方空间S0产生的负压。
此外，如上所述，如果晶圆旋转速度R固定，则无论吹扫气体喷出流量B大小，均将蝶阀59的开度维持固定，因此，来自吹扫气体供给管91的气体的喷出流量的增大引起向第一流路501的气体流入量的增大，伴随于此，杯排气路56的区域S3的压力P3也增大。吹扫气体喷出流量B为0L/min(无喷出)时的压力P3是59kPa，吹扫气体喷出流量B为40L/min时的压力P3是62kPa。能够将两者之差(59kPa-62kPa＝-3kPa)用作表示晶圆旋转速度为1000rpm的情况下的晶圆下方空间S0内的减压状态的指标(ΔP)。
在图5中表示了在液承接杯50内形成有第一流路501的情况和形成有第二流路502的情况的各情况下进行了与上述同样的实验时的、晶圆旋转速度R为1000rpm时的吹扫气体喷出流量B与压力P3之间的关系。可知：无论在哪种情况下，压力P3均伴随吹扫气体喷出流量B的增大而大致线性地增大。
接着，对晶圆旋转速度为1500rpm时的情况进行说明。在该情况下，也以使吹扫气体喷出流量B为0L/min(无喷出)时的杯排气路56的区域S3的压力P3为依据图3的曲线图的值(71kPa)的方式控制了蝶阀59的开度。另外，在液承接杯50内形成了第二流路502。在该情况下，如图4的曲线图所示，当气体喷出流量达到70L/min时，微粒数增量减少至不产生问题的水平，此时的压力P3为76kPa。根据该结果，表示晶圆旋转速度为1500rpm的情况下的晶圆下方空间S0内的减压状态的指标(ΔP)的值为71kPa-76kPa＝-5kPa。
根据上述的实验结果可知：晶圆旋转速度R高的晶圆下方空间S0内的减压程度大，从而为了消除减压(即，为了防止处理液的雾侵入到晶圆下方空间S0内)所需的吹扫气体喷出流量B大。如上所述，当使吹扫气体喷出流量B过大时，损害晶圆W的面内温度均匀性的可能性高。因此，优选的是，以使晶圆下方空间S0内的压力满足处理液的雾不会侵入到晶圆下方空间S0内的条件所需的最小限度的吹扫气体喷出流量B(也可以以比该最小限度的吹扫气体喷出流量B稍大的流量)喷出气体。
基于上述的说明，对处理单元16中的吹扫气体喷出流量B的控制方法的几个具体例进行说明。以下说明的控制例如能够在控制装置4(参照图1)的控制下进行。控制程序和处理制程等能够预先存储于存储部19。
<第一控制方法>
在处理制程的各时间区间中，通过实验来预先决定出吹扫气体喷出流量B。在处理条件不同的全部的时间区间中，通过进行与先前参照图4说明的实验同样的实验，来求出使微粒增量(ΔN)不会成为问题的吹扫气体喷出流量B(优选其最小值)。然后，将求出的吹扫气体喷出流量B记载于处理制程的各时间区间。控制装置4控制吹扫气体供给机构94，以实现存储于存储部19的处理制程中所记载的吹扫气体喷出流量B。
此外，针对虽然处理条件稍微不同但类似的多个时间区间，也可以基于针对作为代表的时间区间进行的实验来决定其它时间区间的吹扫气体喷出流量B，来代替在处理条件不同的全部的时间区间中通过实验求出吹扫气体喷出流量B。例如，对于粘性等特性(与雾形成有关的特性)的差异不大的不同的两种药液，可以将与一方的药液相关联地决定出的吹扫气体喷出流量B沿用于另一方的药液。
<第二控制方法>
也可以设为，基于预先通过实验求出的表(关系表)或函数，通过计算求出吹扫气体喷出流量B，并由控制装置4控制吹扫气体供给机构94，以实现通过计算求出的吹扫气体喷出流量B。也就是说，在该情况下，在处理制程中未记载吹扫气体喷出流量B。
作为对能够决定包含雾的气体是否能够侵入到晶圆下方空间S0的处理单元的运转条件进行定义的参数(除吹扫气体喷出流量B以外)，例示出下述参数。
(1)所使用的液承接杯50内的流路(第一流路501或第二流路502)(这例如能够通过可升降的第二杯体52的高度位置信息来表示)
(2)晶圆W(基板保持部31)的旋转速度
(3)杯排气流量(蝶阀59的设定开度)
(4)从喷嘴41～43喷出的处理液的种类(也包括温度)
(5)从喷嘴41～43喷出的处理液在晶圆W表面的落液点的位置(也包括喷嘴扫描的情况)(这例如能够通过喷嘴位置信息来表示)
(6)来自喷嘴的处理液的喷出流量
(7)来自FFU的气体(例如清洁空气)的供给流量
(8)腔室20内的压力SC(能够设置压力传感器来测量该压力SC)
(9)压力P3
此外，上述的参数不是完全独立的，也存在具有相关关系的参数，因此也能够省略一部分参数。例如，腔室内压力SC本质上由来自FFU的气体供给流量决定，因此能够省略(6)、(7)中的任一方。
在控制装置4的存储部19中预先保存表示上述参数(1)～(9)中的至少几个参数(例如参数(1)～(4))与应该采用的吹扫气体喷出流量B之间的关系的表或函数。控制装置4读出存储于存储部19的处理制程中记载的上述参数中的至少几个参数的值，并将该值应用于上述表或函数，由此求出吹扫气体喷出流量B。然后，控制装置4控制吹扫气体供给机构94，以实现所求出的吹扫气体喷出流量B。
<第三控制方法>
如图6概要性地表示的那样，也可以在晶圆下方空间S0内设置直接地测定晶圆下方空间S0内的压力P0的压力传感器95。压力传感器95的检测信号被输出到信号线96。信号线96能够穿过插入有吹扫气体供给管91的旋转轴313的空洞内而引出。信号线96例如能够输入到控制装置4。
可以用刚性足够高的粗的包覆电线来形成信号线96，以将压力传感器95和信号线96配置为不与旋转轴313直接接触且不与基座板311及圆盘体315接触。或者，也可以将信号线96收容于刚性高的护套(未图示)的内部。也可以通过使这样的护套的内部空间与大气压的空间连通来向压力传感器95供给基准大气压，以由压力传感器95测定计示压(日语：ゲージ圧)。
在晶圆下方空间S0内设置有压力传感器95的情况下，例如能够进行以下这样的运用。
<运用例1>
在处理制程的各时间区间中，进行与一边使吹扫气体喷出流量B变化一边执行以得到图4的曲线图的实验同样的实验，预先求出压力传感器95的检测值与微粒增量(ΔN)之间的关系。然后，基于该关系，针对每个处理条件求出使微粒增量(ΔN)不会成为问题的压力传感器95的检测值(优选为最小值)。然后，将求出的压力传感器95的检测值记载于处理制程的各时间区间。控制装置4对吹扫气体供给机构94进行反馈控制，以实现记载在存储于存储部19的处理制程中的压力传感器95的检测值。
<运用例2>
如图5的曲线图所示，吹扫气体喷出流量B与压力P3之间存在相关关系。明确的是，吹扫气体喷出流量B与晶圆下方空间S0内的压力P0之间存在正相关关系，另外，如上所述，压力P3与压力P1(或者压力P2)之间存在正相关关系。压力P0≥压力P1(条件1)是用于使微粒增量(ΔN)不会成为问题的一个条件。因此，首先，基于压力P3与压力P1之间的已知的关系，根据实际地测定出的压力P3来计算压力P1的估计值。然后，也可以对吹扫气体供给机构94进行反馈控制，以使该压力P1的估计值与由压力传感器95直接测定出的压力P0满足上述的条件1。在需要还满足上述的条件2(压力P0≥压力PC)的情况下，也能够按照同样的思考方式对吹扫气体供给机构94进行反馈控制。
在上述的情况下，需要设置实际地测定压力P3的压力传感器(未图示)和实际地测定压力P0的压力传感器(未图示)。此外，如果需要同时满足条件1和条件2，则能够对吹扫气体供给机构94进行反馈控制，以使满足压力P0为将压力P1与压力PC比较较大的一方的压力(P1或PC)以上这个条件。
应当认为，本次公开的实施方式的所有点均是例示性的而非限制性的。也可以不脱离所附的权利要求书及其主旨地将上述的实施方式以各种方式进行省略、置换、变更。
另外，在基板的下表面(背面)的周缘部成为处理对象的液处理中，也能够通过使用在上述的实施方式中所说明的技术来减少基板的下表面的中央部的微粒。在像这样从喷嘴向基板的下表面的至少周缘部供给处理液的情况下，优选的是，吹扫气体供给管91喷出始终少量的吹扫气体，以防止处理液侵入到轴317内或者吹扫气体供给管91内。
基板并不限定于半导体晶圆，也可以是由玻璃、陶瓷等其它材料构成的基板。
附图标记说明
W：基板(半导体晶圆)；4：控制部(控制装置)；31：基板保持部；311：基座构件(基座板)；312：保持构件(吸盘部)；33：旋转驱动部；41～43：处理液喷嘴；50：液承接杯；55：排气路(杯排气路)；91：吹扫气体喷嘴(吹扫气体供给管)；943：吹扫气体流量控制设备。

Claims (7)

1.一种基板处理装置，具备：
基板保持部，其具备圆盘状的基座构件和多个保持构件，所述多个保持构件设置于所述基座构件的周缘部，以使基板在所述基座构件的上方与所述基座构件分离的方式保持所述基板，所述基板保持部将所述基板保持为水平姿势；
旋转驱动部，其以使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转的方式对所述基板保持部进行旋转驱动；
处理液喷嘴，其向保持于所述基板保持部的所述基板供给处理液；
液承接杯，其设置于所述基板保持部的周围，用于接住从由所述基板保持部保持并旋转的基板飞散出的处理液；
杯排气路，其一端与液承接杯的排气口连接，并且另一端与负压产生源连接，所述杯排气路用于对所述液承接杯内的气氛进行抽吸；
吹扫气体喷嘴，其向形成在保持于所述基板保持部的基板的下表面与所述基座构件的上表面之间的基板下方空间内喷出吹扫气体；
吹扫气体流量控制设备，其控制从所述吹扫气体喷嘴喷出的吹扫气体的流量；以及
控制部，其至少控制所述吹扫气体流量控制设备的动作，
其中，所述控制部控制所述吹扫气体流量控制设备的动作，以从所述吹扫气体喷嘴向所述基板下方空间内以抵消在所述基板下方空间内产生的负压的流量喷出吹扫气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部控制所述吹扫气体流量控制设备，以从所述吹扫气体喷嘴以预先定义于处理制程的流量喷出吹扫气体，所述处理制程存储于所述控制部。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部存储表或函数，该表或函数表示预先定义于处理制程的除所述吹扫气体的流量以外的至少一个处理参数与实现所述负压的抵消所需的吹扫气体的流量之间的关系，
所述至少一个处理参数至少包括所述基板保持部的旋转速度，
所述控制部基于所述表或所述函数来决定所述吹扫气体的流量，并控制所述吹扫气体流量控制设备，以从所述吹扫气体喷嘴以决定出的吹扫气体的流量喷出吹扫气体。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述至少一个处理参数还包括经由所述杯排气路排出的排气的流量、所述杯排气路内的压力以及决定所述排气的流量的阀的开度中的至少一方。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液承接杯构成为在其内部形成有可切换的至少两个系统的流路，
所述至少一个处理参数还包括决定正在使用的流路的参数。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备检测所述基板下方空间内的压力的压力传感器，所述控制部至少基于所述压力传感器的检测压力来决定能够抵消在所述基板下方空间内产生的所述负压的所述吹扫气体的流量，并控制所述吹扫气体流量控制设备，以从所述吹扫气体喷嘴以决定出的吹扫气体的流量喷出吹扫气体。
7.一种基板处理方法，是在基板处理装置中执行的基板处理方法，
所述基板处理装置具备：基板保持部，其具备圆盘状的基座构件和多个保持构件，所述多个保持构件设置于所述基座构件的周缘部，以使基板在所述基座构件的上方与所述基座构件分离的方式保持所述基板，所述基板保持部将所述基板保持为水平姿势；
旋转驱动部，其以使所述基板保持部绕铅垂轴线旋转的方式对所述基板保持部进行旋转驱动；
处理液喷嘴，其向保持于所述基板保持部的所述基板供给处理液；
液承接杯，其设置于所述基板保持部的周围，用于接住从由所述基板保持部保持并旋转的基板飞散出的处理液；
杯排气路，其一端与液承接杯的排气口连接，并且另一端与负压产生源连接，所述杯排气路用于对所述液承接杯内的气氛进行抽吸；
吹扫气体喷嘴，其向形成在保持于所述基板保持部的基板的下表面与所述基座构件的上表面之间的基板下方空间内喷出吹扫气体；以及
吹扫气体流量控制设备，其控制从所述吹扫气体喷嘴喷出的吹扫气体的流量，
所述基板处理方法包括：
使由所述基板保持部保持的基板绕铅垂轴线旋转；
向正在旋转的基板供给处理液；
经由所述杯排气路对所述液承接杯内进行抽吸，由此使处于所述基板的上方的气体穿过所述基板的周缘部的附近而流入到所述液承接杯内；以及
从所述吹扫气体喷嘴向所述基板下方空间内以抵消伴随保持有所述基板的基板保持部的旋转而在所述基板下方空间内产生的负压的流量喷出吹扫气体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0945611A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板塗布装置
JPH10135178A (ja) 1996-10-25 1998-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6177133B1 (en) * 1997-12-10 2001-01-23 Silicon Valley Group, Inc. Method and apparatus for adaptive process control of critical dimensions during spin coating process
JP2000334395A (ja) * 1999-05-31 2000-12-05 Ebara Corp 洗浄装置
JP4937772B2 (ja) * 2007-01-22 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
JP6113960B2 (ja) * 2012-02-21 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP6005604B2 (ja) * 2012-09-13 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP6145334B2 (ja) * 2013-06-28 2017-06-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置
KR102245294B1 (ko) * 2019-06-21 2021-04-28 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치

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