KR980005777A - 측면 홀을 갖는 케미컬 베스 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 측면 홀들을 갖는 케미컬 배스는 오버 플로우 타입 케미컬 배스의내측 배스의케미컬에 담겨지는 웨이퍼들의 배치 위치에 따른 상기 웨이퍼들 위의 절연층의 식각율 차이를 감소시키기 위하여 내측 배스의 상단부로부터 소정의 거리를 두고 내측 배스의 측면을 따라 홀들을 형성한다. 내측 배스 의주입관을 통하여 케미컬이 소정의 유량으로 공급되면, 내측 배스의 상단부를 오버 플로우함과 아울러 홀들을 통하여 외측 배스의배출관 으로 흐르므로 내측 배스의 대향하는 양측면중 일측면이 소정의 거리 이상으로 기울어지지 않는 내측 배스의 케미컬이 내측 배스의 양측면의 홀들을 통하여 계속 흘러 내측 배스의 양측면으로 각각 흐르는 케미컬 양의 차이가 크게 감소된다. 따라서, 내측 배스의 케미컬에 담겨진 웨이퍼들의 배치 위치에 따른 췌이퍼 위의 절연층의 식각율 차이가 감소되어 에칭 공정의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

Description

측면 홀을 갖는 케미컬 베스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 측면 홀을 갖는 케미컬 배스의 구조를 나타낸 절개 사시도.

Claims (8)

  1. 주입관을 통하여 공급되는 케미컬이 담겨지는 내측 배스와, 상기 내측 배스로부터 흐르는 상기 케미컬을 배출관으로 배출하는 외척 배스를 갖는 케미컬 배스에 있어서, 상기 내측 배스의 각 측면을 따라 상기 각 측면의 소정의 지점에 위치하도록 복수 개의 홀들이 형성되어 상기 내측 배스의 케미컬이 상기 내측 배스의 각 측면 상단부를 오버플로우함과 아울러 상기 홀들을 통하여여상기 외측 배스로 흐르는 것을 특징으로 하는 측면 홀을 갖는 케미컬 배스.
  2. 제1항에 있어서, 상기홀들이 상기 내측 배스의 대향하는 양측면에 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 측면 홀을 갖는 케미컬 배스.
  3. 제1항에 또는 제2항에 있어서, 상게 홀들이 상기 내측 배스의 상단부와 상기 내측 배스의 케미컬에 담겨지는 기판들의 상측부 사이의 지점에 위치하는 것을 특징으로 하는 측면 홀을 갖는 케미컬 배스.
  4. 제3항에 있어서, 상기 홀들이 상기 내측 배스의 상단부로무터 하측으로 2cm이내의 지점에 위치하는 것을 특징으로 하는 측면 홀을 갖는 케미컬 배스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 홀들이 상기내측 배스의 상단부로부터 하측으로 1cm의 지점에 위치하는 것을 특징으로 하는 측면 홀을 갖는 케미컬 배스.
  6. 제3항에 있어서, 상기 홀들이 3-5mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 측면홀을 갖는 케미컬 배스.
  7. 제3항에 있어서, 상기 홀들이 4mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 측면홀을 갖는 케미컬 배스.
  8. 제3항에 있어서, 상기 홀들이 원형인 것을 특징으로 하는 측면 홀을 갖는 케미컬 배스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960019976A 1996-06-05 1996-06-05 식각량 조절수단을 갖는 케미컬 배스 유니트 KR100232998B1 (ko)

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CN97104711A CN1167337A (zh) 1996-06-05 1997-02-24 化学腐蚀槽
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020054397A (ko) * 2000-12-28 2002-07-08 고미야 히로요시 반도체 기판의 건조 장치, 건조 방법 및 반도체 장치
KR100687011B1 (ko) * 2006-01-13 2007-02-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6307240B1 (en) 2000-12-22 2001-10-23 Visteon Global Technologies, Inc. Pulsed etching manufacturing method and system
JP2007531357A (ja) * 2004-02-27 2007-11-01 ジョージア テック リサーチ コーポレイション ハーモニックｃｍｕｔ素子及び製造方法
US7730898B2 (en) 2005-03-01 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer lifter
CN100501936C (zh) * 2007-03-23 2009-06-17 厦门大学 P型硅表面微结构的电化学加工方法
CN102496560A (zh) * 2011-11-29 2012-06-13 上海宏力半导体制造有限公司 湿法刻蚀清洗设备以及湿法刻蚀清洗方法
US11532493B2 (en) * 2018-07-30 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet bench and chemical treatment method using the same
CN112945782B (zh) * 2021-02-08 2023-03-28 中国矿业大学(北京) 一种磨料-滑动-电化学腐蚀多功能摩擦磨损试验机

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3411999A (en) * 1965-12-10 1968-11-19 Value Engineering Company Method of etching refractory metal based materials uniformly along a surface
US3699785A (en) * 1971-03-10 1972-10-24 Gen Electric Additive dispensing arrangement
US3869313A (en) * 1973-05-21 1975-03-04 Allied Chem Apparatus for automatic chemical processing of workpieces, especially semi-conductors
US3863467A (en) * 1973-06-04 1975-02-04 Whirlpool Co Automatic washing machine and overflow tub ring therefor
CA1027465A (en) * 1973-12-19 1978-03-07 Robert J. Walsh Processing of semiconductor wafers
US4350553A (en) * 1981-07-27 1982-09-21 Mendes Paul V Acid bath apparatus
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置
US4578137A (en) * 1984-01-23 1986-03-25 Wafab, Inc. Chemical bath apparatus and support assembly
JPS6436031U (ko) * 1987-08-27 1989-03-06
JPH0173929U (ko) * 1987-11-06 1989-05-18
US5370741A (en) * 1990-05-15 1994-12-06 Semitool, Inc. Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous chemical vapors
US5089084A (en) * 1990-12-03 1992-02-18 Micron Technology, Inc. Hydrofluoric acid etcher and cascade rinser
US5054519A (en) * 1990-12-26 1991-10-08 Imtec Products, Inc. Recirculating chemical bath with inflow and self balancing outflow
US5407869A (en) * 1991-11-06 1995-04-18 University Of Florida Method of passivating group III-V surfaces
US5282923A (en) * 1992-08-13 1994-02-01 Vlsi Technology, Inc. Liquid agitation and purification system
US5364494A (en) * 1993-11-29 1994-11-15 Universal Engraving, Inc. Metal die acid etch apparatus and process
US5591139A (en) * 1994-06-06 1997-01-07 The Regents Of The University Of California IC-processed microneedles
US5695661A (en) * 1995-06-07 1997-12-09 Micron Display Technology, Inc. Silicon dioxide etch process which protects metal

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020054397A (ko) * 2000-12-28 2002-07-08 고미야 히로요시 반도체 기판의 건조 장치, 건조 방법 및 반도체 장치
KR100687011B1 (ko) * 2006-01-13 2007-02-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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