JPH0254528A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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Publication number
JPH0254528A
JPH0254528A JP20535388A JP20535388A JPH0254528A JP H0254528 A JPH0254528 A JP H0254528A JP 20535388 A JP20535388 A JP 20535388A JP 20535388 A JP20535388 A JP 20535388A JP H0254528 A JPH0254528 A JP H0254528A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inner tank
inner vessel
tank
holes
base
Prior art date
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Pending
Application number
JP20535388A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Sakanishi
坂西 優治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
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Publication of JPH0254528A publication Critical patent/JPH0254528A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置、特に半導体ウェーへの
洗浄やエツチングを行う装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造には半導体ウェーハのエツチングと洗
浄が何回も行われ、このための専用装置が作られている
第2図は従来の半導体ウェーハ洗浄装置の一例の断面図
である。
洗浄装置は、外槽1の内側に内槽2が設けられ、内槽2
に給水管3が、外槽1に排水管4がそれぞれ設けられて
いる。半導体ウェーハ5はウェーハ立て6に載置され、
ウェーハ立て6と共に内槽2内に載置される。給水管3
から内槽2に純水を供給して半導体ウェーハ5を洗浄し
、内槽2より溢れた純水は内槽2と外槽1との間に流れ
出し、排水管4から排出される。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した洗浄装置においては、半導体ウェーハから離脱
したごみのうち、相対的に軽くて浮上り易いごみは流水
と共に排出されるが、相対的に重く、上部へ浮上りにく
いごみは内槽内の中間あるいは底部近傍に停留して内槽
外へ排出されにくいという問題がある。また、流水に生
ずる渦流、乱流によって軽いごみも再び水中に巻きこま
れることもあり、半導体ウェーハを槽外へ出す際にウェ
ーハ表面にごみが再び付着し、歩留りを低下させる。原
因となるという問題があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、外槽内に内槽が設けられ、前記内槽底部に給
液管が設けられ、前記外槽と内槽との間の底部に排液管
が設けられ、前記内槽内に載置された半導体ウェーハを
エツチングあるいは洗浄する半導体装置の製造装置にお
いて、前記内槽側壁に複数の孔を設けたものである。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
この実施例においては、内槽2の側壁に側壁孔7を複数
個あける。これ以外は第2図に示した従来例と同じであ
る。
給水管3より供給される洗浄液は内槽2の上部より溢れ
出るが、側壁孔7よりも流出する。このため、洗浄液の
中間または底部近傍に停留していなごみは主として側壁
孔7から排出されることになる。相対的に軽くて浮上る
ごみは従来と同様に内槽2の上部から流れ出る。
上記実施例では、純水洗浄の例で説明したが、エツチン
グなどでも同様であることはもちろんである。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明は、側面部に設けた開孔部よ
り内槽の中間部や底部近傍に停留しているごみの排出を
行なう事ができ、従って半導体ウェーハへのごみの付着
を低減させ、半導体装置製造における歩留りを向上させ
ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は従来の半
導体ウェーハ洗浄装置の一例の断面図である。 1・・・外槽、2・・・内槽、3・・・給水管、4・・
・排水管、5・・・半導体ウェーハ、6・・・ウェーハ
立て、7・・・側壁孔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 外槽内に内槽が設けられ、前記内槽底部に給液管が設け
    られ、前記外槽と内槽との間の底部に排液管が設けられ
    、前記内槽内に載置された半導体ウェーハをエッチング
    あるいは洗浄する半導体装置の製造装置において、前記
    内槽側壁に複数の孔を設けたことを特徴とする半導体装
    置の製造装置。
JP20535388A 1988-08-17 1988-08-17 半導体装置の製造装置 Pending JPH0254528A (ja)

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JP20535388A JPH0254528A (ja) 1988-08-17 1988-08-17 半導体装置の製造装置

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JPH0254528A true JPH0254528A (ja) 1990-02-23

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273077A (ja) * 1994-03-28 1995-10-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハのリンス方法及びリンス装置
JPH09321017A (ja) * 1996-03-13 1997-12-12 Lg Semicon Co Ltd ウェーハ湿式処理装置
WO2021132443A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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