JPH09321015A - 半導体の洗浄装置 - Google Patents
半導体の洗浄装置Info
- Publication number
- JPH09321015A JPH09321015A JP13474696A JP13474696A JPH09321015A JP H09321015 A JPH09321015 A JP H09321015A JP 13474696 A JP13474696 A JP 13474696A JP 13474696 A JP13474696 A JP 13474696A JP H09321015 A JPH09321015 A JP H09321015A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water supply
- water
- tank
- inner tank
- supply opening
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体の洗浄装置において、給水のために洗
浄槽の底部に堆積するシリコン片をかくはんして半導体
ウェーハ上にパーティクルを付着させる問題があった。 【解決手段】 洗浄槽を外槽と内槽の二重槽構造にし、
外槽と内槽を仕切板で分離し、内槽の壁に給水開口部を
設けて、パーティクルの付着を低減させた。
浄槽の底部に堆積するシリコン片をかくはんして半導体
ウェーハ上にパーティクルを付着させる問題があった。 【解決手段】 洗浄槽を外槽と内槽の二重槽構造にし、
外槽と内槽を仕切板で分離し、内槽の壁に給水開口部を
設けて、パーティクルの付着を低減させた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の洗浄装置に
関するもので、特にその洗浄槽の改良に係るものであ
る。
関するもので、特にその洗浄槽の改良に係るものであ
る。
【0002】
【従来の技術】半導体、特にシリコンウェーハ表面に付
着した汚染物は半導体装置の電気的特性に悪影響を与え
るため、各種の洗浄が行なわれる。
着した汚染物は半導体装置の電気的特性に悪影響を与え
るため、各種の洗浄が行なわれる。
【0003】純水による洗浄装置の洗浄槽は単槽や二重
槽の石英製のものが使用されるが、図6及び図7に従来
の洗浄槽を示したように、純水1は洗浄槽2の下部に設
けた給水パイプ3の1個所から供給され、ウェーハを洗
浄しながら排水パイプ4から排水される構造になってい
る。
槽の石英製のものが使用されるが、図6及び図7に従来
の洗浄槽を示したように、純水1は洗浄槽2の下部に設
けた給水パイプ3の1個所から供給され、ウェーハを洗
浄しながら排水パイプ4から排水される構造になってい
る。
【0004】図7の例は更に洗浄槽2の両端に有機材料
製のノズルシャワー5による給水を加えたものである。
製のノズルシャワー5による給水を加えたものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、洗浄装
置としては、ウェーハの洗浄処理能力のうえから、純水
の供給流量は約2l/min以上必要であるが、従来の
装置では給水パイプから直接洗浄槽へ給水するため、前
記の流量を確保するのに相当の流速で給水しなければな
らず、洗浄槽の底部に堆積するシリコン片をかくはんし
て巻き上げ、ウェーハ上へパーティクルを付着させる問
題があった。
置としては、ウェーハの洗浄処理能力のうえから、純水
の供給流量は約2l/min以上必要であるが、従来の
装置では給水パイプから直接洗浄槽へ給水するため、前
記の流量を確保するのに相当の流速で給水しなければな
らず、洗浄槽の底部に堆積するシリコン片をかくはんし
て巻き上げ、ウェーハ上へパーティクルを付着させる問
題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は課題を解決する
ために、洗浄槽を外槽と内槽の二重槽構造にし、外槽と
内槽を仕切板で分離し、内槽の壁に給水開口部を設け
て、必要な流量は確保しながらウェーハ上へのパーティ
クルの付着を低減させている。
ために、洗浄槽を外槽と内槽の二重槽構造にし、外槽と
内槽を仕切板で分離し、内槽の壁に給水開口部を設け
て、必要な流量は確保しながらウェーハ上へのパーティ
クルの付着を低減させている。
【0007】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施形態を示す斜
視図で、図6及び図7と同じものには同じ符号を付して
ある。洗浄槽としては、主に石英材で作られた外槽6と
内槽7とから成る二重槽構造に構成している。外槽6と
内槽7は仕切板8によって分離され、それらによって純
水が入る間隙部分が形成されている。
視図で、図6及び図7と同じものには同じ符号を付して
ある。洗浄槽としては、主に石英材で作られた外槽6と
内槽7とから成る二重槽構造に構成している。外槽6と
内槽7は仕切板8によって分離され、それらによって純
水が入る間隙部分が形成されている。
【0008】外槽6の下部には1本の給水パイプ3が設
けられている。内槽7の壁には給水開口部9が仕切板8
より低い位置で給水パイプ3より高い位置に設けられ、
底部10には排水パイプ4が設けられている。
けられている。内槽7の壁には給水開口部9が仕切板8
より低い位置で給水パイプ3より高い位置に設けられ、
底部10には排水パイプ4が設けられている。
【0009】給水開口部9は図1では1個所のみ表示し
てあるが、直方体状に構成された内槽7の4つの壁にそ
れぞれ設けた例で説明する。
てあるが、直方体状に構成された内槽7の4つの壁にそ
れぞれ設けた例で説明する。
【0010】図2は図1におけるA−A断面図で、説明
用に簡略に表示してある。給水開口部9は内槽7の壁に
台形の窓を開けることにより形成されている。底部10
は中央部にある排水パイプ4の方向に下降傾斜してい
る。
用に簡略に表示してある。給水開口部9は内槽7の壁に
台形の窓を開けることにより形成されている。底部10
は中央部にある排水パイプ4の方向に下降傾斜してい
る。
【0011】ここで給水作用について説明する。純水1
が給水パイプ3を通して前記した必要流量供給され始め
ると、初期の段階では純水は、内槽7の壁にぶつかり、
内槽7の給水開口部9が仕切板8より低く給水パイプ3
より高い位置にあるので、外槽6と内槽7と仕切板8と
で形成された間隙を満たし、給水開口部から溢れるよう
に内槽7の内側の壁面に沿って給水される。
が給水パイプ3を通して前記した必要流量供給され始め
ると、初期の段階では純水は、内槽7の壁にぶつかり、
内槽7の給水開口部9が仕切板8より低く給水パイプ3
より高い位置にあるので、外槽6と内槽7と仕切板8と
で形成された間隙を満たし、給水開口部から溢れるよう
に内槽7の内側の壁面に沿って給水される。
【0012】即ち、図2に示すように純水1は給水パイ
プ3からの方向に供給され、給水開口部9の底辺にく
ると、の方向に供給される。
プ3からの方向に供給され、給水開口部9の底辺にく
ると、の方向に供給される。
【0013】給水開口部9は内槽7の壁に4個所設けら
れているため、その断面積の合計を給水パイプ3の断面
積より数倍から数十倍にすることは容易にできる。従っ
て、必要流量を確保し、内槽7を満水にする時間を遅ら
せることなく、供給流速を遅くすることができる。
れているため、その断面積の合計を給水パイプ3の断面
積より数倍から数十倍にすることは容易にできる。従っ
て、必要流量を確保し、内槽7を満水にする時間を遅ら
せることなく、供給流速を遅くすることができる。
【0014】また、給水開口部9の形状を台形にしてい
るので、水位が低く台形の底辺の近くの場合には流速は
遅く、水位が上ると台形の性質上開口部が小さくなるの
で流速が早くなる。従って、堆積物が多く、流速を制御
するようなときには台形の給水開口部9が適当である。
るので、水位が低く台形の底辺の近くの場合には流速は
遅く、水位が上ると台形の性質上開口部が小さくなるの
で流速が早くなる。従って、堆積物が多く、流速を制御
するようなときには台形の給水開口部9が適当である。
【0015】流速を遅くした場合は、純水1は内槽7の
排水パイプ4の方向に飛散することなく、壁面に沿って
4方向から流れ始めるので、堆積物をかくはんすること
がない。
排水パイプ4の方向に飛散することなく、壁面に沿って
4方向から流れ始めるので、堆積物をかくはんすること
がない。
【0016】また、給水の初期の段階で、排水パイプ4
を2〜3秒間開くことにより、給水と排水を同時に行な
って、底部10にあった堆積物を除去することができ
る。この際、底部10は排水パイプ4の方向に下降傾斜
しているので、排水がより円滑に行なわれる。
を2〜3秒間開くことにより、給水と排水を同時に行な
って、底部10にあった堆積物を除去することができ
る。この際、底部10は排水パイプ4の方向に下降傾斜
しているので、排水がより円滑に行なわれる。
【0017】給水が進み内槽7が満水になると、内槽7
が空の時に入れておいたウェーハを洗浄し、一方では給
水パイプから純水を供給しながら他方では排水パイプ4
から排水を行なって、常に新しい純水に触れるように洗
浄が行なわれる。上記の実施形態においては、給水開口
部9を内槽7の4つの壁にそれぞれ設けた例で説明した
が、長手方向の2つの壁に設けるだけでも同等の効果が
得られる。
が空の時に入れておいたウェーハを洗浄し、一方では給
水パイプから純水を供給しながら他方では排水パイプ4
から排水を行なって、常に新しい純水に触れるように洗
浄が行なわれる。上記の実施形態においては、給水開口
部9を内槽7の4つの壁にそれぞれ設けた例で説明した
が、長手方向の2つの壁に設けるだけでも同等の効果が
得られる。
【0018】図3は長方形の給水開口部11を示した図
で、水位に関係なく流速を遅くする場合に適している。
ただし、台形の場合と違って流速を水位によって制御す
ることはできないので、堆積物が特に多い場合は底辺を
広くとれる台形の方が優れている。
で、水位に関係なく流速を遅くする場合に適している。
ただし、台形の場合と違って流速を水位によって制御す
ることはできないので、堆積物が特に多い場合は底辺を
広くとれる台形の方が優れている。
【0019】図4は円形の給水開口部12を示した図
で、直径3〜10mm程度の円形の小開口を複数個内槽
7の壁に開けて形成する。
で、直径3〜10mm程度の円形の小開口を複数個内槽
7の壁に開けて形成する。
【0020】この例はウェーハをシャワー効果で洗浄す
る場合に適しており、石英材の壁に円形の小開口を開け
るだけで水中シャワーを含めてシャワー効果が簡単に得
られる。
る場合に適しており、石英材の壁に円形の小開口を開け
るだけで水中シャワーを含めてシャワー効果が簡単に得
られる。
【0021】流速を遅くするのは、円形の給水開口部1
2の直径と設ける数によって設計することができる。
2の直径と設ける数によって設計することができる。
【0022】図5はノズルの給水開口部13を示した図
で、石英で作成した直径2〜10mm程度のノズルを複
数個内槽7に方向変更自在に取付ける。
で、石英で作成した直径2〜10mm程度のノズルを複
数個内槽7に方向変更自在に取付ける。
【0023】給水パイプ3からの流量は一定であるが、
ノズルの給水開口部13の断面積や方向を変えることに
よって流速を制御し、ウェーハを直接シャワー効果で洗
浄することができる。
ノズルの給水開口部13の断面積や方向を変えることに
よって流速を制御し、ウェーハを直接シャワー効果で洗
浄することができる。
【0024】また、従来の有機材料製のノズルの場合は
材料が溶け出したりしてパーティクルが付着するが、こ
の例では石英材で作るので、その心配がない。
材料が溶け出したりしてパーティクルが付着するが、こ
の例では石英材で作るので、その心配がない。
【0025】
【発明の効果】上記したように、本発明は洗浄槽を外槽
と内槽の二重槽構造にし、外槽と内槽を仕切板で分離
し、内槽の壁に給水開口部を設けることによって、給水
パイプから内槽に直接給水することがなく、流速を遅く
し、半導体ウェーハ上へのパーティクルの付着を低減す
ることができる。
と内槽の二重槽構造にし、外槽と内槽を仕切板で分離
し、内槽の壁に給水開口部を設けることによって、給水
パイプから内槽に直接給水することがなく、流速を遅く
し、半導体ウェーハ上へのパーティクルの付着を低減す
ることができる。
【図1】本発明の実施形態を示す斜視図
【図2】図1におけるA−A断面図
【図3】給水開口部の例を示す図
【図4】給水開口部の例を示す図
【図5】給水開口部の例を示す図
【図6】従来の洗浄槽を示す図
【図7】従来の洗浄槽の他の例を示す図
3 給水パイプ 4 排水パイプ 6 外槽 7 内槽 8 仕切板 9〜13 給水開口部 10 底部
Claims (8)
- 【請求項1】 外槽と、前記外槽の内側にあって底部を
有する内槽と、前記外槽と内槽を分離する仕切板と、前
記外槽の下部に設けた給水パイプと、前記仕切板より低
い位置の前記内槽の壁に設けた給水開口部と、前記底部
に設けた排水パイプから成る洗浄槽を備えたことを特徴
とする半導体の洗浄装置。 - 【請求項2】 前記内槽が直方体状に構成され、その4
つの壁にそれぞれ前記給水開口部を設けたことを特徴と
する請求項1に記載の半導体の洗浄装置。 - 【請求項3】 前記給水開口部が台形であることを特徴
とする請求項1又は請求項2に記載の半導体の洗浄装
置。 - 【請求項4】 前記給水開口部が長方形であることを特
徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体の洗浄装
置。 - 【請求項5】 前記給水開口部が複数個の円形であるこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体の
洗浄装置。 - 【請求項6】 前記給水開口部が複数個のノズルであっ
て、前記ノズルは石英で形成され、前記内槽に方向変更
自在に取付けられていることを特徴とする請求項1又は
請求項2に記載の半導体の洗浄装置。 - 【請求項7】 純水が前記給水パイプから供給される
と、初期の段階では前記純水は前記内槽の壁にぶつか
り、前記した外槽と内槽と仕切板で形成された間隙を満
たし、前記給水開口部から溢れるように前記内槽の内側
の壁面に沿って給水され、満水後は給水しつつ半導体ウ
ェーハを洗浄しながら前記排水パイプから排水されるこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体の
洗浄装置。 - 【請求項8】 前記内槽の底部が前記排水パイプ方向に
下降傾斜していることを特徴とする半導体の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13474696A JPH09321015A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 半導体の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13474696A JPH09321015A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 半導体の洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09321015A true JPH09321015A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15135621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13474696A Pending JPH09321015A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 半導体の洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09321015A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112058774A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-11 | 台州市老林装饰有限公司 | 一种湿法刻蚀清洗机构的溢流槽结构 |
-
1996
- 1996-05-29 JP JP13474696A patent/JPH09321015A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112058774A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-11 | 台州市老林装饰有限公司 | 一种湿法刻蚀清洗机构的溢流槽结构 |
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