JPS59211226A - 半導体基板のレジスト塗布装置 - Google Patents
半導体基板のレジスト塗布装置Info
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- JPS59211226A JPS59211226A JP8646383A JP8646383A JPS59211226A JP S59211226 A JPS59211226 A JP S59211226A JP 8646383 A JP8646383 A JP 8646383A JP 8646383 A JP8646383 A JP 8646383A JP S59211226 A JPS59211226 A JP S59211226A
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- JP
- Japan
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- resist
- wall
- barrier
- circumferential surface
- resist solution
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- Pending
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板(以下、ウニ・・−スという)のレ
ジスト塗布装置に係り、特にレジスト塗布処理部を包囲
する円錐状衝壁の内周面を洗浄する構造に関するもので
ある。
ジスト塗布装置に係り、特にレジスト塗布処理部を包囲
する円錐状衝壁の内周面を洗浄する構造に関するもので
ある。
レジスト塗布装置には円錐状の衝壁に囲まれたレジスト
塗布処理部内で半導体基板を回転させ、該基板に均一な
レジスト膜を形成する形式のものがある。この装置にお
いて、衝壁の内周面を常時滑らかな面に保つことは、ウ
ェハースの回転によシ、外周に向けて飛散したレジスト
液のノ・ネ返りを防ぐ意味で重要な要因である。
塗布処理部内で半導体基板を回転させ、該基板に均一な
レジスト膜を形成する形式のものがある。この装置にお
いて、衝壁の内周面を常時滑らかな面に保つことは、ウ
ェハースの回転によシ、外周に向けて飛散したレジスト
液のノ・ネ返りを防ぐ意味で重要な要因である。
従来、衝壁の内周面を滑らかにするだめ、該衝壁の形状
及び仕上げに工夫をこらしたり、又衝壁を定期的に装置
から取り外して洗浄していた。
及び仕上げに工夫をこらしたり、又衝壁を定期的に装置
から取り外して洗浄していた。
しかしながら、これらの従来技術では衝壁の内周面を滑
らかにする十分な対策とならず、又、取り外して洗浄す
ることは作業性の悪化、装置稼動率の低下を招くという
欠点があった。
らかにする十分な対策とならず、又、取り外して洗浄す
ることは作業性の悪化、装置稼動率の低下を招くという
欠点があった。
本発明は上記の欠点を解消するもので、衝壁の頂部から
該衝壁の内周面を伝ってレジストを溶解する液(例えば
現像液)を滴下し、該衝壁の内周面を滑らかに維持する
ようにしたことを特徴とするものである。
該衝壁の内周面を伝ってレジストを溶解する液(例えば
現像液)を滴下し、該衝壁の内周面を滑らかに維持する
ようにしたことを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例を図により詳細に説明する。
第1図に示すように、円錐状の衝壁1に囲まれたレジス
ト塗布処理部2内でスピンチャック3に吸着してウェハ
ース4を回転させ、ノズル5がら滴下したレジスト液6
を該ウェハース4上に均一な膜厚でレジスト膜を形成す
るレジスト塗布装置において、レジストの散乱を防止す
る前記衝壁1を内外二重壁1a、lbで構成し、該両壁
1a、lb間にレジストの溶解液を貯溜するタンク部7
を形成し、前記内壁1aの頂部円周上に複数の小孔8,
8・・・・を前記タンク部7に連通させて設けたもので
ある。
ト塗布処理部2内でスピンチャック3に吸着してウェハ
ース4を回転させ、ノズル5がら滴下したレジスト液6
を該ウェハース4上に均一な膜厚でレジスト膜を形成す
るレジスト塗布装置において、レジストの散乱を防止す
る前記衝壁1を内外二重壁1a、lbで構成し、該両壁
1a、lb間にレジストの溶解液を貯溜するタンク部7
を形成し、前記内壁1aの頂部円周上に複数の小孔8,
8・・・・を前記タンク部7に連通させて設けたもので
ある。
まだ、タンク部7にはレジストの溶解液を供給する配管
9が接続され、レジスト塗布処理部2の底部には排液口
10が設けられている。
9が接続され、レジスト塗布処理部2の底部には排液口
10が設けられている。
実施例において、配管9により矢視B方向から送られて
来たレジスト溶解液はタンク部7に蓄えられ、該タンク
部7が満杯となった時点で無数の小孔8から流れ始める
。流量を制御してレジスト溶解液を矢視Aにそい内壁1
aの内周面を伝って滴下させ、内壁1aに付着したレジ
ストを溶かし込んでこれを排液口10から排液する。し
だがって、内壁1aの内周面は清浄に保たれ、滑らかな
面に維持される。
来たレジスト溶解液はタンク部7に蓄えられ、該タンク
部7が満杯となった時点で無数の小孔8から流れ始める
。流量を制御してレジスト溶解液を矢視Aにそい内壁1
aの内周面を伝って滴下させ、内壁1aに付着したレジ
ストを溶かし込んでこれを排液口10から排液する。し
だがって、内壁1aの内周面は清浄に保たれ、滑らかな
面に維持される。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、従来の
ようにカップを取り外すことなく洗浄が可能となるだめ
、任意のタイミング(あるいは定期的に)で溶解液を滴
下して衝壁の洗浄が行えるように装置シーケンスに採用
すれば、量産装置として非常に有効な手段を提供できる
効果を有するものである。尚、上記実施例ではタンク部
の構造の断面を三角形とした場合について説明したが、
レジスト溶解液を流す小孔が内壁の頂部円周上に設けら
れている限り、タンク部の形状はいずれのものでも良い
ものである。
ようにカップを取り外すことなく洗浄が可能となるだめ
、任意のタイミング(あるいは定期的に)で溶解液を滴
下して衝壁の洗浄が行えるように装置シーケンスに採用
すれば、量産装置として非常に有効な手段を提供できる
効果を有するものである。尚、上記実施例ではタンク部
の構造の断面を三角形とした場合について説明したが、
レジスト溶解液を流す小孔が内壁の頂部円周上に設けら
れている限り、タンク部の形状はいずれのものでも良い
ものである。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。
1・・・衝壁、1a・・・内壁、1b・・・外壁、2・
・・レジスト塗布処理部、4・・・ウェハース、7・・
・タンク部特許出願人 九州日本電気株式会社
・・レジスト塗布処理部、4・・・ウェハース、7・・
・タンク部特許出願人 九州日本電気株式会社
Claims (1)
- (1)円錐状の衝壁に囲まれたレジスト塗布処理部内で
半導体基板を回転させ、該基板に均一なレジスト膜を形
成する半導体基板のレジスト塗布装置において、レジス
トの散乱を防止する前記衝壁を内外二重壁で構成し、該
両壁間にレジストの溶解液を貯溜するタンク部を形成し
、前記内壁の頂部円周上に複数の小孔を前記タンク部に
連通させて設けたことを特徴とする半導体基板のレジス
ト塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8646383A JPS59211226A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体基板のレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8646383A JPS59211226A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体基板のレジスト塗布装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59211226A true JPS59211226A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13887642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8646383A Pending JPS59211226A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体基板のレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59211226A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6091282U (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-22 | 凸版印刷株式会社 | スピナ−装置 |
JPS6481223A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Nec Corp | Coater for multi-layer film |
KR100617913B1 (ko) | 2005-05-26 | 2006-10-04 | 김현동 | 성형물 가공시 피착물의 비산방지 및 수집장치 |
JP2012152736A (ja) * | 2006-08-28 | 2012-08-16 | Transitions Optical Inc | 光学制御器を有するスピンコーター |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP8646383A patent/JPS59211226A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6091282U (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-22 | 凸版印刷株式会社 | スピナ−装置 |
JPS6333660Y2 (ja) * | 1983-11-22 | 1988-09-07 | ||
JPS6481223A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Nec Corp | Coater for multi-layer film |
JPH054808B2 (ja) * | 1987-09-22 | 1993-01-20 | Nippon Electric Co | |
KR100617913B1 (ko) | 2005-05-26 | 2006-10-04 | 김현동 | 성형물 가공시 피착물의 비산방지 및 수집장치 |
JP2012152736A (ja) * | 2006-08-28 | 2012-08-16 | Transitions Optical Inc | 光学制御器を有するスピンコーター |
JP2014087792A (ja) * | 2006-08-28 | 2014-05-15 | Transitions Optical Inc | 光学制御器を有するスピンコーター |
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