JPS6342130A - 基板洗浄方法および装置 - Google Patents

基板洗浄方法および装置

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Publication number
JPS6342130A
JPS6342130A JP61185977A JP18597786A JPS6342130A JP S6342130 A JPS6342130 A JP S6342130A JP 61185977 A JP61185977 A JP 61185977A JP 18597786 A JP18597786 A JP 18597786A JP S6342130 A JPS6342130 A JP S6342130A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
substrate
tank
cleaning fluid
cleaning liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61185977A
Other languages
English (en)
Inventor
Soichi Matsuo
松尾 壮一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP61185977A priority Critical patent/JPS6342130A/ja
Publication of JPS6342130A publication Critical patent/JPS6342130A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は自動搬送系を有する半導体装置やデイスプレィ
装置などの精密部品用の基板の処理工程の中で用いられ
る基板洗浄方法および基板洗浄装置に関する。
(従来の技術) 従来は、洗浄工程の前工程で薬液処理された基板・5・
が、薬液を付着させた状態で搬送され、第3図に示すよ
うな洗浄装置に基板5が置かれているものである。
そして、表面洗浄ノズル10と裏面洗浄ノズル4から洗
浄液が吐出し、さら疋、スピンチャック2の回転運動に
よって基板全面に洗浄液が当り、薬液は洗い流され、次
の工程へ基板5が搬送されるものである。
(発明が解決しようとする問題点) 上記した従来の方法および装置によれば、洗浄工程が終
了し次の工程へ移るまでに待機時間があるため、基板5
が不均一に乾燥することによりじみが発生するという問
題点がある。
また、裏面洗浄に関しては、ノズル方式によるため、裏
面洗浄ノズル4より吐出した洗浄液の基板裏面に対する
当たりの悪さ、流量制限、さらに、スビンテヤク2上部
の枝の影舎により洗浄液塗布が阻害されるために十分な
裏面洗浄が行なえないという問題点もある。
そこで、本発明は、上記の問題点を克服し、すぐれた洗
浄効果を上げるための方法および装置を提供することを
目的とする。
(問題点を解決するための手段) 第1の発明の基板洗浄方法は、第1図と第2図に示すよ
うに、洗浄液を貯えた槽fl)の中に設けたスピンチャ
フ2の上に基板5を置くために、基板5が洗浄液中に浸
かった状態で、スピンチャフ2を回転させ、これより生
じる基板面と洗浄液の摩擦によって基板の両面とも洗浄
される。
第2の発明の基板洗浄装置は第1の発明を実施するため
の装置であって、洗浄液を貯える槽1と洗浄液を槽の中
に入れる供給口3、さらに、基板5を固定させ回転運動
を与えるためのスピンチャフ2とスピンチャフ2と槽1
のすき間を埋めるためのパツキン6を備えており、パツ
キン6の内径の寸法で洗浄液の供給量と排液量との調整
を行なえるように構成し、上記の問題点を解決したもの
である。
(作用) 本発明によれば、洗浄液中の基板5を回転させることで
、洗浄液の溶解性に加えて、基板5と洗浄液との間で生
じる摩擦による洗浄と、この回転運動により洗浄液に回
転方向の流れが伝わった時点で、基板5の回転を出める
ことにより、洗浄液の流れと基板5間に生じる摩擦によ
る洗浄、これを繰り返し行ない基板の洗浄が進むという
作用を奏する。
(実施例) 本発明を図示する実施例にもとづいて、さらに詳しく説
明する。
第1図は本発明の方法を実施するための装置の内部構造
を示す断面図であり、また、第2図は同上面図である。
第1図、第2図において、1は洗浄液を貯えるための槽
、2は基板を固定し、かつ回転させるためのスピンチャ
ック、3は洗浄液供給口、4は裏面洗浄ノズル、5は本
洗浄装置によって洗浄される基板、6は槽1とスピンチ
ャック2の隙間を埋めるためのパツキン、7は基板5を
固定するための基板固定ピン、8は基板5を支持するた
めの基板支持ピン、9は超音波装置である。
しかして、本実施例の装置構成を説明すると、まず槽1
に洗浄液供給口3より洗浄液が供給され洗浄液が貯えら
れる。また、洗浄液の供給量と排液−の調整はパツキン
6の内径寸法の選択によって行なわれるものであり、本
実施例では、基板洗浄終了後、次の工程へ移るまでに待
機時間が生じても、基板5が洗浄液面より上に出ないよ
うに調整されている。
また、槽1の底には裏面洗浄ノズル4が取り付けてあり
、洗浄液に浸かった状態での基板5の裏面洗浄効果を上
げるとともに、回転浄洗中に基板5の裏に空気が入り込
んだ時の空気除去作用も行なえるものである。
さらに、また、槽1の側面には超音波装置9が取り付け
られており、これにより基板洗浄効果がさらに上がるも
のである。次に、第3図に図示したフローチャートにも
とづいて、本実施例の洗浄装置の動作例について説明す
る。
なお、本実施例は本洗浄工程の前工程において、ガラス
基板のレジストを剥離するための剥膜液(商品名二東京
応化製ストリッパー10)の付着したガラス基板を洗浄
するものである。
また、前記剥膜液は高沸点の有機アルカリ成分。
グリコール成分などから構成されており、水に溶解しや
すいという性質がある。
まず、ステップS1において、前工程から搬送されて来
たガラス基板5をスピンチャック2にセットする。
次に、ステップS2において、槽1に洗浄液を洗浄液供
給口3より供給し、オーバーフローする状況にする。こ
のとき、該洗浄液は本実施例において洗浄しようとする
基板に付着した薬剤の性質から70°C程度の温水を用
いるのが好ましい。
次に、ステップS3において、前記スピンチャック2を
回転させることによりガラス基板5の洗浄が開始される
。なお、スピンチャック5の回転数は、前記剥膜液で濁
った洗浄液をオーバーフローさせ、速やかにドレインさ
せる点において、400「・p−m程度が好ましい。ま
た、回転時間は5程度度である。
次に、ステ、ブS4において、スピンチャック2の回転
数を2r−p−m程度に急激に下げ、10秒程度回転さ
せる。このとき、洗浄液の慣性による流れによりガラス
基板が洗浄されるという効果が生ずる。そして、上記の
ステップS3およびS4の工程を2回繰り返した後、ス
テップS5に進む。
ステップS5において、再びスピンチャック2の回転数
を上げ、洗浄を行なう。このときの回転数は150 r
−p−m程度で、回転時間は10秒程度である。
次に、ステップS6において、再び回転数を下げる。こ
のときの回転数は2 r−p−m程度で、回転時間は2
0秒程度である。このとき、回転数の低下と同時に裏面
洗浄ノズル4より111λ水を噴出することによりガラ
ス基板裏面のエアーの除去を行なう。
そして、上記のステップS5およびS6の工程を6回繰
り返した後、ステップS7に進む。
ステップS7において、槽1に満されている温水の除去
を行なう。
次にステップS8において、槽1に純水を注入し、少な
くともガラス基板5が該純水の水面下になるようにする
なお、上記ステップS7およびS8において、スピンチ
ャック2は2 r−p−m程度で回転しているものであ
る。以上のような工程を経てガラス基板の洗浄が終了す
る。そして、該ガラス基板はスピンチャック2から取り
外され、次の工程に搬送される。
なお、上記の実施例では、洗浄液として、前工程におい
てガラス基板に剥膜液が付着しているため温水を用いた
が、例えば前工程で付着する薬剤がアルカリ性であれば
酸性の洗浄液、また前工程で付着する薬剤が酸性であれ
ばアルカリ性の洗浄液を用いて、一旦、塩を生成し、そ
の塩を水に解して洗浄するようにしてもよい。
(発明の効果) 本発明によれば、洗浄工程から次の工程へ移るまでの待
機時間を洗浄液中で基板5が待機するため、基板5の不
均一な乾燥によって発生するじみを防止できるという効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る洗浄装置の断面図、第2図はその
上面図、第3図は本発明に係る実施例の洗浄工程を示す
フローチャート、第4図は従来の洗浄装置の断面図であ
る。 1:漕       2ニスピンチャツク3:洗浄液供
給口  4:裏面洗浄ノズル5:基板      6:
パツキン 7:基板固定ピン  8:基板支持ピン9:超音波装置 10:表面洗浄ノズル

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)前工程において基板に付着した薬液を除去するた
    めの洗浄方法であって、洗浄液を貯えた槽(1)の中で
    、該基板をスピンチャック(5)を介して回転させ、そ
    の回転によって生ずる基板面と洗浄液との摩擦および洗
    浄液の溶解性により該基板面の洗浄を行なうことを特徴
    とする基板洗浄方法。
  2. (2)前工程において基板に付着した薬液を除去するた
    めの洗浄装置であって、洗浄液を貯えるための槽(1)
    と、該槽の中で基板を回転させるためのスピンチャック
    (5)と、該槽に洗浄液を供給するための供給するため
    の供給口(3)と、該洗浄液の排液量を調整するための
    槽(1)とスピンチャック(5)の隙間に設けたパッキ
    ン(6)とから成ることを特徴とする基板洗浄装置。
JP61185977A 1986-08-07 1986-08-07 基板洗浄方法および装置 Pending JPS6342130A (ja)

Priority Applications (1)

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JP61185977A JPS6342130A (ja) 1986-08-07 1986-08-07 基板洗浄方法および装置

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JPS6342130A true JPS6342130A (ja) 1988-02-23

Family

ID=16180189

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JP61185977A Pending JPS6342130A (ja) 1986-08-07 1986-08-07 基板洗浄方法および装置

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JP (1) JPS6342130A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294435A (ja) * 1988-09-29 1990-04-05 Nec Corp エッチング装置
JP2011249837A (ja) * 2005-09-15 2011-12-08 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294435A (ja) * 1988-09-29 1990-04-05 Nec Corp エッチング装置
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