JPS5923517A - レジスト除去方法および装置 - Google Patents
レジスト除去方法および装置Info
- Publication number
- JPS5923517A JPS5923517A JP13197182A JP13197182A JPS5923517A JP S5923517 A JPS5923517 A JP S5923517A JP 13197182 A JP13197182 A JP 13197182A JP 13197182 A JP13197182 A JP 13197182A JP S5923517 A JPS5923517 A JP S5923517A
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- JP
- Japan
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- resist
- wafer
- spinner
- solvent
- nozzle
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レジスト除去方法およびこの方法をる。
一般に、半導体製品の製造過程において半導体ウェハに
ホトレジストの如きレジストを塗布する場合、レジスト
シ゛よ主にウェハの表面上に塗布されるが、一部はその
周囲や裏側にも付着してしまう。
ホトレジストの如きレジストを塗布する場合、レジスト
シ゛よ主にウェハの表面上に塗布されるが、一部はその
周囲や裏側にも付着してしまう。
このようなウェハの周囲や盗側へのレジストの付着が生
じると、ウェハが後工程でエアベアリングやチャック等
により搬送されたり、またはカートリッジ等に収容され
る際にレジストが剥れ落ち。
じると、ウェハが後工程でエアベアリングやチャック等
により搬送されたり、またはカートリッジ等に収容され
る際にレジストが剥れ落ち。
その剥れ落ちたレジスト、くずが異物として半３．１７
体ベレットの特性に悪影響を与え１歩留りの低下を招来
してしまう。
体ベレットの特性に悪影響を与え１歩留りの低下を招来
してしまう。
このため、従来から、ウェハの周囲や裏面に付着したレ
ジストを除去することがチｉなゎれており、このレジス
トを溶かして除去する方法も提案されている。
ジストを除去することがチｉなゎれており、このレジス
トを溶かして除去する方法も提案されている。
レジストを溶がして除去する方法および装置Ｅｔ、とじ
て、例えば第１図に示すものと、第２図に示すものとが
提案されている。
て、例えば第１図に示すものと、第２図に示すものとが
提案されている。
第１図において、ウェハ収容用の容器は上カップ１と下
カップ２とを有し、ウェハ３を保持して回転させるスビ
／す４は下カップ２を貫通して容器内に口伝可能に殺げ
られている。上カップ１の頂部にはレジスト供給用のノ
ズル５が設けらｔｌ、でおり、下カップ２の底部には廃
液や気体を排出するための排出管６が取付けられている
。スピンナ４の外方位置にはレジスト溶剤噴射ノズル８
がウェハ３のＵ、≦面周回部にレジスト溶剤を噴き付け
るように設けられている。
カップ２とを有し、ウェハ３を保持して回転させるスビ
／す４は下カップ２を貫通して容器内に口伝可能に殺げ
られている。上カップ１の頂部にはレジスト供給用のノ
ズル５が設けらｔｌ、でおり、下カップ２の底部には廃
液や気体を排出するための排出管６が取付けられている
。スピンナ４の外方位置にはレジスト溶剤噴射ノズル８
がウェハ３のＵ、≦面周回部にレジスト溶剤を噴き付け
るように設けられている。
このノズル８からウェハ３の周囲部に付着したレジスト
部分に向けて裏面側からレジスト溶剤を噴き付けると、
ウェハの周囲部に付着したレジスト部分は溶剤により溶
解されて除去される。
部分に向けて裏面側からレジスト溶剤を噴き付けると、
ウェハの周囲部に付着したレジスト部分は溶剤により溶
解されて除去される。
第２図に示したレジスト除去装置は、ノズル８がウェハ
３の表面側からレジスト溶剤をウェハの周囲部に向けて
噴き付けるようにＪ、１ｇ成された点のみが異なる。
３の表面側からレジスト溶剤をウェハの周囲部に向けて
噴き付けるようにＪ、１ｇ成された点のみが異なる。
しかしながら、このようなレジスト除去方法および装置
にあっては、ノズルによりレジスト？１ＪＩＪをウェハ
の周囲部に付着したレジストに噴き付けるため、溶剤が
レジストに衝突した時に霧状になってウェハの表面側に
飛散して表面のレジストに付Ｈ’ｆ シ、レジストのむ
らを発生させる危険があるとい５欠点がある。
にあっては、ノズルによりレジスト？１ＪＩＪをウェハ
の周囲部に付着したレジストに噴き付けるため、溶剤が
レジストに衝突した時に霧状になってウェハの表面側に
飛散して表面のレジストに付Ｈ’ｆ シ、レジストのむ
らを発生させる危険があるとい５欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点の発生を回＋ｌｔｔ：
して、ウェハの周囲部に付着したレジストを除去するこ
とができるレジスト除去方法および装＋ｊ！（を提供す
ることにある。
して、ウェハの周囲部に付着したレジストを除去するこ
とができるレジスト除去方法および装＋ｊ！（を提供す
ることにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第３図は本発明によるレジスト除去方法の一実施例を実
τ工するのに使用される本発明によるレジスト除失装［
ｉ！／の一実施例を示す縦断面図である。
τ工するのに使用される本発明によるレジスト除失装［
ｉ！／の一実施例を示す縦断面図である。
本実施例において、ウェハ収容用の容器は上カップ１１
と下カップ１２とを有し、ウェハ３を保持して回転させ
るスピ／す１４は下カップ１２を貫通して容器内に回転
可能に、かつ上下段に高さを変更可能に段げられている
。上カップ１１の頂部にはレジスト供給用のノズル１５
が設げられている。容器のほぼ中央δ・６さには窒素ガ
ス等な噴き込む給気口１６が下カップ１２の側壁全周に
渡って形成されており、給気口１６の上下には＋Ｈ（１
き込まれたガスを外部にＭｉ出する排気口１７．１８が
同様にそれぞれ形成されている。
と下カップ１２とを有し、ウェハ３を保持して回転させ
るスピ／す１４は下カップ１２を貫通して容器内に回転
可能に、かつ上下段に高さを変更可能に段げられている
。上カップ１１の頂部にはレジスト供給用のノズル１５
が設げられている。容器のほぼ中央δ・６さには窒素ガ
ス等な噴き込む給気口１６が下カップ１２の側壁全周に
渡って形成されており、給気口１６の上下には＋Ｈ（１
き込まれたガスを外部にＭｉ出する排気口１７．１８が
同様にそれぞれ形成されている。
下カップ１２の底部にはアセトンまたはシンカかうなる
レジスト溶剤２０を留めるレジスト溶剤槽１９がスピン
ナ１４の外方位置において環状に殺げられ、この槽１９
は内槽１９ａと外槽１９ｂどの二重仔￥造に形成されて
いる。内槽１９ａはレジスト溶剤２０をその上端辺から
オーバフローさせ得るようにｆｔ、７成されており、外
槽１９ｂはオーバフローした溶剤２０を受けるように構
成されている。なお、外槽１９ｂに受けられた溶剤をフ
ィルタ、ポンプ等を介して内槽１９ａに戻し、循環使用
し得るようにｔｌつ成するとよい。また、内槽１９ａは
オーバフローして盛り上がったレジスト溶剤の液面がウ
ェハ３の周囲部に付着したレジスト７に接触するように
配置され、かつウェハとの相対関係を設定されている。
レジスト溶剤２０を留めるレジスト溶剤槽１９がスピン
ナ１４の外方位置において環状に殺げられ、この槽１９
は内槽１９ａと外槽１９ｂどの二重仔￥造に形成されて
いる。内槽１９ａはレジスト溶剤２０をその上端辺から
オーバフローさせ得るようにｆｔ、７成されており、外
槽１９ｂはオーバフローした溶剤２０を受けるように構
成されている。なお、外槽１９ｂに受けられた溶剤をフ
ィルタ、ポンプ等を介して内槽１９ａに戻し、循環使用
し得るようにｔｌつ成するとよい。また、内槽１９ａは
オーバフローして盛り上がったレジスト溶剤の液面がウ
ェハ３の周囲部に付着したレジスト７に接触するように
配置され、かつウェハとの相対関係を設定されている。
次に、前記（“ＩＩ成にかかるレジスト除去装置の作用
を説明して本発明によるレジスト除去方法の一実施例を
説明する。
を説明して本発明によるレジスト除去方法の一実施例を
説明する。
まず、第３図に想像線で示すように、スピンナ１４が上
段に位置された状ｆｊ１．＝で、スピンナ１４に保持さ
れたウェハ３上にノズル５がもレジスト７が滴下され、
スピンナ１４の高速回転による遠心力と窒素ガスの遠心
方向への排気とにより、レジストアはウェハ３の表面に
おいて放射状に拡散し全面にほぼ均一に塗布された状態
になる。このどき、レジストの一部はウェハ３の周囲や
四側にｆ＝Ｊ着してしまう。
段に位置された状ｆｊ１．＝で、スピンナ１４に保持さ
れたウェハ３上にノズル５がもレジスト７が滴下され、
スピンナ１４の高速回転による遠心力と窒素ガスの遠心
方向への排気とにより、レジストアはウェハ３の表面に
おいて放射状に拡散し全面にほぼ均一に塗布された状態
になる。このどき、レジストの一部はウェハ３の周囲や
四側にｆ＝Ｊ着してしまう。
続いて、第３図に実線で示すように、スピンナ１４を下
段に位置さぜた状坤でスピンナ１４を低速回転させる。
段に位置さぜた状坤でスピンナ１４を低速回転させる。
スピンナ１４が下段に位置すると。
保持されたウェハ３の周囲部に付着したレジスト７には
内槽１．９ａからオーバフローして盛り上ったレジスト
溶剤２０の液面が接触する。この接触した溶剤２０はレ
ジスト７中を自然に滲ｙ秀していき、ウェハ３の表面に
おける外周縁において？９透を停止する。これにより、
ウェハ３の周１２Ｎ部にイ＼Ｊ着したレジスト部分はレ
ジスト溶剤で溶解されて除去され、常時溢流している溶
剤２ｏに洗い流されて外槽１９ｂに回収される。
内槽１．９ａからオーバフローして盛り上ったレジスト
溶剤２０の液面が接触する。この接触した溶剤２０はレ
ジスト７中を自然に滲ｙ秀していき、ウェハ３の表面に
おける外周縁において？９透を停止する。これにより、
ウェハ３の周１２Ｎ部にイ＼Ｊ着したレジスト部分はレ
ジスト溶剤で溶解されて除去され、常時溢流している溶
剤２ｏに洗い流されて外槽１９ｂに回収される。
ちなみに、レジスト溶剤により溶解除去されるレジスト
部分の範囲はスピンナの回転数によって制御可能である
。すｌよりち、スビ／すの回転による遠心力でレジスト
溶剤の前記滲透力を打ち消すことにより、所望の位置で
当該滲透を停止させることができるからである。この場
合、ウェハ３の表面側のレジストも１例えば周縁から１
朋の領域は半導体ベレットを取ることができないので、
この領域のレジストは溶解除去してもよい。
部分の範囲はスピンナの回転数によって制御可能である
。すｌよりち、スビ／すの回転による遠心力でレジスト
溶剤の前記滲透力を打ち消すことにより、所望の位置で
当該滲透を停止させることができるからである。この場
合、ウェハ３の表面側のレジストも１例えば周縁から１
朋の領域は半導体ベレットを取ることができないので、
この領域のレジストは溶解除去してもよい。
スピンナ１４０回転数で溶解除去すべきレジスト部分の
範囲を制御し得るが、高速回転であると、ウェハ３の周
囲部が接触したレジスト溶剤２０の液面に飛沫な発生さ
せる危険があるので、スピンナの回転数はこの危険の回
避な考慮して選定することが望ましい。また、液面の飛
沫は、第３図に示すように、窒素ガスでレジスト溶剤の
液面を押えても発生を抑制できるし、また、ウニノ・３
の外方における排気口１８により窒素ガスをウェハの遠
心方向に排出させることによって、万一発生した飛沫な
遠心方向に排出させ、ウェハ３の表面のレジスト７に刀
ｆｉｌ）又１可＞ｉ？１もごとン防止することカーでき
る。
範囲を制御し得るが、高速回転であると、ウェハ３の周
囲部が接触したレジスト溶剤２０の液面に飛沫な発生さ
せる危険があるので、スピンナの回転数はこの危険の回
避な考慮して選定することが望ましい。また、液面の飛
沫は、第３図に示すように、窒素ガスでレジスト溶剤の
液面を押えても発生を抑制できるし、また、ウニノ・３
の外方における排気口１８により窒素ガスをウェハの遠
心方向に排出させることによって、万一発生した飛沫な
遠心方向に排出させ、ウェハ３の表面のレジスト７に刀
ｆｉｌ）又１可＞ｉ？１もごとン防止することカーでき
る。
このように、本実施例によれば、ウニノ１の周囲部のレ
ジストはレジスト溶剤による溶Ｗｌによって除去される
ので、レジストくずによる異物の発生や外観不良を防止
し２歩留りな向上させることができ、また、不要部分の
レジストが何ら機械的な力を加えられずに溶解除去され
るので、レジスト除去時にレジストくずが異物としてウ
ニ・・にイ＼」着するような問題も生じない。
ジストはレジスト溶剤による溶Ｗｌによって除去される
ので、レジストくずによる異物の発生や外観不良を防止
し２歩留りな向上させることができ、また、不要部分の
レジストが何ら機械的な力を加えられずに溶解除去され
るので、レジスト除去時にレジストくずが異物としてウ
ニ・・にイ＼」着するような問題も生じない。
しかも、レジスト溶剤はウニノ・の周Ｖ１部の不要レジ
スト部分に噴き付けられるのではなく、そｆ）液面が不
要レジスト部分に静かに接触して溶解除去な引ぎ起すも
のであるから、溶剤がウニ／・表面のレジスト領域に飛
赦し、これな損傷させる障害を防止することができる。
スト部分に噴き付けられるのではなく、そｆ）液面が不
要レジスト部分に静かに接触して溶解除去な引ぎ起すも
のであるから、溶剤がウニ／・表面のレジスト領域に飛
赦し、これな損傷させる障害を防止することができる。
また、レジストのウニノーへの塗布工程とウニ／１の周
囲部に付着した不要レジストの除去工程とを連続して自
動的に実施することができ、ウニノ・表面の必要な領域
にのみレジスト層を形成するコンパクトなレジスト塗布
装置を得ることができる。
囲部に付着した不要レジストの除去工程とを連続して自
動的に実施することができ、ウニノ・表面の必要な領域
にのみレジスト層を形成するコンパクトなレジスト塗布
装置を得ることができる。
なお、前記実施例では、レジスト溶剤の溢流液面にウニ
ノｚ（ｆ）周囲部に付着したレジストを接触させる場合
につき説明したが、レジスト溶剤容器に相当するスポン
ジ等の柔軟な多孔性物質にレジスト溶剤をしみ込ませて
おき、これにウニノー周囲部のレジストを押し付けてレ
ジスト溶剤を接触させてもよい。
ノｚ（ｆ）周囲部に付着したレジストを接触させる場合
につき説明したが、レジスト溶剤容器に相当するスポン
ジ等の柔軟な多孔性物質にレジスト溶剤をしみ込ませて
おき、これにウニノー周囲部のレジストを押し付けてレ
ジスト溶剤を接触させてもよい。
ｆ タ、レジストのウニノ１への塗布工程と不要レジス
トの除去工程とを連続的に実行する場合につき説明した
が、不要レジストの除去工程のみを実施し得ることはい
うまでもない。
トの除去工程とを連続的に実行する場合につき説明した
が、不要レジストの除去工程のみを実施し得ることはい
うまでもない。
以上説明したように１本発明によれば、ウニノ＼の周囲
部に何着したレジストが剥Ａｌｌ Ｌで異物としてウニ
ノ・に付着し、特性不良や外観不良を起こすことを防止
でき２歩留りな向上させることが可能になる。
部に何着したレジストが剥Ａｌｌ Ｌで異物としてウニ
ノ・に付着し、特性不良や外観不良を起こすことを防止
でき２歩留りな向上させることが可能になる。
第１図は従来例を示す縦断面図。
第２図は他の従来例を示す縦断面図。
第３図は本発明の一実施例な示す縦断面図である。
３・・・ウェハ、７・・・レジスト、１１・・・上カッ
プ、１２・・・下カップ＆ １４・・・スピンナ＆ １
５・・・レジスト供給用ノズル、１６・・・給気口、１
７ｇ・１８・・・排気口、１９・・・レジスト溶剤槽、
２０・・・レジスト溶剤。
プ、１２・・・下カップ＆ １４・・・スピンナ＆ １
５・・・レジスト供給用ノズル、１６・・・給気口、１
７ｇ・１８・・・排気口、１９・・・レジスト溶剤槽、
２０・・・レジスト溶剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、回転するスピンナ上のウエノ・の周囲部にレジスト
溶剤を接触させ、ウエノ１の周囲部に付着したレジスト
を溶解させて除去するレジスト除去方法。 ２、 ウェハを保持した状態で回転するスピンナと。 スピンナの外方に位置しレジスト溶剤を収容してレジス
ト溶剤をウェハの周囲部に接触させるレジスト溶剤容器
とを（ＩＩえたレジスト除去装置。 ３、レジスト溶剤容器が、レジスト各側をオーバーフロ
ーさせた状胛でその液面をウニ／〜の周囲部に接触させ
る溢流槽で構成されたことを特徴とする特許ｎｉＪ求の
範囲第２項記載のレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13197182A JPS5923517A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | レジスト除去方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13197182A JPS5923517A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | レジスト除去方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923517A true JPS5923517A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15070504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13197182A Pending JPS5923517A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | レジスト除去方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923517A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111960U (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-19 | ||
| KR19990016573A (ko) * | 1997-08-18 | 1999-03-15 | 윤종용 | 포토 레지스트 스트리퍼 |
| JP2013243317A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
| US9768041B2 (en) | 2013-08-12 | 2017-09-19 | Veeco Precision Surface Processing Llc | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| US11342215B2 (en) | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13197182A patent/JPS5923517A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111960U (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-19 | ||
| JPH0434902Y2 (ja) * | 1987-01-13 | 1992-08-19 | ||
| KR19990016573A (ko) * | 1997-08-18 | 1999-03-15 | 윤종용 | 포토 레지스트 스트리퍼 |
| JP2013243317A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
| US9768041B2 (en) | 2013-08-12 | 2017-09-19 | Veeco Precision Surface Processing Llc | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| US11342215B2 (en) | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
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