KR101536379B1 - 피처리체의 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

제 1 처리액을 공급하는 공급구를 구비한 처리 지그를, 공급구가 개구되어 있는 저류 공간부를 처리 지그와 피처리면 사이에 놓이도록 하여 배치하고, 저류 공간부에 제 1 처리액을 저류시키는 저류 처리 공정과, 피처리체를 회전시키면서, 외주부 상에 제 2 처리액을 공급하면서, 공급구로부터 피처리면 상에 제 1 처리액을 공급하는 회전 처리 공정을 포함하고 있고, 회전 처리 공정에 있어서, 처리 지그를 피처리체의 회전 방향과는 상이한 방향으로 이동시킨다.

Description

피처리체의 처리 방법{METHOD FOR PROCESSING PROCESS-TARGET OBJECT}
본 발명은, 처리액을 사용하여 피처리체의 표면을 처리하는 피처리체의 처리 방법에 관한 것이다.
최근, IC 카드, 휴대전화 등의 전자기기의 박형화, 소형화, 경량화 등이 요구되고 있다. 이들 요구를 만족시키기 위해서는, 장착되는 반도체 칩에 대해서도 박형의 반도체 칩을 사용해야 한다. 이 때문에, 반도체 칩의 기초가 되는 반도체 웨이퍼의 두께 (막두께) 는 현상황에서는 125 ㎛ ∼ 150 ㎛ 이지만, 차세대 칩용으로는 25 ㎛ ∼ 50 ㎛ 로 해야 한다고 하고 있다. 따라서, 상기의 막두께의 반도체 웨이퍼를 얻기 위해서는, 반도체 웨이퍼의 박판화 공정이 필요불가결하다. 반도체 웨이퍼의 박판화 공정은, 예를 들어, 이하와 같이 실시된다 (특허문헌 1 참조).
먼저, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면을 덮도록, 반도체 웨이퍼를 보호하기 위한 서포트 플레이트를, 양면에 접착층을 갖는 테이프 또는 접착제를 개재하여 첩부 (貼付) 한다. 다음으로, 이것을 반전시키고, 반도체 웨이퍼의 이면을 그라인더에 의해 연삭하여 박판화한다. 계속해서, 박판화한 반도체 웨이퍼의 이면을, 다이싱 프레임에 유지되어 있는 다이싱 테이프 상에 고정시킨다. 다시, 이 상태에서 반도체 웨이퍼의 회로 형성면을 덮는 서포트 플레이트를 박리한 후, 다이싱 장치에 의해 각 칩으로 분할한다.
그러나, 상기와 같이 박판화 공정를 실시한 경우, 서포트 플레이트를 박리한 후, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 접착제 등이 잔존하게 된다. 이 때문에, 부착되어 있는 접착제 등을 제거하여, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면을 청정한 면으로 해야 한다. 요컨대, 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프 상에 고정시킨 상태에서, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면을 덮는 서포트 플레이트를 박리한 후, 다이싱 장치에 의해 각 칩으로 분할하기 전에, 반도체 웨이퍼의 표면에 대해 세정 처리를 할 필요가 있다.
단, 다이싱 테이프의 표면적은 반도체 웨이퍼에 비해 크기 때문에, 반도체 웨이퍼의 외주에는 다이싱 테이프의 노출면이 위치하고 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 처리액을 공급하는, 또는 반도체 웨이퍼를 처리액에 침지시키는 등의 통상적인 세정 처리 방법에서는, 반도체 웨이퍼의 표면뿐만 아니라, 다이싱 테이프의 노출면도 처리액에 의해 처리되어 버린다. 그리고, 이때의 처리액의 종류에 따라서는, 다이싱 테이프를 열화시켜 버린다.
이 때문에, 피처리면을 처리하는 처리액에 의해 피처리면의 외주부 (예를 들어, 다이싱 테이프의 노출면) 가 처리되는 것을 방지하는 기술이 몇 가지 개발되어 있다 (특허문헌 2 및 3 참조).
특허문헌 2 에는, 피처리면 상에 재치한 처리 지그 내에 처리액을 저류시킴으로써, 피처리면만을 처리액에 의해 처리하는 기술이 기재되어 있다.
또, 특허문헌 3 에는, 피처리면과 그 외주부의 대략 경계에 제 1 처리액을 공급하면서, 피처리면에 제 2 처리액을 공급함으로써, 외주부를 제 1 처리액에 의해 제 2 처리액으로부터 보호하고, 피처리면의 처리에 사용하는 제 2 처리액에 의해 외주부가 처리되는 것을 방지하면서, 피처리면을 제 2 처리액에 의해 처리하는 기술이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2006－135272호 (2006년 5월 25일 공개) 일본 공개특허공보 2008－140892호 (2008년 6월 19일 공개) 일본 공개특허공보 2008－140908호 (2008년 6월 19일 공개)
그러나, 반도체 웨이퍼의 표면에 부착된 접착제를 용제에 용해시켰을 때, 반도체 웨이퍼의 표면 상에, 오염 또는 접착제 중의 필러 등에서 유래하는 용해 잔류물이 잔존하는 경우가 있다. 이와 같은 용해 잔류물에 대해서도 충분히 제거하기 위해, 피처리면을 처리하는 처리액에 의해 피처리면의 외주부가 처리되는 것을 방지하면서도, 피처리면을 종래 기술보다 효과적으로 처리하는 기술이 요구되고 있다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 피처리면을 처리하는 처리액에 의해 피처리면의 외주부가 처리되는 것을 방지하면서, 피처리면을 보다 효과적으로 처리하는 기술을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관련된 피처리체의 처리 방법은, 피처리면을 구비함과 함께, 그 피처리면의 외주에 배치된 외주부를 갖는 피처리체를 처리하는 방법으로서,
제 1 처리액을 공급하는 공급구를 구비한 처리 지그를, 그 공급구가 개구되어 있는 공간을 그 처리 지그와 그 피처리면 사이에 놓이도록 하여 배치하고, 그 공간에 상기 제 1 처리액을 저류시키는 저류 처리 공정과,
상기 피처리체를 회전시키면서, 외주부 상에 제 2 처리액을 공급하면서, 그 공급구로부터 상기 피처리면 상에 상기 제 1 처리액을 공급하는 회전 처리 공정을 포함하고,
그 회전 처리 공정에 있어서, 그 처리 지그를 그 피처리체의 회전 방향과는 상이한 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 관련된 피처리체의 처리 방법은, 피처리면을 구비함과 함께, 그 피처리면의 외주에 배치된 외주부를 갖는 피처리체를 처리하기 위해서, 제 1 처리액을 공급하는 공급구를 구비한 처리 지그를, 그 공급구가 개구되어 있는 공간을 그 처리 지그와 피처리면 사이에 놓이도록 하여 배치하고, 그 공간에 상기 제 1 처리액을 저류시키는 저류 처리 공정과, 상기 피처리체를 회전시키면서, 외주부 상에 제 2 처리액을 공급하면서, 그 공급구로부터 상기 피처리면 상에 상기 제 1 처리액을 공급하는 회전 처리 공정을 포함하고 있고, 그 회전 처리 공정에 있어서, 그 처리 지그를 그 피처리체의 회전 방향과는 상이한 방향으로 이동시키기 때문에, 그 피처리면을 처리하는 제 1 처리액에 의해 그 외주부가 처리되는 것을 방지하면서, 제 1 처리액에 의해, 그 피처리면을 보다 효과적으로 처리할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 피처리체의 처리 방법을 실시하는 처리 장치의 일례의 개략 구성을 나타내는 개략 단면도.
도 2 는, 저류 처리 공정에 있어서의 도 1 의 처리 장치의 주요부를 나타내는 개략 단면도.
도 3 은, 저류 처리 공정에 있어서의 도 1 의 처리 장치의 주요부를 나타내는 개략 상면도.
도 4 는, 저류 처리 공정의 각 단계에 있어서의 도 1 의 처리 장치의 주요부를 나타내는 개략 단면도.
도 5 는, 회전 처리 공정에 있어서의 도 1 의 처리 장치의 주요부를 나타내는 개략 단면도.
도 6 은, 본 발명의 피처리체의 처리 방법에 따라 처리하는 피처리체의 일례의 개략 구성을 나타내는 개략 단면도.
도 7 은, 본 발명의 피처리체의 처리 방법에 따라 처리하는 피처리체의 일례의 개략 구성을 나타내는 개략 상면도.
도 8 은, 피처리체의 처리 결과를 나타내는 상면도이고, (a), (b) 및 (c) 는 비교예에 있어서의 결과를 나타내며, (d) 는 실시예에 있어서의 결과를 나타내는 도면.
〔제 1 실시형태〕
도 1 ∼ 도 7 을 사용하여, 본 발명의 1 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에 대해 설명한다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에 따라 처리되는 피처리체 (18) 는, 피처리면 (18b) 을 구비함과 함께, 피처리면 (18b) 의 외주에 배치된 외주부 (18a) 를 갖는다. 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에 따르면, 피처리면 (18b) 을 처리하는 제 1 의 처리액에 의해 외주부 (18a) 가 처리되는 것을 방지하면서, 피처리면 (18b) 을 충분히 처리할 수 있다.
(피처리체)
여기서, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에 따라 양호하게 처리되는 피처리체 (18) 의 일례에 대해 설명한다. 또한, 피처리체 (18) 는, 이하에 예시하는 피처리체에 한정되지 않는 것은 말할 것도 없다.
본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에 따라 양호하게 처리되는 피처리체 (18) 는, 지지체인 다이싱 테이프 (96) 상에 형성되고, 박판화된 반도체 웨이퍼 (94) 이다. 이와 같이 박판화된 반도체 웨이퍼 (94) 는, 그 박판화 프로세스에 있어서, 반도체 웨이퍼 (94) 의 표면에 접착제가 잔존하는 경우가 있다. 이와 같은 반도체 웨이퍼 (94) 의 잔류 접착제 (93) 의 제거 처리에 있어서, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법을 적용할 수 있다.
이하의 설명에서는, 먼저, 반도체 웨이퍼의 박판화 프로세스에 대해 도 6, 도 7 을 참조하면서 설명한 후, 본 실시형태에 관련된 처리 방법을 사용하는 이점에 대해 설명한다. 도 6 의 (a) ∼ (d) 는, 반도체 웨이퍼의 박판화 프로세스를 설명하는 단면도이다. 도 7 은, 박판화 프로세스에 의해 형성된 피처리체 (18) 의 평면도를 나타낸다. 여기서는, 구멍이 있는 서포트 플레이트 (90) 를 사용한 예에 대해 설명한다.
먼저, 도 6 의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 접착제 (92) 를 개재하여, 서포트 플레이트 (90) 와 반도체 웨이퍼 (94a) 를 첩부한다. 이 반도체 웨이퍼 (94a) 는, 박판화하기 전의 것이다. 이어서, 도 6 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (94a) 를 연마하여, 박막의 반도체 웨이퍼 (94) 를 형성한다. 반도체 웨이퍼 (94a) 의 연마는, 각종 공지된 기술에 의해 실시할 수 있다.
이어서, 도 6 의 (c) 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (94) 의 접착제 (92) 와 접하지 않은 면을 다이싱 테이프 (지지체) (96) 와 첩합 (貼合) 한다. 이때, 다이싱 테이프 (96) 는, 박리된 후에 있어서의 반도체 웨이퍼 (94) 의 강도를 보충하고, 취급을 용이하게 하는 역할을 한다. 또한, 다이싱 테이프 (96) 의 주위에는, 다이싱 프레임 (고정구) (98) 이 형성되어 있다. 이 다이싱 프레임 (98) 은, 다이싱 테이프 (96) 의 늘어짐을 방지한다. 그 후, 서포트 플레이트 (90) 의 구멍으로부터 접착제 (92) 를 녹이는 용제를 공급하여, 접착제 (92) 를 녹인 후에, 서포트 플레이트 (90) 를 제거한다. 이때, 접착제 (92) 는, 완전히 제거되지 않고 반도체 웨이퍼 (94) 상에 잔존하게 된다.
도 6 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 잔존한 접착제 (92) 를 잔류 접착제 (93) 로서 나타낸다. 이와 같이, 잔류 접착제 (93) 를 갖는 반도체 웨이퍼 (94) 와 다이싱 테이프 (96) 의 적층체가 피처리체 (18) 에 상당하게 된다.
도 7 에, 이와 같이 형성된 피처리체 (18) 의 평면도를 나타낸다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 잔류 접착제 (93) 가 형성된 반도체 웨이퍼 (94) 가 피처리면 (18b) 에 상당하고, 반도체 웨이퍼 (94) 의 외주에 배치된 다이싱 테이프 (96) 가 외주부 (18a) 에 상당한다. 또한, 도 6 의 (d) 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (94) 의 피처리면 (18b) 에 잔존한 잔류 접착제 (93) 는, 오염 등에서 유래하는, 용제에 용해되지 않는 성분인 용해 잔류물 (97) 을 포함할 수 있다.
상기 서술한 바와 같은 피처리체 (18) 에 있어서는, 반도체 웨이퍼 (94) 에 대해 더욱 처리를 순조롭게 실시하기 위해서, 피처리면 (18b) 에 부착되어 있는 잔류 접착제 (93) 및/또는 용해 잔류물 (97) 을 제거하여, 반도체 웨이퍼 (94) 의 회로 형성면을 청정한 면으로 해야 한다. 또, 잔류 접착제 (93) 를 용해시키기 위한 용제 (후술하는 제 1 처리액) 또는 용해 잔류물 (97) 이 외주부 (18a) (다이싱 테이프 (96) 의 노출면) 에 부착된 경우, 다이싱 테이프 (96) 를 열화시켜 버리는 경우가 있다. 다이싱 테이프 (96) 의 열화에 의해 늘어짐이 발생되고, 그 결과 박판화되고 강도가 저하되고 있는 반도체 웨이퍼의 균열을 일으키는 경우가 있다. 이 때문에, 다이싱 테이프 (96) 를 열화시키지 않고, 반도체 웨이퍼의 표면을 세정해야 한다. 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에 따르면, 예를 들어, 이와 같은 피처리체 (18) 를 양호하게 처리할 수 있다.
(처리 장치)
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법을 실시하는 처리 장치 (100) 의 개략 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 처리 장치 (100) 는, 재치부 (10), 회전축 (12), 회전 모터 (14), 제 1 처리액 공급부 (40), 배관 (42), 배관 (72), 처리 지그 (50), 제 1 처리액 회수부 (70), 위치 제어부 (76), 제 2 처리액 공급부 (30), 배관 (82), 및 제 2 처리액 공급구 (84) 를 구비하고 있다. 처리 지그 (50) 는, 공급구 (56) 및 회수구 (58) 를 구비하고 있음과 함께, 피처리면 (18b) 과 대향하는 대향면 (52a) 을 구비하고 있다. 각 부의 상세는 후술한다. 또한, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법은, 후술하는 각 공정을 실시할 수 있는 것이면, 처리 장치 (100) 와는 상이한 구성을 갖는 장치에 의해 실시되어도 된다.
본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에서는, 피처리체 (18) 를 수용한 후, 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정을 실시하고, 처리한 피처리체 (18) 를 배출한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서, 피처리체 (18) 의 수용은, 피처리체 (18) 를 재치부 (10) 상에 재치함으로써 실시한다. 재치부 (10) 는, 피처리체 (18) 를 재치하기 위한 것으로, 피처리체 (18) 를 예를 들어 흡인함으로써 유지할 수 있다. 재치부 (10) 는, 재치부 (10) 의 중심을 축으로 하여 회전 가능한 회전축 (12) 상에 형성되고, 회전축 (12) 에는, 회전축 (12) 을 회전시키는 회전 모터 (회전 수단) (14) 가 장착되어 있다.
또, 후술하는 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정을 실시한 후, 처리한 피처리체 (18) 를 배출하기 전에, 처리액을 공급하지 않고 피처리체 (18) 를 회전시킴으로써, 피처리면 (18b) 을 건조시켜도 된다. 이때의 회전수로는, 예를 들어, 500 min-1 이상, 3000 min-1 이하의 범위로 할 수 있다.
(저류 처리 공정)
도 2 는, 저류 처리 공정에 있어서의 처리 장치 (100) 의 상태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 공급구 (56) 가 개구되어 있는 공간인 저류 공간부 (52) 를, 대향면 (52a) 과 피처리면 (18b) 사이에 놓이도록 처리 지그 (50) 를 배치한 상태에서, 저류 공간부 (52) 에 제 1 처리액을 저류시킴으로써, 외주부 (18a) 에 제 1 처리액이 비산하는 것이 억제된 상태에서, 피처리면 (18b) 을 처리할 수 있다.
즉, 저류 처리 공정에서는, 위치 제어부 (76) 가, 저류 공간부 (52) 를 대향면 (52a) 과 피처리면 (18b) 사이에 놓이도록 처리 지그 (50) 를 배치함과 함께, 제 1 처리액 공급부 (40) 가, 공급구 (56) 로부터 저류 공간부 (52) 에 제 1 처리액을 공급한다.
제 1 처리액은, 피처리면 (18b) 을 처리하기 위해서 사용하는 처리액으로, 공급구 (56) 로부터 저류 공간부 (52) 에 공급된다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 공급구 (56) 는, 제 1 처리액을 공급하는 제 1 처리액 공급부 (40) 와 배관 (42) 을 개재하여 연결되어 있다. 제 1 처리액 공급부 (40) 는, 제 1 처리액이 유지된 탱크 (도시 생략) 를 구비하고 있다. 또한, 제 1 처리액 공급부 (40) 는, 공급구 (56) 로부터 공급되는 제 1 처리액의 유량을 제어할 수 있는 구성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 이로써, 공급구 (56) 로부터 최적의 유량으로 제 1 처리액을 공급할 수 있어, 처리 효과를 향상시킬 수 있다.
제 1 처리액은, 목적으로 하는 처리의 종류에 따라 적절히 선택하면 되는데, 예를 들어, 상기 서술한 바와 같이, 다이싱 테이프 (96) 가 첩부된 반도체 웨이퍼 (94) 인 피처리체 (18) 의 표면에 잔류하고 있는 접착제를 세정하는 것을 목적으로 하는 경우에는, 제 1 처리액으로는, 당해 접착제를 양호하게 용해할 수 있는 용매를 사용할 수 있다. 그와 같은 용매로는, 친수성 용매 및 소수성 용매를 들 수 있다. 친수성 용매의 예로는, 예를 들어, 알칼리 수용액, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 알코올을 들 수 있다. 소수성 용매의 예로는, 예를 들어, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 글리콜계 용매, p-멘탄, d-리모넨 등의 테르펜계 용매를 들 수 있다.
또, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 처리 지그 (50) 는, 피처리면 (18b) 과 대향하는 대향면 (52a) 으로부터 피처리면 (18b) 을 향하여 돌출되는 돌출부 (54) 를 갖는 것이 바람직하다. 돌출부 (54) 를 구비함으로써, 공급된 제 1 처리액을 저류 공간부 (52) 에 보다 확실하게 유지할 수 있다. 또한, 추가로 보충하면, 일 국면에 있어서, 저류 처리 공정에서는, 제 1 처리액의 표면 장력을 이용하여, 제 1 처리액을 저류 공간부 (52) 에 유지한다.
저류 처리 공정에 있어서, 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이의 거리는, 제 1 처리액을 유지할 수 있는 거리이면 되고, 예를 들어, 0.1 ㎜ 이상, 3.0 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.3 ㎜ 이상, 1.5 ㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 돌출부 (54) 와, 피처리면 (18b) 사이의 거리는, 접촉하지 않는 한 0 에 가깝게 하는 것이 가능하다. 위치 제어부 (76) 는, 처리 지그 (50) 의 위치를 조정하는 것으로, 저류 처리 공정에 있어서, 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 을 이간한 상태로 유지하고, 바람직하게는, 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이의 거리를, 상기 서술한 바와 같은 목적의 값으로 유지한다.
또, 회수구 (58) 가 저류 공간부 (52) 에 개구되고, 제 1 처리액 회수부 (70) 가, 배관 (72) 및 회수구 (58) 를 통하여, 저류 공간부 (52) 에 저류된 제 1 처리액을 회수하는 것이 바람직하다. 이로써, 공급구 (56) 로부터 공급되어 저류 공간부 (52) 에 저류되어 있는 제 1 처리액은, 신속하게 회수구 (58) 로부터 회수되기 때문에, 저류 공간부 (52) 에는 항상 새로운 제 1 처리액이 충만해져, 보다 높은 세정 효과를 확보할 수 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 회수구 (58) 는, 제 1 처리액을 회수하는 제 1 처리액 회수부 (70) 와 배관 (72) 을 개재하여 연결되어 있다. 제 1 처리액 회수부 (70) 는, 저류 공간부 (52) 로부터 제 1 처리액을 흡인하는 펌프 (도시 생략) 및 회수한 제 1 처리액을 저장하는 탱크 (도시 생략) 를 구비하고 있다.
공급구 (56) 및 회수구 (58) 의 개수 및 배치에 대해서는, 피처리체 (18) 의 사이즈, 형상 등에 따라 적절히 설정할 수 있다 (도 3 의 (a) 및 (b) 를 참조). 공급구 (56) 및 회수구 (58) 의 평면 형상은, 원형, 타원형, 정사각형, 직사각형, 마름모형 등으로 할 수 있고, 제 1 처리액의 흐름을 방해하지 않는 한, 특별히 제한되지 않는다. 공급구 (56) 및 회수구 (58) 의 구경 (口徑) 에 대해서도, 처리액의 흐름을 방해하지 않는 한, 특별히 제한되지 않는다.
또, 피처리면 (18b) 상에 있어서 저류 공간부 (52) 에 접하는 영역, 다시 말해, 저류된 제 1 처리액이 피처리면 (18b) 상에서 차지하는 영역은, 피처리면 (18b) 전체보다 작아도 된다. 이 경우, 저류 처리 공정에 있어서, 처리 지그 (50) 를, 피처리면 (18b) 의 면내 방향으로 상대적으로 이동시키는 것이 바람직하다. 처리 지그 (50) 의 위치를 피처리면 (18b) 에 대해 상대적으로 이동시킴으로써, 피처리면 (18b) 의 보다 넓은 범위에 대해 처리를 실시할 수 있다.
예를 들어, 일 실시형태에 있어서, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 피처리체 (18) 를 회전시켜도 된다. 이로써, 처리 지그 (50) 를, 피처리면 (18b) 에 대해 상대적으로 이동시켜, 피처리면 (18b) 의 보다 넓은 범위에 대해 처리를 실시할 수 있다. 도 3 의 (a) 는, 원형의 처리 지그 (50) 를 사용한 경우의 상면도이고, 도 3 의 (b) 는, 일방향으로 연장된 형상의 처리 지그 (50) 를 사용한 경우의 상면도이다.
더욱 바람직한 실시형태에 있어서, 저류 처리 공정에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 피처리체 (18) 를 회전시킴과 함께, 위치 제어부 (76) 가, 피처리면 (18b) 과 평행한 면내에 있어서, 처리 지그 (50) 를 피처리체 (18) 의 회전 방향과는 상이한 방향으로 이동시킨다. 이로써, 저류 공간부 (52) 를, 피처리면 (18b) 상의 보다 큰 범위를 통과시켜, 보다 큰 범위를 바람직하게 처리할 수 있다.
예를 들어, 도 4 의 (a) ∼ (c) 에 나타내는 바와 같이, 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중앙 부분에서 외측 가장자리 부분까지 이동시켜 처리를 실시함으로써, 피처리면 (18b) 전체를 처리할 수 있다. 도 4 의 (a) 는, 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중앙 부분에 배치한 상태 (중앙 처리 단계) 를 나타내고, 도 4 의 (b) 는, 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중앙 부분과 외측 가장자리 부분의 중간 부분에 배치한 상태 (중간 처리 단계) 를 나타내며, 도 4 의 (c) 는, 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분에 배치한 상태 (외측 가장자리 처리 단계) 를 나타낸다. 또한, 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분이란, 피처리면 (18b) 중, 외주부 (18a) 에 가까운 영역을 가리킨다. 중앙 처리 단계보다, 중간 처리 단계, 나아가 외측 가장자리 처리 단계 쪽이, 처리 대상이 되는 피처리면 (18b) 상의 면적이 넓어지기 때문에, 중앙 처리 단계에 있어서의 처리 시간보다, 외측 가장자리 처리 단계에 있어서의 처리 시간 쪽을 길게 하는 것이 바람직하다. 이로써, 피처리면 (18b) 의 전체를 보다 균일하게 처리할 수 있다.
(회전 처리 공정)
본 실시형태에 관련된 회전 처리 공정에서는, 피처리체 (18) 를 재치부 (10) 와 함께 회전시키면서, 외주부 (18a) 상에 제 2 처리액을 공급하면서, 공급구 (56) 로부터 피처리면 (18b) 상에 제 1 처리액을 공급한다. 이때, 처리 지그 (50) 를 피처리체 (18) 의 회전 방향과는 상이한 방향으로 이동시킨다.
즉, 회전 처리 공정에서는, 회전 모터 (14) 가, 피처리체 (18) 를 회전시킨면서, 제 2 처리액 공급부 (30) 가, 외주부 (18a) 에 제 2 처리액을 공급하면서, 제 1 처리액 공급부 (40) 가, 공급구 (56) 로부터 피처리면 (18b) 상에 제 1 처리액을 공급한다. 또, 위치 제어부 (76) 가, 처리 지그 (50) 를 피처리체 (18) 의 회전 방향과는 상이한 방향으로 이동시킨다.
제 2 처리액은, 외주부 (18a) 상에 제 2 처리액의 액막을 형성하고, 제 1 처리액으로부터 외주부 (18a) 를 보호하기 위한 액체로, 예를 들어, 상기 서술한 바와 같이, 다이싱 테이프 (96) 가 첩부된 반도체 웨이퍼 (94) 인 피처리체 (18) 의 표면에 잔류하고 있는 접착제를 세정하는 것을 목적으로 하는 경우에는, 제 2 처리액으로는, 다이싱 테이프 (96) 를 열화시키지 않는 액체를 사용하면 되고, 예를 들어, 순수를 바람직하게 사용할 수 있다.
도 5 는, 저류 처리 공정에 있어서의 처리 장치 (100) 의 상태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 회전 처리 공정에 있어서의 외주부 (18a) 로의 제 2 처리액의 공급은, 제 2 처리액 공급구 (84) 로부터 피처리면 (18b) 과 외주부 (18a) 의 대략 경계에 제 2 처리액을 공급 (토출) 함으로써 실시할 수 있다. 또한, 대략 경계란, 피처리면 (20) 과 외주부 (21) 의 경계 및 그 주위를 의미한다. 피처리체 (18) 를 회전시키면서, 피처리면 (18b) 과 외주부 (18a) 의 대략 경계에 제 2 처리액을 공급함으로써, 원심력에 의해 제 2 처리액을 외주부 (18a) 로 확산시켜, 외주부 (18a) 상에 제 2 처리액의 액막을 형성한다. 이로써, 제 1 처리액과의 접촉에 의한 외주부 (18a) 의 열화 및 용해 잔류물 (97) 이 외주부 (18a) 에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 2 처리액 공급구 (84) 는, 제 2 처리액을 공급하는 제 2 처리액 공급부 (30) 와 배관 (82) 을 통해 연결되어 있다. 제 2 처리액 공급부 (30) 는, 제 2 처리액이 유지된 탱크 (도시 생략) 를 구비하고 있다. 제 2 처리액 공급구 (84) 는, 배관 (82) 에 형성된 구멍 또는 노즐이어도 된다.
또, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에서는, 회전 처리 공정에 있어서, 처리 지그 (50) 를 피처리체 (18) 의 회전 방향과는 상이한 방향으로 이동시킨다. 이로써, 후술하는 실시예에 있어서 나타내는 바와 같이, 처리 지그 (50) 를 고정시켜 처리를 실시한 경우에 비해, 보다 효과적으로 피처리면 (18b) 을 처리할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법을, 피처리체 (18) 의 표면에 잔류하고 있는 접착제의 세정을 위해서 사용한 경우, 피처리면 (18b) 에 어떠한 돌기부 (95) 가 형성되었다고 해도, 용해 잔류물 (97) 을 순조롭게 피처리면 (18b) 으로부터 제거할 수 있다.
또한, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 회전 처리 공정에 있어서의 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 의 간격이, 저류 처리 공정에 있어서의 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 의 간격보다 넓은 것이 바람직하다. 저류 처리 공정에 있어서는, 저류 공간부 (52) 에 제 1 처리액을 저류시키면서 처리를 실시하는 반면, 회전 처리 공정에서는, 제 1 처리액을 저류시키지 않고 피처리면 (18b) 에 공급하는 것이 목적이기 때문이다. 또한, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에서는, 저류 처리 공정을 실시한 후, 위치 제어부 (76) 가 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이를 넓혀, 회전 처리 공정을 실시한다. 또한, 회전 처리 공정에 있어서의 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이의 거리는, 제 1 처리액을 유지하지 않는 거리이면 되고, 특별히 한정되지 않는다.
또, 회전 처리 공정에서는, 피처리체 (18) 를, 100 min-1 이상, 1000 min-1 미만의 회전수로 회전시키는 것이 보다 바람직하고, 100 min-1 이상, 500 min-1 이하의 회전수로 회전시키는 것이 더욱 바람직하며, 100 min-1 이상, 300 min-1 이하의 회전수로 회전시키는 것이 특히 바람직하다. 회전 처리 공정에 있어서의 피처리체 (18) 의 회전수를 상기의 범위로 함으로써, 효과적으로 피처리면 (18b) 을 처리할 수 있다. 예를 들어, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법을 피처리체 (18) 의 표면에 잔류하고 있는 접착제의 세정을 위해서 사용한 경우, 회전 처리 공정에 있어서의 피처리체 (18) 의 회전수를 상기의 범위로 함으로써, 용해 잔류물 (97) 을 피처리면 (18b) 으로부터 보다 바람직하게 제거할 수 있다.
또, 회전 처리 공정에 있어서의 공급구 (56) 로부터의 제 1 처리액의 유량은, 저류 처리 공정에 있어서의 공급구 (56) 로부터의 제 1 처리액의 유량보다 큰 것이 바람직하다. 제 1 처리액의 유량을 상기와 같이 조정함으로써, 보다 효과적으로 피처리면 (18b) 을 처리할 수 있다. 예를 들어, 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법을 피처리체 (18) 의 표면에 잔류하고 있는 접착제의 세정을 위해서 사용한 경우, 제 1 처리액의 유량을 상기와 같이 조정함으로써, 피처리면 (18b) 에 어떠한 돌기부 (95) 가 형성되었다고 해도, 용해 잔류물 (97) 을 피처리면 (18b) 으로부터 보다 바람직하게 제거할 수 있다.
〔제 2 실시형태〕
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 본 실시형태에 관련된 피처리체의 처리 방법에서는, 제 1 실시형태에 있어서 설명한 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정을 실시한 후, 제 1 처리액을 기체와 혼합하여 상기 피처리면 상에 분무하는 분무 처리 공정, 및 피처리면 상에 기체를 공급하면서 건조시키는 건조 공정을 추가로 실시한다. 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정에 대해서는, 제 1 실시형태와 동일하게 실시하면 되며, 설명을 생략한다. 이하, 분무 처리 공정 및 건조 공정에 대해 설명한다.
(분무 처리 공정)
분무 처리 공정에서는, 제 1 처리액을 기체와 혼합하여 피처리면 (18b) 상에 분무한다. 즉, 분무 처리 공정에서는, 처리 장치 (100) 는, 도시하지 않는 탱크에 저장된 제 1 처리액을 기체와 혼합하여, 피처리면 (18b) 상에 분무한다. 이로써, 보다 효과적으로 피처리면 (18b) 을 세정 처리할 수 있다.
또한, 기체 및 제 1 처리액의 혼합 및 분무에는, 예를 들어, 공지된 2 류체 노즐을 사용하면 된다. 또, 기체로는, 예를 들어, N2, 공기 등을 사용할 수 있다.
(건조 공정)
건조 공정에서는, 피처리면 (18b) 상에 기체를 공급함으로써, 피처리면 (18b) 을 건조시킨다. 즉, 건조 공정에서는, 처리 장치 (100) 는, 기체를 소정의 노즐로부터 피처리면 (18b) 에 공급한다. 사용하는 기체로는, 예를 들어, N2 를 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 건조 공정에 있어서, 피처리면 (18b) 상에 기체를 공급하고, 피처리면 (18b) 을 건조시킴으로써, 이물질 등이 새롭게 피처리면 (18b) 상에 부착되는 것을 억제하여, 피처리면 (18b) 의 청정함을 유지한 채, 피처리체 (18) 를 신속하고 확실하게 건조시킬 수 있다.
본 발명은 상기 서술한 각 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 특허청구의 범위에 나타낸 범위 내에서 여러 가지의 변경이 가능하고, 상이한 실시형태 또는 실시예에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
실시예
다음으로, 실시예 및 비교예를 사용하여, 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다.
실시예 및 비교예에서는, 피처리체 (18) 의 피처리면 (18b) 을 세정하는 것을 목적으로 하였다. 피처리체 (18) 로는, 다이싱 테이프가 첩부된 직경 30 ㎝ 의 반도체 웨이퍼 상에 두께 약 140 ㎛ 의 잔류 접착제 (93) 및 용해 잔류물 (분체) (97) 을 갖고 있는 것을 사용하였다. 반도체 웨이퍼의 회로 형성면 (피처리면 (18b)) 에는, 범프라고 불리는 금속의 전극 돌기 (돌기물 (95)) 가 배치되어 있다. 제 1 처리액으로는, 유기 용제 (p－멘탄) 를 사용하였다. 제 2 처리액으로는, 순수를 사용하였다.
〔비교예 1〕
비교예 1 에서는, 피처리체 (18) 를 회전시키면서, 단순히, 피처리면 (18b) 에 제 1 처리액을 공급하여 피처리체 (18) 를 처리한 후, 제 1 처리액을 공급하지 않고 피처리체 (18) 를 회전시켜 피처리체 (18) 를 건조시켰다. 피처리체 (18) 로는, 높이 60 ㎛ 의 범프가 형성된 반도체 웨이퍼, 및 높이 80 ㎛ 의 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 양방을 사용하였다.
먼저, 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이의 거리를 12 ㎝ 로 유지하고, 피처리체 (18) 를 이하의 6 단계의 조건으로 회전시키면서, 제 1 처리액을 50 ㎖/min 의 유량으로 공급하였다 : (1) 회전수 1000 min- 1 로 20 초간, (2) 회전수 1000 min-1 로 900 초간, (3) 회전수 1000 min- 1 로 900 초간, (4) 회전수 1000 min- 1 로 900 초간, (5) 회전수 700 min- 1 로 900 초간, 및 (6) 회전수 700 min- 1 로 10 초간. 계속해서, 피처리체 (18) 를 회전수 700 min- 1 로 3 분간 회전시킴으로써, 피처리체 (18) 를 건조시켰다.
상기 처리를 실시한 후의 피처리체 (18) 에 대해 육안 관찰하여, 처리 결과에 대해 평가를 실시하였다.
얻어진 피처리체 (18) 의 피처리면 (18b) 에서는, 잔류 접착제 (93) 는 제거되었지만, 용해 잔류물 (97) 이 잔류하고 있었다 (도 8 의 (a) 를 참조). 또, 외주부 (18a) (다이싱 테이프 (96) 의 노출면) 는 회전 처리에서 사용한 제 1 처리액에 의해 팽윤되었고, 굴곡이 발생하고 있었다. 또, 다이싱 테이프 (96) 의 노출면에는, 용해 잔류물 (97) 이 다수 부착되어 있었다.
상기 결과에 의해, 잔류 접착제 (93) 및 용해 잔류물 (97) 을 갖는 피처리체 (18) 에 대해, 단순히, 피처리체 (18) 를 회전시키면서 피처리면 (18b) 에 제 1 처리액을 공급하여 피처리체 (18) 를 처리한 것만으로는 충분한 세정 효과를 얻지 못하고, 외주부 (18a) (다이싱 테이프 (96)) 를 열화시켜 버리는 것을 알 수 있게 되었다.
〔비교예 2〕
비교예 2 에서는, 피처리체 (18) 에 대해, 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정을 실시한 후, 마지막에 처리액을 공급하지 않고 피처리체 (18) 를 회전시켜 피처리체 (18) 를 건조시켰다. 회전 처리 공정은, 처리 지그 (50) 를 고정시킨 상태에서 실시하였다. 피처리체 (18) 로는, 높이 60 ㎛ 의 범프가 형성된 반도체 웨이퍼, 및 높이 80 ㎛ 의 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 양방을 사용하였다.
먼저, 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이의 거리를 300 ㎛ 로 유지하고, 이하의 5 단계의 조건으로 피처리체 (18) 의 회전 및 처리 지그 (50) 의 배치를 실시하면서, 저류 공간부 (52) 에 대해 50 ㎖/min 의 유량으로 제 1 처리액의 공급 및 회수를 실시하였다 : (1) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중앙 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 20 초간, (2) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중간 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 900 초간, (3) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 900 초간, (4) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중간 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 900 초간, 및 (5) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 900 초간.
계속해서, 피처리면 (18b) 의 중앙 부분으로부터 상방으로 12 ㎝ 떨어진 위치에 처리 지그 (50) 를 이동시켜 유지하였다. 그리고, 10 초간, 피처리체 (18) 를 회전수 1000 min- 1 로 회전시키면서, 제 2 처리액 공급구 (84) 로부터 피처리면 (18b) 과 외주부 (18a) 의 대략 경계에 제 2 처리액을 공급함과 함께, 공급구 (56) 로부터 피처리면 (18b) 에 대해 50 ㎖/min 의 유량으로 제 1 처리액을 공급하였다. 또한, 본 비교예에서는, 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 으로부터 12 ㎝ 정도 떨어진 위치에 유지하는 경우, 처리 장치 (100) 의 구성상, 제 2 처리액 공급구 (84) 와 간섭하기 때문에, 처리 지그 (50) 는 피처리면 (18b) 의 중앙 부분의 상부에밖에 배치할 수 없었다.
마지막으로, 피처리체 (18) 를 회전수 1000 min- 1 의 조건하에서 180 초간 회전시킴으로써, 피처리체 (18) 를 건조시켰다.
상기 처리를 실시한 후의 피처리체에 대해 육안 관찰하여, 처리 결과에 대해 평가를 실시하였다.
얻어진 피처리체 (18) 의 피처리면 (18b) 에서는, 용매의 건조 불균일은 없었고, 잔류 접착제 (93) 는 제거되었지만, 용해 잔류물 (97) 이 다수 잔류하고 있었다 (도 8 의 (b) 를 참조). 또한, 외주부 (18a) (다이싱 테이프 (96) 의 노출면) 에는, 용매에 의한 손상 및 용해 잔류물 (97) 의 부착은 거의 없었다.
상기 결과에 의해, 잔류 접착제 (93) 및 용해 잔류물 (97) 을 갖는 피처리체 (18) 에 대해, 단순히, 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정을 실시한 것만으로는 충분한 세정 효과가 얻어지지 않는다는 것을 알 수 있게 되었다.
〔비교예 3〕
비교예 3 에서는, 비교예 2 에 비해 회전 처리시의 회전수를 줄여 처리를 실시하였다. 피처리체 (18) 로는, 높이 60 ㎛ 의 범프가 형성된 반도체 웨이퍼, 및 높이 80 ㎛ 의 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 양방을 사용하였다.
먼저, 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이의 거리를 300 ㎛ 로 유지하고, 이하의 5 단계의 조건으로 피처리체 (18) 의 회전 및 처리 지그 (50) 의 배치를 실시하면서, 저류 공간부 (52) 에 대해 50 ㎖/min 의 유량으로 제 1 처리액의 공급 및 회수를 실시하였다 : (1) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중앙 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 20 초간, (2) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중간 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 600 초간, (3) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 600 초간, (4) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중간 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 600 초간, 및 (5) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min-1 로 600 초간.
계속해서, 피처리면 (18b) 의 중앙 부분으로부터 상방으로 12 ㎝ 떨어진 위치에 처리 지그 (50) 를 이동시켜 유지하였다. 그리고, 360 초간, 피처리체 (18) 를 회전수 200 min- 1 로 회전시키면서, 제 2 처리액 공급구 (84) 로부터 피처리면 (18b) 과 외주부 (18a) 의 대략 경계에 제 2 처리액을 공급함과 함께, 공급구 (56) 로부터 피처리면 (18b) 에 대해 50 ㎖/min 의 유량으로 제 1 처리액을 공급하였다. 또한, 본 비교예에서는, 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 으로부터 12 ㎝ 정도 떨어진 위치에 유지하는 경우, 처리 장치 (100) 의 구성상, 제 2 처리액 공급구 (84) 와 간섭하기 때문에, 처리 지그 (50) 는 피처리면 (18b) 의 중앙 부분의 상부에밖에 배치할 수 없었다.
마지막으로, 피처리체 (18) 를 회전수 1000 min- 1 의 조건하에서 300 초간 회전시킴으로써, 피처리체 (18) 를 건조시켰다.
상기 처리를 실시한 후의 피처리체에 대해 육안 관찰하여, 처리 결과에 대해 평가를 실시하였다.
60 ㎛ 의 범프가 형성되어 있는 피처리체 (18) 의 피처리면 (18b) 에서는, 잔류 접착제 (93) 는 제거되었고, 용해 잔류물 (97) 도 부착되어 있지 않았다 (도 8 의 (c) 를 참조). 또, 외주부 (18a) (다이싱 테이프 (96) 의 노출면) 에는, 용매에 의한 손상 및 용해 잔류물 (97) 의 부착은 거의 없었다.
또, 80 ㎛의 범프가 형성되어 있는 피처리체 (18) 의 피처리면 (18b) 에서는, 범프의 주변에 용해 잔류물 (97) 이 잔류하고 있었다.
상기 결과에 의해, 잔류 접착제 (93) 및 용해 잔류물 (97) 을 갖는 피처리체 (18) 에 대해, 단순히, 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정을 실시한 경우, 회전 처리 공정에서 회전수를 줄여, 처리 시간을 길게 함으로써, 세정 효과의 향상은 보여지지만, 세정 효과는 여전히 불충분하다는 것을 알 수 있게 되었다.
〔실시예 1〕
실시예 1 에서는, 피처리체 (18) 에 대해, 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정을 실시한 후, 마지막에 처리액을 공급하지 않고 피처리체 (18) 를 회전시켜 피처리체 (18) 를 건조시켰다. 회전 처리 공정은, 처리 지그 (50) 를 피처리체 (18) 의 반경 방향으로 요동 (스윙) 시키면서 실시하였다. 피처리체 (18) 로는, 높이 60 ㎛ 의 범프가 형성된 반도체 웨이퍼, 및 높이 80 ㎛ 의 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 양방을 사용하였다.
먼저, 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이의 거리를 300 ㎛ 로 유지하고, 이하의 5 단계의 조건으로 피처리체 (18) 의 회전 및 처리 지그 (50) 의 배치를 실시하면서, 저류 공간부 (52) 에 대해 50 ㎖/min 의 유량으로 제 1 처리액의 공급 및 회수를 실시하였다 : (1) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중앙 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 20 초간, (2) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중간 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 600 초간, (3) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 600 초간, (4) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중간 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 300 초간, 및 (5) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 300 초간.
계속해서, 피처리면 (18b) 의 중앙 부분으로부터 상방으로 12 ㎝ 떨어진 위치에 처리 지그 (50) 를 이동시켜 유지하였다. 그리고, 420 초간, 피처리체 (18) 를 회전수 150 min- 1 로 회전시키면서, 제 2 처리액 공급구 (84) 로부터 피처리면 (18b) 과 외주부 (18a) 의 대략 경계에 제 2 처리액을 공급함과 함께, 공급구 (56) 로부터 피처리면 (18b) 에 대해 150 ㎖/min 의 유량으로 제 1 처리액을 공급하였다. 이때, 처리 지그 (50) 를, 피처리체 (18) 의 반경 방향으로 130 ㎜ 의 폭으로 요동 (스윙) 시켰다.
마지막으로, 피처리체 (18) 를 회전수 1200 min- 1 의 조건하에서 300 초간 회전시킴으로써, 피처리체 (18) 를 건조시켰다.
상기 처리를 실시한 후의 피처리체에 대해 육안 관찰하여, 처리 결과에 대해 평가를 실시하였다.
얻어진 피처리체 (18) 의 피처리면 (18b) 에서는, 잔류 접착제 (93) 는 제거되었고, 용해 잔류물 (97) 도 부착되어 있지 않았다 (도 8 의 (d) 를 참조). 또, 외주부 (18a) (다이싱 테이프 (96) 의 노출면) 에는, 용매에 의한 손상 및 용해 잔류물 (97) 의 부착은 거의 없었다.
상기 결과에 의해, 잔류 접착제 (93) 및 용해 잔류물 (97) 을 갖는 피처리체 (18) 에 대해, 저류 처리 공정, 및, 처리 지그 (50) 를 이동시키면서의 회전 처리 공정을 실시한 경우, 다이싱 테이프를 열화시키지 않고, 충분한 세정 효과가 얻어지는 것을 알 수 있게 되었다.
〔실시예 2〕
실시예 2 에서는, 피처리체 (18) 에 대해, 저류 처리 공정 및 회전 처리 공정을 실시한 후, 추가로 분무 처리 공정 및 건조 공정을 실시하고, 마지막에 처리액을 공급하지 않고 피처리체 (18) 를 회전시켜 피처리체 (18) 를 건조시켰다. 회전 처리 공정은, 처리 지그 (50) 를 피처리체 (18) 의 반경 방향으로 요동 (스윙) 시키면서 실시하였다.
먼저, 처리 지그 (50) 와 피처리면 (18b) 사이의 거리를 300 ㎛ 로 유지하고, 이하의 5 단계의 조건으로 피처리체 (18) 의 회전 및 처리 지그 (50) 의 배치를 실시하면서, 저류 공간부 (52) 에 대해 50 ㎖/min 의 유량으로 제 1 처리액의 공급 및 회수를 실시하였다 : (1) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중앙 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 20 초간, (2) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중간 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 600 초간, (3) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 600 초간, (4) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 중간 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 300 초간, 및 (5) 처리 지그 (50) 를 피처리면 (18b) 의 외측 가장자리 부분 상에 배치하여, 회전수 10 min- 1 로 300 초간.
계속해서, 피처리면 (18b) 의 중앙 부분으로부터 상방으로 12 ㎝ 떨어진 위치에 처리 지그 (50) 를 이동시키고 유지하였다. 그리고, 420 초간, 피처리체 (18) 를 회전수 150 min-1 로 회전시키면서, 제 2 처리액 공급구 (84) 로부터 피처리면 (18b) 과 외주부 (18a) 의 대략 경계에 제 2 처리액을 공급함과 함께, 공급구 (56) 로부터 피처리면 (18b) 에 대해 150 ㎖/min 의 유량으로 제 1 처리액을 공급하였다. 이때, 처리 지그 (50) 를, 피처리체 (18) 의 반경 방향으로 130 ㎜ 의 폭으로 요동 (스윙) 시켰다.
계속해서, 피처리체 (18) 를 회전수 1000 min- 1 로 회전시키고, 피처리면 (18b) 과 외주부 (18a) 의 대략 경계에 순수를 공급하면서, 피처리면 (18b) 에 대해 제 1 처리액과 N2 를 혼합한 2 류체 스프레이를 분무하여, 60 ∼ 120 초간 분무 처리 공정을 실시하였다.
피처리체 (18) 를 회전수 1200 min- 1 로 회전시키고, 피처리면 (18b) 에 대해 N2 를 분사하여 30 초간 에어 블로우에 의한 건조 공정을 실시하였다. 이때 건조 공정의 시작 중에는, 대략 경계에 순수를 공급하면서 실시해도 된다.
마지막으로, 피처리체 (18) 를 회전수 1200 min-1 로 300 초간 회전시킴으로써, 피처리체 (18) 를 건조시켰다.
상기 처리를 실시한 후의 피처리체에 대해 육안 관찰하여, 처리 결과에 대해 평가를 실시하였다.
얻어진 피처리체 (18) 의 피처리면 (18b) 에서는, 잔류 접착제 (93) 는 제거되었고, 용해 잔류물 (97) 도 부착되어 있지 않았다. 또, 외주부 (18a) (다이싱 테이프 (96) 의 노출면) 에는, 용매에 의한 손상 및 용해 잔류물 (97) 의 부착은 거의 없었다.
상기 결과에 의해, 잔류 접착제 (93) 및 용해 잔류물 (97) 을 갖는 피처리체 (18) 에 대해, 저류 처리 공정, 및, 처리 지그 (50) 를 이동시키면서의 회전 처리 공정, 분무 처리 공정, 에어 블로우에 의한 건조 공정을 실시한 경우, 다이싱 테이프를 열화시키지 않고, 충분한 세정 효과가 얻어지는 것을 알 수 있게 되었다.
본 발명은, 예를 들어, 박판화 반도체 웨이퍼의 표면 처리 등에 이용 가능하다.
10 : 재치부
12 : 회전축
14 : 모터
18 : 피처리체
18a : 외주부
18b : 피처리면
30 : 제 2 처리액 공급부
40 : 제 1 처리액 공급부
50 : 처리 지그
52 : 저류 공간부
54 : 돌출부
56 : 공급구
58 : 회수구
70 : 제 1 처리액 회수부
76 : 위치 제어부
84 : 제 2 처리액 공급구
93 : 잔류 접착제
94 : 반도체 웨이퍼
95 : 돌기물
96 : 지지체
97 : 용해 잔류물

Claims (12)

  1. 피처리면을 구비함과 함께, 그 피처리면의 외주에 배치된 외주부를 갖는 피처리체를 처리하는 방법으로서,
    제 1 처리액을 공급하는 공급구를 구비한 처리 지그(processing jig)를, 그 공급구가 개구되어 있는 공간을 그 처리 지그와 그 피처리면 사이에 놓이도록 하여 배치하고, 그 공간에 상기 제 1 처리액을 저류시키는 저류 처리 공정과,
    상기 피처리체를 회전시키면서, 외주부 상에 제 2 처리액을 공급하면서, 그 공급구로부터 상기 피처리면 상에 상기 제 1 처리액을 공급하는 회전 처리 공정을 포함하고,
    그 회전 처리 공정에 있어서, 그 처리 지그를 그 피처리체의 회전 방향과는 상이한 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 처리 공정에 있어서의 상기 처리 지그와 상기 피처리면의 간격이, 상기 저류 처리 공정에 있어서의 그 간격보다 넓은 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전 처리 공정에서는, 상기 피처리체를 100 min-1 회전 이상, 1000 min-1 회전 미만의 범위에서 회전시키는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전 처리 공정에서는, 상기 저류 처리 공정보다 큰 유량으로, 상기 공급구로부터 상기 제 1 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전 처리 공정에서는, 상기 제 2 처리액을 상기 피처리면과 상기 외주부의 경계에 공급함으로써, 상기 제 2 처리액을 상기 외주부 상에 공급하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전 처리 공정 후, 상기 제 1 처리액을 기체와 혼합하여 상기 피처리면 상에 분무하는 분무 처리 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회전 처리 공정 후, 상기 피처리면 상에 기체를 공급함으로써, 상기 피처리면을 건조시키는 건조 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 저류 처리 공정에 있어서, 상기 피처리면 상의 상기 공간에 접하는 영역은, 상기 피처리면 전체보다 작고,
    상기 저류 처리 공정에서는, 상기 처리 지그를, 상기 피처리면의 면내 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 저류 처리 공정은,
    상기 피처리면의 중앙 부분 상에 상기 처리 지그가 배치되는 중앙 처리 단계와,
    상기 피처리면의 외측 가장자리 부분 상에 상기 처리 지그가 배치되는 외측 가장자리 처리 단계를 포함하고,
    그 중앙 처리 단계의 처리 시간보다 그 외측 가장자리 처리 단계의 처리 시간 쪽이 긴 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 처리 지그는, 상기 저류 처리 공정에 있어서 상기 공간에 개구되고, 상기 제 1 처리액을 회수하는 회수구를 추가로 구비하고 있고,
    상기 저류 처리 공정에서는, 상기 처리 지그를, 상기 피처리면에 대해 이간하도록 유지하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 피처리체는, 지지체에 첩부된 기판이고,
    상기 피처리면은, 그 기판의 표면이고,
    상기 외주부는, 그 지지체의 노출면인 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 처리액은, 상기 피처리면 상에 도포된 접착제를 용해시키기 위한 용제로, 그 접착제를 그 용제에 용해시켰을 때, 그 용제에 용해되지 않는 용해 잔류물이 상기 피처리면 상에 잔존하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 방법.
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