JP6417164B2 - 積層体製造装置、積層体、分離装置及び積層体製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、デバイスウェーハに接着剤を介してサポートウェーハを貼合した積層体を製造する積層体製造技術に関する。

近年、複数の半導体素子（半導体チップ）を積層し、ワイヤーボンディングやシリコン貫通電極（ＴＳＶ；Through Silicon Via）などを用いて１つのパッケージ内に実装するマルチチップパッケージ（ＭＣＰ;Multi Chip Package）が用いられるようになってきている。

この様なマルチチップパッケージに用いられる半導体素子は、通常の半導体素子よりも厚み寸法を薄くするのが一般的である。また、半導体装置の高集積化などの観点からも半導体素子の厚み寸法は、薄くなる傾向にある。

この様な厚み寸法の薄い半導体素子を製造するためには、例えば、ダイシングする前の製品基板であるデバイスウェーハの厚み寸法を薄くする薄化工程が必要となる。ところが、デバイスウェーハの厚み寸法が薄くなると、機械的な強度が低下するので、薄化工程等の際に、デバイスウェーハが破損するおそれがある。

そのため、薄化工程の際に必要となる強度を付与するために、所定の厚みを有する支持基板であるサポートウェーハをデバイスウェーハに貼り合わせて、積層体を形成することが行われている。これは、デバイスウェーハとサポートウェーハとを貼り合わせることにより、デバイスウェーハの薄化工程中にサポートウェーハによって支持し、薄化工程後に、デバイスウェーハからサポートウェーハを剥離させる技術である。

しかしながら、かかる技術では、薄化工程に用いられるエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などの処理液が、積層体の内部に侵入することが考慮されていなかった。そのため、薄化工程で侵入した処理液によってパターンやデバイスウェーハが損傷するおそれがあった。

特開２０１２−７９８３６号公報 特開２００４−３１１７４４

これに対処するため、接着剤として、一種類ではなく、異なる種類の接着剤を用いる技術が提案されている（特許文献１参照）。この従来技術に記載された実施例では、最終的にデバイスウェーハとサポートウェーハとが剥離しやすいように、処理液に対して溶解しやすい易溶解性の接着剤で接着する。但し、この易溶解性の接着剤の周縁を、これよりも各種の処理液に対して難溶解性の接着剤を用いて覆い、液体が積層体の内部に入り込まないようにする。この難溶解性の接着剤は、処理液では除去できないため、剥がす時にはレーザを用いる。

かかる技術では、最終的に内側の接着剤を液体で溶解してデバイスウェーハをサポートウェーハから剥離する場合に、内側の接着剤が外部に露出する部分が、難溶解性の接着剤をレーザにより除去した周縁部のみとなる。このため、積層体を液体に浸漬した場合に、接着剤が接液する部分が周縁部のみとなり、溶解に時間がかかる。

また、易溶解性の接着剤は、乾燥させて内部に発生する気泡が抜けるようにすることが望ましい。しかし、デバイスウェーハ側に接着剤を塗り、サポートウェーハを貼合して固めてしまうと、内部に発生した気泡が抜けるルートがなくなるため、接着剤の内部に気泡が残存する。一方、接着剤を乾燥させてからサポートウェーハを貼合すると、接着力が弱くなってしまう。

また、貼り合わせに用いた接着剤を溶解させる溶剤を接液させる貫通孔をサポートウェーハに設けて、浸漬したときに接着剤の溶解速度を向上させることも行われている（特許文献２参照）。しかしながらサポートウェーハに貫通孔を開けるため、サポートウェーハの面が平坦ではなくなり、デバイスウェーハを薄化する際に所望の平坦度を得られなくなる。また、サポートウェーハの貫通孔を作製する製造工程が増え、生産効率が悪くなる。

本発明の実施の形態は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、デバイスウェーハを薄化する際には、良好に接着されたサポートウェーハによって安定して保持し、薄化した後には、サポートウェーハを短時間で容易に分離できる積層体製造装置、積層体、分離装置及び積層体製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するため、実施の形態の接着層形成装置は、所定の溶媒により溶解する第１の接着剤によって、デバイスウェーハに形成された複数の機能デバイスを覆うことにより、第１の接着層を形成する第１の接着層形成部と、前記第２の接着層の周縁部を覆う位置に、前記第２の接着剤を溶解させる第２の溶媒に対して、前記第２の接着剤よりも難溶解性の第３の接着剤を供給することにより第３の接着層を形成する第３の接着層形成部と、前記第１の接着剤よりも前記所定の溶媒に対して難溶解性であって、前記デバイスウェーハを支持するサポートウェーハと前記第１の接着層との間に介在させるとともに、前記第１の接着層の周縁部を覆うための第２の接着剤を、前記サポートウェーハ又は前記第１の接着剤の表面に供給することにより第２の接着層を形成する第２の接着層形成部と、前記デバイスウェーハに対して、前記第１の接着層及び前記第２の接着層を介して、前記第１の接着層の周縁部が露出しないように、サポートウェーハを貼り合わせる貼合部と、を有することを特徴とする。

また、他の実施の形態によれば、所定の溶媒により溶解する第１の接着剤によって、デ
バイスウェーハに形成された複数の機能デバイスを覆う第１の接着層と、前記第１の接着
剤よりも前記所定の溶媒に対して難溶解性である第２の接着剤によって形成され、前記デバイスウェーハを支持するサポートウェーハと前記第１の接着層との間に介在するとともに、前記第１の接着層の周縁部を覆う第２の接着層と、前記第２の接着剤を溶解させる第２の溶媒に対して、前記第２の接着剤よりも難溶解性の第３の接着剤によって、前記第２の接着層の周縁部を覆う第３の接着層と、前記デバイスウェーハに、前記第１の接着層及び前記第２の接着層を介して、前記第１の接着層の周縁部が露出しないように貼り合わされたサポートウェーハと、を有することを特徴とする積層体が提供される。

また、他の実施の形態によれば、所定の溶媒により溶解する第１の接着剤によって、デバイスウェーハに形成された複数の機能デバイスを覆う第１の接着層と、前記第１の接着剤よりも前記所定の溶媒に対して難溶解性である第２の接着剤によって、前記デバイスウェーハを支持するサポートウェーハと前記第１の接着層との間に介在するとともに、前記第１の接着層の周縁部を覆う第２の接着層と、前記デバイスウェーハに、前記第１の接着層及び前記第２の接着層を介して、前記第１の接着層の周縁部が露出しないように貼り合わされたサポートウェーハと、を有する積層体に形成された、複数の前記機能デバイスを、個片に分割する溝を形成するダイシング部と、前記積層体を、前記所定の溶媒に浸漬することにより、前記溝を介して前記第１の接着層を溶解させる溶解部と、を有することを特徴とする分離装置が提供される。

また、他の実施の形態によれば、所定の溶媒により溶解する第１の接着剤によって、デ
バイスウェーハに形成された複数の機能デバイスを覆うことにより、第１の接着層を形成
し、前記第１の接着剤よりも前記所定の溶媒に対して難溶解性であって、前記デバイスウ
ェーハを支持するサポートウェーハと前記第１の接着層との間に介在させるとともに、前
記第１の接着層の周縁部を覆うための第２の接着剤を、前記サポートウェーハ及び前記第
１の接着剤の少なくとも一方の表面に供給することにより、第２の接着層を形成し、前記第２の接着層の周縁部を覆う位置に、前記第２の接着剤を溶解させる第２の溶媒に対して、前記第２の接着剤よりも難溶解性の第３の接着剤を供給することにより第３の接着層を形成し、前記デバイスウェーハに、前記第１の接着層及び前記第２の接着層を介して、前記第１の接着層の周縁部が露出しないように、サポートウェーハを貼り合わせた積層体とする積層体製造方法が提供される。

以上のような本発明の実施の形態によれば、デバイスウェーハを薄化する際には、良好に接着されたサポートウェーハによって安定して保持し、薄化した後には、サポートウェーハを短時間で容易に分離可能な積層体製造装置、積層体、分離装置及び積層体製造方法を提供することができる。

実施形態の積層体を示す断面図 実施形態が適用される電子部品製造装置を示す簡略構成図 積層体製造装置における第１の接着層形成装置の一例を示す説明図 第１の接着層形成装置による減圧塗布を示す説明図 第１の接着剤形成装置における除去部を示す説明図 第１の接着剤形成装置における除去部の他の例を示す説明図 積層体製造装置における第２の接着層形成装置の一例を示す説明図 第２の接着層形成装置の塗布を示す説明図 積層体製造装置における貼合部の貼合前を示す説明図 貼合部における貼合を示す説明図 薄化装置を示す説明図 薄化装置による研磨工程を示す説明図 電極形成装置によるスルーホールの形成を示す説明図 分離装置におけるダイシング部によるダイシングを示す説明図 分離装置における溶解部を示す説明図 溶解部における第１の接着層の溶解を示す説明図 分離装置における剥離部を示す説明図 剥離部における機能デバイスの剥離を示す説明図 再生装置における第２の接着層の溶解を示す説明図 電極形成過程を示す説明図 第１の接着層の溶解過程を示す説明図 第２の接着層の形成態様を示す説明図 第２の接着層の形成態様を示す説明図 第１の接着層及び第２の接着層の形成態様を示す説明図 ダイシング溝の形成態様を示す説明図 フィルムへの貼付態様を示す説明図 機能デバイスを保持する保持手段の態様を示す説明図 機能デバイスを保持する保持手段の態様を示す説明図 電極形成過程を示す説明図 他の実施形態の積層体を示す断面図 他の実施形態が適用される電子部品製造装置を示す簡略構成図 第３の接着層形成装置における除去部を示す説明図 第３の接着層形成装置における供給部を示す説明図 再生装置における第２の接着層の溶解を示す説明図 再生装置における第３の接着層の溶解を示す説明図 電極形成過程を示す説明図 第１の接着層の溶解過程を示す説明図 第３の接着層の形成態様を示す説明図 第３の接着層の形成態様を示す説明図

本発明の実施の形態（以下、実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。

［積層体］
まず、図１を参照して、本実施形態により製造される積層体Ｌを説明する。この積層体Ｌは、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２、第１の接着層Ｂ１、第２の接着層Ｂ２を有する。

デバイスウェーハＳ１は、電子部品となる複数の機能デバイスＤを形成した基板である。デバイスウェーハＳ１は、例えば、電子部品がＣＭＯＳイメージセンサの場合、シリコン基板の表面に受光センサであるフォトダイオードを含む半導体層及び配線層を形成した薄板である。このような機能デバイスＤの表面には、保護層Ｃが設けられている。この保護層Ｃは、機能デバイスＤが形成された領域を保護する膜である。機能デバイスＤの表面に直接接着することは、機能デバイスＤの損傷につながるので、これを防止するために、保護層Ｃが形成されている。保護層Ｃの例としては、機能デバイスＤを形成した段階で、パッシベーションにより形成される酸化膜がある。この保護層Ｃは、一般的に形成されているものであるため、詳細は省略する。

第１の接着層Ｂ１は、後述する第１の接着剤Ｒ１によって形成された層である。この第１の接着層Ｂ１は、デバイスウェーハＳ１における複数の機能デバイスＤを覆うように形成されている。

第１の接着剤Ｒ１は、所定の溶媒に対して溶解しやすい易溶解性である。第１の接着剤Ｒ１としては、例えば、殿粉ノリ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系接着剤、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）系接着剤等の水溶性の接着剤を用いることができる。この場合、溶媒としては、水を用いることができ、水で洗い流すことができる。但し、後述するように、第１の接着剤Ｒ１としては、これらには限定されない。温度についても、材料に応じて、冷水、温水、熱水といった温度を選択して用いることができる。

第２の接着層Ｂ２は、後述する第２の接着剤Ｒ２によって形成された層である。第２の接着剤Ｒ２は、第１の接着剤Ｒ１を溶解する所定の溶媒に対して、溶解し難い難溶解性である。一方、第２の接着剤Ｒ２は、例えば紫外線硬化樹脂等を用いることができ、第１の接着剤Ｒ１を溶解し易い溶媒の他の溶媒、例えば有機溶媒に対して、易溶解性である。この第２の接着層Ｂ２は、サポートウェーハＳ２と第１の接着層Ｂ１との間に介在するとともに、第１の接着層Ｂ１の周縁部を覆っている。

サポートウェーハＳ２は、デバイスウェーハＳ１を支持するための支持基板である。サポートウェーハＳ２としては、例えば、石英ガラス製の薄板を用いることができる。サポートウェーハＳ２は、薄化するデバイスウェーハＳ１を安定して保持するために、デバイスウェーハＳ１よりも厚みがある。このサポートウェーハＳ２は、第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ２を介して、第１の接着層Ｂ１の周縁部が露出しないように貼り合わされている。

［構成］
本実施形態は、電子部品製造装置Ｅに適用される装置である。電子部品製造装置Ｅは、図２に示すように、ブースＵ、ストッカＫ、積層体製造装置１、薄化装置２、電極形成装置３、分離装置４、再生装置５、制御装置６を有する。

［ブース］
ブースＵは、上記のストッカＫ、積層体製造装置１、薄化装置２、電極形成装置３、分離装置４、再生装置５を収容する容器である。ブースＵの内部は、フィルタ及び気流制御を行う給排気システムにより、高い清浄度が維持されている。ブースＵの側面には、投入口ＩＮ、取出口ＯＵＴが設けられている。投入口ＩＮは、ストッカＫに対して、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２を投入するための開口部である。取出口ＯＵＴは、キャリアフィルムに貼り付けられた機能デバイスＤを取り出すための開口部である。投入口ＩＮ及び取出口ＯＵＴは、エアシャワーによって、外気からの異物の侵入が遮断されている。

なお、ブース内には、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２、積層体Ｌを搬送する搬送手段として、搬送アームＡが設けられている。この搬送アームＡは、例えば、ストッカＫから積層体製造装置１へ、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２を搬送する。その他、図示はしないが、積層体製造装置１、薄化装置２、電極形成装置３、分離装置４、再生装置５、ストッカＫの間及びこれら各装置内の各部の間にも、それぞれデバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２又は積層体Ｌを搬送する搬送アーム等の搬送手段が設けられている。これらを、以下の説明では、単に搬送手段と呼ぶ。

［ストッカ］
ストッカＫは、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２を、あらかじめ収容する装置である。例えば、複数の薄板を、隙間を空けて多段に積層して収容する容器とすることができる。デバイスウェーハＳ１用の容器、サポートウェーハＳ２用の容器は、隣接する位置に配置されているものとする。搬送アームＡは、ストッカＫに収容されたデバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２を取り出して、積層体製造装置１における第１の接着層形成部１１、第２の接着層形成部１２に搬入する。

［積層体製造装置］
積層体製造装置１は、上記の積層体Ｌを製造する装置である。この積層体製造装置１は、第１の接着層形成部１１、第２の接着層形成部１２、貼合部１３を有する。

（第１の接着層形成部）
第１の接着層形成部１１は、第１の接着剤Ｒ１によって、デバイスウェーハＳ１における複数の機能デバイスＤを覆うように、第１の接着層Ｂ１を形成する装置である。この第１の接着層形成部１１としては、スピンコータ、スリットコータ等、ウェーハへの接着剤の塗布に一般的に使用されている種々のものを用いることができる。図３〜図５に、スピンコータの一例を示す。この例の第１の接着層形成部１１は、支持部１１１、塗布部１１２、収容部１１３、除去部１１４を有する。

支持部１１１は、デバイスウェーハＳ１を支持する装置である。支持部１１１は、図３に示すように、載置台１１１ａ、駆動部１１１ｂを有する。載置台１１１ａは、上部に平坦面を有し、この平坦面において、デバイスウェーハＳ１の機能デバイスＤが形成された面と反対側の面を支持する装置である。なお、載置台１１１ａには、図示はしないが、デバイスウェーハＳ１を保持してずれを防止する保持機構が設けられている。この保持機構は、静電チャック、バキュームチャック、メカチャック等、周知の技術を適用可能である。駆動部１１１ｂは、載置台１１１ａを回転させるモータ等の駆動機構である。

塗布部１１２は、デバイスウェーハＳ１に第１の接着剤Ｒ１を塗布する装置である。塗布部１１２は、塗布ノズル１１２ａを有している。塗布ノズル１１２ａは、載置台１１１ａ上のデバイスウェーハＳ１の中心位置に、第１の接着剤Ｒ１を滴下する装置である。この塗布ノズル１１２ａは、図示しない駆動機構によって昇降可能に設けられている。

収容部１１３は、図４に示すように、塗布部１１２が退避した後の支持部１１１の周囲を密閉空間として、減圧する装置である。収容部１１３は、基台１１３ａ、チャンバ１１３ｂを有する。基台１１３ａは、支持部１１１が設置された台である。チャンバ１１３ｂは、上下動が可能であり、上方に移動すると支持部１１１が外部に開放され、デバイスウェーハＳ１が搬入可能となる。

チャンバ１１３ｂは、下方に移動すると、下端が基台１１３ａに接して支持部１１１はチャンバ１１３ｂ内に収容される。これにより、チャンバ１１３ｂ内部に密閉空間が形成される。チャンバ１１３ｂは、不図示の排気手段によって内部圧力を調整可能となっている。つまり、デバイスウェーハＳ１が搬入され、第１の接着剤Ｒ１が滴下されると、チャンバ１１３ｂが下降して内部が密閉された上で減圧され、減圧雰囲気下で第１の接着剤Ｒ１の展延が行われるようになっている。このように、第１の接着剤Ｒ１の展延を減圧雰囲気下で行うことにより、第１の接着剤Ｒ１の脱気を行いながら、乾燥を促進することができる。なお、第１の接着剤Ｒ１に気泡が生じないように、乾燥を行うことができればよい。このため、第１の接着剤Ｒ１の乾燥は、自然乾燥でも、空気を吹き付けることによる乾燥でもよく、減圧は必須ではない。

除去部１１４は、第２の接着剤Ｒ２との接触前に、第１の接着剤Ｒ１の周縁部を除去する構成部である。本実施形態の除去部１１４は、デバイスウェーハＳ１に塗布された第１の接着剤Ｒ１の周縁部を除去する装置である。除去部１１４としては、例えば、図５に示すように、ワイパー１１４ａを用いたものが適用可能である。ワイパー１１４ａは、軸部の先端に弾性体が設けられている。軸部は、図示しない駆動機構によって、弾性体が第１の接着剤Ｒ１の周縁部に接離する方向に移動する。この弾性体には、第１の接着剤Ｒ１を溶解させる溶媒が含まれている。例えば、第１の接着剤Ｒ１が水溶性の場合には、水とすることができる。

除去部１１４としては、例えば、図６に示すように、上記と同様の溶媒Ｗを収容した容器Ｘを用いることもできる。この容器Ｘ内の溶媒Ｗに、載置台１１１ａに支持されたデバイスウェーハＳ１の第１の接着剤Ｒ１の周縁部を接触させて、載置台１１１ａを回転させることにより、第１の接着剤Ｒ１の周縁部を除去することができる。なお、この態様は、デバイスウェーハＳ１を支持した載置台１１１ａを直立させることによって実現してもよいし、別途直立してデバイスウェーハＳ１を支持して回転させる装置を用いてもよい。

なお、塗布後の第１の接着剤Ｒ１は、貼り合わせ前に乾燥される。この乾燥は、所定時間放置することにより行うことができる。但し、乾燥装置として、送風機、加熱装置等を備えることもできる。
以上により第１の接着層Ｂ１が形成される。

（第２の接着層形成部）
第２の接着層形成部１２は、第２の接着剤Ｒ２を、サポートウェーハＳ２の表面に供給する装置である。この第２の接着剤Ｒ２は、サポートウェーハＳ２と第１の接着層Ｂ１との間に介在させるとともに、貼り合わせ後に、第１の接着層Ｂ１の周縁部を覆う。第２の接着層形成部１２は、例えば、図７及び図８に示すように、支持部１２１、塗布部１２２を有する。

支持部１２１は、サポートウェーハＳ２を支持する装置である。支持部１２１は、載置台１２１ａ、駆動部１２１ｂを有する。載置台１２１ａは、上部に平坦面を有し、この平坦面において、サポートウェーハＳ２を支持する装置である。なお、載置台１２１ａには、図示はしないが、サポートウェーハＳ２を保持してずれを防止する保持機構が設けられている。この保持機構は、静電チャック、バキュームチャック、メカチャック等、周知の技術を適用可能である。駆動部１２１ｂは、載置台１２１ａを回転させるモータ等の駆動機構である。

塗布部１２２は、サポートウェーハＳ２に第２の接着剤Ｒ２を塗布する装置である。塗布部１２２は、塗布ノズル１２２ａを有している。塗布ノズル１２２ａは、載置台１２１ａ上のサポートウェーハＳ２の中心位置に、第２の接着剤Ｒ２を滴下する装置である。この塗布ノズル１２２ａは、図示しない駆動機構によって昇降可能に設けられている。第２の接着剤Ｒ２を塗布する間、または塗布した後、駆動部１２１ｂにより載置台１２１ａを回転させて、第２の接着剤Ｒ２を展延させる。
以上により第２の接着層Ｂ２が形成される。

（貼合部）
貼合部１３は、デバイスウェーハＳ１に対して、第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ２を介して、サポートウェーハＳ２を貼り合わせる装置である。貼合部１３は、例えば、図９に示すように、チャンバ１３１、載置部１３２、支持部１３３、移動機構部１３４、排気部１３５を有する。

チャンバ１３１は、内部を減圧可能な気密構造の容器である。チャンバ１３１の側壁には、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２の搬入搬出を行うための開口部１３１ａが設けられ、開口部１３１ａを気密に開閉可能な開閉扉１３１ｂが設けられている。また、チャンバ１３１の底部には、チャンバ１３１内の排気をするための開口部１３１ｃが設けられている。

載置部１３２は、チャンバ１３１の内部に設けられ、サポートウェーハＳ２を載置、保持する装置である。載置部１３２の載置面は平坦面となっており、載置面にサポートウェーハＳ２が載置されるようになっている。また、載置部１３２には、図示はしないが、サポートウェーハＳ２における第２の接着剤Ｒ２を塗布した面と反対側の面を保持する保持機構が設けられている。この保持機構としては、静電チャック、メカチャック等、周知の技術を適用可能である。

チャンバ１３１の内部における載置部１３２の上方であって対向する位置に、デバイスウェーハＳ１における第１の接着剤Ｒ１を塗布した面と反対側の面を支持する支持部１３３が設けられている。支持部１３３によるデバイスウェーハＳ１の支持面には、図示しない保持機構が設けられている。この保持機構としては、静電チャック、メカチャック等、周知の技術を適用可能である。

移動機構部１３４は、図１０に示すように、支持部１３３を動作させることにより、載置部１３２に対して接離する方向に移動させる装置である。移動機構部１３４としては、例えば、駆動源としてエアシリンダなどを備えたものとすることができる。載置部１３２上のサポートウェーハＳ２と、支持部１３３に支持されたデバイスウェーハＳ１は、所定の間隔をあけて対向する。

なお、載置部１３２又は支持部１３３には、サポートウェーハＳ２、デバイスウェーハＳ１を位置決めする位置決め機構を設けてもよい。この位置決め機構は、図示しない撮像部や位置センサからの情報に基づいて、載置部１３２に載置されたサポートウェーハＳ２に対するデバイスウェーハＳ１の位置を調整することができる。

排気部１３５は、配管１３５ａを介して開口部１３１ｃに接続されている。排気部１３５は、例えば、ドライポンプなどとすることができる。なお、サポートウェーハＳ２とデバイスウェーハＳ１との貼り合わせは、減圧雰囲気下で行うことにより、空気が巻き込まれることによるボイドの発生と、パーティクルの侵入を防止することができる。ボイドやパーティクルの排除は、デバイスウェーハＳ１を薄化する際に、加工精度の低下を防止する。

但し、貼合は、必ずしも減圧雰囲気下で行う必要はなく、例えば、大気圧雰囲気下で行うこともできる。デバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２との貼り合わせを減圧雰囲気下で行わない場合には、排気部１３５を設ける必要はない。

［薄化装置］
薄化装置２は、デバイスウェーハＳ１の厚み寸法を薄く加工する装置である。この加工は、デバイスウェーハＳ１における機能デバイスＤを形成した面と反対側の面に対して行う。薄化装置２としては、機械研磨装置、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）装置等、一般的に使用されている種々の装置を適用可能である。機械研磨装置の例として、図１１及び図１２に示すように、研削用ホイール２１と、支持部２２を有する装置を説明する。研削用ホイール２１は、下面に砥粒が塗布された研削面２１ａを有する円板状の部材である。この研削用ホイール２１は、図示しない駆動機構によって回動可能に且つ昇降可能に設けられている。

支持部２２は、デバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２とを貼合した積層体Ｌを支持する装置である。支持部２２は、上部に平坦面を有し、この平坦面において、積層体ＬのサポートウェーハＳ２側を支持する。なお、支持部２２には、図示はしないが、サポートウェーハＳ２を保持してずれを防止する保持機構が設けられている。この保持機構は、静電チャック、バキュームチャック、メカチャック等、周知の技術を適用可能である。なお、薄化装置２による薄化作業中は、研削面２１ａに研磨液が供給されるが、詳細は省略する。

［電極形成装置］
電極形成装置３は、積層体ＬにおけるデバイスウェーハＳ１の機能デバイスＤに、電極を形成する装置である。電極形成装置３は、穴あけ部３１、充填部３２を有する。穴あけ部３１は、機能デバイスＤにスルーホールｈを形成する装置である。穴あけ部３１は、例えば、図１３に示すように、載置台３１ａ、レーザ加工機３１ｂを有する。載置台３１ａは、上部に平坦面を有し、この平坦面において、積層体Ｌを支持する装置である。なお、載置台３１ａには、図示はしないが、積層体Ｌを保持してずれを防止する保持機構が設けられている。この保持機構は、静電チャック、バキュームチャック、メカチャック等、周知の技術を適用可能である。

レーザ加工機３１ａは、レーザ光の照射により、機能デバイスＤにスルーホールｈを形成する装置である。レーザ加工機３１ａは、図示しない駆動機構によって走査されて、機能デバイスＤの所望の位置にレーザ光を照射することができる。なお、スルーホールｈの形成は、エッチング等によっても行うことができる。

充填部３２は、スルーホールｈ内に導体を充填する装置である。この充填部３２は、詳細は省略するが、例えば、スルーホールｈ内にスパッタやめっき等の方法で金属等の導電材を含む電極材料Ｍを充填する装置である。

［分離装置］
分離装置４は、複数の機能デバイスＤを含む領域から、それぞれの機能デバイスＤを個片に分割し、いわゆるチップとしてサポートウェーハＳ２から分離する装置である。この分離装置４は、例えば、ダイシング部４１、溶解部４２、剥離部４３を有する。

（ダイシング部）
ダイシング部４１は、デバイスウェーハＳ１にダイシング溝Ｈを形成することにより、個々の機能デバイスＤに切り分けたチップにする装置である。ダイシング部４１は、例えば、図１４に示すように、ブレード４１１、駆動部４１２、支持部４１３を有する。

ブレード４１１は周縁部が砥石となった円形のプレートである。駆動部４１２は、回転軸がブレード４１１の中心に接続され、ブレード４１１を回転させるモータである。支持部４１３は、上部に平坦面を有し、この平坦面において、積層体ＬのサポートウェーハＳ２側を支持する。なお、支持部４１３には、図示はしないが、サポートウェーハＳ２を保持してずれを防止する保持機構が設けられている。この保持機構は、静電チャック、バキュームチャック、メカチャック等、周知の技術を適用可能である。なお、ダイシング部４１によるダイシング作業中は、切削面に研磨液が供給されるが、詳細は省略する。

さらに、図示はしないが、ダイシング部４１は、ブレード４１１及び駆動部４１２を走査及び昇降させることにより、機能デバイスＤのパターンの境界を切削させる駆動機構を有している。この駆動機構は、ダイシング溝Ｈの深さを調節することができる。例えば、ブレード４１１による切削の高さを調節することにより、デバイスウェーハＳ１に、第１の接着層Ｂ１まで貫通したダイシング溝Ｈを形成することも、第１の接着層Ｂ１まで貫通していないダイシング溝Ｈを形成することもできる。なお、ダイシング部４１において、ダイシング溝Ｈを形成する装置としては、レーザ照射装置、ウォータジェット装置、超音波装置等の切削装置を用いることができる。

（溶解部）
溶解部４２は、ダイシング後の積層体Ｌを、溶媒である溶解液Ｚ１に浸漬することにより、ダイシング溝Ｈを介して第１の接着層Ｂ１を溶解させる装置である。溶解部４２には、例えば、図１５及び図１６に示すように、処理槽４２１、タンク４２２、送液配管４２３、送液部４２４、送液制御部４２５、ノズル４２６、排出液配管４２７、タンク４２８、排出弁４２９が設けられている。処理槽４２１は、上面が開放されている。処理槽４２１の底板には、排出口４２１ｂが設けられており、排出口４２１ｂには排出液配管４２７の一端が接続されている。

タンク４２２は、溶解液Ｚ１を収納する。溶解液Ｚ１は、第１の接着層Ｂ１を溶解させるものとする。第１の接着層Ｂ１が水溶性である場合には、溶解液Ｚ１を水とする。送液配管４２３の一端は、ノズル４２６に接続され、送液配管４２３の他端はタンク４２８内の溶解液Ｚ１に浸漬する位置に設けられている。

送液部４２４は、送液配管４２３に設けられ、タンク４２８内に収納された溶解液Ｚ１をノズル４２６に供給する。送液部４２４は、例えば、ポンプなどとすることができる。送液制御部４２５は、送液配管４２３に設けられ、送液部４２４により送液される溶解液Ｚ１の供給と停止とを制御する。また、送液部４２４により送液される溶解液Ｚ１の流量を制御するようにすることもできる。ノズル４２６の開口端は処理槽４２１の内部に向けて設けられており、処理槽４２１の内部に溶解液Ｚ１を供給することができるようになっている。ノズル４２６の開口端とは反対側の端部には送液配管４２３が接続されている。

タンク４２８は、使用済みの溶解液Ｚ１を収納する。排出液配管４２７は、一端が処理槽４２１の排出口４２１ｂに接続され、他端がタンク４２８に接続されている。排出弁４２９は、排出液配管４２７に設けられ、タンク４２８に向けて排出される使用済みの溶解液Ｚ１の排出と停止とを制御する。

また、図示はしないが、溶解部４２は、処理槽４２１内において、積層体Ｌを保持する保持手段を有する。この保持手段は、例えば、メッシュ状の板や積層体Ｌの周縁を把持するリング状の部材等とすることができる。より具体的な例は、後述する。さらに、第１の接着剤Ｂ１の溶解後、搬送手段によって処理装置４２１から取り出された積層体Ｌに付着した溶解液Ｚ１等を、乾燥により除去する乾燥装置（図示せず）が設けられている。

（剥離部）
剥離部４３は、機能デバイスＤを、サポートウェーハＳ２から剥離させる構成部である。本実施形態の剥離部４３は、個片に分割された機能デバイスＤを、第２の接着層Ｂ２及びサポートウェーハＳ２から剥離させる装置である。この剥離部４３は、例えば、図１７及び図１８に示すように、支持台４３１、圧着部４３２、切断部４３３を有する。支持台４３１は、リングＧを支持する台座である。リングＧは、キャリアフィルムであるフィルムＦの支持枠となる環状の部材である。フィルムＦは、一方の面が粘着性を有する接着面となったシートである。フィルムＦは、図示しない伸張機構によって、張力が与えられ、機能デバイスＤに対する平行状態を保っている。

圧着部４３２は、例えば、図１７のように、回転するローラにより、フィルムＦの接着面を、リングＧ内に挿入された機能デバイスＤに圧着させて、機能デバイスＤを、リングＧとともにフィルムＦに貼り付ける装置である。

切断部４３３は、リングＧの外周に沿って、フィルムＦを切断する装置である。なお、剥離部４３は、吸着ノズル等により機能デバイスＤを個別に又は複数まとめてピックアップして、フィルムＦに貼付する装置とすることもできる。

［再生装置］
再生装置５は、機能デバイスＤを分離後のサポートウェーハＳ２を、溶媒である溶解液Ｚ２に浸漬することにより、第２の接着層Ｂ２を溶解させて、再利用可能にする装置である。この再生装置５は、図１９に示すように、浸漬部５１を有する。この浸漬部５１は、上記の分離装置４と同様の構成を有する。但し、処理槽５１ａ内に収容される溶解液Ｚ２は、第２の接着剤Ｒ２を溶解させるものとする。第２の接着剤Ｒ２が有機溶媒に溶解する場合には、溶解液Ｚ２を有機溶媒とする。

［制御装置］
制御装置６は、本装置の各部を制御する装置である。この制御装置６は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって、各部が後述する動作をするように制御するための構成を有している。

［作用］
以上のような本実施形態の動作を、上記の図１〜図１９に加えて、図２０〜図２３の説明図を参照して以下に説明する。なお、ブースＵ内へのデバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２の搬入手段、機能デバイスＤの搬出手段及びその動作については、説明を省略する。このような搬入、搬出は、手作業で行うこともできる。

（接着層形成工程）
まず、第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ２の形成工程を説明する。図２に示すように、搬送アームＡが、ストッカＫからデバイスウェーハＳ１を取り出して、第１の接着層形成部１１における支持部１１１の載置台１１１ａ上に、機能デバイスＤが形成された面を上にして載置する。図３に示すように、塗布部１１２の塗布ノズル１１２ａは、載置台１１１ａ上のデバイスウェーハＳ１の中心の上部に移動して、第１の接着剤Ｒ１を滴下する。

そして、図４に示すように、チャンバ１１３ｂが下降して、デバイスウェーハＳ１の周囲の空間を密閉し、排気手段により減圧を行う。これとともに、載置台１１１ａを高速回転させることにより、遠心力により、第１の接着剤Ｒ１を外周側に展延させる。これにより、デバイスウェーハＳ１における機能デバイスＤの形成面が、第１の接着剤Ｒ１により覆われる。また、減圧により第１の接着剤Ｒ１の気泡低減、乾燥促進が図られる。

減圧停止、大気開放後、図５に示すように、載置台１１１ａによりデバイスウェーハＳ１を回転させながら、除去部１１４のワイパー１１４ａの先端の弾性体が、周縁部の第１の接着剤Ｒ１に接触することにより、溶媒が第１の接着剤Ｒ１を溶解させる。なお、図６に示すように、回転するデバイスウェーハＳ１における第１の接着剤Ｒ１の周縁部を、溶媒Ｗに接触させることによっても、溶解させることができる。その後、デバイスウェーハＳ１を所定時間放置することにより又は乾燥装置により、第１の接着剤Ｒ１を乾燥させる。これにより、周縁部が除去された第１の接着層Ｂ１が形成される。つまり、第１の接着剤Ｒ１と第２の接着剤Ｒ２が接触する前に、第１の接着剤Ｒ１を乾燥させる。

一方、第１の接着層Ｂ１の形成過程と並行に、図２に示すように、搬送アームＡが、ストッカＫからサポートウェーハＳ２を取り出して、第２の接着層形成部１１における支持部１２１の載置台１２１ａ上に載置する。図７に示すように、塗布部１２２の塗布ノズル１２２ａは、載置台１２１ａ上のサポートウェーハＳ２の中心の上部に移動して、第２の接着剤Ｒ２を滴下する。

そして、図８に示すように、載置台１２１ａを高速回転させることにより、遠心力により、第２の接着剤Ｒ２を外周側に展延させる。これにより、サポートウェーハＳ２の上面に、第２の接着層Ｂ２が形成される。

［貼合工程］
上記のように、第１の接着層Ｂ１が形成されたデバイスウェーハＳ１、第２の接着層Ｂ２が形成されたサポートウェーハＳ２は、搬送手段によって、第１の接着層形成部１１、第２の接着層形成部１２から搬出される。そして、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２は、貼合部１３における開閉扉１３１ｂが開けられた開口部１３１ａから、チャンバ１３１内に搬入される。

デバイスウェーハＳ１は、図９に示すように、搬送手段によって反転されて、第１の接着層Ｂ１が形成された面を下面として、上面が支持部１３３に支持される。サポートウェーハＳ２は、第２の接着層Ｂ２が形成された面を上にして、載置部１３２に載置される。そして、開閉扉１３１ｂが閉じられ、チャンバ１３１が密閉され、チャンバ１３１内が排気される。

次に、図１０に示すように、移動機構部１３４により、支持部１３３を下降させる。すると、デバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２とが、第１の接着層Ｂ１、第２の接着層Ｂ２を介して貼り合わされて、図１に示すような積層体Ｌが製造される。積層体Ｌにおいて、第１の接着層Ｂ１における除去された周縁部では、第２の接着層Ｂ２がデバイスウェーハＳ１に達して接着されて、第１の接着層Ｂ１を覆うので、第１の接着層Ｂ１の露出部分がなくなる。その後、チャンバ１３１内は、排気停止、大気開放され、開閉扉１３１ｂが開いて開口部１３１ａが開放される。

［薄化工程］
次に、薄化装置２によるデバイスウェーハＳ１の薄化工程を説明する。まず、搬送手段が、チャンバ１３１の開口部１３１ａから積層体Ｌを取り出し、図１１に示すように、薄化装置２の支持部２２に、デバイスウェーハＳ１側を上にして載置する。そして、図１２に示すように、研削用ホイール２１が回転しながら下降して、研削面２１ａをデバイスウェーハＳ１に接触させることにより、デバイスウェーハＳ１を研削する。これにより、デバイスウェーハＳ１が薄化される。このようにデバイスウェーハＳ１が薄化された積層体Ｌを、図２０（Ａ）に示す。

［電極形成工程］
デバイスウェーハＳ１が薄化された積層体Ｌは、搬送手段によって取り出され、図１３に示すように、穴あけ部３１の載置台３１ａに、デバイスウェーハＳ１側を上にして載置される。レーザ加工機３１ｂは、載置台３１ａ上の積層体Ｌに対して、レーザ光を照射することにより、機能デバイスＤにスルーホールｈを形成する。このようにスルーホールｈが形成された積層体Ｌを、図２０（Ｂ）に示す。

さらに、充填部３２において、図２０（Ｃ）に示すように、デバイスウェーハＳ１に、スパッタやめっき等の方法により電極材料Ｍを形成することにより、スルーホールｈ内に電極材料Ｍを充填させる。そして、図２０（Ｄ）に示すように、表面の電極材料Ｍを、研削やエッチングの方法により除去することにより、スルーホールｈ内に電極ｅを形成する。なお、電極材料Ｍを形成する箇所であるスルーホールｈ以外をマスキングして、電極材料Ｍを形成してもよい。なお、後述するように、積層体Ｌを形成する前に、デバイスウェーハに電極ｅを形成してもよい。

［分離工程］
次に、機能デバイスＤをサポートウェーハＳ２から分離する工程を説明する。
（ダイシング工程）
まず、機能デバイスＤを個片に分割するダイシング工程を説明する。搬送手段は、電極形成装置３において電極ｅが形成された積層体Ｌを、図１４に示すように、ダイシング部４１の載置部４１３に載置する。ブレード４１１は、駆動部４１２によって回転しながら駆動機構によって走査され、機能デバイスＤのパターンの境界を切削する。これにより、図２１（Ｅ）に示すように、機能デバイスＤが個片に分割されるとともに、デバイスウェーハＳ１を貫通し、第１の接着層Ｂ１に達するダイシング溝Ｈが形成される。

（第１の接着層の溶解）
第１の接着層Ｂ１の溶解工程は、以下の通りである。搬送手段は、載置台２２からダイシング後の積層体Ｌを受け取り、図１６、図２１（Ｆ）に示すように、処理槽４２１に貯留されている溶解液Ｚ１中に積層体Ｌを浸漬させる。処理槽４２１内において、積層体Ｌは、図示しない保持手段によって保持される。積層体Ｌには、第１の接着層Ｂ１まで達するダイシング溝Ｈが形成されているので、多数のダイシング溝Ｈを介して、第１の接着層Ｂ１まで溶解液Ｚ１が確実に流入する。これにより、図２１（Ｇ）（Ｈ）に示すように、溶解液Ｚ１によって、第１の接着層Ｂ１が溶解する。第２の接着層Ｂ２は、処理槽４２１内の溶解液Ｚ１に対して難溶解性であるため溶解しない。この後、搬送手段によって処理槽４２１から積層体Ｌが取り出され、図示しない乾燥装置によって乾燥が行われる。

使用済みの溶解液Ｚ１は、図１５に示すように、排出液配管４２７を介してタンク４２８に排出される。この際、使用済みの剥離液の排出と停止とが排出弁４２９により制御される。また、処理槽４２１内の溶解液Ｚ１の量が略一定となるようにタンク４２８から送液部４２４、送液制御部４２５、送液配管４２３、ノズル４２６を介して処理槽４２１内に溶解液Ｚ１が補充される。処理槽４２１内の溶解液Ｚ１の量は図示しない液面計などにより制御するようにすることができる。

（機能デバイスの剥離）
機能デバイスＤの剥離工程は、以下の通りである。搬送手段は、図１７に示すように、積層体Ｌを、機能デバイスＤが形成された面を下にして、剥離部４３の支持台４３１に装着されたリングＧ内にセットする。この積層体Ｌ上を水平に覆うように、伸張機構によって貼着面が下になるようにフィルムＦを張る。

圧着部４３２は、リングＧの端から、フィルムＦをリングＧ、機能デバイスＤに圧着させながら移動することにより、フィルムＦの接着面に、積層体Ｌの、機能デバイスＤが形成された面とは反対側の面を貼り付ける。さらに、切断部４３３は、リングＧの外周に沿って、フィルムＦを切断する。図１８に示すように、搬送手段又は手作業により、リングＧとともに、フィルムＦを取り出すと、フィルムＦに貼り付けられた機能デバイスＤが、サポートウェーハＳ２から剥離する。

（サポートウェーハの再生）
さらに、搬送手段は、第２の接着層Ｂ２が付着したサポートウェーハＳ２を、再生装置５の浸漬部５１の処理槽５１ａにおける溶解液Ｚ２に浸漬する。これにより、第２の接着層Ｂ２が溶解され、サポートウェーハＳ２が、何も付着していない初期状態に再生される。搬送手段は、サポートウェーハＳ２を、ストッカＫに収容する。これにより、サポートウェーハＳ２を再利用できる。なお、再生装置５内、搬送経路、ストッカＫのいずれかに設けられた乾燥装置によって、サポートウェーハＳ２を乾燥させてもよい。

［効果］
以上のような本実施形態によれば、以下のような効果を奏する。
（１）本実施形態は、所定の溶媒により溶解する第１の接着剤Ｒ１によって、デバイスウェーハＳ１に形成された複数の機能デバイスＤを覆うことにより、第１の接着層Ｂ１を形成する第１の接着層形成部１１と、第１の接着剤Ｒ１よりも所定の溶媒に対して難溶解性であって、デバイスウェーハＳ１を支持するサポートウェーハＳ２と第１の接着層Ｂ１との間に介在させるとともに、第１の接着層Ｒ１の周縁部を覆うための第２の接着剤Ｒ２を、サポートウェーハＳ２の表面に供給することにより第２の接着層Ｂ２を形成する第２の接着層形成部１２と、デバイスウェーハＳ１に対して、第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ２を介して、第１の接着層Ｂ１の周縁部が露出しないように、サポートウェーハＳ２を貼り合わせる貼合部１３と、を有する。

これにより、デバイスウェーハＳ１は、第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ２によって良好に接着されたサポートウェーハＳ２によって、安定して保持される。特に、サポートウェーハＳ２と第１の接着層Ｂ１との間に、第２の接着層Ｂ２が介在するため、強い接着力を維持することができる。このため、薄化により取り扱いの難しいデバイスウェーハＳ１を、サポートウェーハＳ２で支持したまま、研磨、電極形成、ダイシング等を行うことができるので、機械的なストレスを最小限に止めつつ、機能デバイスＤの固片化が可能となる。

（２）単に剥離しやすくするために、デバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２との間に接着力の低い接着剤を用いて、周縁部に強い接着力の接着剤を用いた場合には、デバイスウェーハＳ１の薄化の際にずれたり、割れたりしないような強度を確保するために、周縁部の接着剤の幅を広くとる必要がある。すると、機能デバイスＤが形成される領域としての有効面積が狭くなり、チップ数も少なくなる。

しかし、本実施形態においては、サポートウェーハＳ２と第１の接着層Ｂ１との間に、第２の接着層Ｂ２が介在する。このため、周縁部の第２の接着層Ｂ２については、幅を狭くすることができ、機能デバイスＤとしての有効面積を広くして、製造できるチップ数も多くすることができる。例えば、図２２に示すように、第２の接着層Ｂ２の周縁部の幅を非常に狭くしてもよい。

例えば、上記の実施形態では、第１の接着層Ｒ１は、機能デバイスＤが形成される領域を覆って接着されている。また、第１の接着層Ｒ１と第２の接着層Ｒ２も接着されている。さらに、第２の接着層Ｒ２とサポートウェーハＳ２も接着されている。このため、機械的には、周縁部に第２の接着層Ｒ２を設けなくても、強度を保っている。周縁部の第２の接着層Ｒ２は、第１の接着層Ｒ１を接液させないために設けられている。このため、この部分は非常に薄くてもよい。各工程で第１の接着層Ｂ１を接液させないだけの幅が、剥離工程まで維持されていればよい。例えば、１００ミクロン程度でも十分である。

また、第１の接着層Ｒ１は、分離工程における溶液によって溶解させるので、薄化工程におけるデバイスウェーハＳ１に対する接着力は、第２の接着層Ｒ２と同等かそれ以上に高くすることができる。そのため、薄化工程において、デバイスウェーハＳ１がずれたり剥がれたりすることなく、機械的強度を保って接着することができる。

第２の接着層Ｂ２は、第１の接着層Ｂ１とデバイスウェーハＳ１との間に介在すればよい。第１の接着層Ｂ１及びデバイスウェーハＳ１の全面に介在している必要はなく、一部でも接触している部分があればよい。このため、例えば、図２３に示すように、第２の接着層Ｂ２が、第１の接着層Ｂ１の周縁部を覆うとともに、デバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２との間の一部に第２の接着層Ｂ２が存在し、それ以外の部分に第１の接着層Ｂ１が存在している態様でもよい。これによっても、第２の接着剤Ｒ２の塗布領域が少なくなるので、第１の接着層Ｂ１が溶解すれば、第２の接着層Ｂ２の剥離は容易となる。これは、第２の接着剤Ｒ２が、第１の接着剤Ｒ１よりも高価な場合等に、第２の接着剤Ｒ２を節約できるのでよい。このような例としては、第２の接着剤Ｂ２を、ノズル等により、複数のスジ状に塗布する、螺旋状に塗布する、散点状に塗布する場合が考えられる。

（３）第１の接着層Ｂ１が、機能デバイスＤとサポートウェーハＳ２との間に介在するとともに、第２の接着層Ｂ２によって覆われているために外部に露出していない。このため、薄化工程、穴開け工程、ダイシング工程等において一般的に使用される研磨液、エッチング液、洗浄液、純水等の液体から、第１の接着層Ｂ１が影響を受けることが防止され、接着状態が堅牢に維持される。

なお、第２の接着層Ｂ２は、第１の接着層Ｂ１の周縁部を覆って、第１の接着層Ｂ１の接液を防ぐことができればよい。このため、第２の接着層Ｂ２は、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２の周縁部の内側に入っている必要はない。例えば、図２４に示すように、積層体Ｌを平面視したときに、第２の接着層Ｂ２がデバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２の側面から隆起していてもよい。さらに、第１の接着層Ｂ１も、第２の接着層Ｂ１に覆われており、露出していなければ、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２の側面から隆起していてもよい。

（４）積層体Ｌに形成された複数の機能デバイスＤを、個片に分割するダイシング溝Ｈを形成するダイシング部４１と、積層体Ｌを、所定の溶媒に浸漬することにより、ダイシング溝Ｈを介して第１の接着層Ｂ１を溶解させる溶解部４２と、を有する。これにより、ダイシング後は、デバイスウェーハＳ１の機能デバイスＤの形成面に亘って、第１の接着層Ｂ１に達する多数のダイシング溝Ｈが形成される。このため、溶解液への浸漬時には、ダイシング溝を介して、溶解液を第１の接着層Ｂ１に効率良く接触させることができるので、素早く溶解させることができる。これにより、機能デバイスＤのサポートウェーハＳ２からの分離も容易となる。周縁部の接着剤をレーザで除去する従来技術のように、機能デバイスＤに負担をかけることもない。また、接着剤の接液効率を良くするために、サポートウェーハＳ２に孔を開ける必要もない。このため、薄化する際のデバイスウェーハＳ１の平坦度を維持でき、製造工程が簡略となり、生産効率が良好となる。サポートウェーハＳ２の再生、再利用も容易である。

なお、ダイシング溝Ｈは、デバイスウェーハＳ１を貫通して第１の接着層Ｂ１にまで達していてもよいが、貫通していなくてもよい。つまり、ダイシング時に、ダイシング溝Ｈが、第１の接着層Ｂ１まで貫通してしまうと、ダイシング時の研磨液、冷却液等が、第１の接着層Ｂ１に流入してしまう。このため、ダイシング溝Ｈを、デバイスウェーハＳ１の肉厚を僅かに残すか、保護層Ｃまでに達するが第１の接着層Ｂ１に達しない程度の深さとしてもよい。このように、ダイシングを完全な切断に至る手前の寸止めとした例を、図２５に示す。このように、寸止めしておいて、その後、所望のタイミングにエッチング液で貫通させることが好ましい。例えば、第１の接着層Ｂ１を溶解させる前に、あらかじめエッチング等によって、ダイシング溝Ｈが第１の接着層Ｂ１まで達するように、デバイスウェーハＳ１の残存部分を除去する。エッチングには、例えば、フッ酸溶液を用いることができる。これにより、第１の接着層Ｂ１の除去前に、それまでの工程での処理液等によって第１の接着剤Ｒ１が溶解してしまうことが防止される。

さらに、例えば、機械研磨、ＣＭＰを行った場合、最終的な仕上げとして、フッ酸等によるエッチング液で溶かして、所定の厚さまで薄くして、表面を滑らかにする工程が必要となる。そこで、この工程と、寸止めにより残存した部分をエッチング液で除去する工程という２工程を同時に行うこともできる。

（５）第２の接着剤Ｒ２との接触前に、第１の接着剤Ｒ１の周縁部を除去する除去部１１４を有する。このため、除去部１１４によって、第１の接着剤Ｒ１の周縁部を除去することにより、第２の接着層Ｂ２と接触させる際に、第２の接着剤Ｒ２によって第１の接着剤Ｒ１の周縁部を覆うことができる。周縁部における第２の接着剤Ｒ２は、僅かな幅でよいので、第１の接着剤Ｒ１は、溶解液を含むワイパー１１４ａで少しだけなぞることによって又は溶解液に周縁部を接触させることによって、容易に除去することができる。

（６）サポートウェーハＳ２は、比較的厚くて頑丈なので、サポートウェーハＳ２に残存した第２の接着層Ｂ２を除去する際に、比較的腐食性の高い液等によって速く除去できる。そして、サポートウェーハＳ２は、穴あけ等の加工をせず、形状を変化させないため、第２の接着層Ｂ２を除去することにより、元の状態に戻すことができる。このため、再利用が可能となり、コストを節約できる。また、全工程において、サポートウェーハＳ２の表面の形状に変化がないため、デバイスウェーハＳ１に与える影響も少なく、安定した支持ができる。

（７）デバイスウェーハＳ１に対してサポートウェーハＳ２は、第２の接着層Ｂ２により
第２の接着層Ｂ２の第２の接着剤Ｒ２と、第１の接着層Ｂ１の第１の接着剤Ｒ１とが接触する前に、第１の接着剤Ｒ１を乾燥させるので、貼合後の気泡の発生が抑制される。また、貼合後に気化が阻害されて良好な接着が得られなくなることが防止される。第１の接着剤Ｒ１の乾燥により、機能デバイスＤをより強力に保護し、第２の接着層Ｂ２との混合防止にもなる。

また、第１の接着剤Ｒ１を乾燥させてから第２の接着剤Ｒ２と接触させるため、第１の接着剤Ｒ１に含まれる溶媒により第２の接着剤Ｒ２を溶解させないようにすることができる。そのため、第２の接着剤Ｒ２を、第１の接着剤Ｒ１に含まれる溶媒に溶解する特性を有する接着剤とすることもでき、第２の接着剤Ｒ２の選択性が向上する。

（８）第１の接着層Ｂ１の厚みは数μｍ〜数１０μｍとすることができる。また、第２の接着層Ｂ２の厚みは、デバイスウェーハＳ１の所望の平坦度を得ることができる程度の厚みであり、平坦度を数μｍ〜数ｍｍとすることができる。第１の接着剤Ｂ１の平坦度が低く、つまり粗く塗布されたとしても、第２の接着剤Ｂ２の厚みを調整することによって、第１の接着剤Ｂ１の粗さを吸収することができ、デバイスウェーハＳ１の平坦度を高くすることができる。

［他の実施形態］
（１）第２の接着層Ｂ２は、最終的にデバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２とを接着できればよい。このため、第２の接着層Ｂ２を形成するための第２の接着剤Ｒ２の塗布は、サポートウェーハＳ２側に行っても、デバイスウェーハＳ１側に行っても、双方に行ってもよい。つまり、第２の接着剤Ｒ２を、サポートウェーハＳ２及び第１の接着剤Ｒ１の少なくとも一方の表面に供給することにより、第２の接着層Ｂ２を形成すればよい。よって、第２の接着層形成部１２は、第１の接着層Ｂ１の表面に、第２の接着剤Ｒ２を供給する態様であってもよい。

（２）機能デバイスＤの剥離は、上記のように、機能デバイスＤと反対側である背面にフィルムＦを接着して行う方が、デバイスウェーハＳ１から全てを一度に剥離させることができるとともに、機能デバイスＤへ与える影響も少ない。但し、機能デバイスＤの背面を、吸着ノズル等により個別にピックアップして、図２６に示すように、機能デバイスＤの保護層Ｃの面を、フィルムＦに接着させてもよい。この場合、保護層Ｃがあるために、機能デバイスＤは保護される。また、保護層Ｃの上に、さらに保護層を重ねて塗っておけば、機能デバイスＤへの影響を少なくすることができる。さらなる保護層として、例えば、
非水溶性の有機溶媒等で洗浄可能な第４の接着層を形成することが考えられる。

（３）上記のように、積層体Ｌを、所定の溶媒に浸漬させたとき、個片に分割された機能デバイスＤに接する保持手段を有してもよい。つまり、溶解液中で、第１の接着層Ｂ１を完全に除去すると、個片の機能デバイスＤの位置が不安定になる。例えば、機能デバイスＤが液中に浮いてきたり、溶解液から出したときに、第２の接着層Ｂ２に接触する場合がある。これに対処するため、完全に溶けて溶解する前に、機能デバイスＤを保持する保持手段を設けることもできる。この保持手段としては、例えば、吸着具、メッシュ、穴あきシート等とすることが考えられる。吸着具の例としては、図２７の４２ａに示すように、機能デバイスＤの個片位置に対応して剣山状に多数設けられた棒状の突出部材４２ｂの先端を、吸着ノズル又は粘着部材としたものが考えられる。

メッシュの例としては、図２８の４２ｃに示すように、機能デバイスＤの背面から接触して、浮きや移動を防止するものとすることが考えられる。さらに、穴あきシートの例としては、穴あきのキャリアフィルムを、機能デバイスＤの背面に貼った状態で溶解液に浸漬することが考えられる。

（４）上記の実施形態では、機能デバイスＤには、ＴＳＶ（Through Silicon Via）というスルーホールｈを形成してから、電極を形成し、その後、ダイシングを行っている。このように、ダイシングの前に電極を形成しておくことは、電極材料Ｍを充填した後に研磨する際に、研磨液等がダイシング溝Ｈから入り込むことがないために好ましい。但し、スルーホールｈの形成は、ダイシング工程の後に行ってもよい。

また、デバイスウェーハＳ１にサポートウェーハＳ２を貼合する前に、電極を形成してもよい。例えば、図２９（Ａ）に示すように、貼合前のデバイスウェーハＳ１に対して、スルーホールｈを形成する。そして、（Ｂ）に示すように、スルーホールｈの端部側の面に電極材料Ｍを形成し、（Ｃ）に示すように、電極材料Ｍを除去する。さらに、（Ｄ）に示すように、第１の接着層Ｂ１を形成した後、（Ｅ）に示すように、第２の接着層Ｂ２を介してサポートウェーハＳ２を貼合する。（Ａ）〜（Ｅ）の各工程の詳細は、上記の実施形態で示した通りである。

（５）ダイシング溝Ｈの幅が細い場合には、溶媒が通り難い場合もある。これに対処するため、溶媒の温度を上げることが考えられる。例えば、温水、熱水を用いてもよい。また、上記の保持手段により保持しながら、流水をかける、圧力をかける、上下に揺らす等によってもよい。溶媒が沸騰しない程度に減圧することも考えられる。なお、機能デバイスＤを分割したチップは、縁が浮くように反る場合もあるため、その場合には、隙間が開いて溶媒が入りやすくなる。

（６）第１の接着層Ｂ１、第２の接着層Ｂ２に加えて、第３の接着層Ｂ３を形成する態様も、本発明の一態様である。このような態様を、以下に説明する。
［積層体］
まず、本態様の積層体Ｌの一例を、図３０に示す。この積層体Ｌは、基本的は、上記の実施形態と同様である。但し、本態様では、第１の接着層Ｂ１、第２の接着層Ｂ２に、さらに、第３の接着層Ｂ３を有する。

第３の接着層Ｂ３は、後述する第３の接着剤Ｒ３によって形成された層である。第３の接着剤Ｒ３は、第１の接着剤Ｒ１及び第２の接着剤Ｒ２を溶解する所定の溶媒に対して、溶解し難い難溶解性である。この第３の接着層Ｂ３は、デバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２との間に介在するとともに、第２の接着層Ｂ２の周縁部を覆っている。

このサポートウェーハＳ２は、第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ２を介して貼り合わされ、第３の接着層Ｂ３によって第２の接着層Ｂ２の周縁部が露出していない。

［第３の接着層形成部］
上記の積層体Ｌを製造するための積層体製造装置１も、本発明の一態様である。この積層体製造装置１は、基本的には、上記の実施形態と同様の構成である。但し、本態様の積層体製造装置１は、図３１に示すように、第２の接着層Ｂ２の周縁部を覆う位置に、第２の接着剤Ｒ２を溶解させる溶媒に対して、難溶解性の第３の接着剤Ｒ３を供給することにより第３の接着層Ｂ３を形成する第３の接着層形成部１４を有している。第３の接着層形成部１４は、第３の接着剤Ｒ３を、第２の接着層Ｂ２の周縁部に供給することにより、第３の接着層Ｂ３を形成する装置である。第３の接着層Ｂ３は、第２の接着層Ｂ２が露出しないように、第２の接着層Ｂ２の周縁部を覆う。

この第３の接着層形成部１４の一例を、図３２及び図３３に示す。この例の第３の接着層形成部１４は、支持部１４１、除去部１４２、塗布部１４３を有する。

支持部１４１は、貼合部１３によって貼り合わされたデバイスウェーハＳ１及びサポートウェーハＳ２を支持する装置である。デバイスウェーハＳ１及びサポートウェーハＳ２を貼り合わせたものを、貼合体Ｌａとする。支持部１４１は、図３２に示すように、載置台１４１ａ、駆動部１４１ｂを有する。載置台１４１ａは、上部に平坦面を有し、この平坦面において、貼合体ＬａのサポートウェーハＳ２側を支持する装置である。なお、載置台１４１ａには、図示はしないが、貼合体Ｌａを保持してずれを防止する保持機構が設けられている。この保持機構は、静電チャック、バキュームチャック、メカチャック等、周知の技術を適用可能である。駆動部１４１ｂは、載置台１４１ａを回転させるモータ等の駆動機構である。

除去部１４２は、貼合体Ｌａにおける第２の接着剤Ｒの周縁部を除去する装置である。除去部１４２としては、例えば、図３２に示すように、ワイパー１４２ａを用いたものが適用可能である。ワイパー１４２ａは、軸部の先端に弾性体が設けられている。軸部は、図示しない駆動機構によって、弾性体が第２の接着層Ｂ２の周縁部に接離する方向に移動する。この弾性体には、第２の接着剤Ｒ２を溶解させる溶媒が含まれている。除去部１４２としては、例えば、上記の図６に示したものと同様の装置を用いることもできる。

塗布部１４３は、デバイスウェーハＳ１に第３の接着剤Ｒ３を塗布する装置である。塗布部１４３は、図３３に示すように、塗布ノズル１４３ａを有している。塗布ノズル１４３ａは、載置台１４１ａ上の貼合体Ｌａにおける第２の接着層Ｂ２の周縁部に、第３の接着剤Ｒ３を吐出して塗布する装置である。この塗布ノズル１４３ａは、図示しない駆動機構によって、先端が第２の接着層Ｂ２の周縁部に接離する方向に移動する。

［再生装置］
さらに、本態様では、図３１に示すように、再生装置５が、浸漬部５１（図３４参照）に加えて、浸漬部５２を有している。浸漬部５２は、第３の接着層Ｂ３が形成された積層体ＬのサポートウェーハＳ２を再生するための構成部である。この浸漬部５２は、図３５に示すように、第３の溶媒である溶解液Ｚ３を収容する処理槽５２ａを有し、サポートウェーハＳ２を溶解液Ｚ３に浸漬することにより、第３の接着層Ｂ３を溶解させる装置である。この浸漬部５２は、それぞれ上記の分離装置４と同様の構成を有する。このように、第２の接着層Ｂ２、第３の接着層Ｂ３を溶解させて除去することにより、サポートウェーハＳ２は再利用可能となる。溶解液Ｚ１に対して第２の接着剤Ｒ２及び第３の接着剤Ｒ３は難溶解性であり、溶解液Ｚ２に対して第３の接着剤Ｒ３は難溶解性である。

［第３の接着層形成工程］
このような第３の接着層Ｂ３の形成工程を説明する。貼合部１３による貼合体Ｌａの製造については、上記の実施形態と同様である。そして、図３２に示すように、搬送手段が、チャンバ１３１の開口部１３１ａから貼合体Ｌａを取り出して、第３の接着層形成部１４における支持部１４１の載置台１４１ａ上に載置する。載置台１４１ａによりデバイスウェーハＳ１を回転させながら、除去部１４２のワイパー１４２ａの先端の弾性体が、第２の接着層Ｂ２の周縁部に接触することにより、溶媒が第２の接着層Ｂ２の周縁部を溶解させる。なお、図６に示すように、回転する貼合体Ｌａにおける第２の接着剤Ｒ２の周縁部を、溶媒Ｗに接触させることによっても、溶解させることができる。

次に、図３３に示すように、塗布部１４３の塗布ノズル１４３ａは、回転する載置台１４３ａ上の貼合体Ｌａの周縁部に移動して、第３の接着剤Ｒ３を吐出することにより、第３の接着剤Ｒ３を塗布する。これにより、第２の接着層Ｂ２の周縁部を覆う第３の接着層Ｂ３が形成される。このように、第２の接着層Ｂ２の周縁部が第３の接着層Ｂ３に覆われて露出していない積層体Ｌが製造される。

［薄化−電極形成−分離工程］
以上のように、第３の接着層Ｂ３を形成した積層体Ｌは、上記の実施形態と同様に、薄化された後、図３６（Ａ）〜（Ｄ）、図３７（Ｅ）〜（Ｈ）に示すように、電極形成、第１の接着層Ｂ１の溶解が行われる。さらに、機能デバイスＤの剥離が行われるが、これも、図１７、図１８に示した上記の実施形態と同様である。

［サポートウェーハの再生］
そして、搬送手段は、第２の接着層Ｂ２及び第３の接着層Ｂ３が付着したサポートウェーハＳ２を、図３４に示すように、再生装置５の浸漬部５１における溶解液Ｚ２に浸漬する。これにより、第２の接着層Ｂ２が溶解されて除去される。さらに、搬送手段は、第３の接着層Ｂ３が付着したサポートウェーハＳ２を、図３５に示すように、浸漬部５２における溶解液Ｚ３に浸漬する。これにより、第３の接着層Ｂ３が溶解されて除去されるので、サポートウェーハＳ２が、何も付着していない初期状態に再生される。搬送手段は、サポートウェーハＳ２を、ストッカＫに収容する。これにより、サポートウェーハＳ２を再利用できる。再生装置５内、搬送経路、ストッカＫのいずれかに設けられた乾燥装置によって、サポートウェーハＳ２を乾燥させてもよい。

［効果］
以上のような態様によれば、上記の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本態様では、第１の接着層Ｂ１が、機能デバイスＤとサポートウェーハＳ２との間に介在するとともに、第２の接着層Ｂ２及び第３の接着層Ｂ３によって覆われているために外部に露出していない。このため、薄化工程、穴開け工程、ダイシング工程等において一般的に使用される研磨液、エッチング液、洗浄液、純水等の液体から、第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ２が影響を受けることが防止され、接着状態が堅牢に維持される。各工程において使用される液体は、種々存在するため、第２の接着層Ｂ２も影響を受ける可能性があるが、第３の接着層Ｂ３として、より難溶解性の第３の接着剤Ｒ３を用いることにより、第２の接着層Ｂ２の溶解を防止できる。

また、除去部１４２によって、第２の接着剤Ｒ２の周縁部を除去することにより、第３の接着層Ｂ３と接触させる際に、第３の接着剤Ｒ３によって第２の接着層Ｂ２の周縁部を覆うことができる。周縁部における第３の接着剤Ｒ２は、僅かな幅でよいので、溶解液を含むワイパー１４２ａで少しだけなぞることによって又は溶解液に周縁部を接触させることによって、容易に除去することができる。

さらに、サポートウェーハＳ２は、比較的厚くて頑丈なので、第２の接着層Ｂ２、第３の接着層Ｂ３を、比較的腐食性の高い液等によって速く除去できる。また、第３の接着層Ｂ３は、非常に幅が狭いため、除去も容易である。そして、サポートウェーハＳ２は、穴あけ等の加工をせず、形状を変化させないため、第２の接着層Ｂ２及び第３の接着層Ｂ３を除去することにより、元の状態に戻すことができる。このため、再利用が可能となり、コストを節約できる。また、全工程において、サポートウェーハＳ２の表面の形状に変化がないため、デバイスウェーハＳ１に与える影響も少なく、安定した支持ができる。

なお、本態様においても、周縁部の第２の接着層Ｂ２及び第３の接着層Ｂ３については、幅を狭くすることができ、機能デバイスＤとしての有効面積を広くして、製造できるチップ数も多くすることができる。つまり、図３８に示すように、第２の接着層Ｂ２及び第３の接着層Ｂ２の周縁部の幅は、非常に狭くしてもよい。特に、第３の接着層Ｂ３は非常に薄くてもよい。各工程で接液させないだけの幅が、剥離工程まで維持されていればよい。例えば、１００ミクロン程度でも十分である。

また、第３の接着層Ｂ３は、第２の接着層Ｂ２の周縁部を覆って、第１の接着層Ｂ１の接液を防ぐことができればよい。このため、第３の接着層Ｂ３についても、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２の周縁部の内側に入っている必要はない。例えば、図３９に示すように、第２の接着層Ｂ２がデバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２の側面から隆起していてもよい。さらに、第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ１も、第３の接着層Ｂ３に覆われていれば、デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２の側面から隆起していてもよい。

また、第３の接着層Ｂ３は、最終的に第２の接着層Ｂ２が露出しないように周縁部を覆うことができればよい。このため、第３の接着層Ｂ３を形成するための第３の接着剤Ｒ３の塗布は、第１の接着層Ｂ１の形成工程の前、第２の接着層Ｂ２の形成工程の前に行ってもよい。また、第３の接着剤Ｒ３の塗布は、サポートウェーハＳ２側に行っても、デバイスウェーハＳ１側に行っても、双方に行ってもよい。

例えば、図７及び図８で示した載置台１２１ａに載置されて回転するサポートウェーハＳ２上の周縁近傍に、塗布ノズルによって第３の接着剤Ｒ３を吐出することにより、第３の接着剤Ｒ３をリング状に塗布する。そして、図７及び図８に示したように、サポートウェーハＳ２の中央部から第２の接着剤Ｒ２を展延させることにより、周縁部が第３の接着剤Ｒ３に囲まれた第２の接着層Ｂ２を形成することができる。これを、上記のように、第１の接着層Ｂ１が形成されたデバイスウェーハＳ１に貼り付けることにより、第２の接着層Ｂ２が第３の接着層Ｂ３に覆われた積層体Ｌを形成することができる。

さらに、第１の接着層Ｂ１を形成したデバイスウェーハＳ１上に、上記のようにリング状に第３の接着剤Ｒ３を塗布しておいて、これを、上記のように第３の接着剤Ｒ３が塗布されたサポートウェーハＳ２と貼り合わせてもよい。これにより、デバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２の双方にリング状に形成された第３の接着剤Ｒ３が重ね合わされるので、より確実に第２の接着層Ｂ２の周縁部を、第３の接着層Ｂ３によって覆うことができる。なお、上記のように、貼合部１３による貼合工程は、第３の接着剤Ｒ３の供給前であっても供給後であってもよい。つまり、貼合時には、デバイスウェーハＳ１とサポートウェーハＳ２との間には、少なくとも第１の接着層Ｂ１及び第２の接着層Ｂ２が介在していればよいが、第１の接着層Ｂ１、第２の接着層Ｂ２及び第３の接着層Ｂ３が介在してもよい。

（７）第１の接着剤Ｒ１の種類としては、以下に例示するような種々のものが適用可能である。溶媒も、研磨工程の最中には第１の接着層Ｂ１に接液をさせず、所定の工程を経て個片化する段階で接液させる状態が作れて、なおかつ溶媒で第１の接着層Ｂ１を溶かすことができればよい。機能デバイスＤに影響を与えにくい溶媒とすればなおよい。なお、第２の接着剤Ｒ２は、第１の接着剤Ｒ１が溶解する溶媒に対して難溶解性の接着剤を選択することができる。また、第３の接着剤Ｒ３は、第１の接着剤Ｒ１が溶解する溶媒及び第２の接着剤Ｒ２が溶解する溶媒に対して、難溶解性の接着剤を選択することができる。

例えば、第１の接着剤Ｒ１が水溶性のものであれば、第２の接着剤Ｒ２は、水に対して難溶解性の接着剤を選択することができる。さらに、第２の接着剤Ｒ２は、他の溶媒によって溶解する接着剤を選択することができる。例えば、第２の接着剤Ｒ２を、有機溶媒やアルカリ水に溶解する特性を有する接着剤とすることができる。また、第３の接着剤Ｒ３を、第１の接着剤Ｒ１及び第２の接着剤Ｒとして選択した溶媒に対して、溶解し難い難溶解性のものとすることができる。

水溶性の特性を有する接着剤としては、例えば、澱粉ノリ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ：polyvinyl alcohol）系接着剤、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ：polyvinyl pyrrolidone）系接着剤を挙げることができる。このような水溶性の接着剤は、使用する材料に応じて冷水、温水、熱水等といった温度を選択し、水で洗い流すことができる。ＰＶＡ〈ポリビニルアルコール〉は、水溶性でありつつも、短時間であれば、耐フッ酸性がある程度はある。このため、ダイシング溝Ｈが貫通してから、剥離する工程まで、ある程度残存させることができる。フッ酸は、後で水で洗い落とすことになるが、その際にも、第１の接着層Ｂ１が残存していれば、フッ酸が回路に悪影響を与えることがない。

アルカリ水に溶解する特性を有する接着剤としては、例えば、カゼイン（casein）、フェノール樹脂を挙げることができる。

有機溶媒に溶解する特性を有する接着剤としては、以下を挙げることができる。メタノール（methanol）、酢酸エチル（ethyl acetate）、アセトン（acetone）、クロロオルム（chloroform）、クリクレン、ベンゼン（benzene）、ジオキサン（dioxane）などの有機溶媒に溶解する特性を有する接着剤としては、酢酸ビニル系、ポリ酢酸ビニル系樹脂が挙げられる。また、メチルエチルケトン（ＭＥＫ：methyl ethyl ketone）、テトラヒドロフラン（tetrahydrofuran）、酢酸メチル、などの有機溶媒に溶解する特性を有する接着剤としては、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）系接着剤が挙げられる。

その他の有機溶媒に溶解するものとして、クロロプレンゴム（ＣＲ：polychloroprene）、ニトリルゴム（nitrile rubber, NBR）、ポリイミド系接着剤、ポリスチレン系樹脂（polystyrene）、ニトロセルロース系接着剤などがある。

熱可塑性のものとしては、酢酸ビニル系、ポリ塩化ビニル（polyvinyl chloride, PVC）系、シアノアクリレート（cyanoacrylate）系、エチレン酢酸ビニル樹脂（EVA）系、ナイロン系１１，１２、ポリビニルアルコール（PVA）系接着剤、ポリビニルピロリドン（PVP）系接着剤、パラフィン系・にかわ系に含まれる材料が挙げられる。これらは、加熱した上で、接着面を剥離させて洗浄することにより除去できる。また、熱水を利用したり、スチームを利用して洗浄することができる。これらは、熱剥離性の接着剤と呼ぶこともできる。また、このような場合の洗浄用及び除去用の液体も、溶解液に含まれる。

（８）デバイスウェーハＳ１、サポートウェーハＳ２は、円板状の基板には限定されず、平面状の製品を広く含む。

（９）第１の接着層Ｂ１は溶液によって溶解させるが、第２の接着層Ｂ２や第３の接着層Ｂ３は、レーザ光や紫外光や熱によって溶解させることもできる。この場合、第２の接着層Ｂ２や第３の接着層Ｂ３は、第１の接着層Ｂ１が溶解する溶媒に対しては難溶解性を持つが、レーザ光や紫外光や熱によって溶解させる特性を持つ接着剤を選択することができる。また、この場合、再生装置５の浸漬部５１、浸漬部５２をレーザ照射部や光照射部、加熱部に置き換えることができる。つまり、本発明の実施形態は、第１の接着層Ｂ１を溶解させる溶解部４２に加えて、第２の接着層Ｂ２を溶解させる溶解部を有する構成とすることもできるし、さらに、第３の接着層Ｂ３を溶解させる溶解部を有する構成とすることもできる。この溶解部としては、例えば、浸漬部、レーザ照射部、光照射部、加熱部とすることができる。

１…積層体製造装置
２…薄化装置
３…電極形成装置
４…分離装置
５…再生装置
６…制御装置
１１…第１の接着層形成部
１２…第２の接着層形成部
１３…貼合部
１４…第３の接着層形成部
２１…研削用ホイール
２１ａ…研削面
２２…支持部
３１…穴あけ部
３１ａ…載置台
３１ｂ…レーザ加工機
３２…充填部
４１…ダイシング部
４２…溶解部
４２ａ…吸着具
４２ｂ…突出部材
４２ｃ…メッシュ
４３…剥離部
５１…浸漬部
５１ａ…処理槽
５２…浸漬部
５２ａ…処理槽
１１１…支持部
１１１ａ…載置台
１１１ｂ…駆動部
１１２…塗布部
１１２ａ…塗布ノズル
１１３…収容部
１１３ａ…基台
１１３ｂ…チャンバ
１１４…除去部
１１４ａ…ワイパー
１２１…支持部
１２１ａ…載置台
１２１ｂ…駆動部
１２２…塗布部
１２２ａ…塗布ノズル
１３１…チャンバ
１３１ａ…開口部
１３１ｂ…開閉扉
１３１ｃ…開口部
１３２…載置部
１３３…支持部
１３４…移動機構部
１３５…排気部
１３５ａ…配管
１４１…支持部
１４１ａ…載置台
１４１ｂ…駆動部
１４２…除去部
１４２ａ…ワイパー
１４３…塗布部
１４３ａ…塗布ノズル
４１１…ブレード
４１２…駆動部
４１３…支持部
４２１…処理槽
４２１ｂ…排出口
４２２…タンク
４２３…送液配管
４２４…送液部
４２５…送液制御部
４２６…ノズル
４２７…排出液配管
４２８…タンク
４２９…排出弁
４３１…支持台
４３２…圧着部
４３３…切断部
Ａ…搬送アーム
Ｂ１…第１の接着層
Ｂ２…第２の接着層
Ｂ３…第３の接着層
Ｃ…保護層
Ｄ…機能デバイス
Ｅ…電子部品製造装置
Ｆ…フィルム
Ｇ…リング
Ｈ…ダイシング溝
ｈ…スルーホール
ＩＮ…投入口
Ｋ…ストッカ
Ｌ…積層体
Ｌａ…貼合体
Ｍ…電極材料
ＯＵＴ…取出口
Ｒ１…第１の接着剤
Ｒ２…第２の接着剤
Ｒ３…第３の接着剤
Ｓ１…デバイスウェーハ
Ｓ２…サポートウェーハ
Ｕ…ブース
Ｗ…溶媒
Ｘ…容器
Ｚ１〜Ｚ３…溶解液

Claims (12)

1. 所定の溶媒により溶解する第１の接着剤によって、デバイスウェーハに形成された複数の機能デバイスを覆うことにより、第１の接着層を形成する第１の接着層形成部と、
   前記第１の接着剤よりも前記所定の溶媒に対して難溶解性であって、前記デバイスウェーハを支持するサポートウェーハと前記第１の接着層との間に介在させるとともに、前記第１の接着層の周縁部を覆うための第２の接着剤を、前記サポートウェーハ及び前記第１の接着剤の少なくとも一方の表面に供給することにより第２の接着層を形成する第２の接着層形成部と、
   前記第２の接着層の周縁部を覆う位置に、前記第２の接着剤を溶解させる第２の溶媒に対して、前記第２の接着剤よりも難溶解性の第３の接着剤を供給することにより第３の接着層を形成する第３の接着層形成部と、
   前記デバイスウェーハに対して、前記第１の接着層及び前記第２の接着層を介して、前記第１の接着層の周縁部が露出しないように、サポートウェーハを貼り合わせる貼合部と、
   を有することを特徴とする積層体製造装置。
2. 所定の溶媒により溶解する第１の接着剤によって、デバイスウェーハに形成された複数の機能デバイスを覆う第１の接着層と、
   前記第１の接着剤よりも前記所定の溶媒に対して難溶解性である第２の接着剤によって形成され、前記デバイスウェーハを支持するサポートウェーハと前記第１の接着層との間に介在するとともに、前記第１の接着層の周縁部を覆う第２の接着層と、
   前記第２の接着剤を溶解させる第２の溶媒に対して、前記第２の接着剤よりも難溶解性の第３の接着剤によって、前記第２の接着層の周縁部を覆う第３の接着層と、
   前記デバイスウェーハに、前記第１の接着層及び前記第２の接着層を介して、前記第１の接着層の周縁部が露出しないように貼り合わされたサポートウェーハと、
   を有することを特徴とする積層体。
3. 前記第１の接着剤が、水溶性であることを特徴とする請求項２記載の積層体。
4. 前記第１の接着剤が、熱可塑性であることを特徴とする請求項２記載の積層体。
5. 所定の溶媒により溶解する第１の接着剤によって、デバイスウェーハに形成された複数の機能デバイスを覆う第１の接着層と、前記第１の接着剤よりも前記所定の溶媒に対して難溶解性である第２の接着剤によって、前記デバイスウェーハを支持するサポートウェーハと前記第１の接着層との間に介在するとともに、前記第１の接着層の周縁部を覆う第２の接着層と、前記デバイスウェーハに、前記第１の接着層及び前記第２の接着層を介して、前記第１の接着層の周縁部が露出しないように貼り合わされたサポートウェーハと、を有する積層体に形成された、複数の前記機能デバイスを、個片に分割する溝を形成するダイシング部と、
   前記積層体を、前記所定の溶媒に浸漬することにより、前記溝を介して前記第１の接着層を溶解させる溶解部と、
   を有することを特徴とする分離装置。
6. 前記ダイシング部により形成される溝は、前記第１の接着層まで達していず、前記デバイスウェーハの残存部分があり、
   前記第１の接着層を溶解させる前に、前記溝が前記第１の接着層まで達するように、前記残存部分をエッチングにより除去することを特徴とする請求項５記載の分離装置。
7. 前記機能デバイスを、前記サポートウェーハから剥離させる剥離部を有することを特徴とする請求項５または６記載の分離装置。
8. 前記積層体を、前記所定の溶媒に浸漬させたとき、個片に分割された機能デバイスに接する保持手段を有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の分離装置。
9. 所定の溶媒により溶解する第１の接着剤によって、デバイスウェーハに形成された複数の機能デバイスを覆うことにより、第１の接着層を形成し、
   前記第１の接着剤よりも前記所定の溶媒に対して難溶解性であって、前記デバイスウェーハを支持するサポートウェーハと前記第１の接着層との間に介在させるとともに、前記第１の接着層の周縁部を覆うための第２の接着剤を、前記サポートウェーハ及び前記第１の接着剤の少なくとも一方の表面に供給することにより、第２の接着層を形成し、
   前記第２の接着層の周縁部を覆う位置に、前記第２の接着剤を溶解させる第２の溶媒に対して、前記第２の接着剤よりも難溶解性の第３の接着剤を供給することにより第３の接着層を形成し、
   前記デバイスウェーハに、前記第１の接着層及び前記第２の接着層を介して、前記第１の接着層の周縁部が露出しないように、サポートウェーハを貼り合わせた積層体とする積層体製造方法。
10. 前記第３の接着層を形成する工程は、前記貼り合わせる工程の後に、前記第２の接着層の周縁部に、前記第３の接着剤を供給することを特徴とする請求項９記載の積層体製造方法。
11. 前記第３の接着層を形成する工程は、前記第２の接着層の形成前に、前記デバイスウェーハ又は前記サポートウェーハに、前記第３の接着剤を供給することを特徴とする請求項９記載の積層体製造方法。
12. 前記第１の接着剤と前記第２の接着剤が接触する前に、前記第１の接着剤を乾燥させる
    ことを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の積層体製造方法。

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