JP2007318140A - 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記基板処理装置は、基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、前記スピンヘッド上に設けられ、工程のとき、基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、前記噴射ヘッドは、前記スピンヘッドのセンター部に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、前記ボディから前記スピンヘッドのエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、前記噴射部材には、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第1噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第2噴射口とが形成され、前記流体は、前記第1噴射口に先に供給される。
【選択図】 図1
Description
200:回転軸
300:駆動部
400:噴射ヘッド
410:ボディ
420:第1噴射部材
422:第1噴射口
424:第2噴射口
426:第3噴射口
428a:第1流路
428b:第2流路
430:第2噴射部材
432:リンス液噴射口
500:保護容器
Claims (15)
- 基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、
前記スピンヘッド上に設けられ、前記スピンヘッドに支持された基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、
前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、
前記噴射ヘッドは、
前記スピンヘッドに支持された基板のセンター部の下に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、
前記ボディから前記スピンヘッドに支持された基板のエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、
前記噴射部材は、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第1噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第2噴射口と、前記第2噴射口より先に前記第1噴射口に前記流体を供給するように形成された流路を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記噴射部材の内部には、前記ボディと連結された前記噴射部材の一端から前記噴射部材の他端に向かって流体が流れる第1流路と、前記第1流路から延長され、前記噴射部材の他端から前記噴射部材の一端に向かって流体が流れる第2流路とが形成され、前記第2噴射口は、前記第2流路に形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1噴射口は、前記第1流路に形成されることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第1流路と前記第2流路は、互いに平行に配置されることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記流路は「U」字形状を有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1噴射口は、前記第2噴射口より稠密な間隔で設けられることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1噴射口は、前記基板のセンター部から遠ざかる方向に向って傾斜するように形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ボディには、前記噴射部材から噴射された流体が前記基板のエッジ部に向かって円滑に流れるように、前記基板のセンター部にガスを噴射するガス噴射口が形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記噴射部材には、前記基板のセンター部に流体を噴射する第3噴射口が形成されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第3噴射口は、前記基板のセンター部の方向に向かって傾斜するように形成されることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 外部から流体が供給されるボディと、
前記ボディから延長され、前記ボディから供給された流体を噴射する噴射部材と、を含み、
前記噴射部材は、前記ボディと連結された前記噴射部材の一端から前記噴射部材の他端に向かって流体が流れるように形成された第1流路と、前記第1流路から延長され、前記噴射部材の他端から前記噴射部材の一端に向かって流体が流れるように形成された第2流路を内部に備え、複数の噴射口であって前記噴射部材の一端と他端の間の領域にある噴射口に比べて、前記噴射部材の他端領域にある噴射口から先に流体が噴射されるように形成された複数の噴射口を備えることを特徴とする噴射ヘッド。 - 前記噴射部材の他端領域で流体を噴射する第1噴射口は、前記第1流路に提供され、前記噴射部材の一端と他端の間で流体を噴射する第2噴射口は、前記第2流路に提供されることを特徴とする請求項11に記載の噴射ヘッド。
- スピンヘッド上に置かれた基板の底面に流体を噴射して基板を処理する方法において、
前記基板の下に噴射部材を配置し、前記噴射部材には、前記基板のセンター部に対応する位置から流体が供給され、前記基板のセンター部とエッジ部の間に位置するミドル部より先に前記基板のエッジ部に流体を噴射することを特徴とする基板処理方法。 - 前記流体は、前記基板のエッジ部に噴射される前に、前記基板のセンター部に噴射されることを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記噴射部材から噴射された薬液が前記基板のエッジ部に向かって円滑に流れるように、前記基板のセンター部にガスを噴射することを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
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