KR102468100B1 - 액처리 장치 - Google Patents

액처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102468100B1
KR102468100B1 KR1020180012647A KR20180012647A KR102468100B1 KR 102468100 B1 KR102468100 B1 KR 102468100B1 KR 1020180012647 A KR1020180012647 A KR 1020180012647A KR 20180012647 A KR20180012647 A KR 20180012647A KR 102468100 B1 KR102468100 B1 KR 102468100B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
substrate
liquid supply
nozzle
wafer
Prior art date
Application number
KR1020180012647A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180092839A (ko
Inventor
테루후미 와키야마
노리히로 이토
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20180092839A publication Critical patent/KR20180092839A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102468100B1 publication Critical patent/KR102468100B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판의 하면에 액이 부착되는 것을 억제하는 액처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 액처리 장치는, 기판 유지부와, 구동부와, 축부와, 노즐을 구비한다. 기판 유지부는, 기판을 수평으로 유지한다. 구동부는, 기판 유지부에 의해 기판이 유지된 상태에서, 기판 및 기판 유지부를 회전시킨다. 축부는, 기판 유지부에 유지된 기판의 회전축을 포함하고, 회전축의 축 방향을 따라 연장되어 설치되며, 또한 기판보다 하방에 설치된다. 노즐은, 기판의 하면을 향해 액을 토출한다. 또한, 노즐은, 축부의 상단에 부착되는 베이스부와, 베이스부로부터 기판의 직경 방향 외측으로 연장되어 설치되고, 기판을 향해 액을 토출하는 토출구가 형성된 액 공급부를 구비한다. 또한, 축부 및 베이스부는, 축 방향을 따라 형성되고, 기판의 하면을 향해 토출된 액을 배출하는 배출로를 구비한다. 또한, 베이스부는, 액이 배출로를 향해 흐르도록 하방을 향해 움푹 들어간 오목부를 구비한다.

Description

액처리 장치{LIQUID PROCESSING APPARATUS}
개시하는 실시형태는 액처리 장치에 관한 것이다.
종래, 기판의 하면에 유체를 공급하는 노즐 유닛을 갖는 액처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2007-335868호 공보
그러나, 상기 액처리 장치에서는, 기판의 하면을 향해 토출된 액이, 노즐 유닛의 중심측의 상단면에 남는 경우가 있다. 이 경우, 상단면에 남은 액이 기판의 하면에 부착될 우려가 있다.
실시형태의 일 양태는, 기판의 하면을 향해 토출된 액이, 노즐 유닛의 중심측의 상단면에 남는 것을 억제하는 액처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일 양태에 따른 액처리 장치는, 기판 유지부와, 구동부와, 축부와, 노즐을 구비한다. 기판 유지부는, 기판을 수평으로 유지한다. 구동부는, 기판 유지부에 의해 기판이 유지된 상태에서, 기판 및 기판 유지부를 회전시킨다. 축부는, 기판 유지부에 유지된 기판의 회전축을 포함하고, 회전축의 축 방향을 따라 연장되어 설치되며, 또한 기판보다 하방에 설치된다. 노즐은, 기판의 하면을 향해 액을 토출한다. 또한, 노즐은, 축부의 상단부에 부착되는 베이스부와, 베이스부로부터 기판의 직경 방향 외측으로 연장되어 설치되고, 기판을 향해 액을 토출하는 토출구가 형성된 액 공급부를 구비한다. 또한, 축부 및 베이스부는, 축 방향을 따라 형성되고, 기판의 하면을 향해 토출된 액을 배출하는 배출로를 구비한다. 또한, 베이스부는, 액이 배출로를 향해 흐르도록 하방을 향해 움푹 들어간 오목부를 구비한다.
실시형태의 일 양태에 의하면, 기판의 하면을 향해 토출된 액이, 노즐 유닛의 중심측의 상단면에 남는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 처리 유닛의 구체적인 구성을 도시한 도면이다.
도 4는 노즐의 평면도이다.
도 5는 도 4의 화살표 A방향에서 본 도면이다.
도 6은 노즐의 사시도이다.
도 7은 노즐의 분해도이다.
도 8은 도 6의 VIII-VIII 단면도이다.
도 9는 도 3에 있어서의 하면 처리부의 일부를 확대한 모식도이다.
도 10은 제2 토출구로부터 토출되는 온도 조절액의 토출 방향을 측면에서 보아 도시한 개략도이다.
도 11은 제2 토출구로부터 토출되는 온도 조절액의 토출 방향 및 웨이퍼의 하면에 있어서의 온도 조절액의 토출 범위를 도시한 개략도이다.
도 12는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 처리의 처리 순서를 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 액처리 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.
반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 소정의 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
한편, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 완료된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
다음으로, 처리 유닛(16)에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 설치된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다.
기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 주위로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대해 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(排液口; 51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
이하에 있어서, 지주부(32)의 회전축, 즉 웨이퍼(W)의 회전축을, 회전축(Ce)(도 3 참조)으로 하여 설명한다. 또한, 웨이퍼(W)의 직경 방향을, 직경 방향으로 하여 설명하는 경우가 있다.
여기서, 처리 유닛(16)에 대해, 도 3을 참조하여 상세히 설명한다. 도 3은 처리 유닛(16)의 구체적인 구성을 도시한 도면이다. 한편, 도 3에서는, 처리 유체 공급부(40) 등, 일부의 구성을 생략하고 있다.
유지부(31)는, 유지 플레이트(310)와, 기판 유지부(311)와, 리프트 플레이트(312)와, 리프트 핀(313)을 구비한다.
유지 플레이트(310)는, 원판형으로 형성되고, 지주부(32)의 상단이 삽입되는 구멍이 중심부에 형성된다. 유지 플레이트(310)는, 지주부(32)의 상단에 접합된다. 유지 플레이트(310)는, 지주부(32)와 동축 상에 배치된다. 유지 플레이트(310)의 외주단의 상면에는, 복수의 기판 유지부(311)가 설치된다. 예컨대, 기판 유지부(311)는, 3개소 설치되고, 각 기판 유지부(311)는, 둘레 방향으로 120°의 간격으로 설치된다. 기판 유지부(311)는, 리프트 플레이트(312)의 상하 이동에 맞춰 유지 플레이트(310)측의 기단부에 설치한 회동축을 중심으로 회동하여, 웨이퍼(W)의 유지 상태가 전환된다.
또한, 유지 플레이트(310)에는, 승강 부재(34)가 삽입 가능한 복수의 삽입 구멍(310a)이 형성된다. 예컨대, 삽입 구멍(310a)은, 3개소 형성되고, 각 삽입 구멍(310a)은, 둘레 방향으로 120도의 간격으로 형성된다.
승강 부재(34)는, 각 삽입 구멍(310a)에 따라 복수개 설치된다. 승강 부재(34)는, 승강 구동부(35)에 의해 승강한다. 승강 부재(34)는, 승강 구동부(35)에 의해 대기 위치로부터 상승되면 삽입 구멍(310a)에 삽입되고, 삽입 구멍(310a)을 관통하여 리프트 플레이트(312)에 접촉한다. 그리고, 승강 부재(34)는, 승강 구동부(35)에 의해 더욱 상승되면, 리프트 플레이트(312)를 상방으로 밀어 올린다. 승강 부재(34)는, 리프트 플레이트(312)를 소정의 상승 위치까지 밀어 올린다. 소정의 상승 위치는, 웨이퍼(W)를 기판 반송 장치(17)에 의해 반입 및 반송하는 위치이다. 승강 부재(34)는, 대기 위치에서는, 삽입 구멍(310a)에 삽입되지 않고, 유지 플레이트(310)는, 회전 가능해진다.
한편, 승강 부재(34)는, 유지 플레이트(310)에 설치된 중간 부재를 통해 리프트 플레이트(312)를 승강시켜도 좋다.
리프트 플레이트(312)는, 원판형으로 형성되고, 하면 처리부(80)의 축부(81)가 삽입되는 삽입 구멍이 중심부에 형성된다. 리프트 플레이트(312)는, 유지 플레이트(310), 즉 지주부(32)와 동축 상에 배치된다. 리프트 플레이트(312)는, 유지 플레이트(310)의 상방에 설치되고, 승강 부재(34)가 대기 위치에 있는 경우에는, 리프트 플레이트(312)의 하면은 유지 플레이트(310)의 상면에 접촉한다. 리프트 플레이트(312)의 외주단의 상면에는, 복수의 리프트 핀(313)이 설치된다. 예컨대, 리프트 핀(313)은, 3개소 설치되고, 각 리프트 핀(313)은, 둘레 방향으로 120도의 간격으로 설치된다. 리프트 플레이트(312)의 직경은 웨이퍼(W)의 직경보다 작고, 리프트 플레이트(312)는, 승강 부재(34)에 의해 밀어 올려진 경우에, 기판 유지부(311)에 접촉하지 않도록 형성된다.
리프트 핀(313)은, 리프트 플레이트(312)가 밀어 올려지면, 웨이퍼(W)의 하면에 접촉하여, 웨이퍼(W)가 기판 유지부(311)에 의해 유지되지 않는 상태에서, 웨이퍼(W)를 하면측으로부터 지지한다. 또한, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 리프트 플레이트(312)가 강하하고, 기판 유지부(311)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된 후에, 더욱 리프트 플레이트(312)가 강하하면, 리프트 핀(313)은, 웨이퍼(W)의 하면으로부터 이격된다.
리프트 플레이트(312)의 하면이 유지 플레이트(310)의 상면에 접촉하는 상태에서는, 리프트 플레이트(312)와 유지 플레이트(310)는, 예컨대, 결합부에 의해 결합된다. 그 때문에, 구동부(33)에 의해 지주부(32)가 회전하면, 리프트 플레이트(312)와 유지 플레이트(310)는 지주부(32)와 함께 회전한다.
처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)의 하면에 온도 조절액 등을 공급하는 하면 처리부(80)를 더 구비한다. 하면 처리부(80)는, 축부(81)와, 노즐(82)을 구비한다. 축부(81) 및 노즐(82)은, 내약품성을 갖는 수지, 예컨대, PCTFE(폴리클로로트리플루오로에틸렌) 수지에 의해 구성된다. 한편, 도 3에 있어서는, 설명을 위해서 하면 처리부(80)의 해칭을 생략하고 있다.
축부(81)는, 지주부(32)와 동축 상에 배치된다. 축부(81)는, 중공형의 지주부(32) 및 리프트 플레이트(312)의 삽입 구멍에 삽입되고, 베어링(도시하지 않음)을 통해 지주부(32), 유지 플레이트(310) 및 리프트 플레이트(312)를 회전 가능하게 지지한다.
축부(81)의 내부에는, 제1 유로(81a)와, 제2 유로(81b)와, 제3 유로(81c)가 형성된다. 각 유로(81a∼81c)는, 축 방향으로 연장되어 형성된다. 한편, 축부(81)를 중공형으로 형성하고, 각 유로가 되는 배관을, 축부(81) 내에 설치해도 좋다.
제1 유로(81a)에는, 온도 조절액 공급원(71)에 의해 온도 조절액, 예컨대 온도가 조정된 순수(純水)(온수)가 제1 배관(90)을 통해 공급된다. 한편, 제1 배관(90)에는, 개폐 밸브(90a)가 설치되어 있다.
제2 유로(81b)에는, DIW 공급원(72)에 의해 DIW(상온의 순수)가 제2 배관(91)을 통해 공급된다. 한편, 제2 배관(91)에는, 전환 밸브(91a)가 설치되어 있고, 전환 밸브(91a)를 전환하여 제2 유로(81b) 및 제2 배관(91)의 일부와 드레인 유로(91b)를 연통(連通)함으로써, 축부(81)의 상면에 부착된 약액 등을, 액 토출 유로(820a)(예컨대, 도 4 참조), 제2 유로(81b) 및 제2 배관(91)을 통해 배출 가능하게 되어 있다. 즉, 액 토출 유로(820a), 제2 유로(81b) 및 제2 배관(91)의 일부는 배출로로서도 기능한다. 한편, 전환 밸브(91a)와 DIW 공급원(72) 사이의 제2 배관(91)에는, 개폐 밸브(91c)가 설치되어 있다. 또한, 전환 밸브(91a)가 개폐 밸브(91c)의 기능을 가져도 좋다.
제3 유로(81c)에는, N2 공급원(73)에 의해 N2 가스가 제3 배관(92)을 통해 공급된다. N2 가스는, 고온(예컨대, 90℃ 정도)으로 온도 조절된다. 또한, 제3 유로(81c)는, 축부(81)의 상단에 형성되고, 상방으로 연장되어 설치되는 N2 노즐(81d) 내에도 형성된다. N2 노즐(81d)은, 노즐(82)의 베이스부(820)(예컨대, 도 4 참조)에 형성되는 삽입 구멍(820b)(예컨대, 도 4 참조)에 삽입된다. 한편, 제3 배관(92)에는, 개폐 밸브(92a)가 설치되어 있다.
여기서, 노즐(82)에 대해, 도 4 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명한다. 도 4는 노즐(82)의 평면도이다. 도 5는 도 4의 화살표 A방향에서 본 도면이다. 도 6은 노즐(82)의 사시도이다. 도 7은 노즐(82)의 분해도이다. 도 8은 도 6의 VIII-VIII 단면도이다.
노즐(82)은, 베이스부(820)와, 액 공급부(821)를 구비한다. 노즐(82)은, 리프트 플레이트(312)(도 3 참조)와 웨이퍼(W)(도 3 참조) 사이에 설치되고, 웨이퍼(W)의 하면과 마주 보도록 설치된다. 즉, 노즐(82)은, 웨이퍼(W)보다 하방에 설치된다. 또한, 노즐(82)은, 웨이퍼(W)의 하면과 약간 이격되도록 설치된다.
베이스부(820)는, 축부(81)와 동축 상에 배치된다. 즉, 베이스부(820)는, 웨이퍼(W)의 회전축(Ce)을 포함하도록 설치된다. 베이스부(820)는, 축부(81)의 상단에 부착된다. 베이스부(820)에는, 제2 유로(81b)와 연통되는 액 토출 유로(820a)와, N2 노즐(81d)이 삽입되는 삽입 구멍(820b)이 형성된다. 액 토출 유로(820a) 및 삽입 구멍(820b)은, 축 방향을 따라 형성된다. 또한, 베이스부(820)에는, 제1 유로(81a)(도 3 참조)에 연통되고, 또한 액 공급부(821)의 노즐 베이스부(822)에 형성되는 제1 액 공급로(822a)에 연통되는 중간 유로(도시하지 않음)가 내부에 형성된다. 중간 유로는, 축 방향을 따라 형성된다.
베이스부(820)는, 베어링(도시하지 않음)을 통해 리프트 플레이트(312)(도 3 참조)에 착좌(着座)하고 있고, 리프트 플레이트(312)를 회전 가능하게 지지하며, 리프트 플레이트(312)의 승강에 따라 승강한다. 즉, 노즐(82)[하면 처리부(80)]은, 리프트 플레이트(312)와 함께 승강한다.
베이스부(820)의 상단 중앙부에는, 하방을 향해 움푹 들어간 오목부(820c)가 형성된다. 오목부(820c)에는, 액 토출 유로(820a) 및 삽입 구멍(820b)이 개구된다. 오목부(820c)는, 오목부(820c)에 부착된 액이 액 토출 유로(820a)에 유입되도록 형성된다. 즉, 오목부(820c)는, 액 토출 유로(820a)에 액이 유입되도록, 유발형으로 형성되고, 예컨대, 오목부(820c)를 형성하는 면이 액 토출 유로(820a)의 중심을 향해 수속(收束)되도록 형성된다.
액 토출 유로(820a) 및 삽입 구멍(820b)은, 회전축(Ce) 부근에 형성된다. 즉, 삽입 구멍(820b) 및 삽입 구멍(820b)에 삽입되는 N2 노즐(81d)은, 회전축(Ce)으로부터 직경 방향 외측으로 오프셋된 위치에 설치된다. N2 노즐(81d)로부터 토출되는 N2 가스가, 웨이퍼(W)의 중심에 공급되면, N2 노즐(81d)의 직경보다 작은 액적이 웨이퍼(W)에 남을 우려가 있다. 이것을 억제하기 위해서, N2 노즐(81d)은, 회전축(Ce)으로부터 직경 방향 외측으로 오프셋된 위치에 설치된다.
또한, 베이스부(820)의 상단 외주부에는, 오목부(820c)의 주연(周緣)으로부터 외주측 하방을 향해 경사지는 경사부(820e)가 형성된다. 즉, 경사부(820e)는, 직경 방향 외측이 됨에 따라 하방으로 경사진다. 경사부(820e)는, 베이스부(820)의 중심측으로부터 경사지도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 오목부(820c)의 주연이 보다 직경 방향 내측에 위치하도록, 오목부(820c) 및 경사부(820e)가 형성되는 것이 바람직하다.
경사부(820e)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 베이스부(820)의 하면(820f)에 접속된다. 즉, 경사부(820e)는, 오목부(820c)의 주연으로부터 베이스부(820)의 하면까지 연장되어 형성된다. 도 9는 도 3에 있어서의 하면 처리부(80)의 일부를 확대한 모식도이다.
축부(81)와, 축부(81)가 삽입되는 지주부(32)의 삽입 구멍의 내주면 사이에는, 제1 간극(320)이 형성된다. 또한, 베이스부(820)의 하면(820f)과 리프트 플레이트(312) 사이에는, 제1 간극(320)과 연통되는 제2 간극(321)이 형성된다. 이러한 간극(320, 321)은, 회전하지 않는 축부(81) 및 노즐(82)과, 회전하는 지주부(32) 및 리프트 플레이트(312) 사이에 생긴다.
웨이퍼(W), 지주부(32) 및 리프트 플레이트(312)가 회전하면, 제1 간극(320) 및 제2 간극(321)에서 부압을 발생하는 경우가 있어, 웨이퍼(W)의 중심측이 하측으로 휘어지는 경우가 있다. 이것을 방지하기 위해서, 제1 간극(320) 및 제2 간극(321)에는, 기체, 예컨대, N2 공급원(73)으로부터 N2 가스가 공급된다. 이에 의해, 부압이 발생하는 것을 방지하여, 웨이퍼(W)가 하측으로 휘어진 상태로 회전하는 것을 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)와 노즐(82) 등의 접촉을 억제할 수 있다.
그러나, 제1 간극(320) 및 제2 간극(321)으로부터 토출된 N2 가스가 웨이퍼(W)의 하면에 닿으면, 웨이퍼(W)의 온도가 낮아져, 처리의 진행이 늦어지거나, 웨이퍼(W)에 있어서의 처리가 불균일해지거나 할 우려가 있다.
본 실시형태에서는, 경사부(820e)를 베이스부(820)의 하면(820f)까지 연장하여 형성함으로써, 베이스부(820)의 하면(820f)을 직경 방향 외측까지 연장하여 설치할 수 있고, N2 가스가 웨이퍼(W)를 향해 토출되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 처리의 진행이 늦어지거나, 웨이퍼(W)에 있어서의 처리가 불균일해지거나 하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 경사부(820e)는, 베이스부(820)의 강도를 확보하면서, 회전축(Ce)과의 이루는 각이 보다 예각이 되는 것이 바람직하다. 예컨대, 경사부(820e)는 회전축(Ce)과의 이루는 각이 45도 내지 50도 정도가 되도록 형성된다.
이와 같이, 경사부(820e)를 형성함으로써, 베이스부(820)의 상면에 부착된 액을 베이스부(820)의 외측으로 흘려 보낼 수 있다.
한편, 베이스부(820)의 상단의 높이가, 후술하는 노즐 베이스부(822)의 상단의 높이보다 낮아지도록 베이스부(820)는 형성된다. 이에 의해, 베이스부(820)측의 노즐 베이스부(822)에 부착된 액을 베이스부(820)의 오목부(820c)나 경사부(820e)로 흘려 보낼 수 있다.
액 공급부(821)는, 막대형으로 형성되고, 베이스부(820)의 중심 부근으로부터 직경 방향 외측으로 연장되어 설치된다. 액 공급부(821)는, 노즐 베이스부(822)와, 노즐 캡(823)을 구비한다.
직경 방향 내측의 노즐 베이스부(822)의 단부는, 오목부(820c) 내로 돌출되도록 형성된다. 한편, 직경 방향 내측의 노즐 베이스부(822)의 선단은, 회전축(Ce)보다 직경 방향 외측에 위치한다.
노즐 베이스부(822)의 내부에는, 제1 액 공급로(822a)와, 압입 구멍(822b)이 직경 방향을 따라 형성된다. 제1 액 공급로(822a)와 압입 구멍(822b)은 평행하게 형성된다. 직경 방향 내측의 압입 구멍(822b)의 단부는, 폐색되어 있다. 압입 구멍(822b)에는, 보강 부재(824)가 압입된다.
보강 부재(824)는, 중공형의 공동부를 갖는 금속 부재이고, 예컨대, 스테인리스강이다. 한편, 보강 부재(824)는, 스테인리스강에 한정되지 않고, 액 공급부(821)의 휘어짐을 억제하는 부재이면 된다. 보강 부재(824)를 중공형으로 함으로써, 보강 부재(824)를 압입 구멍(822b)에 압입할 때에, 공동부를 통해 압입 구멍(822b) 내의 공기가 외부로 배출되기 때문에, 보강 부재(824)를 압입 구멍(822b)에 용이하게 압입할 수 있다. 또한, 중공형으로 함으로써, 노즐(82)의 보온 효과를 향상시킬 수 있어, 제1 액 공급로(822a)를 흐르는 온도 조절액의 온도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.
직경 방향 외측의 압입 구멍(822b)의 단부에는, 시일재(825)가 삽입된다. 또한, 직경 방향 외측의 압입 구멍(822b)에는 나사홈이 형성되어 있고, 나사(826)에 의해 노즐 캡(823)이 부착된다. 나사(826)는, 노즐(82)과 마찬가지로 내약품성의 수지에 의해 구성된다.
노즐 캡(823)은, 직경 방향 외측의 노즐 베이스부(822)의 선단에 부착된다. 노즐 캡(823)에는, 제1 액 공급로(822a)와 연통되는 제2 액 공급로(823a)가 형성되는 공급부(823d)와, 나사(826)가 삽입되는 나사 구멍이 형성되는 나사 부착부(823b)를 구비한다. 노즐 캡(823)은, 나사(826)에 의해 노즐 베이스부(822)에 부착된다.
공급부(823d)는, 제2 액 공급로(823a)가, 노즐 캡(823)의 선단측, 즉 직경 방향 외측에서 폐색되도록 형성된다. 이와 같이, 제1 액 공급로(822a)와 제2 액 공급로(823a)에 의해 액 공급로가 형성된다. 또한, 공급부(823d)의 선단측의 상부에는, 하방으로 경사지는 테이퍼부(823c)가 형성된다.
나사 부착부(823b)는, 웨이퍼(W)의 회전 시에, 나사(826)가 리프트 핀(313)(도 3 참조)에 접촉하지 않도록, 공급부(823d)의 선단보다 직경 방향 내측에 형성된다. 즉, 노즐 캡(823)은, 평면에서 보아 대략 L자형으로 형성된다.
노즐 베이스부(822) 및 노즐 캡(823)에는, 상방으로 돌출되는 단차부(827)가 형성된다. 단차부(827)는, 예컨대, 평면에서 보아, 꼭대기부로부터 직경 방향과는 교차하는 방향으로 경사지는 경사면에 의해 형성된다. 단차부(827)에는, 액 공급로에 연통되고, 웨이퍼(W)의 하면을 향해 온도 조절액을 토출하는 토출구(828)가 복수개 형성된다. 토출구(828)를 단차부(827)에 형성함으로써, 예컨대, 액 토출 유로(820a)로부터 토출된 액이 토출구(828) 내에 유입되는 것을 억제할 수 있다.
토출구(828)는, 베이스부(820)의 중심측으로부터 노즐 캡(823)의 선단측, 즉 노즐 캡(823)의 테이퍼부(823c)까지 소정의 간격을 마련하여 형성된다. 또한, 토출구(828)는, 토출구(828)의 합계 면적이, 제1 유로(81a)의 단면적이나, 가장 직경 방향 내측의 제1 액 공급로(822a)의 단면적보다 작아지도록 형성된다. 이에 의해, 각 토출구(828)로부터 토출되는 온도 조절액의 유량을 균일하게 할 수 있다.
토출구(828)는, 베이스부(820)의 중심측, 즉 회전축(Ce) 부근에 형성된 제1 토출구(828a)와, 제1 토출구(828a)보다 직경 방향 외측에 형성되는 제2 토출구(828b)와, 테이퍼부(823c)에 형성되는 제3 토출구(828c)에 의해 구성된다.
제1 토출구(828a)는, 오목부(820c) 내로 돌출되는 노즐 베이스부(822)에 형성된다. 제1 토출구(828a)는, 상하 방향(연직 방향)에 있어서, 제1 액 공급로(822a)와 겹쳐지도록 형성된다. 또한, 제1 토출구(828a)는, 축 방향을 따라 온도 조절액을 토출하도록 형성된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 중심 부근의 하면에 온도 조절액을 토출할 수 있다.
한편, 가장 회전축(Ce)측의 제1 토출구(828a)는, 회전축(Ce)보다 직경 방향 외측에 형성된다. 가장 회전축(Ce)측의 제1 토출구(828a)를 회전축(Ce)보다 직경 방향 외측에 형성함으로써, 원심력이 작용하지 않는 웨이퍼(W)의 중심부가, 제1 토출구(828a)로부터 토출된 온도 조절액에 의해 온도가 높아지는 것을 억제하여, 웨이퍼(W)의 중심부의 처리가 다른 영역보다 진행되는 것을 억제하여, 에칭 처리를 균일하게 행할 수 있다.
제2 토출구(828b)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 상하 방향에 있어서, 제1 액 공급로(822a) 및 제2 액 공급로(823a)와 겹쳐지지 않도록, 제1 액 공급로(822a) 및 제2 액 공급로(823a)에 대해 웨이퍼(W)의 회전 방향의 하류측으로 오프셋되어 형성된다. 제2 토출구(828b)는, 웨이퍼(W)의 회전 방향에 있어서 노즐(82)보다 후방측의 비스듬히 상방을 향해 온도 조절액을 토출한다. 도 10은 제2 토출구(828b)로부터 토출되는 온도 조절액의 토출 방향을 측면에서 보아 도시한 개략도이다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 닿은 온도 조절액이 노즐(82)을 향해 떨어지는 것을 억제하여, 노즐(82)에 온도 조절액이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제2 토출구(828b)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 평면에서 보아 노즐(82)에 대해 수직인 방향(도 11 중, 파선 화살표)보다 외측(도 11 중, 실선 화살표)을 향해 온도 조절액을 토출하도록 형성된다. 즉, 제2 토출구(828b)는, 온도 조절액을 외측 비스듬히 상방을 향해 토출하도록 형성된다. 도 11은 제2 토출구(828b)로부터 토출되는 온도 조절액의 토출 방향 및 웨이퍼(W)의 하면에 있어서의 온도 조절액의 토출 범위를 도시한 개략도이다. 온도 조절액을 외측 비스듬히 상방을 향해 토출함으로써, 노즐(82)에 대해 수직인 방향을 향해 토출하는 경우(도 11 중, 파선 범위)보다 토출 거리가 길어지기 때문에, 웨이퍼(W)의 하면의 광범위(도 11 중, 실선 범위)에 온도 조절액을 토출할 수 있다. 한편, 도 4 내지 도 7에서는, 일부의 제2 토출구(828b)를 생략하고 있다.
제3 토출구(828c)는, 기본적인 구성은, 제2 토출구(828b)와 동일하고, 제2 토출구(828b)보다 온도 조절액을 직경 방향 외측을 향해 토출하도록 형성된다. 이에 의해, 액 공급부(821)를 연장시킬 수 없는 웨이퍼(W)의 외주단측의 하면에 온도 조절액을 토출할 수 있다. 예컨대, 리프트 핀(313)의 상방에 위치하는 웨이퍼(W)의 하면이나, 리프트 핀(313)보다 직경 방향 외측에 위치하는 웨이퍼(W)의 하면에 온도 조절액을 토출할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외주단측의 온도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.
한편, 제3 토출구(828c)는, 온도 조절액을, 웨이퍼(W)의 회전 방향에 있어서 노즐(82)보다 후방측에 토출하지 않고, 직경 방향 외측의 비스듬히 상방을 향해 토출하도록 형성되어도 좋다.
노즐 캡(823)의 선단측의 제2 토출구(828b)의 간격, 및 제3 토출구(828c)의 간격은, 베이스부(820)측의 제2 토출구(828b)의 간격보다 짧다. 예컨대, 베이스부(820)측의 제2 토출구(828b)의 간격은, 10 ㎜이고, 제3 토출구(828c) 및 테이퍼부(823c) 근방의 제2 토출구(828b)의 간격은, 8 ㎜이다.
이와 같이, 노즐 캡(823)의 선단측에 형성한 제2 토출구(828b) 및 제3 토출구(828c)의 간격을 짧게 함으로써, 웨이퍼(W)의 주연측의 하면에 토출되는 면적당의 공급량을 많게 할 수 있다.
또한, 제2 토출구(828b)는, 직경 방향 외측이 됨에 따라 제2 토출구(828b)의 간격이 작아지도록 형성해도 좋다.
한편, 도 4 내지 도 7에서는, 제1 토출구(828a) 및 제3 토출구(828c)를 2개 형성한 일례를 도시하고 있으나, 이것에 한정되는 일은 없고, 하나 이상이면 된다.
노즐(82)의 외주단, 즉 노즐 캡(823)의 외주단은, 리프트 핀(313)보다 직경 방향 내측에 위치한다. 그 때문에, 리프트 플레이트(312)가 유지 플레이트(310)와 함께 회전한 경우라도, 노즐(82)과 리프트 핀(313)이 접촉하는 일은 없다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 기판 처리의 내용에 대해 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 처리의 처리 순서를 도시한 흐름도이다. 한편, 도 12에 도시된 각 처리 순서는, 제어 장치(4)의 제어부(18)의 제어에 따라 실행된다.
기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)에 웨이퍼(W)를 반입하는 반입 처리가 행해진다(S1). 반입 처리에서는, 소정의 상승 위치까지 리프트 플레이트(312)가 밀어 올려지고, 기판 반송 장치(17)에 의해 리프트 핀(313) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다. 그리고, 리프트 핀(313) 상에 배치된 후에, 리프트 플레이트(312)가 강하하고, 기판 유지부(311)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된다. 이 상태에서는, 노즐(82) 및 리프트 핀(313)과, 웨이퍼(W)의 하면은 약간 이격되어 있다.
처리 유닛(16)에서는, 약액 처리가 행해진다(S2). 약액 처리에서는, 구동부(33)에 의해 유지부(31)가 회전되어, 웨이퍼(W)가 회전한다. 그리고, 처리 유체 공급부(40)의 에칭액 공급용 노즐(도시하지 않음)로부터 에칭액, 예컨대, SC1이나, DHF나, SPM이 웨이퍼(W)의 상면에 공급되고, 또한, 하면 처리부(80)의 노즐(82)로부터 온도 조절액이 웨이퍼(W)의 하면에 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면에 에칭 처리가 행해진다.
그때, 토출구(828)로부터 웨이퍼(W)의 하면에 온도 조절액이 공급됨으로써, 웨이퍼(W)의 온도를 균일하게 할 수 있어, 웨이퍼(W)에 대해, 에칭 처리를 균일하게 행할 수 있다.
또한, 에칭액 공급용 노즐은, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주단까지 왕복 이동하면서 에칭액을 웨이퍼(W)의 상면에 공급한다. 한편, 웨이퍼(W)의 외주단에 에칭액을 공급하는 노즐(82)을 별도로 설치해도 좋다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대해, 에칭 처리를 균일하게 행할 수 있다.
처리 유닛(16)에서는, 약액 처리 후에 린스 처리가 행해진다(S3). 린스 처리에서는, 처리 유체 공급부(40)의 린스액 공급용 노즐(도시하지 않음)로부터 DIW가 웨이퍼(W)의 상면에 공급된다. 또한, 하면 처리부(80)의 액 토출 유로(820a)로부터 DIW가 웨이퍼(W)의 하면에 공급된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 잔존하는 에칭액이 DIW에 의해 씻겨진다.
계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 건조 처리가 행해진다(S4). 건조 처리에서는, 처리 유체 공급부(40)의 건조액 공급용 노즐(도시하지 않음)로부터 IPA가 웨이퍼(W)의 상면에 공급된다. 또한, 하면 처리부(80)의 N2 노즐(81d)로부터 N2 가스가 웨이퍼(W)의 하면에 공급된다. N2 가스가 웨이퍼(W)의 하면에 공급됨으로써, 건조 처리가 촉진된다.
웨이퍼(W)가 회전하고 있는 경우에, 웨이퍼(W)의 중심부는, 웨이퍼(W)의 주연부보다 원심력이 작다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 중심부 아래에 위치하는 베이스부(820)의 상단 중앙부에는 액이 낙하하기 쉬워, 액이 부착되기 쉽다.
상기 실시형태에서는, 베이스부(820)의 상단 중앙부에 부착된 액이 액 토출 유로(820a)에 유입되도록 오목부(820c)가 형성되어 있다. 그 때문에, 오목부(820c)에 잔존하는 액이 적어, 건조 처리 시에, 오목부(820c)에 잔존한 액이 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 건조 처리에서는, 전환 밸브(91a)가 전환되어, 액 토출 유로(820a), 제2 유로(81b) 및 제2 배관(91)의 일부와, 드레인 유로(91b)가 연통된다. 이에 의해, 액 토출 유로(820a)에 유입된 액이 드레인 유로(91b)를 통해 배출되기 때문에, 웨이퍼(W)의 하면에 액이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 액 토출 유로(820a)와 드레인 유로(91b)가 연통됨으로써 액 토출 유로(820a)의 개구 부근이 부압이 되기 때문에, 오목부(820c)에 잔존한 액이 액 토출 유로(820a)에 흡인되어 배출된다. 이에 의해, 오목부(820c)에 잔존한 액이 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
한편, 린스 처리 및 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)는 기판 유지부(311)에 의해 유지되어, 회전하고 있다.
다음으로, 처리 유닛(16)에서는, 반출 처리가 행해진다(S5). 반출 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전이 정지된 후에, 승강 부재(34)에 의해 리프트 플레이트(312)가 소정의 상승 위치까지 밀어 올려진다. 그리고, 기판 반송 장치(17)에 의해 웨이퍼(W)가 처리 유닛(16)으로부터 반출된다.
다음으로 본 실시형태의 효과에 대해 설명한다.
베이스부(820)의 상면에 개구되는 액 토출 유로(820a)를 배출로로서 기능시키고, 베이스부(820)의 상단 중앙부에 액 토출 유로(820a)를 향해 액이 흐르도록 하방으로 움푹 들어간 오목부(820c)를 형성함으로써, 오목부(820c)에 잔존한 액을 액 토출 유로(820a)로 흘려 보낼 수 있다.
이에 의해, 오목부(820c)에 액이 남는 것을 억제하여, 오목부(820c)에 잔존한 액이 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
오목부(820c)의 주연으로부터 베이스부(820)의 외측이 됨에 따라 하방으로 경사지는 경사부(820e)를 형성하여, 베이스부(820)의 상면에 부착된 액을 베이스부(820)의 외측으로 배출함으로써, 베이스부(820)의 상면에 잔존하는 액을 적게 하여, 액이 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 오목부(820c)의 주연으로부터 경사부(820e)를 형성함으로써, 수평한 면이 베이스부(820)의 상면에 형성되지 않는다. 그 때문에, 베이스부(820)의 상면에 잔존하는 액을 적게 하여, 액이 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
축부(81)와 지주부(32) 사이에 형성되는 제1 간극(320)과, 리프트 플레이트(312)와 베이스부(820)의 하면(820f) 사이에 형성되는 제2 간극(321)에 N2 가스 등을 공급하고, 경사부(820e)를 베이스부(820)의 하면(820f)까지 연장하여 형성한다.
이에 의해, 웨이퍼(W)를 회전시키는 경우에, 제1 간극(320) 및 제2 간극(321)에서 부압이 발생하는 것을 방지하여, 웨이퍼(W)가 휘어진 상태로 회전하는 것을 억제함으로써, 웨이퍼(W)와 노즐(82) 등의 접촉을 억제할 수 있다. 또한, 제2 간극(321)으로부터 토출된 N2 가스가 웨이퍼(W)를 향해 토출되는 것을 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)가 냉각되는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 처리의 진행이 늦어지거나, 웨이퍼(W)에 있어서의 처리가 불균일해지거나 하는 것을 억제할 수 있다.
상하 방향에 있어서 제1 액 공급로(822a)와 겹쳐지도록 제1 토출구(828a)가 형성된다. 또한, 제1 토출구(828a)보다 직경 방향 외측이고, 상하 방향에 있어서 제1 액 공급로(822a) 및 제2 액 공급로(823a)와 겹쳐지지 않도록, 제1 액 공급로(822a) 및 제2 액 공급로(823a)에 대해 웨이퍼(W)의 회전 방향의 하류측으로 오프셋된 제2 토출구(828b)가 형성된다.
이에 의해 제1 토출구(828a)에 의해 웨이퍼(W)의 중심측의 하면에 온도 조절액을 토출할 수 있다. 또한, 제2 토출구(828b)로부터 토출된 온도 조절액이 노즐(82)에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
노즐(82)에 상방으로 돌출되는 단차부(827)를 형성하고, 단차부(827)에 토출구(828)가 형성된다. 이에 의해, 노즐(82)의 상면에 액이 남는 것을 억제할 수 있다.
또한, 베이스부(820)의 상단의 높이를, 노즐 베이스부(822)의 상단의 높이보다 낮게 한다. 이에 의해, 베이스부(820)측의 노즐 베이스부(822)에 부착된 액을 베이스부(820)의 오목부(820c)나 경사부(820e)로 흘려 보낼 수 있다.
액 공급부(821)의 선단측의 상부에 테이퍼부(823c)를 형성하고, 테이퍼부(823c)에 제3 토출구(828c)가 형성된다. 이에 의해, 테이퍼부(823c)가 형성되지 않는 경우와 비교하여, 보다 웨이퍼(W)의 외주측으로 온도 조절액을 도달하게 할 수 있어, 액 공급부(821)의 선단측에 온도 조절액이 남기 어렵다. 또한, 제3 토출구(828c)의 가공이 용이해진다.
또한, 제3 토출구(828c)는, 직경 방향 외측을 향해 온도 조절액을 토출하도록 형성된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 외주단의 하방에 리프트 핀(313)이 설치되어 있는 경우에도, 웨이퍼(W)의 외주단의 하면에 온도 조절액을 토출할 수 있어, 웨이퍼(W)의 외주측의 온도가 낮아지는 것을 억제하여, 웨이퍼(W)에 대해, 에칭 처리를 균일하게 행할 수 있다.
직경 방향 내측의 노즐 베이스부(822)의 단부는, 오목부(820c) 내로 돌출되도록 형성되고, 오목부(820c) 내로 돌출되는 노즐 베이스부(822)에 제1 토출구(828a)가 형성된다. 이에 의해, 제1 토출구(828a)로부터 토출되어, 웨이퍼(W)에 닿아 떨어진 온도 조절액을 오목부(820c)를 통해 액 토출 유로(820a)로 흘려 보낼 수 있다.
또한, 가장 회전축(Ce)측의 제1 토출구(828a)는, 회전축(Ce)보다 직경 방향 외측에 형성된다. 이에 의해, 회전축(Ce)의 하면에 온도 조절액이 토출되는 것을 억제하여, 원심력이 작용하지 않는 웨이퍼(W)의 중심부의 처리가 다른 영역보다 진행되는 것을 억제하여, 웨이퍼(W)에 대해, 에칭 처리를 균일하게 행할 수 있다.
토출구(828)는, 토출구(828)의 합계 면적이, 제1 유로(81a)나, 가장 직경 방향 내측의 제1 액 공급로(822a)의 단면적보다 작아지도록 형성된다. 이에 의해, 각 토출구(828)로부터 토출되는 온도 조절액의 유량을 균일하게 할 수 있다.
액 공급부(821)는, 노즐 베이스부(822)와, 직경 방향 외측의 노즐 베이스부(822)의 선단에 부착되는 노즐 캡(823)에 의해 구성된다. 이에 의해, 간이한 구성으로 액 공급부(821)를 형성할 수 있다.
노즐 캡(823)은, 제2 액 공급로(823a)가 형성되는 공급부(823d)와, 공급부(823d)의 선단보다 직경 방향 내측에 형성되고, 나사(826)에 의해 노즐 캡(823)을 노즐 베이스부(822)에 부착하는 나사 부착부(823b)를 구비한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 회전한 경우에, 나사(826)가 리프트 핀(313)에 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
제1 액 공급로(822a)에 대해 평행하게 보강 부재(824)를 설치함으로써, 액 공급부(821)가 휘어지는 것을 억제하여, 액 공급부(821)와 다른 부재, 예컨대, 웨이퍼(W)나 리프트 플레이트(312)에 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
보강 부재(824)에 중공형의 공동부를 형성함으로써, 노즐(82)의 보온 효과를 향상시킬 수 있어, 온도 조절액의 온도가 낮아지는 것을 억제할 수 있다.
다음으로 본 실시형태의 변형예에 대해 설명한다.
상기 실시형태에서는, 노즐(82)로부터 온도 조절액인 순수를 토출하였으나, 에칭액을 토출해도 좋다. 또한, 액 토출 유로(820a)로부터 웨이퍼(W)의 하면에 DIW를 공급하였으나, SC1 등의 약액을 공급해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 약액 처리를 1회 행하는 경우에 대해 설명하였으나, 약액 처리를 복수 회 행해도 좋다. 또한, 전환 밸브(91a)를 전환하여 액 토출 유로(820a)와 드레인 유로(91b)가 연통되는 타이밍은, 건조 처리 시에 한정되지 않고, 다른 처리 시에, 또는 각 처리 사이여도 좋다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 하면에 액이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 보강 부재(824)는 공동부를 갖고 있으나, 공동부를 갖지 않는, 예컨대 원기둥형으로 해도 좋다. 또한, 보강 부재(824)를 압입 구멍(822b)에 압입하였으나, 노즐 베이스부(822)에 형성한 구멍에, 예컨대, 원기둥형의 보강 부재(824)를 삽입해도 좋다. 한편, 구멍에 삽입하는 경우에는 보강 부재(824)와 구멍과의 간극이 작아지도록 보강 부재(824) 및 구멍이 조정된다. 이러한 구성에 의해서도, 액 공급부(821)의 휘어짐을 억제할 수 있다.
또한, 오목부(820c)에 부착된 액을 배출하는 배출구, 배출로를, 베이스부(820)나 축부(81) 등에 별도로 형성해도 좋다.
또한, 노즐(82)의 표면을 소수성으로 해도 좋다. 이에 의해, 오목부(820c)나 경사부(820e)나, 단차부(827)에 액이 남는 것을 억제할 수 있다.
한층 더한 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출될 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부의 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.
1: 기판 처리 시스템(액처리 장치) 16: 처리 유닛
18: 제어부 30: 기판 유지 기구
31: 유지부 32: 지주부
33: 구동부 73: N2 공급원(기체 공급부)
80: 하면 처리부 81: 축부
81b: 제2 유로(배출로) 82: 노즐
91: 제2 배관(배출로) 310: 유지 플레이트
311: 기판 유지부 312: 리프트 플레이트(판부)
313: 리프트 핀 820: 베이스부
820a: 액 토출 유로(배출로) 820c: 오목부
820e: 경사부 821: 액 공급부
822: 노즐 베이스부(제1 공급부) 822a: 제1 액 공급로(액 공급 유로)
822b: 압입 구멍 823: 노즐 캡(제2 공급부)
823a: 제2 액 공급로(액 공급 유로) 823b: 나사 부착부(부착부)
823c: 테이퍼부 823d: 공급부
824: 보강 부재 826: 나사(고정부)
828: 토출구 828a: 제1 토출구
828b: 제2 토출구 828c: 제3 토출구

Claims (14)

  1. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 회전시키는 구동부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 회전축을 포함하고, 상기 회전축의 축 방향을 따라 연장되어 설치되며, 또한 상기 기판보다 하방에 설치된 축부와,
    상기 축부의 상단부에 부착되는 베이스부와, 상기 베이스부로부터 상기 기판의 직경 방향 외측으로 연장되어 설치되고, 상기 기판을 향해 액을 토출하는 토출구가 형성된 액 공급부를 포함하고, 상기 기판의 하면을 향해 액을 토출하는 노즐과,
    삽입 구멍에 삽입된 상기 축부에 의해 회전 가능하게 지지되어 상기 기판 유지부와 함께 회전하는 지주부와,
    상기 베이스부의 하면 및 상기 기판의 하면과 마주 보고, 상기 기판 유지부와 일체로 회전하는 판부와,
    상기 삽입 구멍을 형성하는 내주면과 상기 축부 사이에 형성되는 제1 간극을 통해, 상기 베이스부의 하면과 상기 판부 사이에 형성되고, 상기 제1 간극에 연통(連通)되는 제2 간극에 기체를 공급하는 기체 공급부
    를 포함하고,
    상기 축부 및 상기 베이스부는,
    상기 축 방향을 따라 형성되고, 상기 기판의 하면을 향해 토출된 상기 액을 배출하는 배출로를 포함하며,
    상기 베이스부는,
    상기 액이 상기 배출로를 향해 흐르도록 하방을 향해 움푹 들어간 오목부와,
    상기 오목부의 주연(周緣)으로부터 상기 베이스부의 외측이 됨에 따라 하방으로 경사지는 경사부를 포함하고,
    상기 경사부는, 상기 베이스부의 하면까지 연장되어 형성되는 것인 액처리 장치.
  2. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 회전시키는 구동부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 회전축을 포함하고, 상기 회전축의 축 방향을 따라 연장되어 설치되며, 또한 상기 기판보다 하방에 설치된 축부와,
    상기 기판의 하면을 향해 액을 토출하는 노즐
    을 포함하고,
    상기 노즐은,
    상기 축부의 상단부에 부착되는 베이스부와, 상기 베이스부로부터 상기 기판의 직경 방향 외측으로 연장되어 설치되고, 상기 기판을 향해 액을 토출하는 토출구가 형성된 액 공급부를 포함하고,
    상기 축부 및 상기 베이스부는,
    상기 축 방향을 따라 형성되고, 상기 기판의 하면을 향해 토출된 상기 액을 배출하는 배출로를 포함하며,
    상기 베이스부는,
    상기 액이 상기 배출로를 향해 흐르도록 하방을 향해 움푹 들어간 오목부를 포함하고,
    상기 액 공급부는,
    상기 기판의 직경 방향을 따라 형성되고, 상기 토출구와 연통되는 액 공급 유로를 포함하고,
    상기 토출구는,
    상기 베이스부측에 형성되고, 상하 방향에 있어서 상기 액 공급 유로와 겹쳐지도록 형성된 1개 이상의 제1 토출구와,
    상기 제1 토출구보다 상기 직경 방향 외측에 복수개 형성되고, 상기 상하 방향에 있어서 상기 액 공급 유로와 겹쳐지지 않도록, 상기 액 공급 유로에 대해 상기 기판의 회전 방향의 하류측으로 오프셋되어 형성되는 1개 이상의 제2 토출구를 포함하고,
    상기 회전축측의 상기 액 공급부는, 상기 오목부 내로 돌출되고,
    상기 제1 토출구는, 상기 오목부 내의 상기 액 공급부에 형성되는 것인 액처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 회전축에 가장 가까운 상기 제1 토출구는, 상기 회전축보다 상기 직경 방향 외측에 형성되는 것인 액처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 액 공급부는,
    상기 액 공급부의 선단측의 상부에 형성된 테이퍼부
    를 더 포함하고,
    상기 토출구는, 상기 테이퍼부에 형성된 1개 이상의 제3 토출구를 포함하는 것인 액처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제3 토출구는, 상기 직경 방향 외측을 향해 상기 액을 토출하도록 형성되는 것인 액처리 장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 액 공급부는,
    상기 베이스부로부터 상기 직경 방향을 따라 연장되어 설치되는 제1 액 공급부와,
    상기 직경 방향 외측의 상기 제1 액 공급부의 단부에 부착되고, 상기 직경 방향을 따라 연장되어 설치되는 제2 액 공급부를 포함하는 것인 액처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 액 공급부는,
    상기 액 공급 유로 및 상기 토출구가 형성되는 공급부와,
    상기 직경 방향 외측의 상기 공급부의 선단보다 상기 축부측에 설치되고, 고정부에 의해 상기 제1 액 공급부에 부착되는 부착부
    를 포함하는 것인 액처리 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 액 공급부는,
    상기 액 공급 유로에 대해 평행하게 형성된 구멍과,
    상기 구멍에 삽입되는 보강 부재
    를 포함하는 것인 액처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 보강 부재는, 중공형인 것인 액처리 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 토출구의 합계 면적은, 상기 액 공급부에 상기 액을 공급하는 유로의 단면적보다 작은 것인 액처리 장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐은, 상기 베이스부의 상단부의 높이가, 상기 액 공급부의 상단부의 높이보다 낮아지도록 형성되는 것인 액처리 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
KR1020180012647A 2017-02-09 2018-02-01 액처리 장치 KR102468100B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-022350 2017-02-09
JP2017022350A JP6804325B2 (ja) 2017-02-09 2017-02-09 液処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180092839A KR20180092839A (ko) 2018-08-20
KR102468100B1 true KR102468100B1 (ko) 2022-11-16

Family

ID=63037373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180012647A KR102468100B1 (ko) 2017-02-09 2018-02-01 액처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11322373B2 (ko)
JP (1) JP6804325B2 (ko)
KR (1) KR102468100B1 (ko)
CN (1) CN108417510B (ko)
TW (1) TWI748047B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7096112B2 (ja) * 2018-09-13 2022-07-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7370201B2 (ja) * 2019-09-20 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040162007A1 (en) * 2003-02-19 2004-08-19 Ky Phan Chemical mechanical polishing atomizing rinse system
JP2004273715A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Hitachi Ltd 基板洗浄装置
JP2007318140A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Semes Co Ltd 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド
JP2012151439A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2016111302A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100887360B1 (ko) * 2001-01-23 2009-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
TWI378502B (en) 2006-06-12 2012-12-01 Semes Co Ltd Method and apparatus for cleaning substrates
US20100147335A1 (en) * 2008-02-14 2010-06-17 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP5734705B2 (ja) * 2011-03-02 2015-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP5693438B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6317547B2 (ja) * 2012-08-28 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6158737B2 (ja) * 2014-03-31 2017-07-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US9460944B2 (en) * 2014-07-02 2016-10-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
TWI585842B (zh) * 2014-09-30 2017-06-01 Shibaura Mechatronics Corp Substrate processing device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040162007A1 (en) * 2003-02-19 2004-08-19 Ky Phan Chemical mechanical polishing atomizing rinse system
JP2004273715A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Hitachi Ltd 基板洗浄装置
JP2007318140A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Semes Co Ltd 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド
JP2012151439A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2016111302A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180226277A1 (en) 2018-08-09
CN108417510A (zh) 2018-08-17
TWI748047B (zh) 2021-12-01
JP2018129438A (ja) 2018-08-16
CN108417510B (zh) 2023-06-13
JP6804325B2 (ja) 2020-12-23
TW201841242A (zh) 2018-11-16
KR20180092839A (ko) 2018-08-20
US11322373B2 (en) 2022-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6090113B2 (ja) 液処理装置
KR102566736B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR102629289B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
US8607807B2 (en) Liquid treatment apparatus and method
KR100885180B1 (ko) 기판 지지유닛, 그리고 상기 기판 지지유닛을 구비하는기판처리장치 및 방법
KR102348772B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기억 매체
KR101761429B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 장치의 제어 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102294642B1 (ko) 액 처리 장치
KR20160027911A (ko) 기판 액처리 장치
KR102468100B1 (ko) 액처리 장치
JP3958594B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6746471B2 (ja) 基板処理装置
JP6258122B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
KR20220089562A (ko) 기판 처리 장치
KR20220153502A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210134502A (ko) 기판 처리 장치
JP2009147146A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20220058146A (ko) 반송 핸드 및 기판 처리 장치
JP2001308162A (ja) 基板処理装置
KR102012209B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101909191B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20240039612A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20220094016A (ko) 승강 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6832739B2 (ja) 基板処理装置
KR20230159266A (ko) 기판 처리 장치 및 액받이 용기의 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant