CN108417510A - 液体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供抑制液体附着于基板的下表面的液体处理装置。实施方式的液体处理装置具备基板保持部、驱动部、轴部及喷嘴。基板保持部水平地保持基板。驱动部在利用基板保持部保持着基板的状态下使基板和基板保持部旋转。轴部包含保持于基板保持部的基板的旋转轴线，其沿旋转轴线的轴向延伸设置，且设置于比基板靠下方的位置。喷嘴朝向基板的下表面喷出液体。另外，喷嘴具备：基部，其安装于轴部的上端；及液体供给部，其从基部向基板的径向外侧延伸设置，并形成朝向基板喷出液体的喷出口。另外，轴部和基部具备排出路径，该排出路径沿轴向形成，排出朝向基板的下表面喷出来的液体。另外，基部具备以液体朝向排出路径流动的方式朝向下方凹陷的凹部。

Description

液体处理装置
技术领域
公开的实施方式涉及液体处理装置。
背景技术
以往，公知具有向基板的下表面供给流体的喷嘴单元的液体处理装置(参照例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-335868号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述液体处理装置中，朝向基板的下表面喷出来的液体有时残留于喷嘴单元的中心侧的上端面。在该情况下，残留于上端面的液体有可能附着于基板的下表面。
实施方式的一形态的目的在于提供一种抑制朝向基板的下表面喷出来的液体残留于喷嘴单元的中心侧的上端面的液体处理装置。
用于解决问题的方案
实施方式的一形态的液体处理装置具备基板保持部、驱动部、轴部、以及喷嘴。基板保持部水平地保持基板。驱动部在利用基板保持部保持着基板的状态下使基板和基板保持部旋转。轴部包含保持于基板保持部的基板的旋转轴线，该轴部沿着旋转轴线的轴向延伸设置，且设置于比基板靠下方的位置。喷嘴朝向基板的下表面喷出液体。另外，喷嘴具备：基部，其安装于轴部的上端；以及液体供给部，其从基部向基板的径向外侧延伸设置，该液体供给部形成朝向基板喷出液体的喷出口。另外，轴部和基部具备排出路径，该排出路径沿着轴向形成，将朝向基板的下表面喷出来的液体排出。另外，基部具备以液体朝向排出路径流动的方式朝向下方凹陷而成的凹部。
发明的效果
根据实施方式的一形态，能够抑制朝向基板的下表面喷出来的液体残留于喷嘴单元的中心侧的上端面。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示处理单元的概略结构的图。
图3是表示处理单元的具体的结构的图。
图4是喷嘴的俯视图。
图5是图4的A向视图。
图6是喷嘴的立体图。
图7是喷嘴的分解图。
图8是图6的VIII-VIII剖视图。
图9是将图3中的下表面处理部的一部分放大的示意图。
图10是以侧视表示从第2喷出口喷出的调温液的喷出方向的概略图。
图11是表示从第2喷出口喷出的调温液的喷出方向和晶圆的下表面上的调温液的喷出范围的概略图。
图12是表示本实施方式的基板处理系统所执行的处理的处理顺序的流程图。
附图标记说明
1、基板处理系统(液体处理装置)；16、处理单元；18、控制部；30、基板保持机构；31、保持部；32、支柱部；33、驱动部；73、N2供给源(气体供给部)；80、下表面处理部；81、轴部；81b、第2流路(排出路径)；82、喷嘴；91、第2配管(排出路径)；310、保持板；311、基板保持部；312、升降板(板部)；313、升降销；820、基部；820a、液体喷出流路(排出路径)；820c、凹部；820e、倾斜部；821、液体供给部；822、喷嘴基部(第1供给部)；822a、第1液体供给路径(液体供给流路)；822b、压入孔；823、喷嘴盖(第2供给部)；823a、第2液体供给路径(液体供给流路)；823b、螺钉安装部(安装部)；823c、楔形部；823d、供给部；824、加强构件；826、螺钉(固定部)；828、喷出口；828a、第1喷出口；828b、第2喷出口；828c、第3喷出口。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本申请所公开的液体处理装置的实施方式。此外，本发明并不被以下所示的实施方式限定。
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2具备承载件载置部11和输送部12。以水平状态收容多张基板在本实施方式中为半导体晶圆(以下晶圆W)的多个承载件C载置于承载件载置部11。
输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在内部设置有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心回转，使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列设置于输送部15的两侧。
输送部15在内部设置有基板输送装置17。基板输送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心回转，使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16对由基板输送装置17输送的晶圆W进行预定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4是例如计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19储存有对要在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18将存储于存储部19的程序读出并执行，从而对基板处理系统1的动作进行控制。
此外，该程序既可以是记录于由计算机可读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装于控制装置4的存储部19的程序。作为由计算机可读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置于承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，将取出来的晶圆W载置于交接部14。载置于交接部14的晶圆W由处理站3的基板输送装置17从交接部14取出而向处理单元16输入。
输入至处理单元16的晶圆W在被处理单元16处理了之后，由基板输送装置17从处理单元16输出而载置于交接部14。然后，载置于交接部14的处理完毕的晶圆W由基板输送装置13返回至承载件载置部11的承载件C。
接着，参照图2对处理单元16进行说明。图2是表示处理单元的概略结构的图。
如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40、以及回收杯50。
腔室20收容基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU21在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30具备保持部31、支柱部32、以及驱动部33。保持部31水平地保持晶圆W。支柱部32是沿着铅垂方向延伸的构件，基端部被驱动部33支承成能够旋转，在顶端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴线旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33而使支柱部32旋转，使支承于支柱部32的保持部31旋转，由此，使保持于保持部31的晶圆W旋转。
处理流体供给部40向晶圆W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，对因保持部31的旋转而从晶圆W飞散的处理液进行收集。在回收杯50的底部形成有排液口51，被回收杯50收集到的处理液从该排液口51向处理单元16的外部排出。另外，在回收杯50的底部形成有将从FFU21供给来的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
以下，将支柱部32的旋转轴线、即晶圆W的旋转轴线说明为旋转轴线Ce(参照图3)。另外，有时以晶圆W的径向为径向进行说明。
在此，参照图3详细地说明处理单元16。图3是表示处理单元16的具体的结构的图。此外，在图3中，省略了处理流体供给部40等一部分的结构。
保持部31具备保持板310、基板保持部311、升降板312、以及升降销313。
保持板310形成为圆板状，在中心部形成有供支柱部32的上端插入的孔。保持板310与支柱部32的上端接合。保持板310与支柱部32配置于同轴上。在保持板310的外周端的上表面设置有多个基板保持部311。例如，基板保持部311设置有3处，各基板保持部311沿着周向以120°的间隔设置。基板保持部311与升降板312的上下运动相应地以设置于保持板310侧的基端部的转动轴为中心转动，晶圆W的保持状态被切换。
另外，在保持板310形成有升降构件34能够插入的多个插入孔310a。例如，插入孔310a设置有3处，各插入孔310a沿着周向以120度的间隔设置。
升降构件34与各插入孔310a相应地设置有多个。升降构件34利用升降驱动部35升降。若升降构件34被升降驱动部35从待机位置上升，则被插入插入孔310a，贯穿插入孔310a并与升降板312抵接。并且，若升降构件34被升降驱动部35进一步上升，则将升降板312向上方推起。升降构件34将升降板312推起至预定的上升位置。预定的上升位置是将晶圆W由基板输送装置17输入和输送的位置。升降构件34在待机位置处不被插入插入孔310a，保持板310能够旋转。
此外，升降构件34也可以借助设置于保持板310的中间构件使升降板312升降。
升降板312形成为圆板状，在中心部形成有供下表面处理部80的轴部81插入的插入孔。升降板312与保持板310、即支柱部32配置于同轴上。在升降板312设置于保持板310的上方且升降构件34位于待机位置的情况下，升降板312的下表面与保持板310的上表面抵接。在升降板312的外周端的上表面设置有多个升降销313。例如，升降销313设置有3处，各升降销313沿着周向以120度的间隔设置。升降板312的直径比晶圆W的直径小，在升降板312被升降构件34推起了的情况下，形成为不与基板保持部311抵接。
若升降板312被推起，则升降销313与晶圆W的下表面抵接，在晶圆W未被基板保持部311保持的状态下，从下表面侧支承晶圆W。另外，在支承着晶圆W的状态下升降板312下降，在晶圆W被基板保持部311保持之后，若升降板312进一步下降，则升降销313与晶圆W的下表面分开。
在升降板312的下表面与保持板310的上表面抵接的状态下，升降板312和保持板310利用例如卡合部卡合。因此，若利用驱动部33使支柱部32旋转，则升降板312和保持板310与支柱部32一起旋转。
处理单元16还具备向晶圆W的下表面供给调温液等的下表面处理部80。下表面处理部80具备轴部81和喷嘴82。轴部81和喷嘴82由具有耐化学性的树脂、例如PCTFE(聚三氟聚乙烯)树脂构成。此外，在图3中，为了说明，省略了下表面处理部80的剖面线。
轴部81与支柱部32配置于同轴上。轴部81被插入中空状的支柱部32和升降板312的插入孔，借助轴承(未图示)将支柱部32、保持板310和升降板312支承为旋转自由。
在轴部81的内部形成有第1流路81a、第2流路81b、以及第3流路81c。各流路81a～81c沿着轴向延伸设置。此外，也可以将轴部81形成为中空状，将成为各流路的配管设置于轴部81内。
利用调温液供给源71将调温液、例如温度被调整后的纯水(温水)经由第1配管90向第1流路81a供给。此外，在第1配管90设置有开闭阀90a。
利用DIW供给源72将DIW(常温的纯水)经由第2配管91向第2流路81b供给。此外，在第2配管91设置有切换阀91a，切换切换阀91a而使第2流路81b及第2配管91的一部与废液流路91b连通，从而能够将附着于轴部81的上表面的化学溶液等经由液体喷出流路820a(参照例如图4)、第2流路81b和第2配管91排出。即、液体喷出流路820a、第2流路81b和第2配管91的一部分也作为排出路径发挥功能。此外，在第2配管91的位于切换阀91a与DIW供给源72之间的部分设置有开闭阀91c。另外，切换阀91a也可以具有开闭阀91c的功能。
利用N2供给源73将N2气体经由第3配管92向第3流路81c供给。N2气体被调温成高温(例如、90℃左右)。另外，第3流路81c形成于轴部81的上端，也形成于向上方延伸设置的N2喷嘴81d内。N2喷嘴81d插入于在喷嘴82的基部820(参照例如图4)形成的插入孔820b(参照例如图4)。此外，在第3配管92设置有开闭阀92a。
在此，参照图4～图8详细地说明喷嘴82。图4是喷嘴82的俯视图。图5是图4的A向视图。图6是喷嘴82的立体图。图7是喷嘴82的分解图。图8是图6的VIII-VIII剖视图。
喷嘴82具备基部820和液体供给部821。喷嘴82设置于升降板312(参照图3)与晶圆W(参照图3)之间，以与晶圆W的下表面相对的方式设置。即、喷嘴82设置于比晶圆W靠下方的位置。另外，喷嘴82以与晶圆W的下表面稍微分开的方式设置。
基部820与轴部81配置于同轴上。即、基部820设置为包括晶圆W的旋转轴线Ce在内。基部820安装于轴部81的上端。在基部820形成有与第2流路81b连通的液体喷出流路820a以及供N2喷嘴81d插入的插入孔820b。液体喷出流路820a和插入孔820b沿着轴向形成。另外，在基部820的内部形成有中间流路(未图示)，该中间流路与第1流路81a(参照图3)连通，且与在液体供给部821的喷嘴基部822形成的第1液体供给路径822a连通。中间流路沿着轴向形成。
基部820借助轴承(未图示)就位于升降板312(参照图3)，将升降板312支承为旋转自由，并且，随着升降板312的升降而升降。即、喷嘴82(下表面处理部80)与升降板312一起升降。
在基部820的上端中央部形成有朝向下方凹陷而成的凹部820c。在凹部820c开口有液体喷出流路820a和插入孔820b。凹部820c以附着于凹部820c的液体向液体喷出流路820a流入的方式形成。即、凹部820c以液体向液体喷出流路820a流入的方式形成为研钵状，例如、形成凹部820c的面以朝向液体喷出流路820a的中心汇聚的方式形成。
液体喷出流路820a和插入孔820b形成于旋转轴线Ce附近。即、插入孔820b和插入于插入孔820b的N2喷嘴81d设置于相对于旋转轴线Ce向径向外侧偏置的位置。若从N2喷嘴81d喷出的N2气体向晶圆W的中心供给，则比N2喷嘴81d的直径小的液滴有可能残留于晶圆W。为了抑制这种情况，N2喷嘴81d设置于相对于旋转轴线Ce向径向外侧偏置的位置。
另外，在基部820的上端外周部形成有从凹部820c的周缘朝向外周侧下方倾斜的倾斜部820e。即、倾斜部820e随着成为径向外侧而向下方倾斜。期望的是倾斜部820e以从基部820的中心侧倾斜的方式形成。即、期望的是以凹部820c的周缘位于径向更内侧的方式形成凹部820c和倾斜部820e。
如图9所示，倾斜部820e与基部820的下表面820f连接。即、倾斜部820e从凹部820c的周缘延伸设置至基部820的下表面地形成。图9是将图3中的下表面处理部80的一部分放大的示意图。
在轴部81与供轴部81插入的支柱部32的插入孔的内周面之间形成有第1间隙320。另外，在基部820的下表面820f与升降板312之间形成有与第1间隙320连通的第2间隙321。这样的间隙320、321在不旋转的轴部81和喷嘴82与旋转的支柱部32和升降板312之间产生。
若晶圆W、支柱部32以及升降板312旋转，则有时在第1间隙320和第2间隙321产生负压，晶圆W的中心侧有时向下侧挠曲。为了防止这种情况，气体、例如N2气体从N2供给源73向第1间隙320和第2间隙321供给。由此，防止产生负压，能够抑制晶圆W在向下侧挠曲的状态下旋转，能够抑制晶圆W与喷嘴82等接触。
不过，若从第1间隙320和第2间隙321喷出来的N2气体碰到晶圆W的下表面，则有可能晶圆W的温度变低，或处理的进行变慢、或晶圆W的处理变得不均匀。
在本实施方式中，通过将倾斜部820e延伸设置至基部820的下表面820f，能够使基部820的下表面820f延伸设置至径向外侧，能够抑制N2气体朝向晶圆W喷出。由此，能够抑制处理的进行变慢、或晶圆W的处理变得不均匀。
另外，期望的是，倾斜部820e确保基部820的强度且与旋转轴线Ce之间的夹角成为更小的锐角。例如，倾斜部820e以与旋转轴线Ce之间的夹角成为45度～50度程度的方式设置。
通过如此设置倾斜部820e，能够使附着于基部820的上表面的液体向基部820的外侧流动。
此外，以基部820的上端的高度比随后论述的喷嘴基部822的上端的高度低的方式形成基部820。由此，能够使附着于基部820侧的喷嘴基部822的液体向基部820的凹部820c、倾斜部820e流动。
液体供给部821形成为棒状，从基部820的中心附近向径向外侧延伸设置。液体供给部821具备喷嘴基部822和喷嘴盖823。
径向内侧的喷嘴基部822的端部以向凹部820c内突出的方式形成。此外，径向内侧的喷嘴基部822的顶端位于比旋转轴线Ce靠径向外侧的位置。
在喷嘴基部822的内部沿着径向形成有第1液体供给路径822a和压入孔822b。第1液体供给路径822a和压入孔822b平行地形成。径向内侧的压入孔822b的端部被封闭。加强构件824被压入压入孔822b。
加强构件824是具有中空状的空腔部的金属构件，例如是不锈钢。此外，加强构件824并不限定于不锈钢，是抑制液体供给部821的挠曲的构件即可。通过将加强构件824设为中空状，在将加强构件824向压入孔822b压入之际，压入孔822b内的空气经由空腔部被向外部排出，因此，能够容易地将加强构件824压入于压入孔822b。另外，通过设为中空状，能够使喷嘴82的保温效果提高，能够抑制在第1液体供给路径822a流动的调温液的温度降低。
在径向外侧的压入孔822b的端部插入有密封材料825。另外，在径向外侧的压入孔822b形成有螺纹槽，喷嘴盖823利用螺钉826安装。螺钉826与喷嘴82同样地由耐化学性的树脂形成。
喷嘴盖823安装于径向外侧的喷嘴基部822的顶端。在喷嘴盖823设置有：供给部823d，其形成有与第1液体供给路径822a连通的第2液体供给路径823a；以及螺钉安装部823b，其形成有供螺钉826插入的螺纹孔。喷嘴盖823被螺钉826安装于喷嘴基部822。
供给部823d以第2液体供给路径823a在喷嘴盖823的顶端侧、即径向外侧被封闭的方式形成。如此，由第1液体供给路径822a和第2液体供给路径823a形成液体供给路径。另外，在供给部823d的顶端侧的上部形成有向下方倾斜的楔形部823c。
螺钉安装部823b以在晶圆W的旋转时螺钉826不与升降销313(参照图3)抵接的方式设置于比供给部823d的顶端靠径向内侧的位置。即、喷嘴盖823形成为俯视呈大致L字状。
喷嘴基部822和喷嘴盖823形成有向上方突出的阶梯部827。阶梯部827由例如在俯视时从顶部沿着与径向交叉的方向倾斜的倾斜面形成。在阶梯部827形成有多个喷出口828，该喷出口828与液体供给路径连通，朝向晶圆W的下表面喷出调温液。通过将喷出口828形成于阶梯部827，能够抑制例如从液体喷出流路820a喷出来的液体向喷出口828内流入。
喷出口828从基部820的中心侧到喷嘴盖823的顶端侧、即喷嘴盖823的楔形部823c为止设置有预定的间隔地形成。另外，喷出口828以喷出口828的合计面积比第1流路81a的截面积、径向最内侧的第1液体供给路径822a的截面积小的方式形成。由此，能够使从各喷出口828喷出的调温液的流量均匀。
喷出口828包括：第1喷出口828a，其形成于基部820的中心侧、即旋转轴线Ce附近；第2喷出口828b，其形成于比第1喷出口828a靠径向外侧的位置；以及第3喷出口828c，其形成于楔形部823c。
第1喷出口828a形成于向凹部820c内突出的喷嘴基部822。第1喷出口828a以在上下方向(铅垂方向)上与第1液体供给路径822a重叠的方式形成。另外，第1喷出口828a以沿着轴向喷出调温液的方式形成。由此，能够向晶圆W的中心附近的下表面喷出调温液。
此外，最靠旋转轴线Ce侧的第1喷出口828a形成于比旋转轴线Ce靠径向外侧的位置。通过将最靠旋转轴线Ce侧的第1喷出口828a形成于比旋转轴线Ce靠径向外侧的位置，能够抑制离心力不起作用的晶圆W的中心部因从第1喷出口828a喷出来的调温液而温度变高，抑制晶圆W的中心部的处理比其他区域的处理进行地多，均匀地进行蚀刻处理。
如图10所示，第2喷出口828b以在上下方向上不与第1液体供给路径822a和第2液体供给路径823a重叠的方式形成于相对于第1液体供给路径822a和第2液体供给路径823a向晶圆W的旋转方向的下游侧偏置的位置。第2喷出口828b在晶圆W的旋转方向上朝向比喷嘴82靠后方侧的斜上方喷出调温液。图10以侧视表示从第2喷出口828b喷出的调温液的喷出方向的概略图。由此，能够抑制碰到晶圆W的调温液朝向喷嘴82落下，抑制调温液附着于喷嘴82。
另外，如图11所示，第2喷出口828b以在俯视时朝向比与喷嘴82垂直的方向(在图11中，虚线箭头)靠外侧的位置(在图11中，实线箭头)喷出调温液的方式形成。即、第2喷出口828b以将调温液朝向外侧斜上方喷出的方式形成。图11是表示从第2喷出口828b喷出的调温液的喷出方向和晶圆W的下表面上的调温液的喷出范围的概略图。通过将调温液朝向外侧斜上方喷出，相较于朝向与喷嘴82垂直的方向喷出的情况(在图11中，虚线范围)，喷出距离变长，因此，能够向晶圆W的下表面的大范围(在图11中，实线范围)喷出调温液。此外，在图4～图7中，省略了一部分第2喷出口828b。
第3喷出口828c的基本的结构与第2喷出口828b的基本的结构相同，与第2喷出口828b相比，以将调温液朝向径向外侧喷出的方式形成。由此，能够向液体供给部821无法发挥作用的晶圆W的外周端侧的下表面喷出调温液。能够向例如位于升降销313的上方的晶圆W的下表面、位于比升降销313靠径向外侧的位置的晶圆W的下表面喷出调温液。由此，能够抑制晶圆W的外周端侧的温度降低。
此外，也可以是，第3喷出口828c以不将调温液在晶圆W的旋转方向上向比喷嘴82靠后方侧的位置喷出而是朝向径向外侧的斜上方喷出的方式形成。
喷嘴盖823的顶端侧的第2喷出口828b的间隔、以及第3喷出口828c的间隔比基部820侧的第2喷出口828b的间隔短。例如基部820侧的第2喷出口828b的间隔是10mm，第3喷出口828c和楔形部823c附近的第2喷出口828b的间隔是8mm。
通过如此使设置于喷嘴盖823的顶端侧的第2喷出口828b和第3喷出口828c的间隔缩短，能够增多向晶圆W的周缘侧的下表面喷出的单位面积的供给量。
另外，也可以是，第2喷出口828b以随着成为径向外侧而第2喷出口828b的间隔变小的方式形成。
此外，在图4～图7中，示出了第1喷出口828a和第3喷出口828c形成有两个的一个例子，但并不限于此，是1个以上即可。
喷嘴82的外周端、即喷嘴盖823的外周端位于比升降销313靠径向内侧的位置。因此，即使是升降板312与保持板310一起旋转的情况下，喷嘴82和升降销313不会接触。
接着，参照图12对本实施方式的基板处理系统1所执行的基板处理的内容进行说明。图12是表示本实施方式的基板处理系统1所执行的处理的处理顺序的流程图。此外，图12所示的各处理顺序根据控制装置4的控制部18的控制被执行。
进行由基板输送装置17向处理单元16输入晶圆W的输入处理(S1)。在输入处理中，升降板312被推起至预定的上升位置，晶圆W被基板输送装置17载置于升降销313上。并且，在载置于升降销313上之后，升降板312下降，晶圆W由基板保持部311保持。在该状态下，喷嘴82和升降销313与晶圆W的下表面稍微地分开。
在处理单元16中，进行化学溶液处理(S2)。在化学溶液处理中，保持部31被驱动部33旋转，晶圆W旋转。并且，蚀刻液、例如、SC1、DHF、SPM从处理流体供给部40的蚀刻液供给用喷嘴(未图示)向晶圆W的上表面供给，另外，调温液从下表面处理部80的喷嘴82向晶圆W的下表面供给。由此，对晶圆W的上表面进行蚀刻处理。
此时，通过调温液从喷出口828向晶圆W的下表面供给，能够使晶圆W的温度均匀，能够对晶圆W均匀地进行蚀刻处理。
另外，蚀刻液供给用喷嘴一边从晶圆W的中心到外周端往复运动一边将蚀刻液向晶圆W的上表面供给。此外，也可以另外设置向晶圆W的外周端供给蚀刻液的喷嘴82。由此，能够对晶圆W均匀地进行蚀刻处理。
在处理单元16中，在化学溶液处理后进行冲洗处理(S3)。在冲洗处理中，DIW从处理流体供给部40的冲洗液供给用喷嘴(未图示)向晶圆W的上表面供给。另外，DIW从下表面处理部80的液体喷出流路820a向晶圆W的下表面供给。由此，残存于晶圆W的蚀刻液被DIW冲洗。
接下来，在处理单元16中，进行干燥处理(S4)。在干燥处理中，IPA从处理流体供给部40的干燥液供给用喷嘴(未图示)向晶圆W的上表面供给。另外，N2气体从下表面处理部80的N2喷嘴81d向晶圆W的下表面供给。通过N2气体向晶圆W的下表面供给，干燥处理被促进。
在晶圆W旋转着的情况下，晶圆W的中心部的离心力比晶圆W的周缘部的离心力小。因此，液体易于向位于晶圆W的中心部之下的基部820的上端中央部落下，液体易于附着。
在上述实施方式中，以附着于基部820的上端中央部的液体向液体喷出流路820a流入的方式形成有凹部820c。因此，残存于凹部820c的液体较少，在干燥处理时，能够抑制残存于凹部820c的液体附着于晶圆W的下表面。
另外，在干燥处理中，切换阀91a被切换，液体喷出流路820a、第2流路81b和第2配管91的一部分与废液流路91b连通。由此，流入至液体喷出流路820a的液体被经由废液流路91b排出，因此，能够抑制液体附着于晶圆W的下表面。另外，通过液体喷出流路820a和废液流路91b连通，液体喷出流路820a的开口附近成为负压，因此，残存于凹部820c的液体被向液体喷出流路820a抽吸并被排出。由此，能够进一步抑制残存于凹部820c的液体附着于晶圆W的下表面。
此外，在冲洗处理和干燥处理中，晶圆W被基板保持部311保持并旋转。
接着，在处理单元16中，进行输出处理(S5)。在输出处理中，在晶圆W的旋转被停止了之后，升降板312被升降构件34推起至预定的上升位置。然后，晶圆W被基板输送装置17从处理单元16输出。
接着，对本实施方式的效果进行说明。
使在基部820的上表面开口的液体喷出流路820a作为排出路径发挥功能，通过在基部820的上端中央部形成以液体朝向液体喷出流路820a流动的方式向下方凹陷而成的凹部820c，能够使残存于凹部820c的液体向液体喷出流路820a流动。
由此，能够抑制液体残留于凹部820c，抑制已残存于凹部820c的液体附着于晶圆W的下表面。
设置随着从凹部820c的周缘成为基部820的外侧而向下方倾斜的倾斜部820e，将附着于基部820的上表面的液体向基部820的外侧排出，从而能够使残存于基部820的上表面的液体减少，抑制液体附着于晶圆W的下表面。
另外，通过从凹部820c的周缘设置倾斜部820e，在基部820的上表面不形成水平的面。因此，能够使残存于基部820的上表面的液体减少，抑制液体附着于晶圆W的下表面。
向在轴部81与支柱部32之间形成的第1间隙320、以及在升降板312与基部820的下表面820f之间形成的第2间隙321供给N2气体等，使倾斜部820e延伸设置至基部820的下表面820f。
由此，在使晶圆W旋转的情况下，防止在第1间隙320和第2间隙321产生负压，抑制晶圆W以挠曲的状态旋转，从而能够抑制晶圆W与喷嘴82等接触。另外，能够抑制从第2间隙321喷出来的N2气体朝向晶圆W喷出，能够抑制晶圆W被冷却。因此，能够抑制处理的进行变慢、或晶圆W的处理变得不均匀。
以在上下方向上与第1液体供给路径822a重叠的方式形成有第1喷出口828a。另外，在比第1喷出口828a靠径向外侧的位置且以在上下方向上不与第1液体供给路径822a和第2液体供给路径823a重叠的方式形成有相对于第1液体供给路径822a和第2液体供给路径823a向晶圆W的旋转方向的下游侧偏置的第2喷出口828b。
由此，能够利用第1喷出口828a向晶圆W的中心侧的下表面喷出调温液。另外，能够抑制从第2喷出口828b喷出来的调温液附着于喷嘴82。
在喷嘴82设置有向上方突出的阶梯部827，在阶梯部827形成有喷出口828。由此，能够抑制液体残留于喷嘴82的上表面。
另外，使基部820的上端的高度比喷嘴基部822的上端的高度低。由此，能够使附着于基部820侧的喷嘴基部822的液体向基部820的凹部820c、倾斜部820e流动。
在液体供给部821的顶端侧的上部设置有楔形部823c，在楔形部823c形成有第3喷出口828c。由此，与没有形成楔形部823c的情况相比较，能够使调温液到达晶圆W的更外周侧，调温液难以残留于液体供给部821的顶端侧。而且，第3喷出口828c的加工变得容易。
另外，第3喷出口828c以朝向径向外侧喷出调温液的方式形成。由此，即使是在晶圆W的外周端的下方设置有升降销313的情况下，也能够向晶圆W的外周端的下表面喷出调温液，能够抑制晶圆W的外周侧的温度变低，对晶圆W均匀地进行蚀刻处理。
径向内侧的喷嘴基部822的端部以向凹部820c内突出的方式形成，在向凹部820c内突出的喷嘴基部822形成有第1喷出口828a。由此，能够使从第1喷出口828a喷出并碰到晶圆W而滴落的调温液经由凹部820c向液体喷出流路820a流动。
另外，最靠旋转轴线Ce侧的第1喷出口828a形成于比旋转轴线Ce靠径向外侧的位置。由此，能够抑制调温液向旋转轴线Ce的下表面喷出，抑制离心力不起作用的晶圆W的中心部的处理比其他区域的区域进行地多，对晶圆W均匀地进行蚀刻处理。
喷出口828以喷出口828的合计面积比第1流路81a、径向最内侧的第1液体供给路径822a的截面积小的方式形成。由此，能够使从各喷出口828喷出的调温液的流量均匀。
液体供给部821由喷嘴基部822和安装于径向外侧的喷嘴基部822的顶端的喷嘴盖823构成。由此，能够以简易的结构形成液体供给部821。
喷嘴盖823具备：供给部823d，其形成有第2液体供给路径823a；以及螺钉安装部823b，其形成于比供给部823d的顶端靠径向内侧的位置，利用螺钉826将喷嘴盖823安装于喷嘴基部822。由此，在晶圆W旋转的情况下，能够防止螺钉826与升降销313接触。
通过与第1液体供给路径822a平行地设置加强构件824，能够抑制液体供给部821挠曲，防止液体供给部821与其他构件、例如晶圆W、升降板312接触。
通过在加强构件824设置中空状的空腔部，能够使喷嘴82的保温效果提高，能够抑制调温液的温度变低。
接着，对本实施方式的变形例进行说明。
在上述实施方式中，从喷嘴82喷出作为调温液的纯水，但也可以喷出蚀刻液。另外，从液体喷出流路820a向晶圆W的下表面供给了DIW，但也可以供给SC1等化学溶液。
另外，在上述实施方式中，对进行一次化学溶液处理的情况进行了说明，但也可以进行多次化学溶液处理。另外，对切换阀91a进行切换而使液体喷出流路820a和废液流路91b连通的时刻并不限于干燥处理时，也可以是在其他处理时、或各处理间。由此，能够抑制液体附着于晶圆W的下表面。
另外，在上述实施方式中，加强构件824具有空腔部，但也可以不具有空腔部，也可以呈例如圆柱状。另外，将加强构件824压入于压入孔822b，但也可以将例如圆柱状的加强构件824插入已设置于喷嘴基部822的孔。此外，在向孔插入的情况下，以加强构件824与孔之间隙变小的方式调整加强构件824和孔。利用这样的结构也能够抑制液体供给部821的挠曲。
另外，也可以在基部820、轴部81等另外设置将附着于凹部820c的液体排出的排出口、排出路径。
另外，也可以使喷嘴82的表面为疏水性。由此，能够抑制液体残留于凹部820c、倾斜部820e、阶梯部827。
进一步的效果、变形例能够由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更广泛的形态并不限定于如以上那样表示且叙述的特定的详细情况和代表性的实施方式。因而，不脱离由所附的权利要求书及其等效物定义的总结性的发明的概念的精神或范围，可进行各种变更。

Claims (14)

1.一种液体处理装置，其具备：
基板保持部，其水平地保持基板；
驱动部，其使所述基板保持部旋转；
轴部，其包含保持于所述基板保持部的所述基板的旋转轴线，该轴部沿着所述旋转轴线的轴向延伸设置，且设置于比所述基板靠下方的位置；以及
喷嘴，其朝向所述基板的下表面喷出液体，
所述喷嘴具备：
基部，其安装于所述轴部的上端；以及液体供给部，其从所述基部向所述基板的径向外侧延伸设置，该液体供给部形成有朝向所述基板喷出液体的喷出口，
所述轴部和所述基部具备排出路径，
该排出路径沿着所述轴向形成，将朝向所述基板的下表面喷出来的所述液体排出，
所述基部具备以所述液体朝向所述排出路径流动的方式朝向下方凹陷而成的凹部。
2.根据权利要求1所述的液体处理装置，其中，
所述基部具备随着从所述凹部的周缘成为所述基部的外侧而向下方倾斜的倾斜部。
3.根据权利要求2所述的液体处理装置，其中，
该液体处理装置具备：
支柱部，其被插入于插入孔的所述轴部支承为旋转自由并与所述基板保持部一起旋转；
板部，其与所述基部的下表面和所述基板的下表面相对，该板部与所述基板保持部一体地旋转；以及
气体供给部，其经由形成于形成所述插入孔的内周面与所述轴部之间的第1间隙向第2间隙供给气体，该第2间隙形成于所述基部的下表面与所述板部之间，且与所述第1间隙连通，
所述倾斜部延伸设置至所述基部的下表面。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的液体处理装置，其中，
所述液体供给部具备液体供给流路，该液体供给流路沿着所述基板的径向形成，并与所述喷出口连通，
所述喷出口包括：
1个以上的第1喷出口，其形成于所述基部那一侧，且在上下方向上以与所述液体供给流路重叠的方式形成；以及
1个以上的第2喷出口，其在比所述第1喷出口靠所述径向外侧的位置形成有多个，且以在所述上下方向上不与所述液体供给流路重叠的方式相对于所述液体供给流路向所述基板的旋转方向的下游侧偏置地形成。
5.根据权利要求4所述的液体处理装置，其中，
所述液体供给部的靠所述旋转轴线那一侧的部分向所述凹部内突出，
所述第1喷出口形成于所述液体供给部的位于所述凹部内的部分。
6.根据权利要求4或5所述的液体处理装置，其中，
最靠近所述旋转轴线的所述第1喷出口形成于比所述旋转轴线靠所述径向外侧的位置。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的液体处理装置，其中，
所述液体供给部还具备在所述液体供给部的顶端侧的上部形成的楔形部，
所述喷出口包括在所述楔形部形成的1个以上的第3喷出口。
8.根据权利要求7所述的液体处理装置，其中，
所述第3喷出口以朝向所述径向外侧喷出所述液体的方式形成。
9.根据权利要求4～8中任一项所述的液体处理装置，其中，
所述液体供给部具备：
第1液体供给部，其从所述基部沿着所述径向延伸设置；以及
第2液体供给部，其安装于所述径向外侧的所述第1液体供给部的端部，且沿着所述径向延伸设置。
10.根据权利要求9所述的液体处理装置，其中，
所述第2液体供给部具备：
供给部，其形成有所述液体供给流路和所述喷出口；以及
安装部，其设置于所述供给部的比所述径向外侧的顶端靠所述轴部那一侧的位置，该安装部被固定部安装于所述第1液体供给部。
11.根据权利要求9或10所述的液体处理装置，其中，
所述第1液体供给部具备：
孔，其与所述液体供给流路平行地形成；以及
加强构件，其被插入所述孔。
12.根据权利要求11所述的液体处理装置，其中，
所述加强构件呈中空状。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的液体处理装置，其中，
所述喷出口的合计面积比向所述液体供给部供给所述液体的流路的截面积小。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的液体处理装置，其中，
所述喷嘴以所述基部的上端的高度比所述液体供给部的上端的高度低的方式形成。
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