JP6158737B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6158737B2
JP6158737B2 JP2014072791A JP2014072791A JP6158737B2 JP 6158737 B2 JP6158737 B2 JP 6158737B2 JP 2014072791 A JP2014072791 A JP 2014072791A JP 2014072791 A JP2014072791 A JP 2014072791A JP 6158737 B2 JP6158737 B2 JP 6158737B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
degrees
path bending
nozzle
processing liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014072791A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015195284A (ja
Inventor
崇 大田垣
崇 大田垣
林 航之介
航之介 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2014072791A priority Critical patent/JP6158737B2/ja
Priority to KR1020150036655A priority patent/KR101618001B1/ko
Priority to US14/670,983 priority patent/US9694371B2/en
Priority to TW104110239A priority patent/TWI537062B/zh
Priority to CN201510147942.7A priority patent/CN104952772B/zh
Publication of JP2015195284A publication Critical patent/JP2015195284A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6158737B2 publication Critical patent/JP6158737B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0404Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/26Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with means for mechanically breaking-up or deflecting the jet after discharge, e.g. with fixed deflectors; Breaking-up the discharged liquid or other fluent material by impinging jets
    • B05B1/262Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with means for mechanically breaking-up or deflecting the jet after discharge, e.g. with fixed deflectors; Breaking-up the discharged liquid or other fluent material by impinging jets with fixed deflectors
    • B05B1/265Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with means for mechanically breaking-up or deflecting the jet after discharge, e.g. with fixed deflectors; Breaking-up the discharged liquid or other fluent material by impinging jets with fixed deflectors the liquid or other fluent material being symmetrically deflected about the axis of the nozzle
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0221Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
    • B05B13/0235Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the movement of the objects being a combination of rotation and linear displacement
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B3/00Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements
    • B05B3/02Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements
    • B05B3/04Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements driven by the liquid or other fluent material discharged, e.g. the liquid actuating a motor before passing to the outlet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B3/00Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements
    • B05B3/02Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements
    • B05B3/04Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements driven by the liquid or other fluent material discharged, e.g. the liquid actuating a motor before passing to the outlet
    • B05B3/0417Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements driven by the liquid or other fluent material discharged, e.g. the liquid actuating a motor before passing to the outlet comprising a liquid driven rotor, e.g. a turbine
    • B05B3/0425Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements driven by the liquid or other fluent material discharged, e.g. the liquid actuating a motor before passing to the outlet comprising a liquid driven rotor, e.g. a turbine actuated downstream of the outlet elements
    • B05B3/0426Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements driven by the liquid or other fluent material discharged, e.g. the liquid actuating a motor before passing to the outlet comprising a liquid driven rotor, e.g. a turbine actuated downstream of the outlet elements the liquid driven rotor being a deflecting rotating element
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B3/00Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements
    • B05B3/02Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements
    • B05B3/10Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements discharging over substantially the whole periphery of the rotating member
    • B05B3/1064Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements discharging over substantially the whole periphery of the rotating member the liquid or other fluent material to be sprayed being axially supplied to the rotating member through a hollow rotating shaft
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60Wet etching
    • H10P50/64Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0414Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0422Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H10P72/0424Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0448Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
基板処理装置は、半導体や液晶パネルなどの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の表面に処理液(例えば、レジスト剥離液や洗浄液など)を供給して基板表面を処理する装置である。この基板処理装置の中には、基板を水平状態で回転させて基板表面の略中央に処理液をノズルから供給し、その処理液を遠心力によって基板表面に広げるスピン処理を行う装置が開発されている。さらに、その回転する基板の表面に加えて基板の裏面に処理液をノズルから噴射して供給し、基板の両面を処理する装置も開発されている。
特開2005−217138号公報
しかしながら、基板が大型化すると、基板に対する処理液の被覆性が低下するが、単純に処理液を増やすことは製造コストの増加につながる。また、基板に対する処理液の被覆性を向上させるため、基板の裏面に沿ってノズルを移動させる場合には、その移動機構が必要となるため、装置の複雑化によって装置コストが増加する。さらに、処理中に移動機構によってノズルが移動することになるため、塵や埃などが生じて歩留まりが低下する。これらのことから、製造コストや装置コストの増加及び歩留まりの低下を抑止しつつ、基板に対する処理液の被覆性を向上させることが望まれている。
本発明が解決しようとする課題は、製造コストや装置コストの増加及び歩留まりの低下を抑止しつつ、基板に対する処理液の被覆性を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
実施形態に係る基板処理装置は、基板の被処理面に処理液を吐出するノズルと、ノズルにより吐出された処理液をその進行方向を曲げて被処理面に入射させる環状の傾斜面であって、その環状に延びる方向に沿って傾斜角度が変化する進路屈曲面を有する進路屈曲部と、進路屈曲面に対する処理液の入射位置を進路屈曲面が環状に延びる方向に移動させる位置変更部とを備える。
実施形態に係る基板処理方法は、基板の被処理面に処理液をノズルにより吐出する工程と、ノズルにより吐出された処理液を、その進行方向を進路屈曲部の環状の傾斜面であってその環状に延びる方向に沿って傾斜角度が変化する進路屈曲面により曲げて被処理面に入射させる工程と、進路屈曲面に対する処理液の入射位置を進路屈曲面が環状に延びる方向に移動させる工程とを有する。
本発明によれば、製造コストや装置コストの増加及び歩留まりの低下を抑止しつつ、基板に対する処理液の被覆性を向上させることができる。
第1の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第1の実施形態に係る基板処理装置の一部(回転機構及び第2の処理液供給部)の概略構成を示す断面図である。 第1の実施形態に係る進路屈曲部の傾斜面(第1の例)を示す平面図である。 第1の実施形態に係る進路屈曲部の傾斜面による処理液の進路変化を説明するための説明図である。 第1の実施形態に係るテーブル回転角度と裏面吐出液供給位置との関係を示すグラフである。 第1の実施形態に係る進路屈曲部の傾斜面(第2の例)を示す平面図である。 第2の実施形態に係る進路屈曲部の概略構成を示す断面図である。 第2の実施形態に係る進路屈曲部の傾斜面(第3の例)を示す平面図である。 第2の実施形態に係る進路屈曲部の傾斜面による処理液の進路変化を説明するための説明図である。 第2の実施形態に係るテーブル回転角度と裏面吐出液供給位置との関係を示すグラフである。 第2の実施形態に係る進路屈曲部の傾斜面(第4の例)を示す平面図である。 第1の実施形態に係る進路屈曲部の傾斜面の変形例を説明するための説明図である。 第2の実施形態に係る進路屈曲部の傾斜面の変形例を説明するための説明図である。 第2の実施形態に係る進路屈曲部の変形例を説明するための説明図である。
(第1の実施形態)
第1の実施形態について図1乃至図6を参照して説明する。
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置1は、処理室となる処理ボックス2と、その処理ボックス2内に設けられたカップ3と、そのカップ3内で基板Wを水平状態で支持するテーブル4と、そのテーブル4上の基板Wの表面(第1の被処理面)に処理液を供給する第1の処理液供給部5と、テーブル4上の基板Wの裏面(第2の被処理面)に処理液を供給する第2の処理液供給部6と、テーブル4などを水平面内で回転させる回転機構7と、各部を制御する制御部8とを備えている。
カップ3は、円筒形状に形成されており、テーブル4を周囲から囲んで内部に収容する。カップ3の周壁の上部は径方向の内側に向かって傾斜しており、テーブル4上の基板Wが露出するように開口している。このカップ3は、回転する基板W上から流れ落ちた処理液あるいは飛散した処理液を受け取る。なお、カップ3の底部には、受け取った処理液を排出するための排出管(図示せず)が接続されている。
テーブル4は、カップ3内の中央付近に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。このテーブル4は、ピンなどの支持部材4aを複数有しており、それらの支持部材4aにより、ウェーハや液晶基板などの基板Wを着脱可能に支持する支持部として機能する。
第1の処理液供給部5は、テーブル4上の基板Wの表面に処理液を吐出するノズル5aと、そのノズル5aを保持するアーム5bと、そのアーム5bを水平面内で回転可能にその一端部を支持して揺動する支柱5cと、揺動の駆動源となるモータ5dとを備えている。
ノズル5aは、アーム5bの先端部に設けられており、配管を介して液貯留部やポンプ、電磁弁など(いずれも図示せず)に接続されている。これらのポンプや電磁弁は制御部8に電気的に接続されており、その駆動が制御部8により制御される。アーム5bは支柱5cを中心としてテーブル4上の基板Wの表面に沿って回転する。このため、そのアーム5bが支持するノズル5aも基板Wの表面に沿って移動することになる。モータ5dは制御部8に電気的に接続されており、その駆動が制御部8により制御される。
例えば、ノズル5aは、アーム5bの揺動と共に移動し、テーブル4上の基板Wの表面略中央に対向する液供給位置(処理位置)と、その液供給位置から退避してテーブル4上の基板Wの搬入や搬出を可能とする待機位置とに移動する。
第2の処理液供給部6は、図2に示すように、テーブル4上の基板Wの裏面に向けて処理液を吐出するノズルブロック6aと、そのノズルブロック6aに処理液を供給するノズル配管6bと、ノズルブロック6aから吐出された処理液(吐出液)の進行方向を基板Wの裏面側に曲げる進路屈曲部6cとを備えている。
ノズルブロック6aは、処理液をそれぞれ吐出する複数のノズル流路、すなわち複数のノズル11を有している。このノズルブロック6aは、各ノズル11からテーブル4上の基板Wの裏面に処理液を供給することが可能になるようにテーブル4の略中央の開口部4b内に設けられている。
ノズル配管6bは、ノズルブロック6aの各ノズル11につながって処理液を供給する液供給流路12を有している。この液供給流路12は、配管を介して液貯留部やポンプ、電磁弁など(いずれも図示せず)に接続されている。ポンプや電磁弁は制御部8に電気的に接続されており、その駆動が制御部8により制御される。
進路屈曲部6cは、ノズルブロック6aを回転可能に収容する収容部13と、ノズル配管6bが通過する貫通孔14と、各ノズル11により吐出された処理液の進行方向を曲げる傾斜面(進路屈曲面)15とを有している。傾斜面15は、基板Wの回転方向に延びる環状に進路屈曲部6cの上面に形成されており、基板Wの内側から外側に徐々に高くなるように傾斜している。さらに、傾斜面15は、基板Wの回転方向に沿って傾斜角度が連続して徐々に大きくなる連続面、あるいは、基板Wの回転方向に沿って傾斜角度が段階的に異なる非連続面(段差を有する)である(詳しくは、後述する)。この傾斜面15は、各ノズル11から吐出された処理液を傾斜角度に応じて曲げ、テーブル4上の基板Wの裏面に入射させる。すなわち、各ノズル11から吐出された処理液が傾斜面15に当る(衝突する)と、その進行方向が傾斜面15の傾斜角度に応じて変えられ、基板Wの裏面に入射することになる。
回転機構7は、テーブル4の中心を回転軸としてテーブル4を回転させるテーブル回転機構7aと、進路屈曲部6cをテーブル4の回転軸を回転中心として回転させる屈曲回転機構7bと、ノズルブロック6a及びノズル配管6bをテーブル4の回転軸を回転中心として回転させるノズル回転機構7cとを備えている。なお、屈曲回転機構7b又はノズル回転機構7cは、処理液が傾斜面15に入射する入射位置を傾斜面15が環状に延びる方向に移動させる位置変更部として機能する。
テーブル回転機構7aは、テーブル4に連結された中空の回転軸21と、その回転軸21を回転させる駆動源となるモータ22とを備えている。回転軸21は、テーブル4に対して例えば垂直に交差する軸である。モータ22は中空モータなどであり、回転軸21が挿入されて処理ボックス2の外面に設けられている。このモータ22は制御部8に電気的に接続されており、その駆動が制御部8により制御される。このテーブル回転機構7aは、モータ22により回転軸21を介してテーブル4を回転させる。
屈曲回転機構7bは、進路屈曲部6cに連結された中空の回転軸23と、その回転軸23を回転させる駆動源となるモータ24と、そのモータ24を保持する保持部材25とを備えている。回転軸23は、テーブル4に対して例えば垂直に交差する軸である。モータ24は中空モータなどであり、そのモータ24に回転軸23が挿入されている。このモータ24は制御部8に電気的に接続されており、その駆動が制御部8により制御される。保持部材25は、モータ24を保持するように形成され、処理ボックス2の下面に固定されている。この屈曲回転機構7bは、モータ24により回転軸23を介して進路屈曲部6cを回転させる。
ノズル回転機構7cは、ノズルブロック6aに連結されたノズル配管6bを回転させる駆動源となるモータ26と、そのモータ26を保持する保持部材27と、ノズル配管6b用の接続部として機能するロータリージョイント28と、そのロータリージョイント28を保持する保持部材29とを備えている。モータ26は中空モータなどであり、そのモータ26にノズル配管6bが挿入されている。このモータ26は制御部8に電気的に接続されており、その駆動が制御部8により制御される。保持部材27は、モータ26を保持するように形成され、処理ボックス2の下面に固定されている。また、保持部材29も、ロータリージョイント28を保持するように形成され、保持部材27の下面に固定されている。このノズル回転機構7cは、モータ26によりノズル配管6bを介してノズルブロック6aを回転させる。
図1に戻り、制御部8は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部と(いずれも図示せず)を備えている。この制御部8は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて第1の処理液供給部5や第2の処理液供給部6、回転機構7などの各部を制御し、回転中のテーブル4上の基板Wの表面に第1の処理液供給部5により処理液を供給し、さらに、回転中のテーブル4上の基板Wの裏面に第2の処理液供給部6により処理液を供給する処理を行う。
ここで、基板Wの表面及び裏面を同時処理する場合には、基板Wの表面処理のため、基板Wを回転させる必要がある。この場合、ノズルブロック6aを回転させず(ノズルブロック6aの固定)、進路屈曲部6cを回転させることが可能である。このとき、基板W及び進路屈曲部6cの互いの回転方向を変えても良く、あるいは、それらを同じとしても良い。ただし、基板W及び進路屈曲部6cの互いの回転方向を同じ方向にする場合には、それらの回転速度を異ならせることが好ましい。また、進路屈曲部6cを回転させず(進路屈曲部6cの固定)、ノズルブロック6aを回転させることも可能である。このときも、基板W及びノズルブロック6aの互いの回転方向を変えても良く、あるいは、それらを同じとしても良い。ただし、基板W及びノズルブロック6aの互いの回転方向を同じ方向にする場合には、それらの回転速度を異ならせることが望ましい。なお、回転速度は一定である必要は無く、回転速度を変化させても良い。
一方、基板Wの表面及び裏面を同時処理しない場合には、基板Wの裏面処理時、基板Wを回転させず(基板Wの固定)、ノズルブロック6a及び進路屈曲部6cのどちらか一方又は両方を回転させるようにしても良い。なお、もちろん基板Wを回転させても良い。このとき、ノズルブロック6a及び進路屈曲部6cの互いの回転方向を異ならせることが望ましいが、それらを同じとしても良い。ただし、ノズルブロック6a及び進路屈曲部6cの互いの回転方向を同じ方向とする場合には、それらの回転速度を異ならせる必要がある。なお、回転速度は一定である必要は無く、回転速度を変化させても良く、さらに、回転を継続させても良く、あるいは、断続させても良い。
次に、進路屈曲部6cの傾斜面(進路屈曲面)15について図3乃至図6を参照して説明する。なお、図3及び図6では、濃淡により傾斜面15の傾斜角度の違いを示し、色が濃くなるほど、傾斜角度が大きくなることを示す。また、傾斜面15に入射する処理液の入射位置(入射点)の移動方向は、基板Wの回転方向B1の逆方向となる。
まず、図3及び図4に示すように、進路屈曲部6cの傾斜面15が連続面である場合について説明する。例えば、傾斜面15の傾斜角度は、進路屈曲部6cの回転角度が0度である場合に15度であり、進路屈曲部6cの回転角度が10度である場合に20度であり、進路屈曲部6cの回転角度が30度である場合に30度であり、進路屈曲部6cの回転角度が50度である場合に45度であり、進路屈曲部6cの回転角度が70度である場合に60度であり、進路屈曲部6cの回転角度が90度である場合に80度である。
なお、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度までの傾斜角度変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの傾斜角度変化と逆になる。また、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度までの傾斜角度変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの傾斜角度変化と同じである。進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度までの傾斜角度変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの傾斜角度変化と逆になる。
このような傾斜角度変化を有する傾斜面15に対する処理液の入射位置(衝突位置)が、傾斜面15が環状に延びる方向(基板Wの回転方向B1の逆方向)に沿って移動すると、その傾斜面15の傾斜角度に応じて処理液の進行方向が徐々に変化していく(図4参照)。進路屈曲部6cの回転角度が0度であると、処理液が曲げられずにそのまま進行するが、その後、進路屈曲部6cの回転角度の増加に応じて傾斜面15の傾斜角度が大きくなり、それに伴って処理液は徐々に大きく曲げられていく。
ここで、図4では、例えば、傾斜面15に対する処理液の入射角度と反射角度とを同じとし、処理液の進行方向の変化を矢印により模式的に示しているが、必ずしもこの方向に進行方向が変わるとは限らない。例えば、回転に応じて相対移動する傾斜面15とノズル11の吐出口との相対移動速度やそれらの離間距離、さらに、その相対移動による気流の発生(気流の強さ)などによって、処理液の進行方向は傾斜面15に沿うような方向になることもある。この場合でも、傾斜面15の傾斜角度によって進行方向を制御することは可能である。
なお、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度までの処理液の進行方向変化(進路変化)は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの処理液の進行方向変化と逆になる。また、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度までの処理液の進行方向変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの処理液の進行方向変化と同じになる。進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度までの処理液の進行方向変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの処理液の進行方向変化と逆になる。
ここで、図5のグラフA1(実線)に示すように、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度になっていくと、傾斜面15の傾斜角度が徐々に大きくなっていき(図3及び図4参照)、基板Wの裏面に対する吐出液供給位置(裏面吐出液供給位置)は210mmから徐々に0mm(基板Wの中心)に近づいていく。さらに、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度になっていくと、進路屈曲部6cの傾斜角度が徐々に小さくなっていき、裏面吐出液供給位置は0mmから徐々に210mmへ遠くなっていく。その後、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度になっていくと、再び、傾斜面15の傾斜角度が徐々に大きくなっていき、裏面吐出液供給位置は210mmから徐々に0mmに近づいていく。さらに、進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度になっていくと、進路屈曲部6cの傾斜角度が徐々に小さくなっていき、裏面吐出液供給位置は0mmから徐々に210mmへ遠くなっていく。このようにして、進路屈曲部6cの傾斜面15の傾斜角度に応じて、裏面吐出液供給位置が変わることになる。
なお、裏面吐出液供給位置(基板Wの裏面に対する吐出液の衝突位置)は0mmから210mmの範囲内となっているが、これに限るものではなく、進路屈曲部6cの傾斜面15の傾斜角度やノズル11の吐出角度、傾斜面15とノズル11との離間距離などの変更によりその裏面吐出液供給位置を調整することが可能である。したがって、基板Wの裏面の中央付近に供給される吐出液の位置は、基板Wの中央である0mmである必要は無く、例えば、基板のWの中央から10mm程度の位置であっても良く、また、基板Wの裏面の外周側に供給される吐出液の位置も、210mmよりも遠い位置であっても良く、特に限定されるものではない。
次いで、図6に示すように、進路屈曲部6cの傾斜面15が非連続面である場合について説明する。例えば、傾斜面15の傾斜角度は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度になるまで、15度から80度まで徐々に大きくなり、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度になるまで、15度から80度まで徐々に大きくなる。同様に、傾斜面15の傾斜角度は、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度になるまで、15度から80度まで徐々に大きくなり、進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度になるまで、15度から80度まで徐々に大きくなる。このような傾斜角度変化を有する傾斜面15に対する処理液の入射位置が、傾斜面15が環状に延びる方向(基板Wの回転方向B1の逆方向)に沿って移動すると、その傾斜面15の傾斜角度に応じて処理液の進行方向が徐々に変化していく。
ここで、図5のグラフA2(点線)に示すように、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度になっていくと、傾斜面15の傾斜角度が徐々に大きくなっていき(図6参照)、基板Wの裏面に対する吐出液供給位置(裏面吐出液供給位置)は210mmから徐々に0mmに近づいていく。さらに、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度になっていくと、傾斜面15の傾斜角度が徐々に大きくなっていき、裏面吐出液供給位置は210mmから徐々に0mmに近づいていく。その後も同様に、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度になっていくと、傾斜面15の傾斜角度が徐々に大きくなっていき、裏面吐出液供給位置は210mmから徐々に0mmに近づいていく。さらに、進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度になっていくと、傾斜面15の傾斜角度が徐々に大きくなっていき、裏面吐出液供給位置は210mmから徐々に0mmに近づいていく。このようにして、進路屈曲部6cの傾斜面15の傾斜角度に応じて、裏面吐出液供給位置が変わることになる。
このように各ノズル11から吐出された吐出液(処理液)の進行方向が進路屈曲部6cの傾斜面15により基板Wの裏面側に曲げられ、すなわち処理液の進行角度が変わり、基板Wの裏面に対する吐出液の供給位置(着地位置)が基板Wの半径方向に変わる。これにより、例えば、処理液が基板Wの裏面上の一箇所に供給される場合に比べ、その処理液は基板Wの裏面の外周部まで届きやすくなり、基板Wの裏面が処理液により確実に覆われることになる。このため、基板Wが大型化しても、処理液の量を増加させずに、基板Wに対する処理液の被覆性を向上させることが可能となるので、製造コストの増加を抑止することができる。さらに、基板Wに対する処理液の被覆性を向上させるためにノズル11を基板Wの裏面に沿って移動させる移動機構を設ける必要は無く、装置の複雑化によって装置コストが増加することや移動機構による処理中のノズル移動によって塵や埃が生じて歩留まりが低下することを抑えることができる。
なお、進路屈曲部6cの傾斜面15による吐出液の進路屈曲によって、基板Wの裏面に対する吐出液の供給位置(着地位置)を基板Wの半径方向に一定速度で変えていく必要は無く、基板Wの半径方向への供給位置の移動速度を処理中に変えるようにしても良い。このとき、進路屈曲部6cの回転速度や傾斜面15の環状方向の長さ、さらに、ノズルブロック6aの回転速度などを調整することで、基板Wの半径方向への供給位置の移動速度を変えることが可能である。例えば、基板Wの裏面を一定に処理する場合には、基板Wの外周側での処理の進行度が遅くなることがあるため、その基板Wの外周部に積極的に処理液を供給する必要がある。このため、基板Wの半径方向への供給位置の移動速度を基板Wの裏面の中央に比べ基板Wの外周側を遅くするようにしても良い。さらに、基板Wの裏面の箇所によって処理の進行度を変化させる場合には、その個所ごとの進行度の違いに応じて、基板Wの半径方向への供給位置の移動速度を調整するようにしても良い。
以上説明したように、第1の実施形態によれば、環状に延びる方向に傾斜角度が変化する環状の傾斜面(進路屈曲面)15に対する処理液の入射位置を傾斜面15が環状に延びる方向に移動させることによって、基板Wの裏面に対する処理液の供給位置を変えることが可能となる。これにより、処理液の増量や複雑な機構を必要とせず、処理液は基板Wの裏面の外周部まで届きやすくなり、基板Wの裏面が処理液により確実に覆われることになる。したがって、処理液の増量や複雑な機構を必要としないため、製造コストや装置コストの増加及び歩留まりの低下を抑止しつつ、基板Wに対する処理液の被覆性を向上させることができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態について図7乃至図11を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(進路屈曲部6cやノズル11など)について説明し、その他の説明は省略する。
図7に示すように、第2の実施形態では、一本のノズル11や排液管31などが設けられている。一本のノズル11は、第1の実施形態と異なり、回転などにより位置が変わることはなく固定されているが、テーブル4上の基板Wの裏面に処理液を吐出することが可能に形成されている。また、進路屈曲部6cがテーブル4の開口部4bに形成されており、すなわち、進路屈曲部6cの傾斜面15が開口部4bの上端に形成されており、ノズル11から吐出された処理液をテーブル4上の基板Wの裏面側に曲げるように形成されている。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態に係るノズルブロック6aや屈曲回転機構7b、ノズル回転機構7cなどは設けられていない。
この進路屈曲部6cの傾斜面(進路屈曲面)15について図8乃至図11を参照して説明する。なお、図8及び図11では、濃淡により傾斜面15の傾斜角度の違いを示し、色が濃くなるほど、傾斜角度が大きくなることを示す。また、傾斜面15に入射する処理液の入射位置(入射点)の移動方向は、基板Wの回転方向B1の逆方向となる。
まず、図8及び図9に示すように、進路屈曲部6cの傾斜面15が連続面である場合について説明する。例えば、傾斜面15の傾斜角度は、進路屈曲部6cの回転角度が0度である場合に15度であり、進路屈曲部6cの回転角度が10度である場合に20度であり、進路屈曲部6cの回転角度が30度である場合に30度であり、進路屈曲部6cの回転角度が50度である場合に45度であり、進路屈曲部6cの回転角度が70度である場合に70度であり、進路屈曲部6cの回転角度が90度である場合に90度である。
なお、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度までの傾斜角度変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの傾斜角度変化と逆になる。また、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度までの傾斜角度変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの傾斜角度変化と同じである。進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度までの傾斜角度変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの傾斜角度変化と逆になる。
このような傾斜角度変化を有する傾斜面15に対する処理液の入射位置が、傾斜面15が環状に延びる方向(基板Wの回転方向B1の逆方向)に沿って移動すると、その傾斜面15の傾斜角度に応じて処理液の進行方向が徐々に変化していく(図9参照)。進路屈曲部6cの回転角度が0度であると、処理液が曲げられずにそのまま進行するが、その後、進路屈曲部6cの回転角度の増加に応じて傾斜面15の傾斜角度が大きくなり、それに伴って処理液は徐々に大きく曲げられていく。
ここで、図9では、第1の実施形態と同様、例えば、傾斜面15に対する処理液の入射角度と反射角度とを同じとし、処理液の進行方向の変化を矢印により模式的に示しているが、必ずしもこの方向に進行方向が変わるとは限らない。
なお、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度までの処理液の進行方向変化(進路変化)は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの処理液の進行方向変化と逆になる。また、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度までの処理液の進行方向変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの処理液の進行方向変化と同じになる。進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度までの処理液の進行方向変化は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度までの処理液の進行方向変化と逆になる。
ここで、図10のグラフA3(実線)に示すように、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度になっていくと、傾斜面15の傾斜角度が徐々に大きくなっていき(図8及び図9参照)、基板Wの裏面に対する吐出液供給位置(裏面吐出液供給位置)は210mmから徐々に0mmに近づいていく。さらに、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度になっていくと、進路屈曲部6cの傾斜角度が徐々に小さくなっていき、裏面吐出液供給位置は0mmから徐々に210mmへ遠くなっていく。その後、進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度になっていくと、再び、傾斜面15の傾斜角度が徐々に大きくなっていき、裏面吐出液供給位置は210mmから徐々に0mmに近づいていく。さらに、進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度になっていくと、進路屈曲部6cの傾斜角度が徐々に小さくなっていき、裏面吐出液供給位置は0mmから徐々に210mmへ遠くなっていく。このようにして、進路屈曲部6cの傾斜面15の傾斜角度に応じて、裏面吐出液供給位置が変わることになる。
なお、裏面吐出液供給位置(基板Wの裏面に対する吐出液の衝突位置)は0mmから210mmの範囲内となっているが、第1の実施形態と同様、これに限るものではなく、進路屈曲部6cの傾斜面15の傾斜角度やノズル11の吐出角度、傾斜面15とノズル11との離間距離などの変更によりその裏面吐出液供給位置を調整することが可能である。
次いで、図11に示すように、進路屈曲部6cの傾斜面15が非連続面である場合について説明する。例えば、傾斜面15の傾斜角度は、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度の範囲内である場合に45度であり、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度の範囲内である場合に30度であり、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度の範囲内である場合に20度であり、進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度の範囲内である場合に15度である。このような傾斜角度変化を有する傾斜面15に対する処理液の入射位置が、傾斜面15が環状に延びる方向(基板Wの回転方向B1の逆方向)に沿って移動すると、その傾斜面15の傾斜角度に応じて処理液の進行方向が徐々に変化していく。
ここで、図10のグラフA4(点線)に示すように、進路屈曲部6cの回転角度が0度から90度の範囲内となると、傾斜面15の傾斜角度が45度となり(図11参照)、基板Wの裏面に対する吐出液供給位置(裏面吐出液供給位置)は60mm程度となる。さらに、進路屈曲部6cの回転角度が90度から180度の範囲内となると、傾斜面15の傾斜角度が30度となり、裏面吐出液供給位置は110mm程度となる。その後も同様に、進路屈曲部6cの回転角度が180度から270度の範囲内となると、傾斜面15の傾斜角度が20度となり、裏面吐出液供給位置は160mm程度となり、さらに、進路屈曲部6cの回転角度が270度から360度の範囲内となると、傾斜面15の傾斜角度が15度となり、裏面吐出液供給位置は210mm程度となる。このようにして、進路屈曲部6cの傾斜面15の傾斜角度に応じて、裏面吐出液供給位置が変わることになる。
このように各ノズル11から吐出された吐出液(処理液)の進行方向が進路屈曲部6cの傾斜面15により基板Wの裏面側に曲げられ、処理液の飛散角度が変わり、基板Wの裏面に対する吐出液の供給位置(着地位置)が基板Wの半径方向に変わる。これにより、例えば、処理液が基板Wの裏面上の一箇所に供給される場合に比べ、その処理液は基板Wの裏面の外周部まで届きやすくなり、基板Wの裏面が処理液により確実に覆われることになる。このため、基板Wが大型化しても、処理液の量を増加させずに、基板Wに対する処理液の被覆性を向上させることが可能となるので、製造コストの増加を抑止することができる。さらに、基板Wに対する処理液の被覆性を向上させるためにノズル11を基板Wの裏面に沿って移動させる移動機構を設ける必要は無く、装置の複雑化によって装置コストが増加することや移動機構による処理中のノズル移動によって塵や埃が生じて歩留まりが低下することを抑えることができる。
以上説明したように、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、処理液の増量や複雑な機構を必要としないため、製造コストや装置コストの増加及び歩留まりの低下を抑止しつつ、基板Wに対する処理液の被覆性を向上させることができる。
(他の実施形態)
図12に示すように、進路屈曲部6cの傾斜面15は、湾曲形状に形成されても良く、ノズル11により吐出された処理液の進行方向を曲げることが可能であれば、その形状は特に限定されるものではなく、さらに、その湾曲度合いも特に限定されるものではない。例えば、傾斜面15がノズルブロック6a側にせり出して湾曲するように形成されても良い。なお、傾斜面15の傾斜角度、すなわち湾曲形状や湾曲度合いを調整することで、基板Wの裏面に対する処理液の入射位置(衝突位置)を容易に制御することができる。
また、図13に示すように、進路屈曲部6cの傾斜面15は、開口部4bの下端、あるいは、それ以外の部材に形成されていても良く、ノズル11により吐出された処理液の進行方向を曲げることが可能であれば、その形成位置は特に限定されるものではない。
また、図14に示すように、進路屈曲部6cは、その中心を回転軸として回転可能に形成されても良い。この進路屈曲部6cの傾斜面15は、例えば、回転角度が0度から90度まで傾斜角度が異なり、この傾斜角度の変化は第3の実施形態の傾斜角度の変化(図9参照)と同様である。このとき、環状の傾斜面15は、回転角度が0度から360度まで一回転分延びている必要はなく、例えば、0度から90度まででも、0度から180度まででも必要とする長さ分延びていれば良い。したがって、その傾斜面15が環状(環のような形)に延びる長さは、ノズル11により吐出された処理液の進行方向を曲げることが可能であれば、特に限定されるものではない。
また、前述の実施形態においては、基板Wの裏面に処理液を供給する場合に進路屈曲部6cを用いているが、これに限るものではなく、基板Wの表面に処理液を供給する場合にも進路屈曲部6cを適用することが可能である。すなわち、基板Wの裏面側の第2の処理液供給部6を表面側の第1の処理液供給部5として適用することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 基板処理装置
6c 進路屈曲部
7 回転機構
7b 屈曲回転機構
7c ノズル回転機構
11 ノズル
15 傾斜面
W 基板

Claims (8)

  1. 基板の被処理面に処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルにより吐出された前記処理液をその進行方向を曲げて前記被処理面に入射させる環状の傾斜面であって、その環状に延びる方向に沿って傾斜角度が変化する進路屈曲面を有する進路屈曲部と、
    前記進路屈曲面に対する前記処理液の入射位置を前記進路屈曲面が環状に延びる方向に移動させる位置変更部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記位置変更部は、前記進路屈曲面に対する前記処理液の入射位置を前記進路屈曲面が環状に延びる方向に移動させるように前記ノズル及び前記進路屈曲部のどちらか一方又は両方を前記被処理面に交差する軸を回転中心として前記進路屈曲面が環状に延びる方向に回転させる回転機構であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記回転機構は、前記ノズル及び前記進路屈曲部の両方を回転させる場合、前記ノズル及び前記進路屈曲部の互いの回転方向を逆方向とすることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記進路屈曲面は、前記傾斜角度が連続して変化する連続面であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記進路屈曲面は、前記傾斜角度が変化する段差を有する非連続面であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 基板の被処理面に処理液をノズルにより吐出する工程と、
    前記ノズルにより吐出された前記処理液を、その進行方向を進路屈曲部の環状の傾斜面であってその環状に延びる方向に沿って傾斜角度が変化する進路屈曲面により曲げて前記被処理面に入射させる工程と、
    前記進路屈曲面に対する前記処理液の入射位置を前記進路屈曲面が環状に延びる方向に移動させる工程と、
    を有することを特徴とする基板処理方法。
  7. 前記移動させる工程では、前記進路屈曲面に対する前記処理液の入射位置を前記進路屈曲面が環状に延びる方向に移動させるように前記ノズル及び前記進路屈曲部のどちらか一方又は両方を前記被処理面に交差する軸を回転中心として前記進路屈曲面が環状に延びる方向に回転機構により回転させることを特徴とする請求項6に記載の基板処理方法。
  8. 前記移動させる工程では、前記回転機構により前記ノズル及び前記進路屈曲部の両方を回転させる場合、前記ノズル及び前記進路屈曲部の互いの回転方向を逆方向とすることを特徴とする請求項7に記載の基板処理方法。
JP2014072791A 2014-03-31 2014-03-31 基板処理装置及び基板処理方法 Active JP6158737B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014072791A JP6158737B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 基板処理装置及び基板処理方法
KR1020150036655A KR101618001B1 (ko) 2014-03-31 2015-03-17 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US14/670,983 US9694371B2 (en) 2014-03-31 2015-03-27 Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
TW104110239A TWI537062B (zh) 2014-03-31 2015-03-30 A substrate processing apparatus and a substrate processing method
CN201510147942.7A CN104952772B (zh) 2014-03-31 2015-03-31 基板处理装置及基板处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014072791A JP6158737B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015195284A JP2015195284A (ja) 2015-11-05
JP6158737B2 true JP6158737B2 (ja) 2017-07-05

Family

ID=54167337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014072791A Active JP6158737B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9694371B2 (ja)
JP (1) JP6158737B2 (ja)
KR (1) KR101618001B1 (ja)
CN (1) CN104952772B (ja)
TW (1) TWI537062B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6804325B2 (ja) * 2017-02-09 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN109309025A (zh) * 2017-07-27 2019-02-05 无锡华润华晶微电子有限公司 晶圆划片设备及晶圆划片方法
CN112090660B (zh) * 2020-08-20 2021-11-30 塔里木大学 一种基于计算机视觉的机械自动化喷涂装置
JP7556328B2 (ja) * 2021-05-21 2024-09-26 株式会社Sumco 半導体ウェーハの洗浄装置、半導体ウェーハの洗浄方法およびシリコンウェーハの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT407312B (de) * 1996-11-20 2001-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Rotierbarer träger für kreisrunde, scheibenförmige gegenstände, insbesondere halbleiterwafer oder -substrate
JP4801853B2 (ja) * 2001-07-31 2011-10-26 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置およびスピン処理方法
FR2836638B1 (fr) * 2002-03-01 2004-12-10 Sames Technologies Dispositif de pulverisation de produit de revetement liquide
US7531039B2 (en) * 2002-09-25 2009-05-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing system
EP1502653B1 (de) * 2003-08-01 2008-09-17 Lechler GmbH Düse zum Besprühen einer Fläche
JP4364659B2 (ja) 2004-01-29 2009-11-18 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置及びスピン処理方法
JP2005259874A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006255532A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Sharp Corp 基板洗浄ノズルおよびそれを用いる基板洗浄方法ならびに基板洗浄装置
KR20080072230A (ko) * 2007-02-01 2008-08-06 세메스 주식회사 스캔 분사형 노즐 구동부를 가진 기판 처리 장치
JP5012651B2 (ja) 2008-05-14 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP2010073849A (ja) 2008-09-18 2010-04-02 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP5198223B2 (ja) 2008-11-18 2013-05-15 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5630808B2 (ja) * 2010-03-26 2014-11-26 住友精密工業株式会社 搬送式基板処理装置における節水型洗浄システム
KR101394456B1 (ko) * 2011-09-30 2014-05-15 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20150273491A1 (en) 2015-10-01
TW201536432A (zh) 2015-10-01
US9694371B2 (en) 2017-07-04
JP2015195284A (ja) 2015-11-05
CN104952772B (zh) 2018-01-30
CN104952772A (zh) 2015-09-30
KR101618001B1 (ko) 2016-05-03
KR20150113845A (ko) 2015-10-08
TWI537062B (zh) 2016-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6020271B2 (ja) 液処理装置
JP6158737B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US10279368B2 (en) Coating method and coating apparatus
JP5941023B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP5454203B2 (ja) 塗布方法及び塗布装置
US20150343495A1 (en) Apparatus and methods for treating substrates
CN107393846B (zh) 基板清洗装置、基板清洗方法及基板处理装置
JP7519244B2 (ja) 液処理装置及び液処理装置の運転方法
CN107230653B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
CN109698145B (zh) 喷嘴待机装置、液处理装置及其运转方法和存储介质
JP6496186B2 (ja) 基板処理装置
TWI745830B (zh) 液處理裝置及液處理方法
KR102186415B1 (ko) 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체
JP4357225B2 (ja) 基板処理装置
TW201803651A (zh) 塗布方法
JP2016115785A (ja) 現像装置および現像方法
TWI690008B (zh) 自碟形物品的表面移除液體之裝置與方法
JP2010153474A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6925185B2 (ja) 基板処理装置
JPH09122558A (ja) 回転式塗布装置
TWI406108B (zh) 顯影裝置及顯影方法
KR20160125167A (ko) 스핀 코터 및 그 코팅 방법
JP2015109372A (ja) 基板洗浄装置
KR102869894B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2009200331A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170608

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6158737

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150