JP2005340402A - 洗浄装置および洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の洗浄を効率よく行うことができる洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板Wを保持する保持部材20と、保持部材20に保持された基板Wの表面に対して、部分的に液体を噴射するとともに、基板Wの表面全域を走査することで、基板Wの表面を洗浄する第1の液体供給機構30と、保持部材20に保持された基板Wの表面全域に向けて液体を供給する第2の液体供給機構40とを備えたことを特徴とする洗浄装置およびこれを用いた洗浄方法である。
【選択図】図1
【解決手段】基板Wを保持する保持部材20と、保持部材20に保持された基板Wの表面に対して、部分的に液体を噴射するとともに、基板Wの表面全域を走査することで、基板Wの表面を洗浄する第1の液体供給機構30と、保持部材20に保持された基板Wの表面全域に向けて液体を供給する第2の液体供給機構40とを備えたことを特徴とする洗浄装置およびこれを用いた洗浄方法である。
【選択図】図1
Description
本発明は、洗浄装置および洗浄方法の改良、特に、高い洗浄効果を得ることができる洗浄装置および洗浄方法に関するものである。
半導体装置の製造プロセスにおいては、デバイスの微細化および高集積化にともない、半導体基板上に付着するパーティクル(微小粒子)や金属汚染、有機物汚染等がデバイスの歩留りや特性に大きな影響を与えるようになってきている。したがって、デバイスの歩留りやその特性を向上させるためには、全製造プロセスにわたって、半導体基板を清浄に保つ必要がある。そこで、各々の製造プロセスにおいては、適宜、半導体基板の洗浄処理工程が行われている。
例えばダイシング後のシリコン(Si)基板(ウェハ)の表面は、削られたSiのパーティクル等が付着し易く、このパーティクルが基板上の引き出し電極となるパッドに付着すると、パッドとボンディングワイヤーとの接合強度が弱くなるため、パーティクルを確実に除去する必要がある。この洗浄工程においては、一般的に、基板が保持された保持部材を回転させた状態で、この基板の表面に対して、部分的に高圧力で水を噴射するスピン洗浄が行われている。そして、水が噴射されていない部分の乾燥を防ぐため、この洗浄中の基板の表面上にリンスを供給するリンス供給部を備えた洗浄装置の例が報告されている。このリンス供給部は、基板上の中心部から外周部にかけてを覆うライン状に吹出穴が設けられたノズルを有している(例えば、特許文献1参照)。
しかし、上述したような洗浄装置を用いて基板の洗浄を行う場合には、水が噴射されていない部分の乾燥を防ぐために、基板の表面にリンス供給部のノズルからリンスを供給するが、このノズルは、基板上の中心部から外周部にかけてを覆うライン状に吹出穴が設けられているため、リンスがライン状に供給される。そして、この際、基板は回転保持されていることから、供給されたリンスが基板の表面の全域にわたるように流動する。しかし、遠心力によりこのリンスは外周部側に流動し易く、供給ムラが発生し易い。このため、基板の表面全域に渡って均一な膜厚のリンス水膜を形成することが困難であり、基板の表面の中央部はリンス水膜が形成されにくく、乾き易い傾向があった。
これにより、基板の表面の中央部に対して部分的に水を噴射することにより、パーティクル等を基板から浮き上がらせて洗浄した場合であっても、乾燥してしまうと再び基板の表面にパーティクルが付着してしまうという問題があった。また、乾燥して再付着したパーティクルは、さらに水での洗浄を行ったとしても、基板の表面に残存し易く、基板の表面の洗浄を効率的に行うことが難しいという問題も生じていた。また、上述したように、リンスがライン状に供給される場合には、基板が保持される保持部材に回転機構が設けられていないと、基板の表面全域にリンスを供給することが困難であった。
そこで、上記課題を解決するために、本発明の洗浄装置は、基板を保持する保持部材と、保持部材に保持された基板の表面に対して、部分的に液体を噴射するとともに、基板の表面全域を走査することで、基板の表面を洗浄する第1の液体供給機構と、保持部材に保持された基板の表面全域に向けて液体を供給する第2の液体供給機構とを備えたことを特徴としている。
このような洗浄装置によれば、第2の液体供給機構により、保持部材に保持された基板の表面全域に向けて液体を供給することで、供給ムラを生じることなく、基板の表面全域に均一な膜厚の液膜が形成され、表面全域が常に濡れた状態となる。そして、この状態で、第1の液体供給機構により、部分的に液体を噴射するとともに、基板の表面全域を走査して洗浄することで、基板の表面全域を濡らした状態で、洗浄を行うことができる。これにより、洗浄中に基板の表面から浮き上がったパーティクルが、基板の表面の乾燥により、基板の表面に再度付着することが防止される。また、基板の保持部材が、特に回転機構を有していなくても、基板の表面全域に向けて液体を供給することから、表面全域を常に濡れた状態とすることが可能である。
また、本発明の洗浄方法は、基板の表面に対して、部分的に第1の液体を噴射するとともに、基板の表面全域を走査することで、基板の表面を洗浄する洗浄方法であって、基板の表面を洗浄する間、基板の表面全域に向けて第2の液体を供給することで、基板の表面全域を濡らした状態とすることを特徴としている。
このような洗浄方法によれば、基板の表面に対して、部分的に第1の液体を噴射するとともに、基板の表面全域を走査して基板の表面を洗浄する間、基板の表面全域に向けて第2の液体を供給することで、供給ムラを生じることなく、基板の表面全域に均一な液膜が形成され、表面全域が常に濡れた状態となる。これにより、洗浄中に基板の表面から浮き上がったパーティクルが、基板の表面の乾燥により、基板の表面に再度付着することが防止される。
以上説明したように、本発明の洗浄装置および洗浄方法によれば、洗浄中に基板の表面から浮き上がったパーティクルが、基板の表面の乾燥により、基板の表面に再度付着することが防止されるため、基板の表面の洗浄を効率よく行うことができる。また、パーティクルの再付着による基板の汚染が防止されるため、デバイスの歩留まりを向上させることができる。また、基板を保持する保持部材が回転機構を有していない場合であっても、上述したような効果を奏する。特に、本発明の洗浄装置および洗浄方法は、パーティクルが多く発生するダイシング工程やバックグラインダー工程の後処理として行う洗浄に有効である。
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
図1は本発明の洗浄装置の好ましい実施の形態を示す構成図であり、この図を用いて洗浄装置10について詳しく説明する。
まず、図1に示すように、洗浄装置10は、例えば回転式の枚葉処理装置であり、基板Wを回転可能に保持する保持部材20と、この保持部材20に保持された基板Wの表面に対して、部分的に液体を噴射する第1の液体供給機構30と、保持部材20に保持された基板Wの表面全域に向けて液体を供給する第2の液体供給機構40とを備えている。
保持部材20は、基板Wを保持するターンテーブル21と、このターンテーブル21に接続された回転モータ22とを有しており、回転モータ22の駆動により、ターンテーブル21が矢印R1方向に回転するように構成されている。
また、第1の液体供給機構30は、駆動モータ31と、駆動モータ31に接続された第1プーリ32と、第1プーリ32にベルト33を介して接続された第2プーリ34とを備えている。第2プーリ34には、軸35の下端部が配置されていて、軸35の上端部には、基板Wに供給する液体が貯留された液体収容部36が配置されている。そして、液体収容部36には、上述した保持部材20に保持された状態の基板Wの表面に対して、部分的に液体を噴射するノズル37が接続されている。この液体収容部36はノズル37から高圧の液体が噴射されるように構成されている。
このような構成の第1の液体供給機構30は、駆動モータ31の作動により第1プーリ32が矢印R2方向に回転すると、第1プーリ32にベルト33を介して接続された第2プーリ34が矢印R2方向に回転する。これにより、第2プーリ34に接続された軸35を矢印R2方向に回転することで、液体収容部36とともにノズル37が、この軸35を中心とした弧状に旋回可能となる。
また、図2に示すように、このノズル37は、保持部材20(前記図1参照)におけるターンテーブル21の中心部Oに達する長さに構成される。これにより、第1の液体供給機構30を駆動することで、ノズル37の先端部が、先端部から高圧の液体を噴射させた状態で、軸35を中心とし、ターンテーブル21に保持された基板Wの中心部W1上から外周部W2上まで、移動可能となる。この際、このノズル37の移動速度よりも速い速度で基板Wが保持された状態のターンテーブル21が回転することで、ノズル37から噴射された液体により、この基板Wの表面全域が走査される。
次に、再び図1を用いて、本発明に特徴的な第2の液体供給機構40について説明する。この第2の液体供給機構40は、保持部材20に保持された基板Wの表面全域に向けて、液体を供給可能に構成されたノズル41と、このノズル41に供給する液体を貯留する液体収容部42とを備えており、ノズル41と液体収容部42とは、配管43により接続されている。この配管43には、液体収容部42側から順に、開閉自在に構成されたバルブ44と、ノズル41に供給する液体の流量を測定し、制御する流量計45が設けられている。
ここで、ノズル41は、その先端部41aから保持部材20に保持された基板Wの表面全域に向けて液体が供給されるように構成されており、先端部41aがこの基板Wに対向する状態で配置されている。そして、このノズル41は、先端部41aに向けて内径が拡大された形状に設けられるとともに、先端部41aには例えば円形状の複数の供給口(図示省略)が均等に配置されたシャワー形状であることとする。これにより、ノズル41から保持部材20に保持された基板Wの表面全域に向けて液体がシャワー状に供給される。
なお、ここでは、ノズル41の先端部41aに、円形状の複数の供給口が配置されていることとするが、供給口の形状は、特に限定されるものではなく、基板Wの表面全域に向けて液体を供給することが可能であれば、例えばスリット状の複数の供給口が配置されていてもよい。
次に、上述したような洗浄装置を用いて基板Wの表面を洗浄する例について説明する。本実施形態では、例えばダイシング工程後のウェハ(基板W)の表面の洗浄を行うこととする。ダイシング工程では、通常、水等の液体を供給した状態でダイシングを行うが、基板Wの表面が濡れた状態を維持したまま、洗浄工程を行うこととする。また、第1の液体供給機構30および第2の液体供給機構40からは、それぞれ水が供給されることとする。
まず、基板Wを図1に示す洗浄装置10の保持部材20のターンテーブル21上に載置して保持し、回転モータ22によりターンテーブル21を矢印R1方向に回転させる。
次に、第1の液体供給機構30のノズル37から、基板Wの表面に対して部分的に水を噴射させるとともに、基板Wの表面全域を走査する。この場合には、第1の液体供給機構30のノズル37を基板Wの中央部W1(図2参照)上に水が噴射されるように配置した後、駆動モータ31を駆動することにより、ノズル37が液体収容部36とともに矢印R2方向に回転する。具体的には、駆動モータ31により第1プーリ32および第2プーリ34が矢印R2方向に回転し、第2プーリ34に軸35を介して接続されている液体収容部36とノズル37も矢印R2方向に回転する。
これにより、図2に示すように、ノズル37は、基板Wの中心部W1から外周部W2まで軸35を中心に旋回しながら水を噴射する。この際、基板Wが保持された保持部材20は回転していることから、この保持部材20の回転よりも軸35の回転を遅くして、ノズル37の先端部を基板Wの中心部W1から外周部W2まで徐々に移動させることで、基板Wの表面全域を走査し、洗浄することが可能となる。
そして、再び図1に示すように、上述したようにノズル37から水を噴射している間、第2の液体供給機構40における配管43のバルブ44を開けることで、ノズル41から保持部材20に保持された基板Wの表面全域に向けて、水を供給することで、基板Wの表面全域に均一な膜厚の水膜を形成し、基板Wの表面全域を濡らした状態とする。このとき、液体の流量は流量計45によって測定されており、水が対象物Wの表面全域に水膜を形成する機能を発揮できるように流量を制御する。
以上のようにして、基板Wの表面を洗浄する。
上述したような洗浄装置およびこれを用いた洗浄方法によれば、第2の液体供給機構40により、保持部材20に保持された基板Wの表面全域に向けて液体を供給することで、供給ムラを生じることなく、基板Wの表面全域に均一な膜厚の水膜が形成され、表面全域が常に濡れた状態となる。そして、この状態で、第1の液体供給機構30により、部分的に液体を噴射するとともに、基板Wの表面全域を走査して洗浄することで、基板Wの表面全域を濡らした状態で、洗浄を行うことができる。
これにより、洗浄中においても基板Wの表面が乾燥することがなく、洗浄によって除去されたパーティクル等が再び基板Wに付着することが防止されるため、洗浄効果を最大限に高めることができる。また、パーティクルの再付着による基板Wの汚染が防止されるため、デバイスの歩留まりを向上させることができる。
特に、基板Wが本実施形態で用いたようなダイシング工程後のウェハや、バックグラインダー工程後のウェハである場合には、基板Wの表面にSiのパーティクルが多く発生することから、本発明の洗浄装置および洗浄方法が有効に適用される。
なお、上述した実施形態では、保持部材20が回転モータ22を備えた例について説明したが、本発明の洗浄装置によれば、第2の液体供給機構40が基板Wの表面全域に向けて液体を供給するように構成されていることから、保持部材20は回転モータ22を備えていなくてもよい。この場合には、保持部材20に保持された基板Wが回転していない状態で、ノズル37から噴出される液体により、基板Wの表面全域が走査され洗浄されるように第1の供給機構30を駆動させる。ただし、保持部材20が回転機構を有していた方が、ノズル37の動作の制御が容易であるため、好ましい。
(変形例)
なお、本実施形態では、第2の液体供給機構40が、シャワー形状のノズル41を備えた例について説明したが、本発明はこれに限定されず、基板Wの表面全域に向けて液体を供給可能に構成されていればよい。
なお、本実施形態では、第2の液体供給機構40が、シャワー形状のノズル41を備えた例について説明したが、本発明はこれに限定されず、基板Wの表面全域に向けて液体を供給可能に構成されていればよい。
例えば、図3に示すように、第2の液体供給機構40が、その先端部から液体をガスと混合した状態で拡散させて供給する霧吹き型のノズル51を有していてもよい。ここで、図3は図1のA部分を示すものである。具体的には、第2の液体供給機構40(前記図1参照)がガス供給機構50を備えており、ガス供給機構50が、保持部材20(前記図1参照)に保持された基板W(前記図1参照)の表面にガスを供給可能に構成されたノズル51と、このノズル51に供給するガスを貯留するガス収容部52とを備え、ノズル51とガス収容部52とが配管53により接続された構成とする。この配管53には、ガス収容部52側から順に、開閉自在に構成されたバルブ54と、ノズル51に供給するガスの流量を測定し、制御する流量計55が設けられていることとする。なお、ガスの制御は流量ではなく、圧力で制御してもよい。そして、液体を供給するノズル41’が、ガスを供給するノズル51に接続されており、ノズル51内で液体がガスと混合した状態で、その先端の供給口から噴霧され、基板Wの表面全域に向けて液体が拡散して供給される。
この場合には、液体が基板Wの表面全域に向けて供給されるように、流量計45、55によりガスと液体の流量もしくは圧力をそれぞれ制御し、ガス圧をかけることで、ノズル51の先端の供給口から基板Wの表面全域に向けて液体が拡散されて供給される。このような構成の洗浄装置およびこの洗浄装置を用いた洗浄方法であっても、基板Wの表面全域を濡らした状態で、洗浄可能であることから、上述した実施形態と同様の効果を奏する。
なお、上記のガスはエア(空気)であってもよく、エアを高圧で供給してもよい。この場合には、ガス収容部52はエアの供給ポンプとなる。
10…洗浄装置、20…保持部材、30…第1の液体供給機構、40…第2の液体供給機構、41,51…ノズル、W…基板
Claims (7)
- 基板を保持する保持部材と、
前記保持部材に保持された基板の表面に対して、部分的に液体を噴射するとともに、当該基板の表面全域を走査することで、当該基板の表面を洗浄する第1の液体供給機構と、
前記保持部材に保持された基板の表面全域に向けて液体を供給する第2の液体供給機構とを備えた
ことを特徴とする洗浄装置。 - 請求項1記載の洗浄装置において、
前記第2の液体供給機構は、その先端部から液体を供給するノズルを有しており、
当該ノズルは、先端部に向けて内径が広くなるとともに、当該先端部に複数の供給口が設けられたシャワー形状である
ことを特徴とする洗浄装置。 - 請求項1記載の洗浄装置において、
前記第2の液体供給機構は、その先端部から液体をガスと混合した状態で拡散させて供給するノズルを有している
ことを特徴とする洗浄装置。 - 請求項1記載の洗浄装置において、
前記保持部材は、回転可能に構成されている
ことを特徴とする洗浄装置。 - 基板の表面に対して、部分的に第1の液体を噴射するとともに、当該基板の表面全域を走査することで、当該基板の表面を洗浄する洗浄方法であって、
前記基板の表面を洗浄する間、第2の液体を基板の表面全域に向けて供給することで、当該基板の表面全域を濡らした状態とする
ことを特徴とする洗浄方法。 - 請求項5記載の洗浄方法において、
前記第2の液体を、シャワー状に供給する
ことを特徴とする洗浄方法。 - 請求項5記載の洗浄方法において、
前記第2の液体を、ガスと混合した状態で拡散させて供給する
ことを特徴とする洗浄方法。
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---|---|---|---|
JP2004155450A JP2005340402A (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | 洗浄装置および洗浄方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100934329B1 (ko) | 2007-05-07 | 2009-12-29 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
JP2013080908A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR101354548B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2014-01-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토공정 파티클 제거장치 |
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2004
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---|---|---|---|---|
KR101354548B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2014-01-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토공정 파티클 제거장치 |
KR100934329B1 (ko) | 2007-05-07 | 2009-12-29 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
TWI467643B (zh) * | 2007-05-07 | 2015-01-01 | Screen Holdings Co Ltd | Substrate processing device |
JP2013080908A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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