JP2007096156A - カバー膜除去装置 - Google Patents

Abstract

【課題】多種多様な性質のカバー膜に対応した除去処理を行うことができるカバー膜除去装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜の上にカバー膜が形成された基板Ｗは露光処理後にカバー膜除去装置１に搬入される。カバー膜除去装置１は、基板Ｗを保持して回転させる保持回転部１０と、基板Ｗの表面にカバー膜を溶解する溶媒（剥離液）を互いに異なる形態にて吐出する３種類のノズル（スリットノズル２０，ストレートノズル４０，二流体ノズル６０）と、これらの要素の各駆動部を制御する制御部９０と、を備える。基板Ｗ上のカバー膜の性質に応じてスリットノズル２０，ストレートノズル４０，二流体ノズル６０を使い分けることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、レジスト膜の上にカバー膜を形成した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）の露光後に当該カバー膜を除去するカバー膜除去装置に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、現像処理は露光処理後の基板表面に現像液を供給してレジスト膜の露光部分（または非露光部分）を溶かし、回路パターンに対応するレジストマスクを形成する工程である。

一方、近年、半導体デバイス等の急速な高密度化に伴って、レジストマスクのパターンをさらに微細化することが強く要望されている。このため、露光処理を行う露光装置の光源としては旧来の紫外線ランプに代えて比較的波長の短いＫｒＦエキシマレーザ光源やＡｒＦエキシマレーザ光源といった遠紫外線光源（Deep UV）が主流を占めつつある。ところが、最近のさらなる微細化要求に対してはＡｒＦエキシマレーザ光源でさえも十分ではない。これに対応するためには、より波長の短い光源、例えばＦ２レーザ光源を露光装置に採用することも考えられるが、コスト面の負担を低減しつつさらなるパターン微細化を可能にする露光技術として液浸露光処理法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

液浸露光処理法は、投影光学系と基板との間に屈折率ｎが大気（ｎ＝１）よりも大きな液体（例えば、ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で「液浸露光」を行うことにより、開口率を大きくして解像度を向上させる技術である。この液浸露光処理法によれば、従来のＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）をそのまま流用したとしても、その等価波長を１３４ｎｍにすることができ、コスト負担増を抑制しつつレジストマスクのパターンを微細化することができる。

国際公開９９／４９５０４号パンフレット

しかしながら、液浸露光処理法を採用する場合には、露光時に基板の表面に直接液体が接触するため、レジスト膜を保護する目的で基板表面にカバー膜を形成する場合がある。カバー膜はレジスト膜の上層に形成するものであるため、現像時には当然これを剥離除去する必要が生じる。カバー膜には、現像処理用の現像液に可溶なものと現像液とは異なる溶媒に可溶なものとがあり、溶媒可溶のカバー膜を使用した場合には現像処理装置とは異なる専用の除去装置にて露光後の基板からカバー膜の剥離除去処理を行い、しかる後に現像処理装置に当該基板を搬送してレジスト膜の現像処理を行う。

一般に、溶媒可溶のカバー膜は現像可溶のカバー膜に比較してレジスト膜からの剥離性が良好であると言えるが、溶媒可溶のカバー膜にもレジストや液浸液との相性から多種多様なものが開発されており、溶媒との濡れ性やレジストとの密着度もカバー膜の種類によって大きく異なっている。例えば、あるカバー膜とは濡れ性が良好（接触角が小さい）な溶媒であっても、他のカバー膜とは濡れ性が良くない（接触角が大きい）場合もある。また、あるレジストに対しては良好な剥離性を示すカバー膜であっても、他のレジストに対しては剥離しにくいこともある。

現状、液浸露光処理用のカバー膜としての標準的な材質が未だ確立されておらず、多種多様な性質のカバー膜が使用される可能性が高い。このため、除去装置においては、如何なる性質のカバー膜であっても適切に剥離除去を実行することが求められている。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、多種多様な性質のカバー膜に対応した除去処理を行うことができるカバー膜除去装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、レジスト膜の上にカバー膜を形成した基板の露光後に当該カバー膜を除去するカバー膜除去装置において、基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に、前記カバー膜を溶解する溶媒を互いに異なる形態にて吐出する複数の溶媒吐出手段と、を備える。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係るカバー膜除去装置において、前記複数の溶媒吐出手段に、前記保持手段に保持された基板のサイズ以上の長さを有するスリット状吐出口から溶媒を吐出するスリットノズルを含ませ、前記スリット状吐出口から溶媒を吐出する前記スリットノズルを、前記基板の一方側から前記基板上を通過して他方側まで移動させる移動手段をさらに備える。

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係るカバー膜除去装置において、前記複数の溶媒吐出手段に、溶媒と気体と混合して溶媒の液滴を生成して吐出する二流体ノズルを含ませる。

また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係るカバー膜除去装置において、前記複数の溶媒吐出手段に、溶媒を一穴または他穴の吐出口より吐出する吐出ノズルを含ませる。

また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係るカバー膜除去装置において、前記保持手段に保持された基板に、前記スリットノズルまたは前記吐出ノズルから溶媒を供給した後に、前記二流体ノズルから溶媒の液滴を吐出するように制御する吐出制御手段をさらに備える。

請求項１の発明によれば、基板の表面にカバー膜を溶解する溶媒を互いに異なる形態にて吐出する複数の溶媒吐出手段を備えるため、カバー膜の性質に応じて適宜溶媒吐出手段を使い分けることができ、多種多様な性質のカバー膜に対応した除去処理を行うことができる。

また、請求項２の発明によれば、溶媒吐出手段にスリット状吐出口から溶媒を吐出するスリットノズルが含まれるため、溶媒との濡れ性の悪いカバー膜であっても確実に溶媒を液盛りしてカバー膜を良好に除去することができる。

また、請求項３の発明によれば、溶媒吐出手段に溶媒と気体と混合して溶媒の液滴を生成して吐出する二流体ノズルが含まれるため、溶媒による化学的作用に加えて高速で液滴を吹き付けることによる物理的作用をもカバー膜に及ぼすことができ、カバー膜を確実に除去することができる。

また、請求項４の発明によれば、溶媒吐出手段に溶媒を一穴または他穴の吐出口より吐出する吐出ノズルが含まれるため、溶媒消費量を比較的少量に抑制することができる。

また、請求項５の発明によれば、保持手段に保持された基板に、スリットノズルまたは吐出ノズルから溶媒を供給した後に、二流体ノズルから溶媒の液滴を吐出するため、カバー膜をより確実に除去することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係るカバー膜除去装置の平面図である。図２および図３は、図１のカバー膜除去装置の要部を示すＶ−Ｖ線断面図である。本実施の形態にて処理の対象となる基板Ｗは円形の半導体ウェハであり、その表面には例えば液浸露光処理に対応すべくレジスト膜の上にカバー膜が形成されている。カバー膜除去装置１は、そのような基板Ｗの露光処理後にカバー膜を溶解する溶媒（剥離液）を供給してカバー膜の剥離除去処理を行う装置であり、主として基板Ｗを保持して回転させる保持回転部１０と、基板Ｗの表面に溶媒を互いに異なる形態にて吐出する３種類のノズル（スリットノズル２０，ストレートノズル４０，二流体ノズル６０）と、これらの要素の各駆動部を制御する制御部９０と、を備える。

保持回転部１０は、基板Ｗを水平姿勢にて保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック１１を備える。スピンチャック１１は、電動モータ１２によって回転される回転軸１３の上端に固定されている。また、スピンチャック１１には吸気路（図示せず）が形成されるとともに、その吸気路が図外の真空ポンプと連通されており、スピンチャック１１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック１１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。スピンチャック１１が基板Ｗを吸着保持した状態にて、電動モータ１２が回転軸１３を回転駆動させると、スピンチャック１１および基板Ｗが水平面内にて回転する。

また、保持回転部１０は、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの周囲を囲繞する円環形状の内側カップ１５を備える。内側カップ１５は、図示を省略する昇降機構によって鉛直方向に沿って昇降可能とされている。内側カップ１５は、回転する基板Ｗの周縁部から飛散した溶媒を受け止めて回収する。内側カップ１５の外側には平面視矩形形状の外側カップ１９が設けられている。

図１に示すように、外側カップ１９の横方向両側にはスリットノズル２０のための待機ポット６，７がそれぞれ配置されている。また、外側カップ１９の手前側にはガイドレール８がカバー膜除去装置１の全長にわたって配設され、外側カップ１９の後背側にはストレートノズル４０および二流体ノズル６０が設置されている。

スリットノズル２０は、下端部にスリット状吐出口２５を有する。図４は、スリットノズル２０のスリット状吐出口２５を示す図である。スリット状吐出口２５のスリット幅ｔは０．０２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、本実施形態では０．１ｍｍとしている。また、スリット状吐出口２５の長手方向長さＬは基板Ｗの直径以上である。スリットノズル２０は、その長手方向がガイドレール８の延伸方向と垂直となるようにノズルアーム２１によって保持されている。ノズルアーム２１は、アーム駆動部２２によってガイドレール８に沿って図１の矢印Ａの方向にスライド移動可能とされている。従って、スリットノズル２０は、待機ポット６の位置（基板Ｗの一方側）からスピンチャック１１に保持された基板Ｗの直上を通過して待機ポット７の位置（基板Ｗの他方側）まで平行移動可能である。なお、スリットノズル２０が基板Ｗの中心部直上を通過するときには、上記スリット状吐出口２５が基板Ｗの径全体を覆う。

図２に示すように、スリットノズル２０には、ポンプ３３とバルブ３４とを備える溶媒送給機構から溶媒が送給される。本実施の形態における「溶媒」とは、基板Ｗのレジスト膜の上に形成されたカバー膜を溶解する液を意味する。スリットノズル２０のスリット状吐出口２５には配管３１の先端部が連通接続されている。配管３１の基端部側は溶媒を貯留する液貯留部３２（例えば溶媒ボトル）に連通接続されている。配管３１の経路途中にはポンプ３３およびバルブ３４が介挿されている。ポンプ３３を駆動してバルブ３４を開放することによりスリットノズル２０に溶媒が送給され、そのスリット状吐出口２５からカーテン状に溶媒が吐出される。なお、配管３１に、流量計やフィルタを介挿するようにしても良い。

ストレートノズル４０は、下端部に一穴の吐出口を有する吐出ノズルである。また、二流体ノズル６０は、溶媒と窒素ガスとを混合してミスト状の溶媒の液滴を生成して吐出するノズルである。ストレートノズル４０および二流体ノズル６０は、双方が所定間隔を隔てて隣接するように、ノズルアーム４１の先端部に固定保持されている。ノズルアーム４１の基端部は回動モータ４２に接続されている。回動モータ４２の駆動によってノズルアーム４１が図１の矢印Ｒの方向に沿って回動する。ここで、回動モータ４２の回動軸からストレートノズル４０までの距離と二流体ノズル６０までの距離とがほぼ等しくなるように、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０はノズルアーム４１に取り付けられている。

図５は、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０の移動態様を示す図であり、カバー膜除去装置１を上方から見たものである。ノズルアーム４１が回動動作を行うことによって、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０は、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの回転中心Ｏの直上位置と外側カップ１９の外部の待機位置（図１の位置）との間で円弧状の軌跡ＴＲに沿って往復移動する。すなわち、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０はほぼ同一の軌跡ＴＲを描くように移動する。

図３に示すように、ストレートノズル４０には、ポンプ５３とバルブ５４ａとを備える溶媒送給機構から溶媒が送給される。一方、二流体ノズル６０には、ポンプ５３とバルブ５４ｂとを備える溶媒送給機構から溶媒が送給される。すなわち、配管５１の先端側は分岐配管５１ａ，５１ｂの二股に分岐されており、分岐配管５１ａがストレートノズル４０に連通接続されるとともに、分岐配管５１ｂが二流体ノズル６０に連通接続されている。配管５１の基端部側は溶媒を貯留する液貯留部５２に連通接続されている。なお、液貯留部５２に貯留されている溶媒は液貯留部３２の溶媒と同じであり、液貯留部５２を液貯留部３２と共通のものとしてもよい。配管５１の経路途中にはポンプ５３が介挿されるとともに、分岐配管５１ａにはバルブ５４ａが介挿され、分岐配管５１ｂにはバルブ５４ｂが介挿されている。ポンプ５３を駆動しつつバルブ５４ａを開放することによりストレートノズル４０に溶媒が送給され、その吐出口から溶媒が吐出される。また、ポンプ５３を駆動しつつバルブ５４ｂを開放することにより二流体ノズル６０に溶媒が送給される。なお、通常バルブ５４ａおよびバルブ５４ｂはいずれか一方が択一的に開放されるものである。

また、二流体ノズル６０には、バルブ６３を備える不活性ガス送給機構から不活性ガス（本実施形態では、窒素ガス）が送給される。二流体ノズル６０には配管６１の先端部が連通接続されている。配管６１の基端部側は窒素ガス供給源６２（例えば工場ユーティリティ）に連通接続されている。配管６１の経路途中にはバルブ６３が介挿されている。バルブ６３を開放することにより二流体ノズル６０に所定圧の窒素ガスが送給される。

図６は、二流体ノズル６０の構造を示す概略断面図である。二流体ノズル６０は、窒素ガス供給源６２および液貯留部５２からそれぞれ供給される窒素ガスおよび溶媒をノズル内部にて混合することによりミスト状の溶媒の液滴を生成して基板Ｗに対して吐出するいわゆる内部混合型の二流体ノズルである。図６に示すように、二流体ノズル６０は溶媒が供給される溶媒導入管６５内に、窒素ガスが供給されるガス導入管６６が挿入された二重管構造となっている。また、溶媒導入管６５内のガス導入管６６端部より下流側は、窒素ガスと溶媒とが混合される混合部６７となっている。

加圧された窒素ガスと溶媒とが混合部６７において混合されることによりミスト状の溶媒液滴を含む混合流体が形成される。形成された混合流体は、混合部６７の下流側の加速管６８によって加速され、吐出口６９から吐出される。なお、二流体ノズル６０は、混合流体の吐出方向が鉛直方向直下を向くようにノズルアーム４１に取り付けられている。

制御部９０のハードウェア構成は一般的なコンピュータと同じである。すなわち、制御部９０は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。制御部９０は、電動モータ１２、アーム駆動部２２、回動モータ４２、ポンプ３３，５３およびバルブ３４，５４ａ，５４ｂ，６３と電気的に接続されている。制御部９０は、電動モータ１２、アーム駆動部２２および回動モータ４２をそれぞれ制御してスピンチャック１１に保持された基板Ｗの回転、スリットノズル２０のスライド移動並びにストレートノズル４０および二流体ノズル６０の回動動作を管理する。また、制御部９０は、ポンプ３３およびバルブ３４を制御してスリットノズル２０からの溶媒吐出を管理する。また、制御部９０は、ポンプ５３およびバルブ５４ａを制御してストレートノズル４０からの溶媒吐出を管理する。さらに、制御部９０は、ポンプ５３およびバルブ５４ｂを制御するとともに、バルブ６３を制御して二流体ノズル６０からの溶媒液滴の吐出を管理する。

以上のような構成を有するカバー膜除去装置１においては、スリットノズル２０、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０のいずれかを使用して露光処理後の基板Ｗに溶媒を供給し、カバー膜の剥離除去処理を行う。なお、カバー膜除去装置１における剥離除去処理の動作は、制御部９０がカバー膜除去装置１の各駆動部を制御することによって実行される。

スリットノズル２０から基板Ｗに溶媒を供給するときには、まず、露光処理後の基板Ｗをスピンチャック１１が水平姿勢にて吸着保持する。続いて、スリットノズル２０が待機ポット６から上昇して外側カップ１９まで水平移動し、外側カップ１９内の所定位置にて下降する。そして、スリットノズル２０は、所定の走査速度にてスライド移動を開始し、スピンチャック１１に静止状態で保持された基板Ｗ上に到達する前に所定流量にてスリット状吐出口２５から溶媒の吐出を開始する。スリットノズル２０は、溶媒をカーテン状に吐出しながら基板Ｗ上をスライド移動する。これにより、静止状態で保持された基板Ｗの表面全面に溶媒が均一に供給される。供給された溶媒は、表面張力によって基板Ｗ上に保持され、いわゆる液盛りされた状態となる。

基板Ｗ上を完全に通過したスリットノズル２０は、溶媒吐出を停止し、再度上昇して待機ポット７まで移動して下降する。基板Ｗ上に溶媒が液盛りされた状態を所定時間維持することによってカバー膜をレジスト膜から剥離する処理が進行する。その後、基板Ｗを高速回転させることによって基板Ｗ上から溶媒および剥離したカバー膜の成分を振り切り、カバー膜の剥離除去処理を終了する。

また、ストレートノズル４０から基板Ｗに溶媒を供給するときには、上記と同様に、露光処理後の基板Ｗをスピンチャック１１が水平姿勢にて吸着保持する。次に、ストレートノズル４０が回動動作によって基板Ｗの回転中心Ｏの直上位置まで移動し、基板Ｗの表面に溶媒を吐出する。このときには、基板Ｗを静止保持状態としておいても良いし、低速で回転させるようにしても良い。ストレートノズル４０から基板Ｗの回転中心Ｏ近傍に溶媒を供給することにより、基板Ｗの表面全面に溶媒が均一に供給され、液盛りされた状態となる。これによって、カバー膜をレジスト膜から剥離する処理が進行する。このときには、ストレートノズル４０から基板Ｗに溶媒を供給し続けても良いし、液盛りされた状態を維持すべくストレートノズル４０からの溶媒供給を停止するようにしても良い。所定時間の剥離処理が終了した後、基板Ｗを高速回転させることによって基板Ｗ上から溶媒および剥離したカバー膜の成分を振り切り、カバー膜の剥離除去処理を終了する。

また、二流体ノズル６０から基板Ｗに溶媒を供給するときにも、上記と同様に、露光処理後の基板Ｗをスピンチャック１１が水平姿勢にて吸着保持する。続いて、二流体ノズル６０が回動動作によって基板Ｗの回転中心Ｏの直上位置まで移動する。そして、この状態にて電動モータ１２による基板Ｗの回転を開始するとともに、二流体ノズル６０から窒素ガスと溶媒とを混合して形成されるミスト状の溶媒液滴を含む混合流体の吐出を開始する。その後、二流体ノズル６０を基板Ｗの回転中心Ｏの直上位置と端縁部上方位置との間で往復移動（スキャン）させる。これによって、基板Ｗの表面全面に溶媒の液滴を含む混合流体が均一に吹き付けられ、カバー膜をレジスト膜から剥離する処理が進行する。所定時間の剥離処理が終了した後、上記と同様に、基板Ｗを高速回転させることによって基板Ｗ上から溶媒および剥離したカバー膜の成分を振り切り、カバー膜の剥離除去処理を終了する。

以上のように、本実施形態のカバー膜除去装置１においては、３種類のノズル、すなわちスリットノズル２０、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０のいずれかを選択し、そのノズルから露光処理後の基板Ｗに溶媒を供給してカバー膜の剥離除去処理を行う。３種類のノズルのうち、スリットノズル２０は溶媒の液盛りを行う特性に最も優れている。よって、溶媒とカバー膜との濡れ性が良くない（接触角が大きい）場合には、スリットノズル２０を選択して使用することにより、溶媒を確実に基板Ｗの表面に液盛りすることができ、その結果カバー膜を良好に剥離除去することができる。

また、二流体ノズル６０は、溶媒による化学的作用に加えて高速で液滴を吹き付けることによる物理的作用をもカバー膜に及ぼすことができるため、カバー膜の剥離除去能力が他のノズルよりも優れている。よって、カバー膜とレジスト膜との密着性が高い（つまりカバー膜の剥離性が低い）ような場合には、二流体ノズル６０を選択して使用することにより、カバー膜を確実に剥離除去することができる。

一方、ストレートノズル４０は、基板Ｗ上に溶媒を無駄なく液盛りすることができ、他のノズルに比較して消費する溶媒量を少量に抑制することができる。従って、溶媒とカバー膜との濡れ性が良好（接触角が小さい）で、しかもカバー膜とレジスト膜との密着性が低い（剥離性が高い）ような場合には、ストレートノズル４０を選択して使用することにより、溶媒消費量増大を抑制しつつカバー膜を良好に剥離除去することができる。

このように、本実施形態のカバー膜除去装置１は、溶媒を互いに異なる形態にて吐出する３種類のノズル（スリットノズル２０、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０）を備え、カバー膜の性質に応じて、それらのいずれかを適宜選択して使用することができるため、多種多様な性質のカバー膜に対応した除去処理を行うことができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、スリットノズル２０、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０のうちからいずれかを選択して使用するものとしていたが、１回の剥離除去処理に２種以上のノズルを使用するようにしても良い。例えば、溶媒とカバー膜との濡れ性が悪く、しかもカバー膜とレジスト膜との密着性も高いような場合には、まず、スリットノズル２０によって基板Ｗ上に溶媒を液盛りして表層近傍のカバー膜の剥離した後、二流体ノズル６０から基板Ｗに溶媒の液滴を含む混合流体を吐出することによりレジスト膜との界面近傍のカバー膜を確実に除去する。また、例えば、ストレートノズル４０から基板Ｗに溶媒を供給した後に、二流体ノズル６０から溶媒の液滴を含む混合流体を基板Ｗに吐出するようにしても良い。さらには、ストレートノズル４０および二流体ノズル６０を同時に使用するようにしても良い。この場合は、基板Ｗにストレートノズル４０から溶媒を吐出しつつ、二流体ノズル６０から溶媒液滴を含む混合流体を吹き付け、ノズルアーム４１を回動させて両ノズルをスキャンさせる。

また、一穴の吐出口を有するストレートノズル４０に代えて、多穴の吐出口を有する吐出ノズルをカバー膜除去装置１に設けるようにしても良い。図７は、多穴の吐出口を有する吐出ノズルの一例を示す図である。多穴ノズル７０の筒状体７１は溶媒送給用の分岐配管５１ａに流路接続されている。筒状体７１の下端は詰栓部７２によって閉塞されている。その詰栓部７２の中央を貫通するようにして液流下エレメント７３が固着されている。また、詰栓部７２には複数（例えば１０個）の吐出口７４が液流下エレメント７３を中心とする円周上に形設されている。分岐配管５１ａを経由して送給された溶媒は、多穴ノズル７０の複数の吐出口７４から均等に吐出され、液流下エレメント７３の表面に沿って流れる間に複数の棒状の流れが互いにつながって膜状の流れとなり、液流下エレメント７３の下部周面から均等に基板Ｗの表面に流下する。このような多穴ノズル７０によれば、ストレートノズル４０と同程度に溶媒消費量を抑制しつつ、しかも溶媒中にマイクロバブルが混入することを防止することができる。

また、図８は、多穴の吐出口を有する吐出ノズルの他の例を示す図である。図８（ａ）は多穴ノズル８０の正面図であり、（ｂ）はその底面図である。分岐配管５１ａの先端には多穴ノズル８０が流路接続されている。多穴ノズル８０の下面には、複数（例えば８個）の吐出口８１が直線状に並んで形設されている。全ての吐出口８１は分岐配管５１ａと連通しており、分岐配管５１ａを経由して送給された溶媒は、多穴ノズル８０の複数の吐出口８１から均等に吐出される。この多穴ノズル８０を使用するときには基板Ｗの中心近傍と端縁部との間で往復移動させる。このとき、基板Ｗの回転中心Ｏから各吐出口８１までの距離がそれぞれ異なるように構成されているため、各吐出口８１から吐出された溶媒の基板Ｗ上における着液地点の軌跡は相互に重複しない。よって、このような多穴ノズル８０を使用すれば、ストレートノズル４０と同程度に溶媒消費量を抑制しつつ、しかも基板Ｗの表面全体にわたって溶媒を均一に供給することができる。なお、ストレートノズル４０、多穴ノズル７０および多穴ノズル８０はいずれも分岐配管５１ａの先端に取り付けられるものであり、相互に付け替えて交換可能である。

また、上記実施形態においては、１つのノズルアーム４１にストレートノズル４０および二流体ノズル６０の双方を取り付けていたが、これらを異なるノズルアームに設けるようにしても良い。例えば、図１において、外側カップ１９の手前側にもノズルアーム４１と同様のアームを設け、それに二流体ノズル６０を取り付けるようにしても良い。

また、上記実施形態においては、二流体ノズル６０を内部混合型としてたが、窒素ガスおよび溶媒をノズル外部の開放空間にて衝突させて混合することによりミスト状の溶媒の液滴を生成して基板Ｗに対して吐出するいわゆる外部混合型の二流体ノズルとしても良い。

また、本発明に係る基板処理技術の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用のガラス基板等であっても良い。ガラス基板は通常矩形であるため、スリットノズル２０のスリット状吐出口２５の長手方向長さＬはガラス基板の幅以上とすれば良い。すなわち、スリットノズル２０のスリット状吐出口２５の長手方向長さＬは基板のサイズ以上であれば良い。

本発明に係るカバー膜除去装置の平面図である。 図１のカバー膜除去装置の要部を示すＶ−Ｖ線断面図である。 図１のカバー膜除去装置の要部を示すＶ−Ｖ線断面図である。 スリットノズルのスリット状吐出口を示す図である。 ストレートノズルおよび二流体ノズルの移動態様を示す図である。 二流体ノズルの構造を示す概略断面図である。 多穴の吐出口を有する吐出ノズルの一例を示す図である。 多穴の吐出口を有する吐出ノズルの他の例を示す図である。

符号の説明

１ カバー膜除去装置
６，７ 待機ポット
１０ 保持回転部
１１ スピンチャック
１２ 電動モータ
１３ 回転軸
２０ スリットノズル
２５ スリット状吐出口
４０ ストレートノズル
６０ 二流体ノズル
７０，８０ 多穴ノズル
９０ 制御部
Ｗ 基板

Claims (5)

1. レジスト膜の上にカバー膜を形成した基板の露光後に当該カバー膜を除去するカバー膜除去装置であって、
   基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、
   前記保持手段に保持された基板の表面に、前記カバー膜を溶解する溶媒を互いに異なる形態にて吐出する複数の溶媒吐出手段と、
   を備えることを特徴とするカバー膜除去装置。
2. 請求項１記載のカバー膜除去装置において、
   前記複数の溶媒吐出手段は、前記保持手段に保持された基板のサイズ以上の長さを有するスリット状吐出口から溶媒を吐出するスリットノズルを含み、
   前記スリット状吐出口から溶媒を吐出する前記スリットノズルを、前記基板の一方側から前記基板上を通過して他方側まで移動させる移動手段をさらに備えることを特徴とするカバー膜除去装置。
3. 請求項２記載のカバー膜除去装置において、
   前記複数の溶媒吐出手段は、溶媒と気体と混合して溶媒の液滴を生成して吐出する二流体ノズルを含むことを特徴とするカバー膜除去装置。
4. 請求項３記載のカバー膜除去装置において、
   前記複数の溶媒吐出手段は、溶媒を一穴または他穴の吐出口より吐出する吐出ノズルを含むことを特徴とするカバー膜除去装置。
5. 請求項４記載のカバー膜除去装置において、
   前記保持手段に保持された基板に、前記スリットノズルまたは前記吐出ノズルから溶媒を供給した後に、前記二流体ノズルから溶媒の液滴を吐出するように制御する吐出制御手段をさらに備えることを特徴とするカバー膜除去装置。

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