KR20210009466A - 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 폴리머 및 휘발성의 유기용매를 포함하는 약액을 기판의 제1 면에 제1 방향으로 분무(spraying)하여 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층에 상기 제1 방향에 비스듬한 제2 방향으로 고온 가스(hot gas)를 분사하여 상기 코팅층에 포함된 상기 유기용매를 휘발시키는 제1 공급부; 상기 코팅층에 박리처리액을 분사하여 상기 코팅층을 상기 기판에서 박리하는 제2 공급부; 및 상기 기판의 하부에 배치되어 상기 기판의 제2 면에 상기 고온 가스를 분사하여 상기 기판을 가열하는 제3 공급부;를 포함하는 기판 세정 장치를 제공할 수 있다.

Description

기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 방법{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND CLEANING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 기판에 반도체 패턴을 형성하는 일련의 공정이 진행되는데, 어느 하나의 공정에서 반도체 패턴 상에 파티클이 부착되어 있는 경우, 그 이후 공정에서는 정상적으로 공정이 진행될 수 없다. 따라서, 매 공정에서 기판의 반도체 패턴에 파티클을 제거하는 것이 매우 중요하다.
그러나, 반도체 패턴이 미세화됨에 따라, 파티클을 제거하기 위해 가해지는 아주 작은 외력에 의해서도 반도체 패턴이 손상되고, 세정액에 의해 반도체 패턴의 막질이 침식되는 문제가 발생하고 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제 중 하나는, 기판의 반도체 패턴 손상 및 막질의 침식 없이, 기판에 부착된 파티클을 제거하는 점에 있다.
다만, 본 발명의 목적은 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시예로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시예는, 폴리머 및 휘발성의 유기용매를 포함하는 약액을 기판의 제1 면에 제1 방향으로 분무(spraying)하여 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층에 상기 제1 방향에 비스듬한 제2 방향으로 고온 가스(hot gas)를 분사하여 상기 코팅층에 포함된 상기 유기용매를 휘발시키는 제1 공급부; 상기 코팅층에 박리처리액을 분사하여 상기 코팅층을 상기 기판에서 박리하는 제2 공급부; 및 상기 기판의 하부에 배치되어 상기 기판의 제2 면에 상기 고온 가스를 분사하여 상기 기판을 가열하는 제3 공급부;를 포함하는 기판 세정 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 폴리머 및 휘발성의 유기용매를 포함하는 약액을 기판의 제1 면에 대하여 법선 방향인 제1 방향으로 분무(spraying)하여 상기 제1 면에 코팅층을 형성하는 단계; 상기 코팅층에 상기 제1 방향에 비스듬한 제2 방향으로 고온 가스(hot gas)를 분사하여 상기 코팅층에 포함된 상기 유기용매를 휘발시키는 단계; 및 상기 코팅층에 박리처리액을 분사하여, 상기 기판에서 상기 코팅층을 박리하여 제거하는 단계;를 포함하는 기판 세정 방법을 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 방법은 기판의 반도체 패턴의 손상 및 막질의 침식 없이, 기판에 부착된 파티클을 제거하는 효과가 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 척을 I방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 노즐헤드를 확대한 도면이다.
도 4는 도 3의 노즐헤드를 II방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 4의 노즐헤드의 변형예이다.
도 6(a) 내지 도 6(d)는 제1 노즐에서 분무된 액적이 고화되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예의 기판 세정 방법을 도시한 흐름도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예의 기판 세정 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 다음과 같이 설명한다.
도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 세정 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 세정 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 지지부를 I방향에서 바라본 도면이다. 도 3은 도 1의 제1 노즐을 확대한 도면이고, 도 4는 도 3의 제1 노즐을 II방향에서 바라본 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 세정 장치(1)는, 챔버(10) 내에 위치하며 반도체 기판인 웨이퍼(W)가 로딩(loading)되는 지지부(20), 웨이퍼(W)에 약액을 분무(spaying)하여 코팅층을 형성하고 고온 가스(hot gas)를 분사하여 코팅층을 건조시키는 제1 공급부(50), 형성된 코팅층에 박리처리액을 분사하는 제2 공급부(60)를 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 제3 공급부(23) 및 웨이퍼(W)를 세정 처리하기 위한 처리액을 공급하는 제4 공급부(24)를 포함할 수 있다. 또한, 챔버(10)의 상부에는 기류생성부(40)가 배치될 수 있다. 제1 공급부(50)와 제2 공급부(60)는 각각 제1 구동부(52)와 제2 구동부(63)에 의해 지지부(20)의 상부를 회동할 수 있다.
기판 세정 장치(1)는 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 파티클을 제거하기 위한 것으로, 웨이퍼(W)에 약액을 분무하여 파티클을 부착한 상태로 고화된 코팅층을 형성하고, 이를 박리함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 파티클을 코팅층과 함께 제거할 수 있다.
지지부(20)는 약액이 분무되는 동안 웨이퍼(W)의 원주 방향으로 회전 운동하여, 웨이퍼(W)에 형성되는 코팅층의 두께를 전체적으로 균일하게 할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 지지부(20)는 웨이퍼(W)의 하부에 배치되는 바닥부(21) 및 바닥부(21)의 둘레에 배치되며 웨이퍼(W)를 고정하기 위한 지지핀(22)을 포함할 수 있다. 바닥부(21)에는 웨이퍼(W)의 하면(W2) 방향에서 가열하기 위한 제3 공급부(23) 및 웨이퍼(W)의 하면(W2)에 처리액을 분사하기 위한 및 제4 공급부(24)가 배치될 수 있다. 웨이퍼(W)의 하면(W2)에 분사되는 처리액은 박리처리액 및 용해처리액일 수 있다. 제3 공급부(23)는 바닥부(21)에 방사상으로 배치될 수 있으며, 고온 가스가 분사되는 복수의 제3 노즐(23N)이 배치될 수 있다. 제4 공급부(24)는 바닥부(21)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.
지지부(20)의 회전은 분무되는 약액의 액적(droplet)이 웨이퍼(W) 상에 균일하게 안착되게 하기 위한 것이다. 종래에는 웨이퍼에 액상의 약액을 도포하여 코팅층을 형성하고, 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 코팅층에서 유기용매를 제거함으로써 웨이퍼 상에 코팅층을 건조하였다. 이 경우, 유기용매를 제거하여 코팅층을 고화시키기 위해 웨이퍼를 고속으로 회전시켜야 했으며, 이 과정에서 많은 시간이 소모되었다. 일 실시예의 경우, 약액을 분무하여 코팅층을 형성하고, 코팅층에 고온 가스를 분무하여 건조시키므로, 종래와 같이 지지부를 고속으로 회전할 필요가 없다. 따라서, 일 실시예의 경우, 지지부(20)의 회전수를 1500rpm(revolution per minute) 이하의 낮은 회전수로 유지할 수 있다.
지지부(20)의 둘레에는 약액의 액적 및 박리처리액이 처리액이 챔버(10)의 측벽에 비산하는 것을 방지하기 위한 챔버 보울(chamber bowl)(30)이 배치될 수 있다.
지지부(20)의 상부에는 기류생성부(40)가 배치될 수 있다. 기류생성부(40)는 지지부(20) 상에 배치되어, 챔버(10)의 상부에서 지지부(20)의 상면으로 향하는 균일한 기류를 형성할 수 있다. 따라서, 분무된 약액이 챔버 보울(30)의 밖으로 비산되는 것이 방지되어, 챔버(10) 내부의 공간에 분무된 약액이 불필요하게 코팅되는 것을 방지할 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 제1 공급부(50)는 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 코팅층을 형성하기 위한 약액이 공급되는 제1 유로(F1) 및 고온 가스(hot gas)가 공급되는 제2 유로(F2)를 포함할 수 있으며, 제1 유로(F1) 및 제2 유로(F2)의 단부에는 각각 제1 노즐(51NA) 및 제2 노즐(51NB)이 배치될 수 있다. 제1 노즐(51NA) 및 제2 노즐(51NB)은 제1 공급부(50)의 단부에 결합된 노즐헤드(51H)에 마련될 수 있다. 일 실시예는, 하나의 노즐헤드(51H)에 제1 노즐(51NA) 및 제2 노즐(51NB)이 배치된 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 제1 노즐(51NA) 및 제2 노즐(51NB)은 각각 별개의 노즐헤드에 배치될 수도 있다.
제1 유로(F1)는 약액공급부(100)와 제1 노즐(51NA)을 연결하여, 약액공급부(100)에서 공급되는 약액을 제1 노즐(51NA)로 분사되게 할 수 있다. 제2 유로(F2)는 고온 가스 공급부(200)와 제2 노즐(51NB)을 연결하여, 고온 가스 공급부(200)에서 공급되는 고온 가스를 제2 노즐(51NB)로 분사되게 할 수 있다.
약액은 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 분무되어 코팅층을 형성하기 위한 용액으로, 폴리머가 유기용매에 용해된 용액일 수 있다. 폴리머는 PHS(polyhydroxy styrene) 수지를 포함하는 물질일 수 있으며, 유기용매는 IPA(isopropyl alcohol), 부탄올(butanol) 및 MIBC(methyl isobutyl carbinol) 중 적어도 하나 또는 이들의 혼합액일 수 있다.
고온 가스는 약액이 분무되어 형성된 코팅층을 건조하는 과정에서 코팅층을 가열하기 위한 고온의 기체로, 코팅층을 가열하여 유기용매의 휘발을 가속할 수 있다. 일 실시예의 경우, 고온 가스로 반응성이 낮은 고온의 질소(N2)가스가 사용될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 노즐(51NA)은 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 대해서 법선 방향인 제1 방향(ND1)을 향하여 배치될 수 있다. 제2 노즐(51NB)은 제1 노즐(51NA)의 둘레에 복수개가 배치될 수 있다. 제2 노즐(51NB)은 제1 방향(ND1)과 비스듬한 제2 방향(ND2)으로 배치될 수 있다. 제2 방향(ND2)은 웨이퍼(W)의 바깥 부분인 둘레 영역을 향하도록 하향 경사진 방향일 수 있다. 이를 통해, 제2 노즐(51NB)을 통해 분사되는 고온 가스(HG)는, 제1 노즐(51NA)을 통해 분무되는 약액의 액적(D)과는 다른 분사각을 가지고 분사될 수 있다. 따라서 약액이 분무되어 형성되는 코팅층에 웨이퍼(W)의 둘레방향으로 고온 가스(HG)를 분사하게 되므로, 코팅층에 포함된 휘발성분의 제거가 더욱 신속하게 이루어질 수 있다.
제1 노즐(51NA)의 제1 방향(ND1)은 웨이퍼(W)의 중심에 위치하는 중심축(WC)과 일치하도록 배치될 수 있다. 제2 노즐(51NB)은제1 노즐(51NA)을 중심으로 하는 원주(ARC1) 상에 등간격으로 배치될 수 있다. 일 실시예는 4개의 제2 노즐(51NB)이 배치된 경우를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
도 5는 도 4의 노즐헤드의 변형예로서, 노즐헤드(1051H)에 복수의 제2 노즐(1051NB)이 제1 노즐(1051NA)을 중심으로 한 2개의 원주(ARC2, ARC3) 상에 각각 등간격으로 배치된 예이다. 제2 원주(ARC2) 상에 배치된 제2 노즐(1051NBA)과 제3 원주(ARC3) 상에 배치된 제2 노즐(1051NBB)은 서로 엇갈려 배치될 수 있다.
제2 공급부(60)는 제4 노즐(61) 및 제5 노즐(62)을 포함할 수 있다.
제4 노즐(61)은 제3 유로(F3)를 통해 박리처리액 공급부(300)와 연결되어, 코팅층에 박리처리액을 분사할 수 있다. 박리처리액은 과산화수소수(H2O2), 불화수소(HF) 및 황산(H2SO4) 중 적어도 하나가 초순수(De-Ionized Water)와 혼합된 용액을 사용할 수 있다.
제5 노즐(62)은 제4 유로(F4)를 통해 용해처리액 공급부(400)와 연결되어, 웨이퍼(W)의 표면에 용해처리액을 분사할 수 있다. 용해처리액은 코팅층이 제거된 후에 웨이퍼(W)에 부착될 수 있는 잔유물을 제거하기 위한 것이다. 용해처리액은 IPA(isopropyl alcohol)과 같이 알코올이 포함된 유기용매가 사용될 수 있으며, 30℃ ~ 80℃의 온도로 가열되어 분사될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 지지부(20) 상에는 웨이퍼(W)의 하면(W2)에 고온 가스 및 처리액을 공급하기 위한 제3 공급부(23) 및 제4 공급부(24)가 배치될 수 있다.
제3 공급부(23)는 고온 가스 공급부(200)와 연결되어 웨이퍼(W)의 하면(W2)에 고온 가스를 분사함으로써, 웨이퍼(W)를 가열할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 형성된 코팅층의 건조가 가속될 수 있다. 제3 공급부(23)의 고온 가스는 제1 공급부(50)에서 분사되는 고온 가스와 동시에 분사되어, 웨이퍼(W)의 상면(W1)과 하면(W2)이 동시에 가열되도록 할 수 있다.
제4 공급부(24)는 박리처리액 공급부(300) 및 용해처리액 공급부(400)와 연결되어, 웨이퍼(W)의 하면(W2)에 박리처리액 또는 용해처리액을 공급할 수 있다.
일 실시예는 약액을 분무하여 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 코팅층을 형성하고, 고온 가스를 분사하여 코팅층의 건조를 촉진할 수 있다. 도 6을 참조하여 이에 대해서 설명한다. 도 6(a) 내지 도 6(d)는 제1 노즐에서 분무된 액적이 고화되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 6(a)를 참조하면, 제1 노즐(51NA)에서 분사된 액적(D1)은 분사되는 순간부터 표면(E)에서 유기용매가 휘발될 수 있다. 액적(D1)의 표면(E)에서는 유기용매가 휘발되어 제거되기 시작하나, 중심부(C)에는 다량의 유기용매가 아직 남아 있는 상태이다.
도 6(b)를 참조하면, 제1 노즐(51NA)에서 분사된 후, 챔버(10) 내에서 낙하하는 액적(D2)은 낙하에 의해 표면(E)의 온도가 감소되나 챔버(10) 내의 온도 보다 높으므로, 표면(E)에서는 유기용매의 휘발이 계속하여 이루어질 수 있다. 도 6(a)의 액적(D1)에 비해 중심부(C)의 유기용매가 줄어든 것을 볼 수 있다.
도 6(c)를 참조하면, 웨이퍼(W)에 낙하한 액적(D3)은 웨이퍼(W)의 상면 패턴(WP)에 부착되어 코팅층을 형성할 수 있다. 낙하한 액적(D3)에 고온 가스(HG)가 분사되면, 유기용매의 휘발이 가속되어 표면(E)이 고화될 수 있다. 이 과정에서 액적(D3)은 웨이퍼(W)의 상면 패턴(WP)에 부착되어 있던 파티클(P)을 흡착한 상태로 고화되게 된다. 또한, 낙하한 액적들은 서로 부착되며 고화되어 웨이퍼(W) 상에 코팅층을 견고하게 형성할 수 있다. 이와 같이, 낙하한 액적(D3)에 의해 형성된 코팅층에 고온 가스를 분사하여 액적(D3)을 건조시키므로, 코팅층을 건조하기 위해 지지부를 고속으로 회전하는 과정이 생략될 수 있다. 약액을 분무하여 형성한 코팅층은 파티클(P)을 제거하기에는 충분한 흡착력을 가지나, 약액을 분사하여 형성한 코팅층에 비해 용이하게 제거될 수 있다. 따라서, 상대적으로 적은 양의 박리처리액으로도 코팅층을 웨이퍼(W)의 표면에서 박리할 수 있으므로, 웨이퍼(W) 표면의 반도체 패턴의 손상이나 막질의 침식 없이, 웨이퍼(W)에 부착된 파티클을 제거할 수 있다.
도 6(d)는 고온 가스에 의해 액적(D4)의 표면(E)에서 고화가 진행되어, 액적(D4)의 표면(E)에 파티클(P)이 흡착된 상태로 고화된 것을 보여준다.
이하에서는, 도 7 내지 도 11을 참조하여, 앞서 설명한 기판 처리 장치를 이용한, 본 발명의 기판 세정 방법에 대해 설명한다. 도 7은 본 발명의 일 실시예의 기판 세정 방법을 도시한 흐름도이고, 도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예의 기판 세정 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 기판 세정 방법은 기판 로딩 단계(S100), 약액 분무 단계(S200), 고온가스 분사 단계(S300), 박리처리액 공급 단계(S400), 용해처리액 공급 단계(S500), 린스 처리 단계(S600) 및 건조 처리 단계(S700)를 포함할 수 있다.
먼저, 지지부(20)의 지지핀(22)을 웨이퍼(W)의 둘레로 이동하여, 웨이퍼(W)를 지지부(20)에 로딩한다(S100).
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 지지부(20)를 회전하며 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 약액을 분무하여 코팅층(PL)을 형성할 수 있다(S200).
약액은 지지부(20)의 상부에 배치된 제1 공급부(50)의 제1 노즐헤드(51)에서 액적(D)의 상태로 분무될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 약액은 폴리머가 유기용매에 용해된 용액일 수 있다. 폴리머는 PHS(polyhydroxy styrene) 수지를 포함하는 물질일 수 있으며, 유기용매는 IPA(isopropyl alcohol), 부탄올(butanol) 및 MIBC(methyl isobutyl carbinol) 중 적어도 하나 또는 이들의 혼합액일 수 있다. 이때, 지지부(20)는 약액의 액적(D)이 웨이퍼(W) 상에 고르게 부착되게 하기 위해 1500rpm(revolution per minute) 이하로 회전할 수 있다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 코팅층(PL)에 고온 가스(HG)를 분사하여, 코팅층(PL)에 포함된 유기용매의 휘발을 가속할 수 있다(S300). 일 실시예의 경우, 고온 가스로 고온의 질소(N2)가스가 사용될 수 있다. 고온 가스(HG)는 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 향해 비스듬한 방향으로 분사될 수 있다. 즉, 고온 가스(HG)는 웨이퍼(W)의 외곽 방향을 향해 분사될 수 있다.
이때, 지지부(20)는 고온 가스가 웨이퍼(W) 상에 고르게 분사되게 하기 위해 1500rpm(revolution per minute) 이하로 회전할 수 있다. 이때, 웨이퍼(W)의 하면(W2)에도 제3 공급부(23)의 제3 노즐(23N)을 통해 고온 가스가 분사되어, 웨이퍼(W)를 전체적으로 가열할 수 있다. 웨이퍼(W)가 가열됨에 따라, 코팅층(PL)의 건조가 가속될 수 있다.
고온 가스에 의해 코팅층(PL)의 건조가 가속됨에 따라, 액적(D)은 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 부착되어 있던 파티클을 흡착한 상태로 고화될 수 있다. 이때, 파티클(P)은 액적(D)에 흡착되어, 웨이퍼(W)의 상면(W1)과 접하는 부분을 제외한 부분은 액적(D)에 둘러싸이게 된다. 액적(D)과 파티클(P)이 접하는 면적은, 파티클(P)이 웨이퍼(W)의 상면(W1)과 접하는 면적보다 크므로, 후속 공정에서 웨이퍼(W)의 상면(W1)에서 코팅층(PL)이 분리되면, 파티클(P)도 코팅층(PL)과 함께 제거될 수 있다.
다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 제2 공급부(60)의 제4 노즐(61)을 통해 박리처리액(L1)을 분사하여, 코팅층(PL)을 제거할 수 있다(S400).
박리처리액(L1)은 과산화수소수(H2O2), 불화수소(HF) 및 황산(H2SO4) 중 적어도 하나가 초순수(De-Ionized Water)와 혼합된 용액을 사용할 수 있다. 박리처리액(L1)이 코팅층(PL)에 분사되면, 코팅층(PL)에 균열(CR)이 발생되어 박리처리액(L1)이 친수성인 웨이퍼(W)의 표면과 소수성인 코팅층(PL)의 사이로 스며들 수 있다. 따라서, 코팅층(PL)은 박리처리액(L1)에 의해 부유되어 웨이퍼(W)의 상면(W1)에서 박리될 수 있다. 이때, 지지부(20)가 회전하여, 웨이퍼(W)의 상면(W1)에서 박리된 코팅층(PL)을 지지부(20)의 바깥쪽으로 분리되어 배출되게 할 수 있다. 따라서, 코팅층(PL)은 파티클과 함께 웨이퍼(W)에서 박리되며, 웨이퍼(W)가 세정되게 된다.
웨이퍼(W)의 하면(W2)에도 제4 공급부(24)를 통해 동일하게 박리처리액(L1)이 분사되어, 웨이퍼(W)의 하면(W2)도 세정할 수 있다.
다음으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 제2 공급부(60)의 제5 노즐(62)을 통해 용해처리액(L2)을 분사하여, 웨이퍼(W)의 상면(W1)에 잔존할 수 있는 코팅층(PL)의 잔유물을 제거할 수 있다(S500). 용해처리액(L2)은 IPA(isopropyl alcohol)과 같이 알코올이 포함된 유기용매가 사용될 수 있으며, 30℃ ~ 80℃의 온도로 가열되어 분사될 수 있다. 이때, 웨이퍼(W)의 하면(W2)에도 제4 공급부(24)를 통해 동일하게 용해처리액(L2)이 분사되어, 웨이퍼(W)의 하면(W2)에 부착될 수 있는 코팅층(PL)의 잔유물을 제거할 수 있다.
다음으로, 웨이퍼(W)의 상면에 알칼리 또는 산성의 약액을 초순수에 희색하여 분사하는 린스 처리가 수행될 수 있다(S600).
다음으로, 웨이퍼(W)의 건조 처리가 수행될 수 있다(S700). 이러한 건조 처리에서는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 소정 시간 증가시킴으로써, 린스 처리 과정에서 웨이퍼(W)의 상면에 잔존하는 초순수가 탈수되어, 웨이퍼(W)가 건조될 수 있다. 이후, 웨이퍼(W)의 회전이 정지하며 웨이퍼(W)의 세정이 완료될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
1: 기판 세정 장치 10: 챔버
20: 지지부 21: 바닥부
22: 지지핀 23: 제3 공급부
24: 제4 공급부 30: 챔버 보울
40: 기류생성부 50: 제1 공급부
60: 제2 공급부 100: 약액 공급부
200: 고온가스 공급부 300: 박리처리액 공급부
400: 용해처리액 공급부

Claims (10)

  1. 폴리머 및 휘발성의 유기용매를 포함하는 약액을 기판의 제1 면에 제1 방향으로 분무(spraying)하여 코팅층을 형성하고, 상기 코팅층에 상기 제1 방향에 비스듬한 제2 방향으로 고온 가스(hot gas)를 분사하여 상기 코팅층에 포함된 상기 유기용매를 휘발시키는 제1 공급부;
    상기 코팅층에 박리처리액을 분사하여 상기 코팅층을 상기 기판에서 박리하는 제2 공급부; 및
    상기 기판의 하부에 배치되어 상기 기판의 제2 면에 상기 고온 가스를 분사하여 상기 기판을 가열하는 제3 공급부;를 포함하는 기판 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공급부는,
    상기 약액이 공급되는 제1 유로;
    상기 제1 유로의 단부에 상기 제1 방향을 향하여 배치되고, 상기 약액이 분무되는 제1 노즐;
    상기 고온 가스가 공급되는 제2 유로; 및
    상기 제2 유로의 단부에 상기 제2 방향을 향하여 배치되고, 상기 고온 가스가 분사되는 제2 노즐;을 포함하는 기판 세정 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 방향은 상기 기판의 제1 면에 대하여 법선 방향이며,
    상기 제2 방향은 상기 법선 방향에 대해 상기 기판의 둘레 영역을 향하여 비스듬한 방향인 기판 세정 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 공급부는 상기 제1 노즐을 상기 기판의 중앙 영역과 둘레 영역을 따라 왕복운동 가능하게 하는 구동부를 더 포함하는 기판 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고온 가스는 가열된 N2가스 인 기판 세정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판이 로딩되는 지지부를 더 포함하며,
    상기 지지부는,
    상기 기판의 하부에 배치되는 바닥부; 및
    상기 기판의 둘레 영역을 잡아 지지하는 지지핀;을 포함하는 기판 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 공급부는, 상기 바닥부에 상기 기판의 상기 제2 면을 향해 배치된 기판 세정 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 바닥부에 배치되어 상기 기판의 하면에 상기 박리처리액을 분사하는 제4 공급부;를 더 포함하는 기판 세정 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 기판의 중심을 기준으로 회전 운동하는 기판 세정 장치.
  10. 폴리머 및 휘발성의 유기용매를 포함하는 약액을 기판의 제1 면에 대하여 법선 방향인 제1 방향으로 분무(spraying)하여 상기 제1 면에 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 코팅층에 상기 제1 방향에 비스듬한 제2 방향으로 고온 가스(hot gas)를 분사하여 상기 코팅층에 포함된 상기 유기용매를 휘발시키는 단계; 및
    상기 코팅층에 박리처리액을 분사하여, 상기 기판에서 상기 코팅층을 박리하여 제거하는 단계;를 포함하는 기판 세정 방법.

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