JP2003229421A - Ｓｏｇ塗布装置及びｓｏｇ塗布方法 - Google Patents
Ｓｏｇ塗布装置及びｓｏｇ塗布方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】正規のＳＯＧ塗布領域への侵食被害を防ぎ、効
率的にウェハエッジ周辺におけるＳＯＧ膜を除去するＳ
ＯＧ塗布装置及びＳＯＧ塗布方法を提供する。 【解決手段】支持台１１は、ウェハＷａｆをチャックし
駆動制御部１２により回転制御される。ウェハＷａｆ裏
面側下方のドレーンカップ１３底部にＳＯＧ除去用の薬
液供給ノズル１５が配設されている。ノズル１５からウ
ェハＷａｆ裏面部分に射出するようになっている。薬液
の飛沫がウェハエッジ以外の主表面部分に付着しやすい
ウェハ主表面側上方からの薬液供給をなくする。薬液供
給ノズル１５からの薬液は、駆動制御部１２によるウェ
ハの回転制御でＳＯＧ除去の必要な領域へ行き渡らせる
ようにする。
率的にウェハエッジ周辺におけるＳＯＧ膜を除去するＳ
ＯＧ塗布装置及びＳＯＧ塗布方法を提供する。 【解決手段】支持台１１は、ウェハＷａｆをチャックし
駆動制御部１２により回転制御される。ウェハＷａｆ裏
面側下方のドレーンカップ１３底部にＳＯＧ除去用の薬
液供給ノズル１５が配設されている。ノズル１５からウ
ェハＷａｆ裏面部分に射出するようになっている。薬液
の飛沫がウェハエッジ以外の主表面部分に付着しやすい
ウェハ主表面側上方からの薬液供給をなくする。薬液供
給ノズル１５からの薬液は、駆動制御部１２によるウェ
ハの回転制御でＳＯＧ除去の必要な領域へ行き渡らせる
ようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に半導体ウェハ表面にＳＯＧ（Spin OnGlass）
膜を形成するＳＯＧ塗布装置及びＳＯＧ塗布方法に関す
る。
係り、特に半導体ウェハ表面にＳＯＧ（Spin OnGlass）
膜を形成するＳＯＧ塗布装置及びＳＯＧ塗布方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程（ウェハ工程）の一つに
ＳＯＧ（Spin On Glass）塗布工程がある。ＳＯＧ膜
は、平坦性を向上させる酸化膜として広く用いられてい
る。一般に、ＳＯＧ塗布工程に用いられるＳＯＧ塗布装
置は、スピンコート方式である。すなわち、固定された
ウェハの中央部にＳＯＧ液を滴下した後、そのウェハを
所定の回転数で回転させ、ＳＯＧ液を振り切る。これに
より、ウェハ主表面に所望の膜厚を有するＳＯＧ膜を得
る。その後、ベークすることで、所望の絶縁膜となる。
ＳＯＧ（Spin On Glass）塗布工程がある。ＳＯＧ膜
は、平坦性を向上させる酸化膜として広く用いられてい
る。一般に、ＳＯＧ塗布工程に用いられるＳＯＧ塗布装
置は、スピンコート方式である。すなわち、固定された
ウェハの中央部にＳＯＧ液を滴下した後、そのウェハを
所定の回転数で回転させ、ＳＯＧ液を振り切る。これに
より、ウェハ主表面に所望の膜厚を有するＳＯＧ膜を得
る。その後、ベークすることで、所望の絶縁膜となる。
【０００３】上記スピンコート方式によれば、ウェハエ
ッジ周辺にもＳＯＧ膜は形成されるのでその部分は除去
する必要がある。ＳＯＧ塗布後のあらゆる工程での搬送
や保持に関しウェハエッジ周辺への接触を伴うことが多
く、ＳＯＧ膜の剥離、すなわちパーティクル汚染が懸念
されるからである。
ッジ周辺にもＳＯＧ膜は形成されるのでその部分は除去
する必要がある。ＳＯＧ塗布後のあらゆる工程での搬送
や保持に関しウェハエッジ周辺への接触を伴うことが多
く、ＳＯＧ膜の剥離、すなわちパーティクル汚染が懸念
されるからである。
【０００４】また、振り切られたＳＯＧ液の一部がウェ
ハ端面を回り込んで裏面周縁に付着したままになること
がある。ウェハ裏面に回り込んだＳＯＧ液は、放置して
おけばパーティクル汚染を招く。従って、ウェハ裏面の
不要なＳＯＧ膜も除去する必要がある。
ハ端面を回り込んで裏面周縁に付着したままになること
がある。ウェハ裏面に回り込んだＳＯＧ液は、放置して
おけばパーティクル汚染を招く。従って、ウェハ裏面の
不要なＳＯＧ膜も除去する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】スピンコート方式によ
る従来のＳＯＧ塗布装置では、このような、ＳＯＧ塗布
時のウェハエッジ周辺及び裏面に回り込んだＳＯＧを除
去するため、次のような構成をとっている。
る従来のＳＯＧ塗布装置では、このような、ＳＯＧ塗布
時のウェハエッジ周辺及び裏面に回り込んだＳＯＧを除
去するため、次のような構成をとっている。
【０００６】ウェハ主表面側上方からウェハエッジ周辺
に沿うようにＳＯＧ除去用の薬液が供給されると共に、
ウェハ裏面側下方から裏面エッジ周辺にＳＯＧ除去用の
薬液が供給される。すなわち、少なくとも２種類の方向
からＳＯＧ除去用の薬液が供給されるようになってお
り、ウェハは回転しながらウェハ主表面エッジ周辺及び
裏面に回り込んだＳＯＧ膜が除去されるようになってい
る。
に沿うようにＳＯＧ除去用の薬液が供給されると共に、
ウェハ裏面側下方から裏面エッジ周辺にＳＯＧ除去用の
薬液が供給される。すなわち、少なくとも２種類の方向
からＳＯＧ除去用の薬液が供給されるようになってお
り、ウェハは回転しながらウェハ主表面エッジ周辺及び
裏面に回り込んだＳＯＧ膜が除去されるようになってい
る。
【０００７】上記構成によれば、ウェハ主表面側上方か
らウェハエッジ周辺への薬液供給時に、薬液の飛沫がウ
ェハエッジ以外の主表面部分に付着しやすい。この結
果、正規のＳＯＧ塗布領域に侵食被害が及ぶ。
らウェハエッジ周辺への薬液供給時に、薬液の飛沫がウ
ェハエッジ以外の主表面部分に付着しやすい。この結
果、正規のＳＯＧ塗布領域に侵食被害が及ぶ。
【０００８】また、オリエンテーションフラット（オリ
フラ）のあるウェハは、オリフラ部分におけるエッジ領
域に形成されるＳＯＧ膜の除去が困難である。例えばウ
ェハ回転を停止し、オリフラ部分のエッジ領域に沿うよ
うに薬液を供給するなど変則的に行わざるを得ない。
フラ）のあるウェハは、オリフラ部分におけるエッジ領
域に形成されるＳＯＧ膜の除去が困難である。例えばウ
ェハ回転を停止し、オリフラ部分のエッジ領域に沿うよ
うに薬液を供給するなど変則的に行わざるを得ない。
【０００９】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、正規のＳＯＧ塗布領域に侵食被害が及ぶこ
となく、効率的にウェハエッジ周辺におけるＳＯＧ膜の
除去を達成するＳＯＧ塗布装置及びＳＯＧ塗布方法を提
供しようとするものである。
れたもので、正規のＳＯＧ塗布領域に侵食被害が及ぶこ
となく、効率的にウェハエッジ周辺におけるＳＯＧ膜の
除去を達成するＳＯＧ塗布装置及びＳＯＧ塗布方法を提
供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の［請求項１］に
係るＳＯＧ塗布装置は、半導体ウェハが載置され回転可
能な支持台と、前記支持台を所定の回転数で回転させる
駆動制御部と、前記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下する
ＳＯＧ液供給部と、前記ウェハ裏面側にのみ設けられ前
記駆動制御部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面側
下方からウェハ裏面部分にＳＯＧ除去のための薬液を供
給する薬液供給部と、を具備したことを特徴とする。
係るＳＯＧ塗布装置は、半導体ウェハが載置され回転可
能な支持台と、前記支持台を所定の回転数で回転させる
駆動制御部と、前記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下する
ＳＯＧ液供給部と、前記ウェハ裏面側にのみ設けられ前
記駆動制御部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面側
下方からウェハ裏面部分にＳＯＧ除去のための薬液を供
給する薬液供給部と、を具備したことを特徴とする。
【００１１】上記本発明に係るＳＯＧ塗布装置によれ
ば、薬液供給部は、ウェハ裏面側下方からウェハ裏面部
分に薬液を供給するのみとし、薬液の飛沫がウェハエッ
ジ以外の主表面部分に付着しやすいウェハ主表面側上方
からの薬液供給をなくする。薬液供給部からの薬液は、
駆動制御部によるウェハの回転制御でＳＯＧ除去の必要
な領域へ行き渡らせるようにする。
ば、薬液供給部は、ウェハ裏面側下方からウェハ裏面部
分に薬液を供給するのみとし、薬液の飛沫がウェハエッ
ジ以外の主表面部分に付着しやすいウェハ主表面側上方
からの薬液供給をなくする。薬液供給部からの薬液は、
駆動制御部によるウェハの回転制御でＳＯＧ除去の必要
な領域へ行き渡らせるようにする。
【００１２】本発明の［請求項２］に係るより好ましい
実施態様としてのＳＯＧ塗布装置は、半導体ウェハが載
置され回転可能な支持台と、前記支持台を所定の回転数
で回転させる駆動制御部と、前記ウェハ主表面にＳＯＧ
液を滴下するＳＯＧ液供給部と、前記駆動制御部による
ウェハの回転時に前記ウェハ裏面側下方からウェハ裏面
部分にＳＯＧ除去のための薬液を供給する薬液供給部
と、を具備し、前記駆動制御部は前記ウェハの回転制御
によって前記薬液供給部からの薬液を少なくとも前記ウ
ェハ裏面エッジ周辺から端面を介してウェハ表面エッジ
周辺に回り込ませることを特徴とする。
実施態様としてのＳＯＧ塗布装置は、半導体ウェハが載
置され回転可能な支持台と、前記支持台を所定の回転数
で回転させる駆動制御部と、前記ウェハ主表面にＳＯＧ
液を滴下するＳＯＧ液供給部と、前記駆動制御部による
ウェハの回転時に前記ウェハ裏面側下方からウェハ裏面
部分にＳＯＧ除去のための薬液を供給する薬液供給部
と、を具備し、前記駆動制御部は前記ウェハの回転制御
によって前記薬液供給部からの薬液を少なくとも前記ウ
ェハ裏面エッジ周辺から端面を介してウェハ表面エッジ
周辺に回り込ませることを特徴とする。
【００１３】上記本発明に係るＳＯＧ塗布装置によれ
ば、ＳＯＧ除去のための薬液がウェハ裏面側から供給さ
れ、駆動制御部によるウェハの回転制御でウェハ表面エ
ッジ周辺に回り込ませる。これにより、ウェハエッジ以
外の主表面部分に薬液を飛ばさない。
ば、ＳＯＧ除去のための薬液がウェハ裏面側から供給さ
れ、駆動制御部によるウェハの回転制御でウェハ表面エ
ッジ周辺に回り込ませる。これにより、ウェハエッジ以
外の主表面部分に薬液を飛ばさない。
【００１４】さらに、［請求項１］または［請求項２］
の発明に係る［請求項３］として、前記駆動制御部は少
なくともＳＯＧ塗布期間、薬液供給部による薬液供給期
間及び薬液の振り切り期間に分けて前記支持台の所定の
回転数を可変することを特徴とする。これにより、薬液
の供給制御性を高める。
の発明に係る［請求項３］として、前記駆動制御部は少
なくともＳＯＧ塗布期間、薬液供給部による薬液供給期
間及び薬液の振り切り期間に分けて前記支持台の所定の
回転数を可変することを特徴とする。これにより、薬液
の供給制御性を高める。
【００１５】本発明の［請求項４］に係るＳＯＧ塗布方
法は、半導体ウェハが載置され回転可能な支持台と、前
記支持台を所定の回転数で回転させる駆動制御部と、前
記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部
と、前記駆動制御部によるウェハの回転時に前記ウェハ
裏面側下方からウェハ裏面部分にＳＯＧ除去のための薬
液を供給する薬液供給部とを含み、前記ＳＯＧ液供給部
からＳＯＧ液が前記ウェハ主表面に滴下され前記駆動制
御部による第１の回転数で制御されるＳＯＧ塗布工程
と、前記薬液供給部からＳＯＧ除去のための薬液がウェ
ハ裏面部分に供給され前記駆動制御部によって前記第１
の回転数より低回転の第２の回転数で制御され、薬液を
少なくとも前記ウェハ裏面エッジ周辺から端面を介して
ウェハ表面エッジ周辺に回り込ませるＳＯＧ除去工程
と、前記薬液供給部からの薬液供給を止め、前記駆動制
御部によって前記第１の回転数より高回転の第３の回転
数で制御され薬液を振り切る薬液除去工程と、を具備し
たことを特徴とする。
法は、半導体ウェハが載置され回転可能な支持台と、前
記支持台を所定の回転数で回転させる駆動制御部と、前
記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部
と、前記駆動制御部によるウェハの回転時に前記ウェハ
裏面側下方からウェハ裏面部分にＳＯＧ除去のための薬
液を供給する薬液供給部とを含み、前記ＳＯＧ液供給部
からＳＯＧ液が前記ウェハ主表面に滴下され前記駆動制
御部による第１の回転数で制御されるＳＯＧ塗布工程
と、前記薬液供給部からＳＯＧ除去のための薬液がウェ
ハ裏面部分に供給され前記駆動制御部によって前記第１
の回転数より低回転の第２の回転数で制御され、薬液を
少なくとも前記ウェハ裏面エッジ周辺から端面を介して
ウェハ表面エッジ周辺に回り込ませるＳＯＧ除去工程
と、前記薬液供給部からの薬液供給を止め、前記駆動制
御部によって前記第１の回転数より高回転の第３の回転
数で制御され薬液を振り切る薬液除去工程と、を具備し
たことを特徴とする。
【００１６】上記本発明に係るＳＯＧ塗布方法によれ
ば、駆動制御部はＳＯＧ塗布工程、ＳＯＧ除去工程及び
薬液除去工程それぞれに適したウェハの回転数を与え
る。特に薬液供給部からの薬液は、駆動制御部における
第２、第３の回転数制御によって薬液が必要な領域に必
要なだけの量与えられるよう制御される。これにより、
薬液の供給制御性を高める。
ば、駆動制御部はＳＯＧ塗布工程、ＳＯＧ除去工程及び
薬液除去工程それぞれに適したウェハの回転数を与え
る。特に薬液供給部からの薬液は、駆動制御部における
第２、第３の回転数制御によって薬液が必要な領域に必
要なだけの量与えられるよう制御される。これにより、
薬液の供給制御性を高める。
【００１７】さらに、［請求項４］の発明に係る［請求
項５］として、前記ＳＯＧ塗布工程の後、前記ＳＯＧ除
去工程及び前記薬液除去工程が複数回繰返されることを
特徴とする。これにより、薬液が必要な領域に必要なだ
けの量与えられるようその供給制御性をより高める。
項５］として、前記ＳＯＧ塗布工程の後、前記ＳＯＧ除
去工程及び前記薬液除去工程が複数回繰返されることを
特徴とする。これにより、薬液が必要な領域に必要なだ
けの量与えられるようその供給制御性をより高める。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
るＳＯＧ塗布装置の要部構成を示す概観図である。スピ
ンコート方式のＳＯＧ（Spin On Glass）塗布装置であ
る。図示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷａｆ
の支持台１１が配備されている。支持台１１は、ウェハ
Ｗａｆを真空チャックして駆動制御部１２で回転可能で
ある。駆動制御部１２は、支持台１１を所定の回転数で
回転させる。支持台１１のウェハチャック部分及びウェ
ハＷａｆの外周に沿うように金属製のドレーンカップ１
３が配設されている。
るＳＯＧ塗布装置の要部構成を示す概観図である。スピ
ンコート方式のＳＯＧ（Spin On Glass）塗布装置であ
る。図示しない処理チャンバ内部に半導体ウェハＷａｆ
の支持台１１が配備されている。支持台１１は、ウェハ
Ｗａｆを真空チャックして駆動制御部１２で回転可能で
ある。駆動制御部１２は、支持台１１を所定の回転数で
回転させる。支持台１１のウェハチャック部分及びウェ
ハＷａｆの外周に沿うように金属製のドレーンカップ１
３が配設されている。
【００１９】支持台１１の上方には、ウェハＷａｆ主表
面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部１４が設けられ
ている。ＳＯＧ液供給部１４は、駆動制御部１２による
支持台１１の所定の回転制御中、ＳＯＧ液を所定量滴下
し、ウェハＷａｆ主表面に所定範囲の厚さのＳＯＧ膜を
形成する。
面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部１４が設けられ
ている。ＳＯＧ液供給部１４は、駆動制御部１２による
支持台１１の所定の回転制御中、ＳＯＧ液を所定量滴下
し、ウェハＷａｆ主表面に所定範囲の厚さのＳＯＧ膜を
形成する。
【００２０】支持台１１の下方、すなわちウェハＷａｆ
裏面側下方のドレーンカップ１３底部にＳＯＧ除去用の
薬液供給ノズル１５が配設されている。薬液は例えばＳ
ＯＧ溶剤に適したシンナー系とし、ノズル１５からウェ
ハＷａｆ裏面部分に射出するようになっている。
裏面側下方のドレーンカップ１３底部にＳＯＧ除去用の
薬液供給ノズル１５が配設されている。薬液は例えばＳ
ＯＧ溶剤に適したシンナー系とし、ノズル１５からウェ
ハＷａｆ裏面部分に射出するようになっている。
【００２１】上記実施形態の構成によれば、薬液供給部
は、薬液供給ノズル１５に示すようにウェハ裏面側下方
からウェハ裏面部分に薬液を供給するのみとする。すな
わち、従来問題になっていた薬液の飛沫がウェハエッジ
以外の主表面部分に付着しやすいウェハ主表面側上方か
らの薬液供給をなくする。薬液供給ノズル１５からの薬
液は、駆動制御部１２によるウェハの回転制御でＳＯＧ
除去の必要な領域へ行き渡らせるようにする。
は、薬液供給ノズル１５に示すようにウェハ裏面側下方
からウェハ裏面部分に薬液を供給するのみとする。すな
わち、従来問題になっていた薬液の飛沫がウェハエッジ
以外の主表面部分に付着しやすいウェハ主表面側上方か
らの薬液供給をなくする。薬液供給ノズル１５からの薬
液は、駆動制御部１２によるウェハの回転制御でＳＯＧ
除去の必要な領域へ行き渡らせるようにする。
【００２２】図２は図１の要部の拡大図であり、ウェハ
エッジ周辺領域への薬液供給に関する。ＳＯＧ塗布後に
おいて、駆動制御部１２はウェハＷａｆに対し低速回
転、例えば８００ｒｐｍ程度またはそれ以下の回転数を
与え、薬液供給ノズル１５からの薬液を少なくともウェ
ハ裏面エッジ周辺から端面を介してウェハ表面エッジ周
辺に回り込ませる。
エッジ周辺領域への薬液供給に関する。ＳＯＧ塗布後に
おいて、駆動制御部１２はウェハＷａｆに対し低速回
転、例えば８００ｒｐｍ程度またはそれ以下の回転数を
与え、薬液供給ノズル１５からの薬液を少なくともウェ
ハ裏面エッジ周辺から端面を介してウェハ表面エッジ周
辺に回り込ませる。
【００２３】つまり、ウェハＷａｆの端面では、ウェハ
裏面から供給される薬液の影響でウェハ表面エッジ周辺
から端面にかけてＳＯＧ成分が溶け出して移動する。こ
れにより、ウェハエッジ以外の主表面部分に薬液を飛ば
さずに、ウェハＷａｆ主表面のエッジ周辺から端面、か
つ裏面のＳＯＧは除去される。
裏面から供給される薬液の影響でウェハ表面エッジ周辺
から端面にかけてＳＯＧ成分が溶け出して移動する。こ
れにより、ウェハエッジ以外の主表面部分に薬液を飛ば
さずに、ウェハＷａｆ主表面のエッジ周辺から端面、か
つ裏面のＳＯＧは除去される。
【００２４】このように、薬液をウェハＷａｆ裏面エッ
ジ周辺から端面を介してウェハ表面エッジ周辺に回り込
ませる形態であれば、ウェハＷａｆがオリフラを有する
ものでも、変則的な薬液供給制御は必要ない。上記ウェ
ハＷａｆ主表面のエッジ周辺（所定範囲内のエッジ周
辺）から端面、かつ裏面のＳＯＧは除去される。
ジ周辺から端面を介してウェハ表面エッジ周辺に回り込
ませる形態であれば、ウェハＷａｆがオリフラを有する
ものでも、変則的な薬液供給制御は必要ない。上記ウェ
ハＷａｆ主表面のエッジ周辺（所定範囲内のエッジ周
辺）から端面、かつ裏面のＳＯＧは除去される。
【００２５】図３は、図１のＳＯＧ塗布装置を用いたＳ
ＯＧ塗布方法の一例を示す特性図である。縦軸は駆動制
御部１２によるウェハＷａｆの回転数、横軸は連続する
各工程の時間の推移をとっている。図１及び図２を参照
しつつＳＯＧ塗布方法を説明する。
ＯＧ塗布方法の一例を示す特性図である。縦軸は駆動制
御部１２によるウェハＷａｆの回転数、横軸は連続する
各工程の時間の推移をとっている。図１及び図２を参照
しつつＳＯＧ塗布方法を説明する。
【００２６】期間３１は、ＳＯＧ塗布期間である。下地
材料によって異なるが、ウェハの回転数は１０００〜４
０００ｒｐｍ、時間は約１秒とした。これにより、ＳＯ
Ｇ液供給部１４から適量のＳＯＧ液が滴下されウェハＷ
ａｆの主表面に所定範囲の厚さのＳＯＧ膜が形成され
る。この期間はＳＯＧ塗布工程に相当する。
材料によって異なるが、ウェハの回転数は１０００〜４
０００ｒｐｍ、時間は約１秒とした。これにより、ＳＯ
Ｇ液供給部１４から適量のＳＯＧ液が滴下されウェハＷ
ａｆの主表面に所定範囲の厚さのＳＯＧ膜が形成され
る。この期間はＳＯＧ塗布工程に相当する。
【００２７】続く期間３２は、薬液供給期間である。ウ
ェハは低速回転であり、その回転数は例えば８００ｒｐ
ｍ程度（またはそれ以下）、時間は約１０秒とした。薬
液供給ノズル１５からの薬液を少なくともウェハ裏面エ
ッジ周辺から端面を介してウェハ表面エッジ周辺に回り
込ませる。これにより、前記図２に示すように薬液の影
響でウェハ表面エッジ周辺から端面にかけてのＳＯＧ成
分が溶け出して除去されていく。ＳＯＧ除去のため、使
用される薬液は例えばＰＧＭＴ（プロピレングリコール
モノメチルエーテル）を含むことが望ましい。この期間
はＳＯＧ除去工程に相当する。
ェハは低速回転であり、その回転数は例えば８００ｒｐ
ｍ程度（またはそれ以下）、時間は約１０秒とした。薬
液供給ノズル１５からの薬液を少なくともウェハ裏面エ
ッジ周辺から端面を介してウェハ表面エッジ周辺に回り
込ませる。これにより、前記図２に示すように薬液の影
響でウェハ表面エッジ周辺から端面にかけてのＳＯＧ成
分が溶け出して除去されていく。ＳＯＧ除去のため、使
用される薬液は例えばＰＧＭＴ（プロピレングリコール
モノメチルエーテル）を含むことが望ましい。この期間
はＳＯＧ除去工程に相当する。
【００２８】続く期間３３は、薬液振り切り期間であ
る。薬液供給は停止され、ウェハは高速回転となる。そ
の回転数は例えば５０００ｒｐｍ程度、時間は３〜５秒
とした。溶け出したＳＯＧ成分と共に薬液はドレーンカ
ップ１３に飛ばされる。これにより、ウェハエッジ周辺
に溜まった薬液による不要な侵食を抑える。この期間は
薬液除去工程に相当する。
る。薬液供給は停止され、ウェハは高速回転となる。そ
の回転数は例えば５０００ｒｐｍ程度、時間は３〜５秒
とした。溶け出したＳＯＧ成分と共に薬液はドレーンカ
ップ１３に飛ばされる。これにより、ウェハエッジ周辺
に溜まった薬液による不要な侵食を抑える。この期間は
薬液除去工程に相当する。
【００２９】上記ＳＯＧ除去工程及び薬液除去工程に関
しては、複数回繰返されることがより好ましい。もちろ
ん、図３に示したとおりの回数（３回）でなくてもよい
し、それぞれの期間に要する時間は一律同じである必要
はない。これにより、薬液が必要な領域に必要なだけの
量与えられるようその供給制御性がより高められる。
しては、複数回繰返されることがより好ましい。もちろ
ん、図３に示したとおりの回数（３回）でなくてもよい
し、それぞれの期間に要する時間は一律同じである必要
はない。これにより、薬液が必要な領域に必要なだけの
量与えられるようその供給制御性がより高められる。
【００３０】上記実施形態の方法によれば、駆動制御部
１２は、ＳＯＧ塗布工程、ＳＯＧ除去工程及び薬液除去
工程それぞれに適したウェハの回転数を与える。これに
より、特にＳＯＧ除去のための薬液が必要な領域に必要
なだけの量与えられるよう制御される。ウェハＷａｆが
オリフラを有するものでも、変則的な薬液供給制御は必
要ない。これにより、薬液の供給制御性が高められ、ウ
ェハ裏面はもとより効率的にウェハエッジ周辺における
ＳＯＧ膜が除去を達成することができる。
１２は、ＳＯＧ塗布工程、ＳＯＧ除去工程及び薬液除去
工程それぞれに適したウェハの回転数を与える。これに
より、特にＳＯＧ除去のための薬液が必要な領域に必要
なだけの量与えられるよう制御される。ウェハＷａｆが
オリフラを有するものでも、変則的な薬液供給制御は必
要ない。これにより、薬液の供給制御性が高められ、ウ
ェハ裏面はもとより効率的にウェハエッジ周辺における
ＳＯＧ膜が除去を達成することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、不
要な飛沫が懸念されるウェハ主表面側上方からの薬液供
給をなくし、薬液供給部はウェハ裏面側下方からウェハ
裏面部分に薬液を供給するのみとする。薬液は、駆動制
御部によるウェハの回転制御によって、ＳＯＧ除去の必
要な領域、つまりウェハ裏面エッジ周辺から端面を介し
てウェハ表面エッジ周辺にへ行き渡らせるようにする。
この結果、正規のＳＯＧ塗布領域に侵食被害が及ぶこと
なく、効率的にウェハエッジ周辺におけるＳＯＧ膜の除
去を達成するＳＯＧ塗布装置及びＳＯＧ塗布方法を提供
することができる。
要な飛沫が懸念されるウェハ主表面側上方からの薬液供
給をなくし、薬液供給部はウェハ裏面側下方からウェハ
裏面部分に薬液を供給するのみとする。薬液は、駆動制
御部によるウェハの回転制御によって、ＳＯＧ除去の必
要な領域、つまりウェハ裏面エッジ周辺から端面を介し
てウェハ表面エッジ周辺にへ行き渡らせるようにする。
この結果、正規のＳＯＧ塗布領域に侵食被害が及ぶこと
なく、効率的にウェハエッジ周辺におけるＳＯＧ膜の除
去を達成するＳＯＧ塗布装置及びＳＯＧ塗布方法を提供
することができる。
【図１】 本発明の一実施形態に係るＳＯＧ塗布装置の
要部構成を示す概観図である。
要部構成を示す概観図である。
【図２】 図１の要部の拡大図である。
【図３】 図１のＳＯＧ塗布装置を用いたＳＯＧ塗布方
法の一例を示す特性図である。
法の一例を示す特性図である。
１１…支持台
１２…駆動制御部
１３…ドレーンカップ
１４…ＳＯＧ液供給部
１５…薬液供給ノズル
３１…ＳＯＧ塗布期間（ＳＯＧ塗布工程）
３２…薬液供給期間（ＳＯＧ除去工程）
３３…薬液の振り切り期間（薬液除去工程）
Ｗａｆ…ウェハ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェハが載置され回転可能な支持
台と、 前記支持台を所定の回転数で回転させる駆動制御部と、 前記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部
と、 前記ウェハ裏面側にのみ設けられ前記駆動制御部による
ウェハの回転時に前記ウェハ裏面側下方からウェハ裏面
部分にＳＯＧ除去のための薬液を供給する薬液供給部
と、を具備したことを特徴とするＳＯＧ塗布装置。 - 【請求項２】 半導体ウェハが載置され回転可能な支持
台と、 前記支持台を所定の回転数で回転させる駆動制御部と、 前記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部
と、 前記駆動制御部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面
側下方からウェハ裏面部分にＳＯＧ除去のための薬液を
供給する薬液供給部と、を具備し、 前記駆動制御部は前記ウェハの回転制御によって前記薬
液供給部からの薬液を少なくとも前記ウェハ裏面エッジ
周辺から端面を介してウェハ表面エッジ周辺に回り込ま
せることを特徴とするＳＯＧ塗布装置。 - 【請求項３】 前記駆動制御部は少なくともＳＯＧ塗布
期間、薬液供給部による薬液供給期間及び薬液の振り切
り期間に分けて前記支持台の所定の回転数を可変するこ
とを特徴とする請求項１または２記載のＳＯＧ塗布装
置。 - 【請求項４】 半導体ウェハが載置され回転可能な支持
台と、 前記支持台を所定の回転数で回転させる駆動制御部と、 前記ウェハ主表面にＳＯＧ液を滴下するＳＯＧ液供給部
と、 前記駆動制御部によるウェハの回転時に前記ウェハ裏面
側下方からウェハ裏面部分にＳＯＧ除去のための薬液を
供給する薬液供給部とを含み、 前記ＳＯＧ液供給部からＳＯＧ液が前記ウェハ主表面に
滴下され前記駆動制御部による第１の回転数で制御され
るＳＯＧ塗布工程と、 前記薬液供給部からＳＯＧ除去のための薬液がウェハ裏
面部分に供給され前記駆動制御部によって前記第１の回
転数より低回転の第２の回転数で制御され、薬液を少な
くとも前記ウェハ裏面エッジ周辺から端面を介してウェ
ハ表面エッジ周辺に回り込ませるＳＯＧ除去工程と、 前記薬液供給部からの薬液供給を止め、前記駆動制御部
によって前記第１の回転数より高回転の第３の回転数で
制御され薬液を振り切る薬液除去工程と、を具備したこ
とを特徴とするＳＯＧ塗布方法。 - 【請求項５】 前記ＳＯＧ塗布工程の後、前記ＳＯＧ除
去工程及び前記薬液除去工程が複数回繰返されることを
特徴とする請求項４記載のＳＯＧ塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002024340A JP2003229421A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | Ｓｏｇ塗布装置及びｓｏｇ塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002024340A JP2003229421A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | Ｓｏｇ塗布装置及びｓｏｇ塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229421A true JP2003229421A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27746820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002024340A Withdrawn JP2003229421A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | Ｓｏｇ塗布装置及びｓｏｇ塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003229421A (ja) |
-
2002
- 2002-01-31 JP JP2002024340A patent/JP2003229421A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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