JPS60229339A - 湿式洗浄装置 - Google Patents
湿式洗浄装置Info
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- JPS60229339A JPS60229339A JP59084994A JP8499484A JPS60229339A JP S60229339 A JPS60229339 A JP S60229339A JP 59084994 A JP59084994 A JP 59084994A JP 8499484 A JP8499484 A JP 8499484A JP S60229339 A JPS60229339 A JP S60229339A
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- washing
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は湿式洗浄装置に係り、特に連続的に洗浄液が供
給されて被洗浄物を洗浄する洗浄槽を備えた湿式洗浄装
置に関する。
給されて被洗浄物を洗浄する洗浄槽を備えた湿式洗浄装
置に関する。
従来より、高度の清浄度が要求されるシリコンウェハ、
半導体用のフォトマスク等の洗浄には、スプレー洗浄、
ブラシ洗浄３．Ｊ請洗浄等か用いられている。このうち
、スプレー洗浄ｌｊｌはｌ先浄ムソか生し易（、また、
プラン洗浄は破？５１： ’ｔ’ｆｒ物に錫か（−１き
易い等の理由から、積極的には用いりれ４“、１−とじ
て浸漬洗浄が用いられている。
半導体用のフォトマスク等の洗浄には、スプレー洗浄、
ブラシ洗浄３．Ｊ請洗浄等か用いられている。このうち
、スプレー洗浄ｌｊｌはｌ先浄ムソか生し易（、また、
プラン洗浄は破？５１： ’ｔ’ｆｒ物に錫か（−１き
易い等の理由から、積極的には用いりれ４“、１−とじ
て浸漬洗浄が用いられている。
第１図は浸漬洗浄型の一例ごあＺＪｉ’ｉｉ！式洗浄装
置の従来例を示すものである。
置の従来例を示すものである。
被洗浄物１０が浸漬される７ＡＩＤ＋’ｆ Ｉ ２は、
底部に多孔整流板１４を備えると共に、１一端の少なく
とも一辺に供給された洗浄液１６をオーハーソｌ−ｌ−
させる液排出部１８が設けられている。史に、洗浄槽１
２の多孔整流板１４て区分される上刃の空間１５へ洗浄
液を供給するだめの液供給管２０が洗浄槽１２の下端部
に設けられていイ）。
底部に多孔整流板１４を備えると共に、１一端の少なく
とも一辺に供給された洗浄液１６をオーハーソｌ−ｌ−
させる液排出部１８が設けられている。史に、洗浄槽１
２の多孔整流板１４て区分される上刃の空間１５へ洗浄
液を供給するだめの液供給管２０が洗浄槽１２の下端部
に設けられていイ）。
以上の構成において、液供給管２０によって洗浄液が洗
浄槽１２の底部に供給され、供給された洗浄液は多孔整
流板１４の孔を介して槽内に流出する。この場合、多孔
整流４Ｎ］４か設ｇられ−Ｃいることによって、洗浄液
は底部から一様に１−シ！１し、流れムラが生じない。
浄槽１２の底部に供給され、供給された洗浄液は多孔整
流板１４の孔を介して槽内に流出する。この場合、多孔
整流４Ｎ］４か設ｇられ−Ｃいることによって、洗浄液
は底部から一様に１−シ！１し、流れムラが生じない。
供給された洗ｌｐ液か跣ｌｐ槽１２内に一杯になると、
溢れた洗、￥Ｉｌ＆はオーバーフローして、液排出部Ｉ
ＥＮこ流れ込む。即し、液供給管２０より供給された洗
浄液量相当分がオーバーフローして回収される。
溢れた洗、￥Ｉｌ＆はオーバーフローして、液排出部Ｉ
ＥＮこ流れ込む。即し、液供給管２０より供給された洗
浄液量相当分がオーバーフローして回収される。
このような洗浄槽１２内に、シリコンウェハ、半導体用
フォトマスク等の被洗浄物１０に付着するｔＩｉ染物は
洗い落とされる。汚染物の一部は浮上し、オーバーフロ
ーする洗浄液と共に液排出部１８に流れ込み、除去され
る。
フォトマスク等の被洗浄物１０に付着するｔＩｉ染物は
洗い落とされる。汚染物の一部は浮上し、オーバーフロ
ーする洗浄液と共に液排出部１８に流れ込み、除去され
る。
しかし、従来の湿式洗浄装置においては、オーバーフロ
ーする洗浄液の量が少ない場合には、液面中央部で流速
の無い液溜りが生じるため、この液溜り部に多景の浮遊
汚染物が滞留し、被洗浄物を洗浄槽から引き上げる際に
ｆｐ−遊汚染物が再付着する恐れがある。これを解決す
るために、従来においては、洗浄液を増量する方法がと
られていたが、消費する洗浄液量が増大するほか、オー
バーフロー液を再生し循環使用するに際しては、動力の
消費が大きくなる不都合がある。
ーする洗浄液の量が少ない場合には、液面中央部で流速
の無い液溜りが生じるため、この液溜り部に多景の浮遊
汚染物が滞留し、被洗浄物を洗浄槽から引き上げる際に
ｆｐ−遊汚染物が再付着する恐れがある。これを解決す
るために、従来においては、洗浄液を増量する方法がと
られていたが、消費する洗浄液量が増大するほか、オー
バーフロー液を再生し循環使用するに際しては、動力の
消費が大きくなる不都合がある。
本発明の目的は、洗浄液を増大゛Ｊるごとな・： Ｌ：
Ａ。
Ａ。
浄効果を上げることのＣきる４１式洗浄装置を１足（１
１、するにある。
１、するにある。
本発明は、液面に浮遊するγｉｊ染物が液面の液の流動
方向及び速度と概ね同一であるこ吉に着１１Ｌ、液排出
部の設けられている端縁の少な（とも反対側の端部に、
浮遊汚染物をオーバーフロー（！Ｉ］に移動させる為の
表層液流を形成さ一部るまうにしたものである。
方向及び速度と概ね同一であるこ吉に着１１Ｌ、液排出
部の設けられている端縁の少な（とも反対側の端部に、
浮遊汚染物をオーバーフロー（！Ｉ］に移動させる為の
表層液流を形成さ一部るまうにしたものである。
第２図及び第３図は本発明の第１の実施例をｔｌ＜す平
面図及び正面図をボずものごある。第２図及び第３図に
おいては、第１図と同一の部分には同一の引用数字を用
いたので重複する説明は省略゛」−る。
面図及び正面図をボずものごある。第２図及び第３図に
おいては、第１図と同一の部分には同一の引用数字を用
いたので重複する説明は省略゛」−る。
第２図及び第３図に示すように、液（）１山部１８の反
対側の同一レヘルの槽壁上端部に供給（ｖ２２を設け、
この供給槽２２と液供給管２０との間に液分枝管２４を
配設したものである。
対側の同一レヘルの槽壁上端部に供給（ｖ２２を設け、
この供給槽２２と液供給管２０との間に液分枝管２４を
配設したものである。
かかる構成により、洗浄液が液分枝管２４にょっ゛ζ供
給槽２２に供給され、供給（ａ２２をオーバーソロ−し
た液が洗浄槽１２に流れ込み、これが表層液流となって
液排出部１８へ向かって流れる。この表層液流により、
液面に浮遊するｌり染物２６は矢印方向に押し流され、
液排出ｒｉＢ １８に排出される。
給槽２２に供給され、供給（ａ２２をオーバーソロ−し
た液が洗浄槽１２に流れ込み、これが表層液流となって
液排出部１８へ向かって流れる。この表層液流により、
液面に浮遊するｌり染物２６は矢印方向に押し流され、
液排出ｒｉＢ １８に排出される。
以上により、液全面の浮遊汚染物量は減少し、被洗浄物
ｌＯを槽内より引き上げ°ζも、再付着が低減される。
ｌＯを槽内より引き上げ°ζも、再付着が低減される。
この結果、洗浄液の供給量が少なくて済むようになり、
例えば、従来の４１５に削減できることが確認された。
例えば、従来の４１５に削減できることが確認された。
第４図は本発明の第２の実施例を示す斜視図である。第
４図においては、第２図及び第３図と同一の部分は同一
の引用数字でボしたので重複する説明は省略するが、供
給槽２２に代えて、−列にノズル２６が設けられた供給
管２８を液排出部１８の反対側の槽内端に配設したもの
である。
４図においては、第２図及び第３図と同一の部分は同一
の引用数字でボしたので重複する説明は省略するが、供
給槽２２に代えて、−列にノズル２６が設けられた供給
管２８を液排出部１８の反対側の槽内端に配設したもの
である。
かかる構成により、ノズル２７から放出される水流が表
層液流となって浮遊汚染物は液排出部１８に押し流され
、被洗浄もの・＼のｌ’＋ ７’ｒ染が減ルーする。面
、供給管２８へ液に代えζ気体（空気′９）を供給する
ようにしてもよい。
層液流となって浮遊汚染物は液排出部１８に押し流され
、被洗浄もの・＼のｌ’＋ ７’ｒ染が減ルーする。面
、供給管２８へ液に代えζ気体（空気′９）を供給する
ようにしてもよい。
第５図及び第６図は第３の実ｈ＋例を小Ｊ゛・ト面図及
び正面図である。本実施例においては、第１図及び第２
図と同一の部分には同一の引用数字−（小したので重複
する説明は省略するが、／＆排出部１８の設置面を除き
他の三面の槽内壁に沿っ”ζ散水装置３０を設けると）
（に、該散水装置３０と液供給管２０との間に液分岐盾
３２を接続したもの−（ある。
び正面図である。本実施例においては、第１図及び第２
図と同一の部分には同一の引用数字−（小したので重複
する説明は省略するが、／＆排出部１８の設置面を除き
他の三面の槽内壁に沿っ”ζ散水装置３０を設けると）
（に、該散水装置３０と液供給管２０との間に液分岐盾
３２を接続したもの−（ある。
散水装置３０は、管体の壁側に面したＫ１方向に多数の
ノズル（又は細孔）を一定間隔Ｃ設け、壁面に洗浄水が
噴射されるように構成され゛（いろかかる構成において
、液供給管２０に供給された洗浄液の一部が液分枝管３
２に分岐され、う）岐された洗浄液は散水装置３０に供
１らされろ。散水装置３０に供給された洗浄水は、該装
置に設りられたノズルより槽１２の内壁面に向りて放出
さ相る。ごの放出水によって桔内壁曲に液膜：３４か形
成される。この液膜３４は液排出部１８に向かって流れ
る表層液流を形成し、従来、壁面の吃水部に付着する傾
向にあった液面の浮遊汚染物を液排出部１８へ排出する
。従って、浮遊７ら染物の壁面への付着が無くなり、被
洗浄物の引き上げに際しても、再汚染を減少させること
ができる。
ノズル（又は細孔）を一定間隔Ｃ設け、壁面に洗浄水が
噴射されるように構成され゛（いろかかる構成において
、液供給管２０に供給された洗浄液の一部が液分枝管３
２に分岐され、う）岐された洗浄液は散水装置３０に供
１らされろ。散水装置３０に供給された洗浄水は、該装
置に設りられたノズルより槽１２の内壁面に向りて放出
さ相る。ごの放出水によって桔内壁曲に液膜：３４か形
成される。この液膜３４は液排出部１８に向かって流れ
る表層液流を形成し、従来、壁面の吃水部に付着する傾
向にあった液面の浮遊汚染物を液排出部１８へ排出する
。従って、浮遊７ら染物の壁面への付着が無くなり、被
洗浄物の引き上げに際しても、再汚染を減少させること
ができる。
第７図及び第８図は本発明の第４の実施例を示す平面図
及び正面図である。本実施例においては、第１図及び第
２図と同一の部分に同一の引用数字で示したので、重複
する説明は省略するが、液排出部１８が設けられている
反対側端の多孔整流板１４の上側に近接して散気管３６
を水平に配設すると共に、該散気管３６に給気管３８を
接続したものである。散気管３６には、外周に多数の細
孔が設けられており、これらの細孔から供給された空気
が気泡となって槽内に放出される。
及び正面図である。本実施例においては、第１図及び第
２図と同一の部分に同一の引用数字で示したので、重複
する説明は省略するが、液排出部１８が設けられている
反対側端の多孔整流板１４の上側に近接して散気管３６
を水平に配設すると共に、該散気管３６に給気管３８を
接続したものである。散気管３６には、外周に多数の細
孔が設けられており、これらの細孔から供給された空気
が気泡となって槽内に放出される。
かかる構成において、散気管３６に給気管３８を介して
清浄な空気が供給されると、細孔より気泡４０が放出さ
れ、洗浄液１６内を上昇する。液内を上！／Ｉ′シて液
面に達した気泡４０は潰ｈ、そ（・）トネに液面に生し
る波によって表層？ＩＭ流か牛しる。
清浄な空気が供給されると、細孔より気泡４０が放出さ
れ、洗浄液１６内を上昇する。液内を上！／Ｉ′シて液
面に達した気泡４０は潰ｈ、そ（・）トネに液面に生し
る波によって表層？ＩＭ流か牛しる。
この表層液流は０ 、 ５〜ｌ ｃｍ／ ｓｃ（の流速
か適゛１１であり、かかる流速となるように散気’ｉ’
ｉ’ ３ Ｇの♀ＩＩＩ孔径、給気管等を設定する。表
面１．： ／１ｉ シた表１−７孜流は、浮遊汚染物２
６を矢印方向、即も／＆ ｔｅｌ出部１８の方向へ押し
流し、槽外へ１）［出する。ごれによって、液面に滞留
する浮遊ｌ／；染物慴を低減ごき、被洗浄物に関する再
ｌす染を防止３−るごとかできる。
か適゛１１であり、かかる流速となるように散気’ｉ’
ｉ’ ３ Ｇの♀ＩＩＩ孔径、給気管等を設定する。表
面１．： ／１ｉ シた表１−７孜流は、浮遊汚染物２
６を矢印方向、即も／＆ ｔｅｌ出部１８の方向へ押し
流し、槽外へ１）［出する。ごれによって、液面に滞留
する浮遊ｌ／；染物慴を低減ごき、被洗浄物に関する再
ｌす染を防止３−るごとかできる。
なお、第４の実施例においては、散気管３６・・、空気
を供給する例を示したか、Ｉｉｉ’ｆ＋ ｌ Ｊ的に応
して窒素ガス等を用いることもできる。
を供給する例を示したか、Ｉｉｉ’ｆ＋ ｌ Ｊ的に応
して窒素ガス等を用いることもできる。
以上より明らかなように本発明によれば、槽内の液面に
表層液流を生しさせるようにしたため、液面の浮遊汚染
物が槽外に除去されて被洗浄物に対する再汚染が防止で
き、洗／／Ｉリノ果を１田めろ、二とができると共に、
洗／′ｆＩ液の供給量或いは循環字を削減できるため省
資ｄ９及び省工了ルギー化を図るごとができる。
表層液流を生しさせるようにしたため、液面の浮遊汚染
物が槽外に除去されて被洗浄物に対する再汚染が防止で
き、洗／／Ｉリノ果を１田めろ、二とができると共に、
洗／′ｆＩ液の供給量或いは循環字を削減できるため省
資ｄ９及び省工了ルギー化を図るごとができる。
第１図は従来のＭ式洗浄装置の正面図、第２図及び第３
図は本発明の第１の実施例をボ′３一平面図及び正面図
、第４図は本発明の第２の実施例を示す斜視図、第５図
及び第６図は本発明の第３の実施例を示す平面図及び正
面図、第７図及び第８図は本発明の第４の実施例を示”
Ｊ一平面図及び正面図である。 １０ 被洗浄物、１２ 洗浄槽、１４ 多孔整流板、１
６ 洗浄液、１８ 液排出部、２０ 液供給管、 ２２
供給槽、 ２４．３２液分岐管、 ２７ ノズル、
２８ 供給管、３０ 散水装置、 ３６ 散気管、３８
給気管。 第１図 第３図 第４図 １２ 第５図 第６図
図は本発明の第１の実施例をボ′３一平面図及び正面図
、第４図は本発明の第２の実施例を示す斜視図、第５図
及び第６図は本発明の第３の実施例を示す平面図及び正
面図、第７図及び第８図は本発明の第４の実施例を示”
Ｊ一平面図及び正面図である。 １０ 被洗浄物、１２ 洗浄槽、１４ 多孔整流板、１
６ 洗浄液、１８ 液排出部、２０ 液供給管、 ２２
供給槽、 ２４．３２液分岐管、 ２７ ノズル、
２８ 供給管、３０ 散水装置、 ３６ 散気管、３８
給気管。 第１図 第３図 第４図 １２ 第５図 第６図
Claims (1)
- 洗浄液を洗浄槽内に供給し、該液中に被洗浄物を所定時
間内浸漬して洗浄を行なうと共に、汚染された洗浄液を
槽」二部よりオーバーフローさせて槽外に排出する湿式
洗浄装置において、前記洗浄槽の少なくとも前記オーバ
ーフロ一部に向かって液流を生じさせる表層液流光生礪
構を設けたことを特徴とする湿式洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084994A JPS60229339A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 湿式洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084994A JPS60229339A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 湿式洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229339A true JPS60229339A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13846182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084994A Pending JPS60229339A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 湿式洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229339A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647622A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Nec Corp | Device for treatment of semiconductor substrate |
| EP0310922A2 (de) | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Verfahren zum Reinigen insbesondere von scheibenförmigen oxidischen Substraten |
| EP0328746A2 (en) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sonic Fellow Kabushiki Kaisha | Drying method for precision washing |
| JPH09181034A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-07-11 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウェーハ洗浄装置及び方法 |
| JPH09186126A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-07-15 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウエーハの洗浄装置 |
| US6164300A (en) * | 1996-09-28 | 2000-12-26 | Steag Microtech Gmbh | Substate-treating device |
| JP2013013893A (ja) * | 2012-08-20 | 2013-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄装置 |
| JP2018068316A (ja) * | 2017-12-27 | 2018-05-10 | 光洋通商株式会社 | 箱型船 |
| JP2018099079A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 光洋通商株式会社 | 箱型船 |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59084994A patent/JPS60229339A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647622A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Nec Corp | Device for treatment of semiconductor substrate |
| EP0310922A2 (de) | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Angewandte Solarenergie - ASE GmbH | Verfahren zum Reinigen insbesondere von scheibenförmigen oxidischen Substraten |
| EP0328746A2 (en) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sonic Fellow Kabushiki Kaisha | Drying method for precision washing |
| JPH09181034A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-07-11 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウェーハ洗浄装置及び方法 |
| JPH09186126A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-07-15 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体ウエーハの洗浄装置 |
| US6164300A (en) * | 1996-09-28 | 2000-12-26 | Steag Microtech Gmbh | Substate-treating device |
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| JP2018099079A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | 光洋通商株式会社 | 箱型船 |
| JP2018068316A (ja) * | 2017-12-27 | 2018-05-10 | 光洋通商株式会社 | 箱型船 |
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