JPS62213257A - 湿式処理槽 - Google Patents
湿式処理槽Info
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- JPS62213257A JPS62213257A JP5498086A JP5498086A JPS62213257A JP S62213257 A JPS62213257 A JP S62213257A JP 5498086 A JP5498086 A JP 5498086A JP 5498086 A JP5498086 A JP 5498086A JP S62213257 A JPS62213257 A JP S62213257A
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- liquid
- bath
- transmitting film
- tank
- film
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば半導体ウェハ等の半導体装置を薬液また
は純水に浸漬して湿式処理するために用いる湿式処理槽
、特にその槽内の清浄度の維持・向上に関するものであ
る。
は純水に浸漬して湿式処理するために用いる湿式処理槽
、特にその槽内の清浄度の維持・向上に関するものであ
る。
第２図は従来の湿式処理槽を示す縦断面図であ９１図に
おいて（１））ま槽本体、（２）はこの槽本体の底部に
設けられた１又は２以上の液供８あシ、槽本体（１）の
底部の上方には所定の空間を介して、複数個の穴（５）
が設けられた整流板（６）が該底部に平行に塩９付けら
れている。従来の湿式処理槽は上記のように構成され、
供給口（２）よシ清浄度の高い薬液もしくは純水を供給
すると、この清浄度の高い薬液もしくは純水は整流板（
６）に設けられた穴（５）よシ槽本体（１）内を上昇し
、槽本体（１）内にある清浄度の低下した薬液もしくは
純水は槽本体（１）内を上昇するこの薬液もしくは純水
により槽上端からオーバーフローさせられて槽内よシ排
除され、このことにより半導体基体を浸漬させる薬液も
しくは純水の清浄度が維持させられるようになっている
。
おいて（１））ま槽本体、（２）はこの槽本体の底部に
設けられた１又は２以上の液供８あシ、槽本体（１）の
底部の上方には所定の空間を介して、複数個の穴（５）
が設けられた整流板（６）が該底部に平行に塩９付けら
れている。従来の湿式処理槽は上記のように構成され、
供給口（２）よシ清浄度の高い薬液もしくは純水を供給
すると、この清浄度の高い薬液もしくは純水は整流板（
６）に設けられた穴（５）よシ槽本体（１）内を上昇し
、槽本体（１）内にある清浄度の低下した薬液もしくは
純水は槽本体（１）内を上昇するこの薬液もしくは純水
により槽上端からオーバーフローさせられて槽内よシ排
除され、このことにより半導体基体を浸漬させる薬液も
しくは純水の清浄度が維持させられるようになっている
。
上記のような従来の湿式処理装置では第３図の矢印に示
す如く、槽内の薬液もしくは純水に渦流が生じ、供給さ
れた液と槽内にある液との置換効隨 率が悪く、異物帰子等槽内の薬液もしくは純水の清浄度
を低下させる物質の槽内からの除去が不十分になってい
るという問題点があった。
す如く、槽内の薬液もしくは純水に渦流が生じ、供給さ
れた液と槽内にある液との置換効隨 率が悪く、異物帰子等槽内の薬液もしくは純水の清浄度
を低下させる物質の槽内からの除去が不十分になってい
るという問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するため罠なされたもの
で、槽内に上記の渦流を起させず、均一な上昇流を生じ
させ、供給された液と槽内にある〔問題点を解決するた
めの手段〕 この発明に係る湿式処理−一は、槽本体と、該槽本体の
底部と空間を形成する液透過膜と、該空間内に液金供給
する液供給口とからなるものである。
で、槽内に上記の渦流を起させず、均一な上昇流を生じ
させ、供給された液と槽内にある〔問題点を解決するた
めの手段〕 この発明に係る湿式処理−一は、槽本体と、該槽本体の
底部と空間を形成する液透過膜と、該空間内に液金供給
する液供給口とからなるものである。
この発明においては、液透過膜の下側に液を供給すると
、該液透過膜の上下で差圧が生じ、液は該液透過膜を透
過することになるが、この差圧は該液通過膜全面にわた
シはぼ均一となるため、液の透過ｊｋは該液通過膜全面
にわたりほぼ均一となり、槽内の液の流れはほぼ均一な
上昇流となる。
、該液透過膜の上下で差圧が生じ、液は該液透過膜を透
過することになるが、この差圧は該液通過膜全面にわた
シはぼ均一となるため、液の透過ｊｋは該液通過膜全面
にわたりほぼ均一となり、槽内の液の流れはほぼ均一な
上昇流となる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図であり、槽本
体（１）の底部近傍には該底部と所定間隔をおいて液透
過膜（３）がサボー） （４） Ｋより対向させて取シ
付けられ、該底部の近傍には該底部と液透過膜（３）と
で形成された密閉空間（η内に清浄度の高い薬液または
純水を供給する供給口（２）が設けられている。
体（１）の底部近傍には該底部と所定間隔をおいて液透
過膜（３）がサボー） （４） Ｋより対向させて取シ
付けられ、該底部の近傍には該底部と液透過膜（３）と
で形成された密閉空間（η内に清浄度の高い薬液または
純水を供給する供給口（２）が設けられている。
上記のように構成された湿式処理装置においては、清浄
度の高い薬液を供給口（２）から膜内の液透過膜（３）
下の空間（７）に供給すると、液透過膜（３）があるた
め、その上下で透過損失分の差圧が生じる。
度の高い薬液を供給口（２）から膜内の液透過膜（３）
下の空間（７）に供給すると、液透過膜（３）があるた
め、その上下で透過損失分の差圧が生じる。
空間ω内の圧力は本発明の実施に当ってはほぼ一定と見
なしてよく、液透過ｇ （３）の全面にわたシ差圧はほ
ぼ一定の値となる。液透過膜（３）を透過する液の量は
差圧で決定するため、液通過膜全面から均一な上昇液が
生じる。槽内にバスケット等処理に必要な治具が存在す
ると、部分的なｔｉｌｔ流・淀みが生じるが、槽内金体
にわたる渦流は生じず、構内にある清浄度の低下した薬
液を効率よく清浄度の高い液に”置換することができる
。なお渦流を避けるため、液透過膜（３）はなるべく４
’！（１）の平面いっばいにし、バスケット等半導体基
体を浸漬するために必要な治具は上方向の流れを阻害し
ないような形状が望ましい。
なしてよく、液透過ｇ （３）の全面にわたシ差圧はほ
ぼ一定の値となる。液透過膜（３）を透過する液の量は
差圧で決定するため、液通過膜全面から均一な上昇液が
生じる。槽内にバスケット等処理に必要な治具が存在す
ると、部分的なｔｉｌｔ流・淀みが生じるが、槽内金体
にわたる渦流は生じず、構内にある清浄度の低下した薬
液を効率よく清浄度の高い液に”置換することができる
。なお渦流を避けるため、液透過膜（３）はなるべく４
’！（１）の平面いっばいにし、バスケット等半導体基
体を浸漬するために必要な治具は上方向の流れを阻害し
ないような形状が望ましい。
なお上記実施例では槽内に供給される清浄度の高い液は
槽下部に穴を開け、そこより槽内に供給されるが、槽上
面開放部より管を用いて液透過膜下の空間に供給されて
もよい。また液透過膜の取付は方法も実施例ではサポー
トを槽にネジ止めしているが、下の空間を密閉できれば
他の方法でもよい。
槽下部に穴を開け、そこより槽内に供給されるが、槽上
面開放部より管を用いて液透過膜下の空間に供給されて
もよい。また液透過膜の取付は方法も実施例ではサポー
トを槽にネジ止めしているが、下の空間を密閉できれば
他の方法でもよい。
また、液透過膜を用いているため、液透過膜の孔径を充
分小さくすれば槽内に供給される液中の異物粒子の除去
が期待できるが、液透過膜の孔径は供給される液の流量
と差圧と液透過膜の有効面積で選択すべきであり、−過
効果は安全フィルタ程度にとどめるのが無難である。
分小さくすれば槽内に供給される液中の異物粒子の除去
が期待できるが、液透過膜の孔径は供給される液の流量
と差圧と液透過膜の有効面積で選択すべきであり、−過
効果は安全フィルタ程度にとどめるのが無難である。
この発明は以上説明したとおり槽本体の底部近傍に該底
部に対向して液透過１ｇ！を取り付け、該底部と該液透
過膜によって形成された空間内に液を供給するようにし
たので、オーバーフロ一槽内に渦流１のない均一な上昇
流を生じさせることができ、その結果、槽内の液の清浄
度の維持・向上を図ることができるという効果がある。
部に対向して液透過１ｇ！を取り付け、該底部と該液透
過膜によって形成された空間内に液を供給するようにし
たので、オーバーフロ一槽内に渦流１のない均一な上昇
流を生じさせることができ、その結果、槽内の液の清浄
度の維持・向上を図ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は従
来の湿式処理槽を示す縦断面図、第６図は従来の湿式処
理槽内での液の流れを示す説明図である。 図において、（１）は槽本体、（２）は液供給口、（３
）は液透過膜である。 なお各図中同一符号は同一または相当部分を示すＯ 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 １ ： 七ｒ噌ν ノ事ミインが−２：５孜使玲口 ３：濯量通膿 第２図 第３図
来の湿式処理槽を示す縦断面図、第６図は従来の湿式処
理槽内での液の流れを示す説明図である。 図において、（１）は槽本体、（２）は液供給口、（３
）は液透過膜である。 なお各図中同一符号は同一または相当部分を示すＯ 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 １ ： 七ｒ噌ν ノ事ミインが−２：５孜使玲口 ３：濯量通膿 第２図 第３図
Claims (1)
- 槽本体と、該槽本体の底部近傍に該底部と対向して設け
られた液透過膜と、該底部と該液透過膜とで形成された
密閉空間内に液を供給する液供給口とを備えた湿式処理
槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5498086A JPS62213257A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 湿式処理槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5498086A JPS62213257A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 湿式処理槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213257A true JPS62213257A (ja) | 1987-09-19 |
Family
ID=12985797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5498086A Pending JPS62213257A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 湿式処理槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62213257A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184926A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
| JPH0298631U (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | ||
| WO2019245129A1 (ko) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정장치 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP5498086A patent/JPS62213257A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184926A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
| JPH0533819B2 (ja) * | 1988-01-20 | 1993-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPH0298631U (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-06 | ||
| WO2019245129A1 (ko) * | 2018-06-18 | 2019-12-26 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정장치 |
| KR20190142619A (ko) * | 2018-06-18 | 2019-12-27 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정장치 |
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