JPS60113433A - 薄板状体の洗浄装置 - Google Patents

薄板状体の洗浄装置

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JPS60113433A
JPS60113433A JP22111283A JP22111283A JPS60113433A JP S60113433 A JPS60113433 A JP S60113433A JP 22111283 A JP22111283 A JP 22111283A JP 22111283 A JP22111283 A JP 22111283A JP S60113433 A JPS60113433 A JP S60113433A
Authority
JP
Japan
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cleaning
thin plate
liquid
cleaning liquid
cleaning tank
Prior art date
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Pending
Application number
JP22111283A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazushi Nagata
一志 永田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS60113433A publication Critical patent/JPS60113433A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体ウェーハなど薄板状体を複数枚直立
に間隔をあけて保持し、洗浄槽で洗浄する薄板状体の洗
浄装置に関する。
〔従来技術〕
薄板状体、例えば半導体ウェーハ(母下「ウェーハ」と
称する)の従来の洗浄装置は、第1図に断面図で示すよ
うになっていた。(1)は表面処理され洗浄される多数
枚のウェーハで、カセット(2)の両側部内面に設けら
れた立て方向の多数条の保持溝(2a)に1枚宛間隔を
あけて収容されている。(3)はカセット(2)を入れ
洗浄する洗浄槽で、底部には供給口(4)が設けられて
おり、外部から洗浄液(6)が供給される。(5)は洗
浄槽(3)の下方に設けられカセット(2)を受ける受
棚で、複数の流通穴(5a)があけられである。
上記従来の洗浄装置によるウェーハ(1)の洗浄は、次
のようにしていた。供給口(4)から洗浄液(6)を供
給し、底部と棚部(5)間を充満し、各流通穴(5a)
から上方に吐出させ、洗浄槽(3)内を満たし、ウェー
ハ(1)及びカセット(2)を洗浄しながら上方からあ
ふれ出さしていた。
上記従来装置では、カセット(2)内の各ウェーッー(
1)は狭い間隔で多数枚が並べられてあり、洗浄液(6
)は流路抵抗の大きいウェー71(1)間には少量しか
流通せず、主として流通しやすいカセット(2)の外側
を矢印Aのように通っていた0このため、狭い間隔で並
べられたウェーッ(11を十分洗浄するには、多量の洗
浄液(6)と多大な時間を要し、処理費が高くなってい
た。まだ、各ウェーハ(1)間の洗浄液(6)の流量を
多くするため、吐出穴(5a)から出る洗浄液(6)の
吐出速度を大きくすると、薄厚で軽いウェーハ(1)は
カセット(2)から浮上がり外れたり、表面がカセット
(2)に当り傷付いたりすることになる。
〔発明の概要〕
この発明は、上記従来装置の欠点をなくするためになさ
れたもので、供給管の複数の吐出口から洗浄液を上側か
ら洗浄槽内に吐出供給し、洗浄槽に入れられたカセット
に直立して間隔をあけて保持されている各ウェーハ間に
洗浄液を流下させ、下部の受棚に設けた多数の流出穴か
ら底側に流出させ、底部の排出口から外部に排出するよ
うにし、各ウェーハ間を洗浄液が滞流することなく有効
に流下し、洗浄効果が向上し洗浄時間が短縮され、洗浄
液の使用量が減少される薄板状体の洗浄装置を提供する
ことを目的としている。
〔発明の実施例〕
第2図はこの発明の一実施例による洗浄装置の正面断面
図であり、被洗浄の薄板体としてウェーハの場合を示す
。多数枚のウェーハ(1)がカセット(2)の多数条の
保持溝(2a)に保持されている。■っけ洗浄槽で、上
部は開口しており、底部如は排出口(イ)が設けられ、
下方に受棚(2)が設けられカセット(2)を受ける。
受棚に)には多数の流出穴(23a)があけられである
。(ハ)は洗浄槽e1)の上方に配設された供給管で、
下部に多数の吐出穴四が設けられており、洗浄液(6)
が外部から供給され、各吐出穴(ハ)から洗浄槽Qp内
に吐出す。
上記実施例の装置において、供給管Q4の各吐出穴内か
ら洗浄液(6)が上方から洗浄槽Op内に吐出され、カ
セット(2)内の各ウェーハ(1)の周囲を流下し、受
棚(財)の各流出穴(23a)を通如排出口(イ)から
排出される。なお、洗浄槽Q0に充満した洗浄液(6)
のうち少量は、矢印Cのように開口部からあふれ出る。
上記洗浄槽Q])の受棚翰の下部にはシャータ式のスラ
イド弁などによる調整弁(図示は略す)を設け、流出穴
(23a )のふさぎ度を調整するか、又は排出口(支
)に調整弁(図示は略す)を設けることにより、洗浄槽
■η内の洗浄液(6)の流下速度を適当に調整すること
ができ、洗浄液(6)の吐出し供給量を多くして各ウェ
ーハ(1)の周囲の流速を上げても、ウェーハ(1)が
浮上ることはない。
第3図はこの発明の他の実施例による洗浄装置の要部を
示し、洗浄槽(ハ)の受棚匈をウェーハ(1)の下部に
接近させている。これにより、各ウェーハ(1)間を通
って流下する洗浄液(6)は、矢印りのように滑らかな
流れとなり、洗浄効果をいっそう向上することができる
なお、上記実施例では供給管Q4を洗浄槽<21)から
上方に離し、吐出穴(イ)から洗浄液を下方に吐出し洗
浄槽に入れたが、供給管(ハ)を洗浄槽■→の上部に配
設し、吐出穴(至)が洗浄槽内の上部にあるようにして
もよい。
また、受棚@、@の流出穴(23a) 、(27a)に
対する開度を調整する調整弁、あるいは排出口(イ)に
設けた調整弁により、流量を時間的に変化させることに
より、洗浄槽6!1) 、 @内の洗浄液(6)の流量
及びウェーハ(1)の周囲を流下する洗浄液の流速を経
時的に適当に変化させ、洗浄効果を上げることができる
さらに、超音波振動装置を設け、洗浄槽に超音波振動を
加えていっそう洗浄効果を上げるようにしてもよい。
なおまた、上記実施例では、薄板状体として半導体ウェ
ーハの場合を示したが、表面の洗浄を要する他の種の薄
板状体であっても適用できるものである。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、上部が開口した洗浄
槽内に、多数の薄板状体を直立して間隔をあけて保持し
たカセットを入れ、洗浄槽には下方に受棚を設は多数の
流出穴をあけ、底部に排出口を設け、洗浄槽の上部側に
配設した供給管の複数の吐出穴から洗浄液を下方に吐出
し、洗浄槽に入れ各薄板体間を流下させて洗浄し、上記
流出穴を経て排出口から排出するようにしたので、洗浄
液の自重による流下作用が加わり、洗浄液の滞流がなく
流下し、洗浄効果が大幅に向上し、洗浄時間が短縮され
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の洗浄装置を示す正面断面図、第2図はこ
の発明の一実施例による洗浄装置を示す正面断面図、第
3図はこの発明の他の実施例を示す洗浄装置の要部断面
図である。 1・・・半導体ウェーハ、2・・・カセット、6・・・
洗浄液、21・・・洗浄槽、羽・・・排出口、23・・
・受棚、23a・・・流出穴、24・・・供給管、25
・・・吐出穴、26・・・洗浄槽、27・・・受棚、2
7a・・・流出穴 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第3図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)上部が開口しており、多数枚の薄板状体を立て姿
    勢で間隔をあけて保持したカセットを下部に設けた受棚
    に載せて収容しており、この受棚には複数の流出穴があ
    けられてあり、底部には排出口が設けられた洗浄槽、及
    びこの洗浄槽の上部側に配設され、下部に設けられた複
    数の吐出穴から洗浄液を下方の洗浄槽内に吐出す供給管
    を備え、上記吐出穴からの洗浄液を上記洗浄槽に充満さ
    せるとともに、上記各薄板状体の外周を流下させ、この
    流下する洗浄液を上記流出穴から流出し上記排出口から
    外部に排出するようにしたことを特徴とする薄板状体の
    洗浄装置。
  2. (2)薄板状体は半導体ウェーハであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の薄板状体の洗浄装置。
  3. (3)洗浄槽の受棚には下側に、各流出穴に対する開度
    を調整する調整弁が設けられ、洗浄槽の開口部からあふ
    れ出る洗浄液量と底部から排出される洗浄液量との割合
    が調整できるようにしたことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項又は第2項記載の薄板状体の洗浄装置。
  4. (4)洗浄槽の底部の排出口には調整弁が設けられ、洗
    浄槽の開口部からあふれ出る洗浄液量と底部から排出さ
    れる洗浄液量との割合が調整できるようにしたことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の薄板状
    体の洗浄装置。
JP22111283A 1983-11-22 1983-11-22 薄板状体の洗浄装置 Pending JPS60113433A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6298732A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウエハの洗浄装置
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