JPH0244727A - 半導体ウエハー洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハー洗浄装置Info
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- JPH0244727A JPH0244727A JP19657288A JP19657288A JPH0244727A JP H0244727 A JPH0244727 A JP H0244727A JP 19657288 A JP19657288 A JP 19657288A JP 19657288 A JP19657288 A JP 19657288A JP H0244727 A JPH0244727 A JP H0244727A
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- cleaning
- pure water
- wafer
- cleaning tank
- holes
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 1
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造分野の半導体ウェハー洗浄装置に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
従来の半導体ウェハー洗浄装置の一例を、第３図に示す
。１は、ウェハーを洗浄する洗浄槽本体である。２は、
純水を供給する純水供給管である。３は、洗浄槽の純水
をぬくドレーンである。
。１は、ウェハーを洗浄する洗浄槽本体である。２は、
純水を供給する純水供給管である。３は、洗浄槽の純水
をぬくドレーンである。
４は、供給された純水を均一に流す為のスノコである。
５．６はウェハー洗浄用キャリア及びウェハーである。
尚、ウェハー洗浄は、２５枚でバッチ処理を行っている
。
。
以−Ｅのように構成された従来の半導体ウェハー洗浄装
置においては、ウェハー６上の薬液あるいは、キャリア
５とウェハー６間の薬液の除去は、薬液槽下方からの純
水をオーバーフローさせることによって行われていた。
置においては、ウェハー６上の薬液あるいは、キャリア
５とウェハー６間の薬液の除去は、薬液槽下方からの純
水をオーバーフローさせることによって行われていた。
発明が解決しようとする課題
しかしなから上記のような構成では、特にキャリア５と
ウェハー６間の薬液の除去は、キャリアとウェハーが接
触している為、洗浄槽上方への純水のオーバーフローだ
けでは、洗浄時間が長くかかるという問題点を有してい
た。
ウェハー６間の薬液の除去は、キャリアとウェハーが接
触している為、洗浄槽上方への純水のオーバーフローだ
けでは、洗浄時間が長くかかるという問題点を有してい
た。
本発明は、かかる点に鑑み、洗浄不十分な箇所も効率よ
く洗浄が行える半導体ウェハー洗浄装置を提供すること
を目的とする。
く洗浄が行える半導体ウェハー洗浄装置を提供すること
を目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、洗浄槽の側壁に２つ以上の穴を備え、供給す
る純水が、全ての穴と洗浄槽上部から流出する機能を備
えた半導体ウェハー洗浄装置である。又、上記構成にお
いて純水から流出する純水の量を制御する装置を備えた
半導体ウェハー洗浄装置である。
る純水が、全ての穴と洗浄槽上部から流出する機能を備
えた半導体ウェハー洗浄装置である。又、上記構成にお
いて純水から流出する純水の量を制御する装置を備えた
半導体ウェハー洗浄装置である。
作用
本発明は、前記した構成により、洗浄槽の側壁から純水
を流出させることによって、キャリアとウェハーのすき
間の近傍に純水の流れを生せしめ、あるいは流れを乱流
とし洗浄不十分な箇所を効率良く洗浄する。
を流出させることによって、キャリアとウェハーのすき
間の近傍に純水の流れを生せしめ、あるいは流れを乱流
とし洗浄不十分な箇所を効率良く洗浄する。
実施例
第１図は、本発明の実施例における半導体ウェハー洗浄
装置の正面図を示すものである。第１図において１はウ
ェハーを洗浄する洗浄槽本体であをウェハーに流し、洗
浄用キャリアを固定する為のスノコであり、洗浄用キャ
リアの内側にのみ穴が開いている。５．６は洗浄用キャ
リア及びウェハーである。７は純水をキャリア側壁にも
効率良く流す為の洗浄槽側壁穴である。
装置の正面図を示すものである。第１図において１はウ
ェハーを洗浄する洗浄槽本体であをウェハーに流し、洗
浄用キャリアを固定する為のスノコであり、洗浄用キャ
リアの内側にのみ穴が開いている。５．６は洗浄用キャ
リア及びウェハーである。７は純水をキャリア側壁にも
効率良く流す為の洗浄槽側壁穴である。
以上のように構成された本実施例の半導体ウェハー洗浄
装置について、以下その動作を説明する。
装置について、以下その動作を説明する。
純水供給管２から供給された純水はスノコ穴８を通って
洗浄用キャリアの内部に流れ込む。流れ込んだ純水の一
部は、洗浄槽外わく１からオーバーフローし、流れ込ん
だ純水の残りは、洗浄槽側壁穴７を通って流出するよう
に、純水供給管２から供給される純水の量を調節する。
洗浄用キャリアの内部に流れ込む。流れ込んだ純水の一
部は、洗浄槽外わく１からオーバーフローし、流れ込ん
だ純水の残りは、洗浄槽側壁穴７を通って流出するよう
に、純水供給管２から供給される純水の量を調節する。
以上のように本実施例によれば、洗浄槽外わ（１からの
純水のオーバーフローを可能とし、ウェハー全体の洗浄
を行なうと同時に、スノコ穴８の位置を洗浄キャリアの
内側にもうけ、洗浄槽側壁穴７を設けることにより、従
来のウェハー洗浄装置で洗浄が不十分であった、洗浄用
キャリア５とウェハー６の間の部分のよごれ等を洗浄槽
側壁穴７への純水の横方向の流れを利用し効率良く洗浄
することができる。
純水のオーバーフローを可能とし、ウェハー全体の洗浄
を行なうと同時に、スノコ穴８の位置を洗浄キャリアの
内側にもうけ、洗浄槽側壁穴７を設けることにより、従
来のウェハー洗浄装置で洗浄が不十分であった、洗浄用
キャリア５とウェハー６の間の部分のよごれ等を洗浄槽
側壁穴７への純水の横方向の流れを利用し効率良く洗浄
することができる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す、半導体ウェハー
洗浄装置の正面図である。同図において、１は洗浄槽外
わ（，２は純水供給管、３はドレーン、４はスノコ、５
は洗浄槽側壁穴、６は洗浄用キャリア、７はウェハーで
、以上は第１図と同様なものである。第１図の構成と異
なるのは、純水流出量調整器９を洗浄槽側壁穴７に設け
た点である。
洗浄装置の正面図である。同図において、１は洗浄槽外
わ（，２は純水供給管、３はドレーン、４はスノコ、５
は洗浄槽側壁穴、６は洗浄用キャリア、７はウェハーで
、以上は第１図と同様なものである。第１図の構成と異
なるのは、純水流出量調整器９を洗浄槽側壁穴７に設け
た点である。
前記のように構成された第２の実施例の半導体ウェハー
洗浄装置について、以下その動作を説明する。
洗浄装置について、以下その動作を説明する。
純水供給管２から供給された純水の流れは、純水流出量
調整器９をコントロールすることにより自由に変化させ
ることが可能となる。従って、第３図に示す従来の洗浄
装置の様に、オーバーフローのみの洗浄も行える。又、
洗浄槽下部の側壁穴のみを開閉することにより純水の入
れ換えも可能となる。更に純水流出量調整器をコントロ
ールすることにより、純水の横方向の流れを生じせしめ
洗浄不十分であった箇所を効率良（洗浄することができ
る。
調整器９をコントロールすることにより自由に変化させ
ることが可能となる。従って、第３図に示す従来の洗浄
装置の様に、オーバーフローのみの洗浄も行える。又、
洗浄槽下部の側壁穴のみを開閉することにより純水の入
れ換えも可能となる。更に純水流出量調整器をコントロ
ールすることにより、純水の横方向の流れを生じせしめ
洗浄不十分であった箇所を効率良（洗浄することができ
る。
以上のように本実施例によれば、純水流出量調整器９を
洗浄槽側壁穴に設けることにより、純水の流れを自由に
調整でき、洗浄不十分な箇所を効率良く洗浄することを
可能とする。
洗浄槽側壁穴に設けることにより、純水の流れを自由に
調整でき、洗浄不十分な箇所を効率良く洗浄することを
可能とする。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、洗浄槽側壁穴への
横方向の純水の流れを利用し、従来洗浄が不十分であっ
た箇所を効率良く洗浄することができ、その実用的効果
は大きい。
横方向の純水の流れを利用し、従来洗浄が不十分であっ
た箇所を効率良く洗浄することができ、その実用的効果
は大きい。
第１図は本発明における一実施例の半導体ウェハー洗浄
装置の断面構造図、第２図は本発明の他の実施例の半導
体ウェハー洗浄装置の断面構造図、第３図は従来の半導
体ウェハー洗浄装置の断面構造図である。 ■・・・・・・洗浄槽外わく、２・・・・・・純水供給
管、３・・・・・・ドレーン、４・・・・・・スノコ、
５・・・・・・洗浄用キャリア、６・・・・・・ウェハ
ー、７・・・・・・洗浄槽側壁穴、８・・・・・・スノ
コ穴、９・・・・・・純水流出量調整器。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 第 図 洗浄槽外わく −純米量給管 ドレーン スノコ 洗浄用キャリア ｍ−つエノ＼− 洗浮確１ｌＩＩ催欠 ス ノ コ 穴 純水浅田ｔＥ［隻益 第３図 （寅を口 札〕に彊Ｈ旬 １−−一沈浄檜外わく ２−・ 純 ７Ｋ 供 玲 管 ３− ドレーン ４−・−スノコ ５− 洗浄用キマリア ８− スノコ穴 （矢印 純）にのｔｔｒ＋） １−・〜 −ｍ− −ｍ− ６−・− 洗浄槽外わ〈 純水１兵格嘴 ドレーン スノコ 洗浄用キャリ ウェハー （矢を口、に氷の流ｉ）
装置の断面構造図、第２図は本発明の他の実施例の半導
体ウェハー洗浄装置の断面構造図、第３図は従来の半導
体ウェハー洗浄装置の断面構造図である。 ■・・・・・・洗浄槽外わく、２・・・・・・純水供給
管、３・・・・・・ドレーン、４・・・・・・スノコ、
５・・・・・・洗浄用キャリア、６・・・・・・ウェハ
ー、７・・・・・・洗浄槽側壁穴、８・・・・・・スノ
コ穴、９・・・・・・純水流出量調整器。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 第 図 洗浄槽外わく −純米量給管 ドレーン スノコ 洗浄用キャリア ｍ−つエノ＼− 洗浮確１ｌＩＩ催欠 ス ノ コ 穴 純水浅田ｔＥ［隻益 第３図 （寅を口 札〕に彊Ｈ旬 １−−一沈浄檜外わく ２−・ 純 ７Ｋ 供 玲 管 ３− ドレーン ４−・−スノコ ５− 洗浄用キマリア ８− スノコ穴 （矢印 純）にのｔｔｒ＋） １−・〜 −ｍ− −ｍ− ６−・− 洗浄槽外わ〈 純水１兵格嘴 ドレーン スノコ 洗浄用キャリ ウェハー （矢を口、に氷の流ｉ）
Claims (3)
- （１）洗浄槽の側壁に２つ以上の穴を備え、供給する純
水が全ての穴と洗浄槽上部から流出する機能を備えた半
導体ウェハー洗浄装置。 - （２）洗浄槽底部にあるスノコ穴の位置を洗浄用キャリ
ア内側に設け、洗浄槽側壁の穴を洗浄槽下部以外にも設
けることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体ウェハー洗浄装置。 - （３）洗浄槽側壁の穴から流出する純水の量を制御する
制御手段を備えた特許請求の範囲第１項または第２項記
載の半導体ウェハー洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19657288A JPH0244727A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体ウエハー洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19657288A JPH0244727A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体ウエハー洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244727A true JPH0244727A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16359971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19657288A Pending JPH0244727A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体ウエハー洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244727A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298931A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Nec Corp | 半導体基板浸漬処理槽 |
| EP0675528A2 (en) * | 1994-03-28 | 1995-10-04 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for rinsing wafers and rinsing apparatus |
| JPH09321017A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-12-12 | Lg Semicon Co Ltd | ウェーハ湿式処理装置 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19657288A patent/JPH0244727A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298931A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Nec Corp | 半導体基板浸漬処理槽 |
| EP0675528A2 (en) * | 1994-03-28 | 1995-10-04 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for rinsing wafers and rinsing apparatus |
| EP0675528A3 (en) * | 1994-03-28 | 1997-05-28 | Shinetsu Handotai Kk | Method for rinsing substrates and rinsing device. |
| US5881748A (en) * | 1994-03-28 | 1999-03-16 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Apparatus for rinsing wafers adhered with chemical liquid by use of purified water |
| JPH09321017A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-12-12 | Lg Semicon Co Ltd | ウェーハ湿式処理装置 |
| US5845663A (en) * | 1996-03-13 | 1998-12-08 | Lg Semicon Co., Ltd. | Wafer wet processing device |
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