JPH03250732A - 半導体ウェーハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウェーハの洗浄装置Info
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- JPH03250732A JPH03250732A JP4821290A JP4821290A JPH03250732A JP H03250732 A JPH03250732 A JP H03250732A JP 4821290 A JP4821290 A JP 4821290A JP 4821290 A JP4821290 A JP 4821290A JP H03250732 A JPH03250732 A JP H03250732A
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- cleaning
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路等半導体素子の製造において、
半導体ウェーハの洗浄に用いる、特にオーバフロー水洗
槽を備えた洗浄袋！に関する。
半導体ウェーハの洗浄に用いる、特にオーバフロー水洗
槽を備えた洗浄袋！に関する。
Ｃ従来の技術〕
半導体集積回路等半導体素子の製造において、半導体ウ
ェーハ以下（ウェーハと称する）を処理。
ェーハ以下（ウェーハと称する）を処理。
加工するウェーハプロセスの中で、ウェーハの清浄度を
確保する洗浄工程が益々重要性を増している。すなわち
、半導体集積回路がサブミクロンで加工されるようにな
り、ウェーハに付着した汚染物質はたとえ微小のＩＩＪ
′ｉｔでもその回路特性に大きな影響を与えるようにな
っているからである。
確保する洗浄工程が益々重要性を増している。すなわち
、半導体集積回路がサブミクロンで加工されるようにな
り、ウェーハに付着した汚染物質はたとえ微小のＩＩＪ
′ｉｔでもその回路特性に大きな影響を与えるようにな
っているからである。
ウェーハの清浄化工程は今もなお水洗による洗浄処理が
主流であり、特に、最終水洗処理におけるパーティクル
あるいは薬品の残渣等の汚染物質の除去が重要である。
主流であり、特に、最終水洗処理におけるパーティクル
あるいは薬品の残渣等の汚染物質の除去が重要である。
第２図は従来からよく用いられているオーバフロー水洗
洗浄装置の分解斜視図で、水洗［１の底部に純水供給管
２が備えられ、この純水供給管に設けられた数多（の細
孔２１から洗浄用の純水を吹き出す。被洗浄体のウェー
ハ４はウェーハカセット４１に入れられ、水洗ｍｌの中
に入れられる。純水供給管２の数多くの細孔２１から吹
き出した洗浄用の純水はウェーハ４に付着したパーティ
クルあるいは薬品の残渣等の汚染物質を取り込みつつ上
昇し、水洗槽ｌの上縁からオーバフローして排出される
、水洗槽１の上縁はオーバフローが均一シこなるように
、切り込み１３が設けられている。２２はオーバフロー
した排水を示す。
洗浄装置の分解斜視図で、水洗［１の底部に純水供給管
２が備えられ、この純水供給管に設けられた数多（の細
孔２１から洗浄用の純水を吹き出す。被洗浄体のウェー
ハ４はウェーハカセット４１に入れられ、水洗ｍｌの中
に入れられる。純水供給管２の数多くの細孔２１から吹
き出した洗浄用の純水はウェーハ４に付着したパーティ
クルあるいは薬品の残渣等の汚染物質を取り込みつつ上
昇し、水洗槽ｌの上縁からオーバフローして排出される
、水洗槽１の上縁はオーバフローが均一シこなるように
、切り込み１３が設けられている。２２はオーバフロー
した排水を示す。
［発明が解決しようとする課届〕
しかしながら、前述の洗浄装置では純水の流れは主に水
洗槽の中央部を通り、水洗槽の隅部にはよどみが生じ、
パーティクルあるいは薬品残渣等の汚染物１の滞留が生
していた。このため、洗浄時間が長＼；る、あるいは洗
浄不足が生しる等の問題がめった。
洗槽の中央部を通り、水洗槽の隅部にはよどみが生じ、
パーティクルあるいは薬品残渣等の汚染物１の滞留が生
していた。このため、洗浄時間が長＼；る、あるいは洗
浄不足が生しる等の問題がめった。
本発明の課題は水ｆｃ橿の隅部に滞留するパーティノル
あるいは薬品残渣等の汚染物質を除去した洗浄力の高い
ウェーハの洗浄装置を提供することにある。
あるいは薬品残渣等の汚染物質を除去した洗浄力の高い
ウェーハの洗浄装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段］
前述の課題を解決するために、本発明においては、水洗
槽と、この底部に備えられ、数多くの細孔を有する純水
供給管とかみなり、前記細孔から供給される洗浄用の純
水が水洗層の中に収容された半導体ウェーハに付着した
汚染物質を取り込みつつ上昇し、水洗槽の上縁からオー
バフローして排出される半導体ウェーハの洗浄装置にお
いて、水洗槽の底面か凸凹状をなし、その凹部に１個ま
たはそれ以上の細孔を設けるようにする。
槽と、この底部に備えられ、数多くの細孔を有する純水
供給管とかみなり、前記細孔から供給される洗浄用の純
水が水洗層の中に収容された半導体ウェーハに付着した
汚染物質を取り込みつつ上昇し、水洗槽の上縁からオー
バフローして排出される半導体ウェーハの洗浄装置にお
いて、水洗槽の底面か凸凹状をなし、その凹部に１個ま
たはそれ以上の細孔を設けるようにする。
〔作 用：
本発明の半導体ウェーハの洗浄装置では、水洗槽の底面
が凸凹状をなし、その凹部に設けられた１個またはそれ
以上の細孔から、純水供給管の細孔から吹き出した洗浄
用の純水の一部が、常時排出されている。水洗槽の隅部
に滞留しているパーティクルあるいは薬品の残渣等の汚
染物質はこの下方に垂直に流れる水流に取り込まれてこ
の純水とともに排出される。
が凸凹状をなし、その凹部に設けられた１個またはそれ
以上の細孔から、純水供給管の細孔から吹き出した洗浄
用の純水の一部が、常時排出されている。水洗槽の隅部
に滞留しているパーティクルあるいは薬品の残渣等の汚
染物質はこの下方に垂直に流れる水流に取り込まれてこ
の純水とともに排出される。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例による半導体ウェーへの洗浄
装置の分解斜視図で、水洗槽１の底部に純水供給管２が
備えられ、この純水供給管に設けられた数多くの細孔２
１から純水を吹き出す。被洗浄体のウェーハ４はカセッ
ト４１に入れられ、水洗槽ｌの中に入れられる。純水供
給管２の数多くの細孔２１から吹き出した洗浄用の純水
はウヱーノ＼４に付着したパーティクルあるいは薬品の
残渣等の汚染物質を取り込みつつ上昇し、水洗槽１の上
縁からオーバフローして排出される。２２はその水流を
示す。ここまでは第２図に示す従来の装置と同様である
。しかしながら、第２図の装置では純水の流れは主に水
洗槽１の中央部を通り、水洗槽の隅部にはよどみが生し
、パーティクルあるいは薬品残渣等の汚染物質が滞留す
る問題があった。
装置の分解斜視図で、水洗槽１の底部に純水供給管２が
備えられ、この純水供給管に設けられた数多くの細孔２
１から純水を吹き出す。被洗浄体のウェーハ４はカセッ
ト４１に入れられ、水洗槽ｌの中に入れられる。純水供
給管２の数多くの細孔２１から吹き出した洗浄用の純水
はウヱーノ＼４に付着したパーティクルあるいは薬品の
残渣等の汚染物質を取り込みつつ上昇し、水洗槽１の上
縁からオーバフローして排出される。２２はその水流を
示す。ここまでは第２図に示す従来の装置と同様である
。しかしながら、第２図の装置では純水の流れは主に水
洗槽１の中央部を通り、水洗槽の隅部にはよどみが生し
、パーティクルあるいは薬品残渣等の汚染物質が滞留す
る問題があった。
本発明では水洗槽ｌの底面１１は凸凹状をなし、その凹
部に１個またはそれ以上の細孔１２が設けられている。
部に１個またはそれ以上の細孔１２が設けられている。
純水供給管の細孔２１から吹き出した純水の一部は前述
の水洗槽１の隅部に滞留した汚染物質を取り込みつつ、
凹部の細孔から排出される。
の水洗槽１の隅部に滞留した汚染物質を取り込みつつ、
凹部の細孔から排出される。
２３はその排水を示す、純水供給管から供給する洗浄用
の純水は凹部の細孔から排出される純水があっても、水
洗槽１の上縁からオーバフローするよう多少多く供給す
ることは勿論である。
の純水は凹部の細孔から排出される純水があっても、水
洗槽１の上縁からオーバフローするよう多少多く供給す
ることは勿論である。
具体的例として石英からなるオーバフロー水洗槽におい
て、底面を第１図に示すような一連の凸凹状で、凸部の
先端から凹部の底までの深さ２０腸としその凹部に直径
２〜３閣の細孔を１０〜２０■間隔で設けた。その結果
では純水の流れによどみが殆んどな（なりパーティクル
あるいは薬品の残渣が滞留することがなくなった。
て、底面を第１図に示すような一連の凸凹状で、凸部の
先端から凹部の底までの深さ２０腸としその凹部に直径
２〜３閣の細孔を１０〜２０■間隔で設けた。その結果
では純水の流れによどみが殆んどな（なりパーティクル
あるいは薬品の残渣が滞留することがなくなった。
本発明によれば、半導体ウェーハの洗浄装置において水
洗槽の底面を凸凹状としその凹部に設けられた細孔から
洗浄用の純水の一部が常時排出されるようにし水洗槽の
隅部に滞留しているパーティクルあるいは薬品の残渣等
の汚染物質を効果的に除去したので、洗浄不良の問題が
全くなくなるとともに洗浄時間が著しく短縮された。
洗槽の底面を凸凹状としその凹部に設けられた細孔から
洗浄用の純水の一部が常時排出されるようにし水洗槽の
隅部に滞留しているパーティクルあるいは薬品の残渣等
の汚染物質を効果的に除去したので、洗浄不良の問題が
全くなくなるとともに洗浄時間が著しく短縮された。
第１図は本発明の一実施例における半導体つ工−ハの洗
浄装置の分解斜視図、第２図は従来の半導体洗浄装置の
分解斜視図である。 １：水洗槽１１１；床面（水洗槽の）、１２：細孔（凸
凹状床面の凹部の）、２：純水供給管。 ２１：細孔（純水供給管の） 、 ２２．２３７排水。 ４ 半導体ウェーハ （被洗浄体）
浄装置の分解斜視図、第２図は従来の半導体洗浄装置の
分解斜視図である。 １：水洗槽１１１；床面（水洗槽の）、１２：細孔（凸
凹状床面の凹部の）、２：純水供給管。 ２１：細孔（純水供給管の） 、 ２２．２３７排水。 ４ 半導体ウェーハ （被洗浄体）
Claims (1)
- １）水洗槽と、この底部に備えられ、数多くの細孔を有
する純水供給管とからなり、前記細孔から供給される洗
浄用の純水が水洗槽の中に収容された半導体ウェーハに
付着した汚染物質を取り込みつつ上昇し、水洗槽の上縁
からオーバフローして排出される半導体ウェーハの洗浄
装置において、水洗槽の底面が凸凹状をなし、その凹部
に１個またはそれ以上の細孔が設けられたことを特徴と
する半導体ウェーハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4821290A JPH03250732A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体ウェーハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4821290A JPH03250732A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体ウェーハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250732A true JPH03250732A (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=12797100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4821290A Pending JPH03250732A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体ウェーハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03250732A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393347A (en) * | 1991-07-23 | 1995-02-28 | Pct Systems, Inc. | Method and apparatus for removable weir overflow bath system with gutter |
| US5799678A (en) * | 1995-12-19 | 1998-09-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Apparatus for cleansing semiconductor wafer |
| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5927302A (en) * | 1992-04-07 | 1999-07-27 | Fujitsu Limited | Method for rinsing plate-shaped articles and cleaning bath and cleaning equipment used in the same |
| US6352084B1 (en) * | 1996-10-24 | 2002-03-05 | Steag Microtech Gmbh | Substrate treatment device |
| JP2016219674A (ja) * | 2015-05-25 | 2016-12-22 | 株式会社プレテック | 洗浄装置及び洗浄方法 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP4821290A patent/JPH03250732A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393347A (en) * | 1991-07-23 | 1995-02-28 | Pct Systems, Inc. | Method and apparatus for removable weir overflow bath system with gutter |
| US5927302A (en) * | 1992-04-07 | 1999-07-27 | Fujitsu Limited | Method for rinsing plate-shaped articles and cleaning bath and cleaning equipment used in the same |
| US5885360A (en) * | 1995-12-18 | 1999-03-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5799678A (en) * | 1995-12-19 | 1998-09-01 | Lg Semicon Co., Ltd. | Apparatus for cleansing semiconductor wafer |
| US6352084B1 (en) * | 1996-10-24 | 2002-03-05 | Steag Microtech Gmbh | Substrate treatment device |
| JP2016219674A (ja) * | 2015-05-25 | 2016-12-22 | 株式会社プレテック | 洗浄装置及び洗浄方法 |
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