KR20030037899A - 반도체 제조용 공정조 - Google Patents

반도체 제조용 공정조 Download PDF

Info

Publication number
KR20030037899A
KR20030037899A KR1020010069146A KR20010069146A KR20030037899A KR 20030037899 A KR20030037899 A KR 20030037899A KR 1020010069146 A KR1020010069146 A KR 1020010069146A KR 20010069146 A KR20010069146 A KR 20010069146A KR 20030037899 A KR20030037899 A KR 20030037899A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solution
tank
bath
inner tank
wafer
Prior art date
Application number
KR1020010069146A
Other languages
English (en)
Inventor
곽병호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010069146A priority Critical patent/KR20030037899A/ko
Publication of KR20030037899A publication Critical patent/KR20030037899A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조용 공정조(bath)에 관한 것이다. 본 발명의 공정조는 내조와 외조 그리고 순환 배관으로 구성된다. 내조의 용액은 외조로 흘러나가도록 되어 있으며, 외조의 용액은 순환 배관에 의해 외부로 보내지고, 용액 내의 불순물이 여과된 상태에서 다시 내조로 공급된다. 이러한 상기 내조는 그 측면에 복수 개의 홀들을 구비하고 있는데, 상기 홀들을 통하여 내조의 용액이 외조로 배출된다.

Description

반도체 제조용 공정조{A BATH FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION}
본 발명은 반도체 제조용 공정조에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 점점 고집적화되면서 미세한 파티클도 치명적인 손상을 주는 요인으로 작용하게 된다. 따라서 이들 각종 오염원을 제거 관리하기 위한 세정 기술은 제조 공정중 커다란 비중을 차지하는 공정으로 자리잡고 있다.
반도체 세정 공정과 식각 공정을 위하여 공정조(bath)라는 장치를 사용하고 있는데, 웨이퍼를 상기 공정조에 담구어서 세정과 식각 공정을 수행한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 공정조(10)는 공급관(40), 내조(30), 외조(20), 순환 배관(60) 및 펌프(50)로 구성된다.
먼저, 웨이퍼 제조를 위한 용액이 상기 공급관(40)으로부터 상기 내조(30)로 공급된다. 상기 내조를 둘러싸고 형성된 상기 외조(20)는 내조(30)로부터 오버 플로우(overflow)되는 용액을 수용한다. 상기 내조(30)와 외조(20) 상호간에는 펌프(50)에 의해 용액의 순환이 이루어지며, 상기 펌프(50)의 작동에 의해 상기 순환 배관(60)을 통하여 순환되는 용액은 순환 배관(60) 상에 설치되어 있는 여과기(미 도시된)에 의해 불순물들이 여과된다. 그리고 상기 내조(30)는 직육면체로 되어 있으며, 그 측면은 용액이 배출되지 않는 평면으로 되어 있다. 그래서 상기 공정조(10)는 내조(30)에서 오버 플로우되는 용액만이 외조(20)에 수용되는 방식이다. 상기 내조(30)의 용액에는 웨이퍼 세정 및 설비에서 발생한 파티클이 포함된다. 상기 파티클은 외부로 보내져서 여과가 이루어진 상태에서 다시 내조(30)로 공급되어야 한다.
그러나, 상기한 공정조는 내조에서 단순히 오버 플로우 되는 용액만 외조에 수용됨으로써, 상기 파티클 중 크기(size)가 크거나 무게가 무거운 파티클은 내조하부에 가라 앉아 외조로 배출되지 못한다. 따라서, 상기 파티클은 상기 순환 배관상에 설치된 여과기를 통해 여과되지 못하고 상기 내조에 남아 있게 된다. 상기 파티클이 제거되지 않은 내조의 용액에 공정을 위한 웨이퍼를 담구었을 경우, 상기 웨이퍼에 파티클을 역오염시키는 공정 불량을 야기하며, 이로 인해 웨이퍼의 수율이 떨어지는 문제점이 발생하였다.
본 발명의 목적은 공정조의 용액에 포함되어 있는 파티클을 여과하여 웨이퍼의 수율을 향상할 수 있는 반도체 제조용 공정조를 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조용 공정조를 보여주는 사시도이다.
도 2는 종래의 반도체 제조용 공정조의 측면도이다.
도 3은 본 발명의 반도체 제조용 공정조를 보여주는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 제조용 공정조의 측면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10,100 : 공정조(bath)
20,130 : 외조
30,120 : 내조
40,110 : 공급관
50,140 : 펌프
60,150 : 순환 배관
160 : 홀(hole)
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 공정조는 용액의 공급을 위한 공급관, 상기 공급관으로부터 공급된 용액이 담겨지는 내조, 상기 내조로부터 흘러나온 용액을 수용하는 외조, 상기 공정조의 외부에 설치되고, 상기 외조로부터 상기 내조로 용액을 순환시키기 위한 펌프 및 상기 펌프에 의해 순환되는 용액이 흐르는 순환 배관으로 구성된다. 또한, 상기 내조는 내조의 용액이 상기 외조로 흘러 나가도록 하기 위한 배출 수단을 구비한다.
이와 같은 본 발명에서, 상기 배출 수단은 상기 내조의 측면에 형성되는 복수 개의 홀(hole)들이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 3 내지 도 4에 의거하여 상세히 설명한다. 또한, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.
도 3은 본 발명의 반도체 제조용 공정조를 보여주는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 반도체 제조용 공정조의 측면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 공정조(100)는 공급관(110), 내조(120), 외조(130), 펌프(140), 순환 배관(150)으로 구성된다.
상기 공급관(110)을 통하여 공정을 위한 용액은 상기 내조(120)로 공급되고, 공정 중에 손실된 용액의 보충이 이루어진다. 상기 공급관(110)으로부터 공급된 용액을 수용하는 상기 내조(120)에는 공정을 위한 웨이퍼가 담겨진다. 상기 내조(120)의 측면에는 복수 개의 홀(160)들이 형성되어 있는데, 상기 홀(160)들을 통하여 내조(120)의 용액은 내조(120)를 둘러싸고 형성된 상기 외조(130)로 배출된다. 상기 내조(120)의 용액에는 웨이퍼 제조 공정을 통하여 발생된 파티클이 포함되어 있는데, 상기 파티클은 상기 홀(160)들을 통하여 용액과 함께 외조(130)로 배출된다. 이렇게 함으로써, 내조(120) 하부에 가라 앉아 있는 파티클까지도 외조(130)로 배출될 수 있다. 그리고, 상기 홀(160)들은 상기 내조(120)의 측면 전체에 걸쳐 고르게 형성되어 지는 것이 바람직하다.
상기 외조(130)로 배출된 용액은 상기 펌프(140)의 작동에 의하여 상기 순환 배관(150)을 통해 외조(130)에서 내조(120)로 순환이 이루어진다. 상기 순환 배관 (150)상에는 용액에 포함되어 있는 파티클을 여과하기 위한 여과기(미 도시된)가 설치된다. 따라서, 상기 여과기를 통하여 파티클은 제거되고, 상기 파티클이 제거된 용액은 다시 내조(120)로 공급된다. 그리고, 이러한 공정 과정에서 용액의 손실이 발생하면 상기 공급관(110)에 의해 용액의 보충이 이루어진다.
본 발명의 범위 및 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 상기 본 발명의 장치에 대한 다양한 변형 및 변화가 가능하다는 것은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 공정조의 내조가 내조에 수용된 용액을 외조로 배출할 수 있는 배출 수단인 복수 개의 홀들을 구비함으로써, 상기 홀들을 통하여 내조의 용액에 포함되어 있는 파티클이 외조로 배출될 수 있고, 용액 순환 과정에서 파티클이 여과되어 질 수 있다. 이로 인해, 파티클에 의한 공정 불량을 방지하여 웨이퍼 수율을 향상할 수 있다.

Claims (3)

  1. 웨이퍼의 제조 공정을 위한 용액이 담겨지는 공정조에 있어서:
    용액의 공급을 위한 공급관;
    상기 공급관으로부터 공급된 용액이 담겨지는 내조;
    상기 내조로부터 흘러나온 용액을 수용하는 외조;
    상기 외조의 외부에 설치되고, 상기 외조로부터 상기 내조로 용액을 순환시키기 위한 펌프; 및
    상기 펌프에 의해 순환되는 용액이 흐르는 순환 배관을 구비하되;
    상기 내조는 내조의 용액이 상기 외조로 흘러 나가도록 하기 위한 배출 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조용 공정조.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 배출 수단은
    상기 내조의 측면에 형성되는 그리고 용액이 흘러나가기 위한 홀(hole)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조용 공정조.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 홀은 상기 내조의 측면에 복수 개로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조용 공정조.
KR1020010069146A 2001-11-07 2001-11-07 반도체 제조용 공정조 KR20030037899A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010069146A KR20030037899A (ko) 2001-11-07 2001-11-07 반도체 제조용 공정조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010069146A KR20030037899A (ko) 2001-11-07 2001-11-07 반도체 제조용 공정조

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030037899A true KR20030037899A (ko) 2003-05-16

Family

ID=29568345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010069146A KR20030037899A (ko) 2001-11-07 2001-11-07 반도체 제조용 공정조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030037899A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101337603B1 (ko) * 2013-08-13 2013-12-06 (주)이케이테크 복열 프리필터 구조를 가지는 다중 액조 장치
CN117476512A (zh) * 2023-12-28 2024-01-30 深圳市沃德芯科技有限公司 一种应用于半导体芯片生产的浸蚀装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5282923A (en) * 1992-08-13 1994-02-01 Vlsi Technology, Inc. Liquid agitation and purification system
JPH10177984A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Kaijo Corp 洗浄機
KR19990020772U (ko) * 1997-11-28 1999-06-25 구본준 반도체 웨이퍼 세정장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5282923A (en) * 1992-08-13 1994-02-01 Vlsi Technology, Inc. Liquid agitation and purification system
JPH10177984A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Kaijo Corp 洗浄機
KR19990020772U (ko) * 1997-11-28 1999-06-25 구본준 반도체 웨이퍼 세정장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101337603B1 (ko) * 2013-08-13 2013-12-06 (주)이케이테크 복열 프리필터 구조를 가지는 다중 액조 장치
CN117476512A (zh) * 2023-12-28 2024-01-30 深圳市沃德芯科技有限公司 一种应用于半导体芯片生产的浸蚀装置
CN117476512B (zh) * 2023-12-28 2024-03-19 深圳市沃德芯科技有限公司 一种应用于半导体芯片生产的浸蚀装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100252221B1 (ko) 반도체장치 제조용 습식 식각장치 및 습식 식각장치내의 식각액 순환방법
US20030084921A1 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus and method
KR100555857B1 (ko) 약액처리장치 및 약액처리방법
KR20030037899A (ko) 반도체 제조용 공정조
JPH05152273A (ja) 枚葉洗浄用オーバーフロー槽
JP2835546B2 (ja) エッチング等の処理槽
KR101915358B1 (ko) 반도체 세정장치 및 이에 적용된 세정 방법
JP2009141022A (ja) 基板処理装置
US20080302395A1 (en) Wet processing apparatus and method for discharging particles along horizontal liquid flow
KR20050003896A (ko) 반도체 제조 설비의 세정액 순환 장치
JPH03250732A (ja) 半導体ウェーハの洗浄装置
JPH0448629A (ja) 半導体ウェーハの液処理装置
JP2006100493A (ja) パーティクル除去方法および基板処理装置
JP2000033347A (ja) 洗浄装置
KR100223871B1 (ko) 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 습식 세정장치
KR200188822Y1 (ko) 습식공정장치
JPH1050654A (ja) ウェーハ処理装置
JPH04124824A (ja) 半導体ウェハの洗浄方法
JPH11319736A (ja) 基板処理方法及びその装置
KR20060030689A (ko) 기판 세정 장치
KR0161865B1 (ko) 제트노즐을 이용한 반도체웨이퍼 세정장치
KR20000021721A (ko) 웨트 스테이션의 약액 순환 시스템
KR20110099510A (ko) 약액 순환 장치 및 기포 제거 장치
JP2001028356A (ja) 洗浄装置
KR20070069562A (ko) 웨이퍼 세정용 약액 공급 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application