JPS6242372B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6242372B2 JPS6242372B2 JP56147677A JP14767781A JPS6242372B2 JP S6242372 B2 JPS6242372 B2 JP S6242372B2 JP 56147677 A JP56147677 A JP 56147677A JP 14767781 A JP14767781 A JP 14767781A JP S6242372 B2 JPS6242372 B2 JP S6242372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- cleaning tank
- cleaning
- cleaned
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液体による物体の洗浄を行なう際に用
いる洗浄槽に関し、特にシリコン等半導体ウエハ
の水洗用の水洗槽に関する。
いる洗浄槽に関し、特にシリコン等半導体ウエハ
の水洗用の水洗槽に関する。
半導体ウエハの水洗は、半導体装置の製造工程
に不可欠の工程であり、脱イオン水を多量に用い
て行なわれる。
に不可欠の工程であり、脱イオン水を多量に用い
て行なわれる。
脱イオン水の製造には多額の費用を必要とする
ので、より少量の水で効果的にウエハ洗浄を行な
う努力がなされている。
ので、より少量の水で効果的にウエハ洗浄を行な
う努力がなされている。
本発明はそのための一つの解決策として、新規
な構造の水洗槽を提案し、上記の目的を達成しよ
うとするものである。
な構造の水洗槽を提案し、上記の目的を達成しよ
うとするものである。
この種の水洗に使用する洗浄槽の例を、断面図
によつて第１図ａ，ｂに示し、これに従つて従来
例を説明する。洗浄すべきウエハ１は、ウエハを
等間隔に並べてセツトして洗浄するための治具２
に入れられ、洗浄槽３の中で水洗される。脱イオ
ン水は、洗浄槽の底部中央の給水口４から入り、
底板５を通つて洗浄槽内部に入り、ウエハ１を洗
浄する。脱イオン水は連続的に供給され、洗浄槽
３をオーバーフローするか、或は一旦洗浄槽いつ
ぱいに給水した後、給水口４から排水し、新しい
水を再び給水することを繰り返すことによりウエ
ハの洗浄が行なわれる。
によつて第１図ａ，ｂに示し、これに従つて従来
例を説明する。洗浄すべきウエハ１は、ウエハを
等間隔に並べてセツトして洗浄するための治具２
に入れられ、洗浄槽３の中で水洗される。脱イオ
ン水は、洗浄槽の底部中央の給水口４から入り、
底板５を通つて洗浄槽内部に入り、ウエハ１を洗
浄する。脱イオン水は連続的に供給され、洗浄槽
３をオーバーフローするか、或は一旦洗浄槽いつ
ぱいに給水した後、給水口４から排水し、新しい
水を再び給水することを繰り返すことによりウエ
ハの洗浄が行なわれる。
底板５は、給水口４から入つた水が、洗浄槽中
で均等な流れとなるようにする目的で設けられ
る。
で均等な流れとなるようにする目的で設けられ
る。
従来は、第１図ｃに平面図を示すように、全域
にわたり等間隔に同一の穴を設けた板（いわゆる
パンチングボード）を用いていた。この欠点は、
水流を必要としない部分にも同じように水を流す
ことである。つまり第１図ａ，ｂでわかるよう
に、洗浄すべきウエハ１は巾ｘ、長さｙの範囲に
あり、周辺部は洗浄治具２の枠部と治具を出し入
れするための余裕として必要であつて、必ずしも
水流を要しない。
にわたり等間隔に同一の穴を設けた板（いわゆる
パンチングボード）を用いていた。この欠点は、
水流を必要としない部分にも同じように水を流す
ことである。つまり第１図ａ，ｂでわかるよう
に、洗浄すべきウエハ１は巾ｘ、長さｙの範囲に
あり、周辺部は洗浄治具２の枠部と治具を出し入
れするための余裕として必要であつて、必ずしも
水流を要しない。
この不要な領域へ流れる水を減らし、必面な領
域へ流れる水量をふやすように底板５の構造を改
良したのが本発明である。以下、本発明の実施例
を述べる。
域へ流れる水量をふやすように底板５の構造を改
良したのが本発明である。以下、本発明の実施例
を述べる。
第２図では、洗浄すべきウエハが配置されるべ
き巾ｘ、長さｙの範囲にある穴６の口径を大きく
し、周辺部の穴７の口径を小さくし、ウエハ１の
表面により多くの水が供給されるようにしたもの
である。
き巾ｘ、長さｙの範囲にある穴６の口径を大きく
し、周辺部の穴７の口径を小さくし、ウエハ１の
表面により多くの水が供給されるようにしたもの
である。
第３図は、洗浄すべきウエハが配置されるべき
巾ｘ、長さｙの範囲にある穴の形成密度を高く
し、洗浄ウエハ１の表面により多くの水が供給さ
れるようにしたものである。
巾ｘ、長さｙの範囲にある穴の形成密度を高く
し、洗浄ウエハ１の表面により多くの水が供給さ
れるようにしたものである。
第４図は洗浄槽の横方向から脱イオン水を供給
する例の断面図である。脱イオン水は供給口４か
ら入り、壁面５１に設けられた穴を通過し、洗浄
槽３に供給され、ウエハ１を洗浄し、洗浄槽から
オーバーフローして捨てられる。この場合、壁面
５１は第２図又は第３図の底板を縦方向に設定し
たと考えればよく、巾ｘは第４図のように高さ方
向にとる。
する例の断面図である。脱イオン水は供給口４か
ら入り、壁面５１に設けられた穴を通過し、洗浄
槽３に供給され、ウエハ１を洗浄し、洗浄槽から
オーバーフローして捨てられる。この場合、壁面
５１は第２図又は第３図の底板を縦方向に設定し
たと考えればよく、巾ｘは第４図のように高さ方
向にとる。
この構造によつても脱イオン水の供給は、ウエ
ハ１の設置部へより多くなされ、下方向から供給
する構造と同様、必要最少限度の脱イオン水の使
用でウエハ１の洗浄がなされる。
ハ１の設置部へより多くなされ、下方向から供給
する構造と同様、必要最少限度の脱イオン水の使
用でウエハ１の洗浄がなされる。
以上説明したように、本発明の洗浄槽では、洗
浄液の供給がなされる底面もしくは側壁の構造を
上記の実施例に述べたように、必要な領域により
多くの水を供給し、不面な部分にはより少ない水
を与える構造に設定することにより洗浄効果が著
しく向上する。
浄液の供給がなされる底面もしくは側壁の構造を
上記の実施例に述べたように、必要な領域により
多くの水を供給し、不面な部分にはより少ない水
を与える構造に設定することにより洗浄効果が著
しく向上する。
したがつて、従来の洗浄槽と同一の水量を用い
るならば、より効果的に洗浄、水洗を行なうこと
のできる利点を有するものである。
るならば、より効果的に洗浄、水洗を行なうこと
のできる利点を有するものである。
第１図ａ，ｂはそれぞれ洗浄槽の断面図、第１
図ｃは従来の洗浄槽の底板の構造を示す平面図、
第２図、第３図はそれぞれ本発明の実施例である
洗浄槽の底板又は壁面の構造を示す平面図、第４
図は本発明の他の実施例である洗浄槽の断面図で
ある。 １……洗浄すべきウエハ、２……洗浄治具、３
……洗浄槽、５……底板、５１……壁面、６，７
……洗浄液導入用の孔。
図ｃは従来の洗浄槽の底板の構造を示す平面図、
第２図、第３図はそれぞれ本発明の実施例である
洗浄槽の底板又は壁面の構造を示す平面図、第４
図は本発明の他の実施例である洗浄槽の断面図で
ある。 １……洗浄すべきウエハ、２……洗浄治具、３
……洗浄槽、５……底板、５１……壁面、６，７
……洗浄液導入用の孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 洗浄すべき物体が配置される領域の直下の底
板部分に、他の部分よりも開口面積が大きいか又
は穿設密度が高い洗浄液導入用の複数個の穴を設
けたことを特徴とする洗浄槽。 ２ 洗浄すべき物体が配置される領域に対応する
壁面の部分に、他の部分よりも開口面積が大きい
か又は穿設密度が高い洗浄液導入用の複数個の穴
を設けたことを特徴とする洗浄槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14767781A JPS5848423A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 洗浄槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14767781A JPS5848423A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 洗浄槽 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848423A JPS5848423A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6242372B2 true JPS6242372B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=15435776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14767781A Granted JPS5848423A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 洗浄槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848423A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159838A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエ−ハ洗浄装置 |
| JPH0234823Y2 (ja) * | 1985-04-12 | 1990-09-19 | ||
| US4753258A (en) * | 1985-08-06 | 1988-06-28 | Aigo Seiichiro | Treatment basin for semiconductor material |
| JPH01184926A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
| KR100405156B1 (ko) * | 2001-05-10 | 2003-11-12 | 김선욱 | 고압 세정장치 |
| JP2010267340A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-25 | Showa Denko Kk | 流水式洗浄方法及び流水式洗浄装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5239322U (ja) * | 1975-09-10 | 1977-03-19 | ||
| JPS562245B2 (ja) * | 1976-06-23 | 1981-01-19 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744685Y2 (ja) * | 1979-06-20 | 1982-10-02 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14767781A patent/JPS5848423A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5239322U (ja) * | 1975-09-10 | 1977-03-19 | ||
| JPS562245B2 (ja) * | 1976-06-23 | 1981-01-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848423A (ja) | 1983-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5850841A (en) | Cleaning apparatus of semiconductor device | |
| JPS6242372B2 (ja) | ||
| JP2920165B2 (ja) | 枚葉洗浄用オーバーフロー槽 | |
| JPH0499025A (ja) | 水洗装置 | |
| JPS6242373B2 (ja) | ||
| JPS6242374B2 (ja) | ||
| JPS62156659A (ja) | 洗浄方法及び装置 | |
| JP3223020B2 (ja) | 洗浄／エッチング装置およびその方法 | |
| JPH04124824A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| JPH03250732A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄装置 | |
| JPH05166787A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄リンス槽 | |
| JPH10242105A (ja) | ウェット処理装置 | |
| JPS6159838A (ja) | ウエ−ハ洗浄装置 | |
| JP2568799Y2 (ja) | ウエハー処理装置 | |
| JP3190124B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JPH05267262A (ja) | 半導体ウェーハ洗浄装置 | |
| JPS6072234A (ja) | 半導体ウエハ−の水洗装置 | |
| JP3080031B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JP3208809B2 (ja) | オーバーフロー洗浄槽 | |
| KR0125681Y1 (ko) | 웨이퍼 세정조 | |
| KR0178000B1 (ko) | 웨이퍼의 세정 장치 | |
| KR0139532Y1 (ko) | 웨이퍼 세정용 세정조 | |
| JPH0744013Y2 (ja) | ウェーハ薬液処理装置 | |
| KR960007315Y1 (ko) | 웨이퍼 세정용 순수공급 노즐 | |
| JPH1022252A (ja) | 洗浄槽 |