JPS5848423A - 洗浄槽 - Google Patents

洗浄槽

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JPS5848423A
JPS5848423A JP14767781A JP14767781A JPS5848423A JP S5848423 A JPS5848423 A JP S5848423A JP 14767781 A JP14767781 A JP 14767781A JP 14767781 A JP14767781 A JP 14767781A JP S5848423 A JPS5848423 A JP S5848423A
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JP
Japan
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water
supplied
washing
wafer
washing tank
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JP14767781A
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JPS6242372B2 (ja
Inventor
Itaru Yamanaka
山仲　格
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液体による物体の洗浄を行なう際に用いる洗浄
槽に関し、特にシリコン等半導体ウェー・の水洗用の水
洗槽に関する。
半導体ウニノ・の水洗は、半導体装置の製造工程に不可
欠の工程であり、脱イオン水を多量に用いて行なわれる
。
脱イオン水の製造には多額の費用を必要とするので、よ
り少量の水で効果的にウニノ・洗浄を行なう努力がなさ
れている。
本発明はそのための一つの解決策として、新規な構造の
水洗槽を提案し、上記の目的を達成しようとするもので
ある。
この種の水洗に使用する洗浄槽の例を、断面図によって
第１図（ａ）　、　（ｂ）に示し、これに従って従来例
を説明する。洗浄すべきウニノ・１は、ウニノ・を等間
隔に並べてセットして洗浄するための治具２に入れられ
、洗浄槽３の中で水洗される。脱イオン水は、洗浄槽の
底部中央の給水口４から入り、底板６を通って洗浄槽内
部に入り、ウニノ・１を洗浄する。脱イオン水は連続的
に供給され、洗浄槽３をオーバーフローするか、或は一
旦洗浄槽いっばいに給水した後、給水口４から排水し、
新しい水を再び給水することを繰シ返すことによシ洗浄
槽へ供給され、ウニノーの洗浄が行なわれる。
底板６は、給水口４から入った水が、洗浄槽中で均等な
流れとなるようにする目的で設けられる。
従来は、第１図（Ｃ）に平面図を示すように、全域にわ
たシ等間隔に同一の穴を設けた板（いわゆるパンチング
ボード）を用いていた。この欠点は。
水流を必要としない部分にも同じように水を流すことで
ある。つまシ第１図（ａ）　、　（ｂ）でわかるように
、洗浄すべきウェハ１は巾Ｉ、長さｙの範囲にあり、周
辺部は洗浄治具２の枠部と治具を出し入れするだめの余
裕として必要であって、必ずしも水流を要しない。
この不要な領域へ流れる水を減らし、必要な領１域へ流
れる水量をふやすように底板５の構造を改良したのが本
発明である。以下、本発明の実施例を述べる。
第２図では、洗浄すべきウェハが配置されるべき巾！、
長さｙの範囲にある穴６の口径を大きくし、周辺部の穴
７の口径を小さくし、ウェー・１の表面により多くの水
が供給されるようにしたものである。
第３図は、洗浄すべきウェハが配置されるべき巾Ｘ、長
さｙの範囲にある穴の形成密度を高くし、洗浄ウェハ１
の表面により多くの水が供給されるようにしたものであ
る。
第４図は洗浄槽の横方向から脱イオン水を供給する例の
断面図である。脱イオン水は供給口４から入シ、壁面５
１に設けられた大を通過し、洗浄槽３に供給され、ウェ
ハ１を洗浄し、洗浄槽からオーバーフローして捨てられ
る。この場合、壁面６１は第２図又は第３図の底板を縦
方向に設定したと考えればよく、巾Ｉは第４図のように
高さ方向にとる。
この構造によっても脱イオン水の供給は、ウェハ１の設
置部へよシ多くなされ、下方向から供給する構造と同様
、必要最少限度の脱イオン水の使用でウェハ１の洗浄が
なされる。
以上説明したように、本発明の洗浄槽では、洗浄液の供
給がなされる底面もしくは側壁の構造を上記の実施例に
述べたように、必要な領域により多くに水を供給し、不
要な部分にはより少ない水を与える構造に設定すること
により洗浄効果が著るしく向上する。
したがって、従来の洗浄槽と同一の水量を用い□　　　
るならば、より効果的に洗浄、水洗を行なうことのでき
る利点を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）　ｔ　（ｂ）はそれぞれ洗浄槽の断面図、
第１図（Ｃ）は従来の洗浄槽の底板の構造を示す平面図
、第２図、第３図はそれぞれ本発明の実施例である洗浄
槽の底板又は壁面の構造を示す平面図、第４図は本発明
の他の実施例である洗浄槽の断面図である。 １・・・・・・洗浄すべきウニ″、２・・・・・・洗浄
治具、３・・・・・・洗浄槽、６・・・・・・底板、６
１・・＝・・・壁面、６　、７　、、、、、、洗浄液導
入用の孔。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名９ 第２図 第４図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）洗浄すべき物体が配置される領域の直下の底板部
    分に、他の部分よりも開口面積が大きいか又は穿設密度
    が高い洗浄液導入用の複数個の穴を設けたことを特徴と
    する洗浄槽。
  2. （２）洗浄すべき物体が配置される領域に対応する壁面
    の部分に、他の部分よりも開口面積が大きいか又は穿設
    密度が高い洗浄液導入用の複数個の穴を設けたことを特
    徴とする洗浄槽。
JP14767781A 1981-09-17 1981-09-17 洗浄槽 Granted JPS5848423A (ja)

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JP14767781A JPS5848423A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 洗浄槽

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JP14767781A JPS5848423A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 洗浄槽

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JPS5848423A true JPS5848423A (ja) 1983-03-22
JPS6242372B2 JPS6242372B2 (ja) 1987-09-08

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ID=15435776

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JP14767781A Granted JPS5848423A (ja) 1981-09-17 1981-09-17 洗浄槽

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JPS6242372B2 (ja) 1987-09-08

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