JPS5861632A - 洗浄槽 - Google Patents
洗浄槽Info
- Publication number
- JPS5861632A JPS5861632A JP16058381A JP16058381A JPS5861632A JP S5861632 A JPS5861632 A JP S5861632A JP 16058381 A JP16058381 A JP 16058381A JP 16058381 A JP16058381 A JP 16058381A JP S5861632 A JPS5861632 A JP S5861632A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- water
- holes
- wafers
- washing
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は洗浄槽の構造に関係する。特に半導体ウニ・・
を水洗する際に用いる水洗槽に関わる。
を水洗する際に用いる水洗槽に関わる。
従来例を第１図ａ、ｂに示す断面図について説明する。
半導体ウニ・・１は等間隔に並べて洗浄等 □の処理を
行なうための治具２にセットされ、洗浄２、・−・・ 槽３の水４の中に浸けられる。この例は２台の治具を並
置し、これらにそれぞれ半導体ウェハを載置して洗浄す
る洗浄槽である。水は給水口６から供給され、第１図Ｃ
に平面図で示すように給水口６側に配置された流量制御
用の制御板６同一大きさの穴７を等間隔で多数あけであ
る（ただし、同図では一部を省略している）通過域を通
過して、洗浄槽３に入り１ウエハを洗浄して、洗浄槽の
壁面からオーバーフローして捨てられる。或は流水系と
しては、給水口６から、一旦オーバーフローするまで給
水し、給水を停止し、給水口６から排水する操作を繰り
返えす洗浄方法を採ることもある。
行なうための治具２にセットされ、洗浄２、・−・・ 槽３の水４の中に浸けられる。この例は２台の治具を並
置し、これらにそれぞれ半導体ウェハを載置して洗浄す
る洗浄槽である。水は給水口６から供給され、第１図Ｃ
に平面図で示すように給水口６側に配置された流量制御
用の制御板６同一大きさの穴７を等間隔で多数あけであ
る（ただし、同図では一部を省略している）通過域を通
過して、洗浄槽３に入り１ウエハを洗浄して、洗浄槽の
壁面からオーバーフローして捨てられる。或は流水系と
しては、給水口６から、一旦オーバーフローするまで給
水し、給水を停止し、給水口６から排水する操作を繰り
返えす洗浄方法を採ることもある。
従来の洗浄槽の欠点は、洗浄すべきウエノ・１の存在し
ない領域に対応する穴７１からもはソ同じように水が供
給され、この部分の水はウエノ・の洗浄に殆んど寄与す
ることがないため洗浄効率がよくないことである。洗浄
効率からは、同量の水を用いてもウェハ１の表面に多く
の水が流れるようにすることが望ましい。ウエノ・のセ
ットされる位３／〜−一・ 置、Ｘ１Ｘ ７ ｒ Ｘ２ Ｘ ７の直下の底板がら、
より多くの水が流入するようにしたい。
ない領域に対応する穴７１からもはソ同じように水が供
給され、この部分の水はウエノ・の洗浄に殆んど寄与す
ることがないため洗浄効率がよくないことである。洗浄
効率からは、同量の水を用いてもウェハ１の表面に多く
の水が流れるようにすることが望ましい。ウエノ・のセ
ットされる位３／〜−一・ 置、Ｘ１Ｘ ７ ｒ Ｘ２ Ｘ ７の直下の底板がら、
より多くの水が流入するようにしたい。
第２の欠点は、給水口６から近い穴７２には多くの水が
通過するが、遠い穴７３には少ない水しか通らず、水流
が不均一であり、場所的に洗浄効率も不均一となること
である。
通過するが、遠い穴７３には少ない水しか通らず、水流
が不均一であり、場所的に洗浄効率も不均一となること
である。
本発明はこれらの欠点を解消するため第２図の平面図（
ただし、右半分は、左半分に対称で同じであるため省略
）のように、ウェハ位置の直下の範囲ｘ１Ｘｙ およ
びＸ２Ｘｙには、流通口として、大きい穴、たとえば約
３φの穴７４を、しかも給水口６から遠い位置には最も
大きい穴、たとえば、約４φの穴７５を設け、ウェハの
存在しない位置に対応する制御６の部分には小さい穴、
たとえば、約２．６φの穴７６を設ける。これにより、
ウェハ表面にはより多くの水が、はソ均一に流れ、ウェ
ハのない周辺部、つまり治具２の枠部で治具の出し入れ
のマージンとして必要な寸法に対応する部分には、流れ
が停滞しない程度に水を流すことにより、同一水量を消
費しても、効率的に洗浄を行ヵえ、ｓ＋Ｉｌや、工あえ
。 特開昭５８−ＧＩＧ３２（２）第３図
（右半分の一部は省略）は、流通口となる穴の開口面積
は全て同一で、＊ＩＸｙ 、及びＸ２Ｘ７内７了では密
度を高く、特に給水口５から遠い場所７８では密度を更
に高くすることによって、上記と同様の効果を挙げた例
である。
ただし、右半分は、左半分に対称で同じであるため省略
）のように、ウェハ位置の直下の範囲ｘ１Ｘｙ およ
びＸ２Ｘｙには、流通口として、大きい穴、たとえば約
３φの穴７４を、しかも給水口６から遠い位置には最も
大きい穴、たとえば、約４φの穴７５を設け、ウェハの
存在しない位置に対応する制御６の部分には小さい穴、
たとえば、約２．６φの穴７６を設ける。これにより、
ウェハ表面にはより多くの水が、はソ均一に流れ、ウェ
ハのない周辺部、つまり治具２の枠部で治具の出し入れ
のマージンとして必要な寸法に対応する部分には、流れ
が停滞しない程度に水を流すことにより、同一水量を消
費しても、効率的に洗浄を行ヵえ、ｓ＋Ｉｌや、工あえ
。 特開昭５８−ＧＩＧ３２（２）第３図
（右半分の一部は省略）は、流通口となる穴の開口面積
は全て同一で、＊ＩＸｙ 、及びＸ２Ｘ７内７了では密
度を高く、特に給水口５から遠い場所７８では密度を更
に高くすることによって、上記と同様の効果を挙げた例
である。
洗浄治具が１台の場合についての他の実施例を断面図に
よって第４図ａに示す。この例では、水は給水口５１か
ら流量を制御する制御板である壁板６１を通過して、ウ
ェハ１に対して横方向に入り、主に左側の壁板からオー
バーフローされる。
よって第４図ａに示す。この例では、水は給水口５１か
ら流量を制御する制御板である壁板６１を通過して、ウ
ェハ１に対して横方向に入り、主に左側の壁板からオー
バーフローされる。
壁板６１の構造は第４図すに平面図を示すように、洗浄
すべきウニ・・１に対応する領域、この場合、縦方向に
Ｘ、奥行方向にｙを考え、ｘＸｙの面積範囲に対応する
壁板の部分で、且つ給水口６１から遠い部分に大きい穴
７５として約４φの流通口を、他の部分には中程度の穴
７４として約３φの流通口を、それ以外の部分、つまシ
ウエハに対応しない領域に小さい穴アロとして約２．６
φの流通口を設ける。この場合は、水は左下から右上へ
流れるので壁板の下側に大きい穴を多くして、流れが均
一になり、洗浄効果がはｙ均等となるようにした。
すべきウニ・・１に対応する領域、この場合、縦方向に
Ｘ、奥行方向にｙを考え、ｘＸｙの面積範囲に対応する
壁板の部分で、且つ給水口６１から遠い部分に大きい穴
７５として約４φの流通口を、他の部分には中程度の穴
７４として約３φの流通口を、それ以外の部分、つまシ
ウエハに対応しない領域に小さい穴アロとして約２．６
φの流通口を設ける。この場合は、水は左下から右上へ
流れるので壁板の下側に大きい穴を多くして、流れが均
一になり、洗浄効果がはｙ均等となるようにした。
本発明の構成によれば洗浄すべき物体にできるだけ多く
の水を送り、他の部分には水が停滞しない程度に、それ
ぞれ水量の配分２割当てをすることにより、洗浄効果を
挙げることができ、水量の節減、洗浄時間の短縮等の利
点を有する。
の水を送り、他の部分には水が停滞しない程度に、それ
ぞれ水量の配分２割当てをすることにより、洗浄効果を
挙げることができ、水量の節減、洗浄時間の短縮等の利
点を有する。
第１図ａ、ｂは従来例を説明するための洗浄槽の断面図
、第１図Ｃは同従来例の洗浄槽の底板の平面図、第２図
、第３図は本発明の一実施例における洗浄槽の要部平面
図、第４図とは、他の実施例洗浄槽の断面図、第４図す
は、同実施例の要部の平面図である。 １・・・・・・洗浄すべきウェハ、２・・・・・・洗浄
治具、３−１Ｉ・−０洗浄槽、５．５１−・・―・給水
口、６・・・・・・・底板、６１・・・・・・壁板（流
量制御板）、７，７１゜７２．７３，７４，７６．７６
−・・・・穴。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ｔｌか１名第
１図 第 ２ 図 第３図
、第１図Ｃは同従来例の洗浄槽の底板の平面図、第２図
、第３図は本発明の一実施例における洗浄槽の要部平面
図、第４図とは、他の実施例洗浄槽の断面図、第４図す
は、同実施例の要部の平面図である。 １・・・・・・洗浄すべきウェハ、２・・・・・・洗浄
治具、３−１Ｉ・−０洗浄槽、５．５１−・・―・給水
口、６・・・・・・・底板、６１・・・・・・壁板（流
量制御板）、７，７１゜７２．７３，７４，７６．７６
−・・・・穴。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ｔｌか１名第
１図 第 ２ 図 第３図
Claims (3)
- （１）給水口側に洗浄液の流量を制御する制御板を有し
、上記制御板の、洗浄すべき物体に対応する位置もしく
は、上記給水口から遠い位置に、洗浄液の流量が多くな
るよう開口部の大きい流通口を設けたことを特徴とする
洗浄槽。 - （２）流通口開口部を給水口から遠ざかるにしたがい大
きな穴とした特許請求の範囲第１項記載の洗浄槽。 - （３）開口部、を一定の大きさの穴の密度によシ変化さ
せた特許請求の範囲第１項記載の洗浄槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16058381A JPS5861632A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 洗浄槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16058381A JPS5861632A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 洗浄槽 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861632A true JPS5861632A (ja) | 1983-04-12 |
| JPS6242373B2 JPS6242373B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=15718091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16058381A Granted JPS5861632A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 洗浄槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861632A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503171A (en) * | 1992-12-26 | 1996-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrates-washing apparatus |
| US5873381A (en) * | 1996-03-13 | 1999-02-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Wet treatment apparatus for semiconductor wafer |
| US5921257A (en) * | 1996-04-24 | 1999-07-13 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| US6059891A (en) * | 1997-07-23 | 2000-05-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6115867A (en) * | 1997-08-18 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| US6273107B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
| KR100828279B1 (ko) | 2006-11-09 | 2008-05-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 판형 순수공급판을 갖춘 린스 베스 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562245U (ja) * | 1979-06-20 | 1981-01-10 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53446A (en) * | 1976-06-23 | 1978-01-06 | Noritsu Co Ltd | Oprating device for ags instrument |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP16058381A patent/JPS5861632A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562245U (ja) * | 1979-06-20 | 1981-01-10 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503171A (en) * | 1992-12-26 | 1996-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrates-washing apparatus |
| US5873381A (en) * | 1996-03-13 | 1999-02-23 | Lg Semicon Co., Ltd. | Wet treatment apparatus for semiconductor wafer |
| US5921257A (en) * | 1996-04-24 | 1999-07-13 | Steag Microtech Gmbh | Device for treating substrates in a fluid container |
| US6059891A (en) * | 1997-07-23 | 2000-05-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6115867A (en) * | 1997-08-18 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| US6276378B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-08-21 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| US6273107B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Positive flow, positive displacement rinse tank |
| KR100828279B1 (ko) | 2006-11-09 | 2008-05-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 판형 순수공급판을 갖춘 린스 베스 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242373B2 (ja) | 1987-09-08 |
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