JPH0298931A - 半導体基板浸漬処理槽 - Google Patents

半導体基板浸漬処理槽

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JPH0298931A
JPH0298931A JP25260888A JP25260888A JPH0298931A JP H0298931 A JPH0298931 A JP H0298931A JP 25260888 A JP25260888 A JP 25260888A JP 25260888 A JP25260888 A JP 25260888A JP H0298931 A JPH0298931 A JP H0298931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
treatment
tank
liquid
treatment tank
processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP25260888A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Seo
瀬尾　祐史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板を薬液または超純水に浸漬して湿
式処理するために用いる槽に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体基板（以後、ウェハーと称する）
浸漬処理槽は、槽底部から液を導入し、槽上部からのみ
処理液をオーバーフロー出来る構造であった。
第４図は、従来のウェハー浸漬処理槽の外観図の一例で
ある。処理液供給孔１０から供給した液を処理槽１１の
槽壁上部に設けられたオーバーフロー溝１２からあふれ
出させるものであった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のウェハー浸漬処理槽は、角槽の底部から
給液し、上部よりオーバーフローするだけであり、角槽
の槽壁と底面の境界部近傍では、よどみが生じ、新液と
の置換が充分に行われないという欠点がある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のウェハー浸漬処理槽に対し、本発明は処
理槽内澱み発生部近傍に排液孔を設けているという相違
点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のウェハー浸漬処理槽は、ウェノ・−を浸漬し得
る形状の処理槽と、処理槽底部に設けた処理液供給孔と
、処理槽内処理液の澱み発生部近傍に設けた排液孔を有
している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の外観図であり、第２図は配
管図である。処理槽１はキャリア２に納められたウェハ
ー３を収納し、浸漬処理するためのものであり、処理液
供給孔４は、処理液を処理槽ｌに供給するためのもので
あり、給液バルブ５は処理液供給孔４に処理液を供給あ
るいは停止するものでありオーバーフロー溝６は処理槽
内の処理液を処理槽上端面より均一にオーバーフローさ
せるものであり、排液孔７は処理槽底部に澱んでいる処
理液を外部に排出するためのものである。
第３図は、本発明の他の実施例の外観図である。
処理槽８はキャリア２と類似した形状であり、排液孔９
はスリット状である。この実施例では排液孔がスリット
状になっているため深部の流速が大きくなり、処理効率
がアップするという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、処理槽に処理槽内の処理
液の澱み発生部の近傍に排液口を設けて処理液の流れを
作ることにより、ウニ・・−に常に新しい処理液が接し
、処理効果を向上させると同時に、処理の均一性を向上
させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の半導体基板浸漬処理槽の一実施例の
外観図、第２図は配管図、第３図は、本発明の他の実施
例の外観図、第４図は、従来の半導体基板浸漬処理槽の
外観図である。 １．８．ｉｌ・・・・・・処理槽、２・・・・・・キャ
リア、３・・・・・・ウェハー、４．ｌＯ・・・・・・
処理液供給孔、５・・・・・・給液バルブ、６．１２・
・・・・・オーバーフロー溝、７，９・・・・・・排液
孔。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 ｆｉ３図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板を所定の液に浸漬し、処理する槽に於いて、
    該槽内処理液の澱み発生部近傍に処理液を外部にリーク
    させる排液口を備えたことを特徴とする半導体基板浸漬
    処理槽。
JP25260888A 1988-10-05 1988-10-05 半導体基板浸漬処理槽 Pending JPH0298931A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393347A (en) * 1991-07-23 1995-02-28 Pct Systems, Inc. Method and apparatus for removable weir overflow bath system with gutter
JP2020107744A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63263728A (ja) * 1987-04-22 1988-10-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板洗浄装置
JPH0244727A (ja) * 1988-08-05 1990-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハー洗浄装置

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