JPH0428299B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0428299B2 JPH0428299B2 JP58198171A JP19817183A JPH0428299B2 JP H0428299 B2 JPH0428299 B2 JP H0428299B2 JP 58198171 A JP58198171 A JP 58198171A JP 19817183 A JP19817183 A JP 19817183A JP H0428299 B2 JPH0428299 B2 JP H0428299B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- substrate
- developing
- resist film
- developed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はレジスト膜の現像方法に係り、特にポ
ジレジスト膜の現像方法の改良に関する。
ジレジスト膜の現像方法の改良に関する。
(b) 従来技術と問題点
従来レジスト膜の現像方法として、現像槽に現
像液を入れ、これをキヤリアホルダーに複数のレ
ジスト塗布面を有す基板を載置し、前記現像槽に
浸漬することによつてレジスト膜を現像する、い
わゆる浸漬法（dip法）と現像液滴下ノズルより
回転するレジスト塗布面を有する基板上に現像液
を滴下して現像する、いわゆるスピン現像法など
がある。
像液を入れ、これをキヤリアホルダーに複数のレ
ジスト塗布面を有す基板を載置し、前記現像槽に
浸漬することによつてレジスト膜を現像する、い
わゆる浸漬法（dip法）と現像液滴下ノズルより
回転するレジスト塗布面を有する基板上に現像液
を滴下して現像する、いわゆるスピン現像法など
がある。
第１図に従来の浸漬法を行なうための概略構成
図を示す。同図において１は現像槽、２はキヤリ
ヤホルダー、３はたとえばポジレジスト塗布面を
有する基板、４は現像液を示す。
図を示す。同図において１は現像槽、２はキヤリ
ヤホルダー、３はたとえばポジレジスト塗布面を
有する基板、４は現像液を示す。
図から明らかなように、かかる現像方法におい
てはバツチ処理であり、インラインの自動化が難
かしいという問題があり、又現像液の空気中にお
ける炭酸ガスとの反応による現像液の消耗、現像
液の交換の管理、更に現像作業中に現像液の波動
過流現像に起因する現像むらなどの問題があつ
た。
てはバツチ処理であり、インラインの自動化が難
かしいという問題があり、又現像液の空気中にお
ける炭酸ガスとの反応による現像液の消耗、現像
液の交換の管理、更に現像作業中に現像液の波動
過流現像に起因する現像むらなどの問題があつ
た。
又第２図に従来のスピン現像法を行なうための
概略構成図を示す。同図において５は現像液を滴
下するノズル、６は基板７上に塗布されたたとえ
ばポジレジスト膜であり、前記ノズル５は基板７
の回転中心の上方に位置している。８は前記基板
７を載せる載置台、９は載置台８の下面に配設さ
れた真空チヤツク、１０は該真空チヤツク９およ
び載置を回転させる駆動モーター、１１は現像装
置本体の側壁、１２は飛散された現像液を排除す
るための排液孔である。
概略構成図を示す。同図において５は現像液を滴
下するノズル、６は基板７上に塗布されたたとえ
ばポジレジスト膜であり、前記ノズル５は基板７
の回転中心の上方に位置している。８は前記基板
７を載せる載置台、９は載置台８の下面に配設さ
れた真空チヤツク、１０は該真空チヤツク９およ
び載置を回転させる駆動モーター、１１は現像装
置本体の側壁、１２は飛散された現像液を排除す
るための排液孔である。
かかるように構成された装置を用いて従来のス
ピン現像を行なう場合には、騒動モーター１０を
停止した状態で載置台８上に所定のポジレジスト
膜６が塗布された基板７を真空チヤツク９により
吸着固定し、次いで騒動モーター１０により基板
７を所定の速度に回転しながら基板７の回転中心
上に設けられたノズル５より基板７面上に現像液
を滴下して前記レジスト膜６を現像する。かかる
現像方法においてはインラインによる自動化は可
能である。
ピン現像を行なう場合には、騒動モーター１０を
停止した状態で載置台８上に所定のポジレジスト
膜６が塗布された基板７を真空チヤツク９により
吸着固定し、次いで騒動モーター１０により基板
７を所定の速度に回転しながら基板７の回転中心
上に設けられたノズル５より基板７面上に現像液
を滴下して前記レジスト膜６を現像する。かかる
現像方法においてはインラインによる自動化は可
能である。
しかしながら上述したスピン現像方法において
は基板７の中心部から側縁部に拡がる現像液の時
間差及び中心部に供給される現像液の新鮮度によ
つて基板７の中心部のレジストパターンと側縁部
のレジストパターンの寸法精度に差を生じ、特に
大口径化の基板においては基板７全体の均一な現
像が難しいという問題、その他現像液の使用量が
多量などの問題があつた。
は基板７の中心部から側縁部に拡がる現像液の時
間差及び中心部に供給される現像液の新鮮度によ
つて基板７の中心部のレジストパターンと側縁部
のレジストパターンの寸法精度に差を生じ、特に
大口径化の基板においては基板７全体の均一な現
像が難しいという問題、その他現像液の使用量が
多量などの問題があつた。
(c) 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、インラインの自動化が可能で、現像液の使
用量を減少し、かつ均一で安定したレジスト膜の
現像方法の提供にある。
ので、インラインの自動化が可能で、現像液の使
用量を減少し、かつ均一で安定したレジスト膜の
現像方法の提供にある。
(d) 発明の構成
レジスト塗布面を下向きにした被現像基板を回
転しながら現像液に浸漬する現像方法において、
回転しながら現像液に浸漬した前記被現像基板の
背面より、或いは背面と周縁部とより窒素ガスを
噴射して現像したことを特徴とする。
転しながら現像液に浸漬する現像方法において、
回転しながら現像液に浸漬した前記被現像基板の
背面より、或いは背面と周縁部とより窒素ガスを
噴射して現像したことを特徴とする。
又中央の設けた現像液噴出用孔より放射状の凸
部を有する桟５１を形成した整流板を、現像液が
満たされた浅い容器の底部に配設することによつ
ても達成することができる。
部を有する桟５１を形成した整流板を、現像液が
満たされた浅い容器の底部に配設することによつ
ても達成することができる。
(e) 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説
明する。第３図は本発明の一実施例を説明するた
めの模式的概略構成図、第４図は本発明の他の実
施例を説明するための模式的概略構成図である。
第３図において、２０は回転チヤツク、２１は該
チヤツクの中心部に設けられた真空用貫通孔、２
２は該貫通孔の周囲に設けられた窒素ガス噴出
孔、２３は被現像基板、２４は被現像基板に塗布
されたたとえばポジレジスト膜、２５は被現像基
板２３の周縁部に設けられた窒素（N2）ガス噴
射ノズル、２６は容器、２７は該容器の底面に設
けられた現像液導入口を示す。
明する。第３図は本発明の一実施例を説明するた
めの模式的概略構成図、第４図は本発明の他の実
施例を説明するための模式的概略構成図である。
第３図において、２０は回転チヤツク、２１は該
チヤツクの中心部に設けられた真空用貫通孔、２
２は該貫通孔の周囲に設けられた窒素ガス噴出
孔、２３は被現像基板、２４は被現像基板に塗布
されたたとえばポジレジスト膜、２５は被現像基
板２３の周縁部に設けられた窒素（N2）ガス噴
射ノズル、２６は容器、２７は該容器の底面に設
けられた現像液導入口を示す。
かかるように構成された現像装置を用いて、回
転チヤツク２０の先端に被現像基板２３を、真空
用貫通孔２１より真空排気してレジスト塗布面で
ない面を吸着保持し、レジスト膜２４が塗布され
た基板面を図示したように下向きにして、現像液
が満たされオーバーフローする容器２６に、被現
像基板２３を回転しながら現像液に浸漬し、前記
レジスト膜２４を現像する。その際回転チヤツク
２０内に設けられた窒素噴出孔２２より窒素ガス
を被現像基板２３の背面に噴出して、現像液の背
面への回り込みを防止すると同時に、被現像基板
２３の周縁部に設けられた窒素（N2）ガス噴射
ノズル２５より窒素ガスを噴射して現像液の空気
との接触を防止する。
転チヤツク２０の先端に被現像基板２３を、真空
用貫通孔２１より真空排気してレジスト塗布面で
ない面を吸着保持し、レジスト膜２４が塗布され
た基板面を図示したように下向きにして、現像液
が満たされオーバーフローする容器２６に、被現
像基板２３を回転しながら現像液に浸漬し、前記
レジスト膜２４を現像する。その際回転チヤツク
２０内に設けられた窒素噴出孔２２より窒素ガス
を被現像基板２３の背面に噴出して、現像液の背
面への回り込みを防止すると同時に、被現像基板
２３の周縁部に設けられた窒素（N2）ガス噴射
ノズル２５より窒素ガスを噴射して現像液の空気
との接触を防止する。
かかる現像方法においては、現像液面にレジス
ト膜２４全面が同時に浸漬され、常に新しい現像
液が容器２６の底面の現像液導入口より圧送ポン
プ（図示せず）によつて供給されるため、中央部
と側縁部においても均一となり、又下向けにレジ
スト膜が位置するため、現像時に発生する浮きカ
ス（スカム：scum）の沈着を防止することが可
能となる。同時に現像液は窒素ガスにより空気と
分離されて劣化を防止することができるため、循
環使用が可能となり、現像液の使用量を低減する
ことができ、一枚処理のためインラインの自動化
が可能である。
ト膜２４全面が同時に浸漬され、常に新しい現像
液が容器２６の底面の現像液導入口より圧送ポン
プ（図示せず）によつて供給されるため、中央部
と側縁部においても均一となり、又下向けにレジ
スト膜が位置するため、現像時に発生する浮きカ
ス（スカム：scum）の沈着を防止することが可
能となる。同時に現像液は窒素ガスにより空気と
分離されて劣化を防止することができるため、循
環使用が可能となり、現像液の使用量を低減する
ことができ、一枚処理のためインラインの自動化
が可能である。
次に本発明の他の実施例について第４図を用い
て説明する。第４図において、３０は回転チヤツ
ク、３１は該回転チヤツクの中心部に設けられた
真空用貫通孔、３２は該貫通孔の周囲に設けられ
た窒素ガス噴出孔、３３は被現像基板、３４はポ
ジレジスト膜、３５は整流板、３６は容器、３７
は現像液導入口、３８は水導入口、３９は水排水
口、４０，４１，４２，４３は夫々開閉バルブを
示す。
て説明する。第４図において、３０は回転チヤツ
ク、３１は該回転チヤツクの中心部に設けられた
真空用貫通孔、３２は該貫通孔の周囲に設けられ
た窒素ガス噴出孔、３３は被現像基板、３４はポ
ジレジスト膜、３５は整流板、３６は容器、３７
は現像液導入口、３８は水導入口、３９は水排水
口、４０，４１，４２，４３は夫々開閉バルブを
示す。
かかるように構成された現像装置を用いて、レ
ジスト膜３４を有する被現像基板３３を現像する
場合には、先ず現像液導入口３７より整流板３５
を内部に有する容器内に現像液を満たす。容器は
現像液の使用量を低減するために、整流板３５を
内蔵して図示したごとく必要最低限の容量とす
る。整流板３５は第５図の平面図に示すごとく、
平板の中央に穿設された現像液噴出用孔より一定
高さを有する複数本の桟５１が放射状に設けられ
ている。次いで回転チヤツク３０に被現像基板３
３をレジスト膜３４面を下向きにして背面を真空
にて吸着保持し、回転しながら被現像基板の背面
に窒素噴出孔３２より窒素（N2）ガスを噴射し
て、前記現像液が満たされた容器３６に浸漬して
レジスト膜３６の現像を行なう。かかる場合、整
流板３５の桟５１により現像液流の均一化が行な
われる。所定時間現像を行なつた後、開閉バルブ
４０，４２を開にして水導入口３８より水を容器
３６に導入して現像を停止する。
ジスト膜３４を有する被現像基板３３を現像する
場合には、先ず現像液導入口３７より整流板３５
を内部に有する容器内に現像液を満たす。容器は
現像液の使用量を低減するために、整流板３５を
内蔵して図示したごとく必要最低限の容量とす
る。整流板３５は第５図の平面図に示すごとく、
平板の中央に穿設された現像液噴出用孔より一定
高さを有する複数本の桟５１が放射状に設けられ
ている。次いで回転チヤツク３０に被現像基板３
３をレジスト膜３４面を下向きにして背面を真空
にて吸着保持し、回転しながら被現像基板の背面
に窒素噴出孔３２より窒素（N2）ガスを噴射し
て、前記現像液が満たされた容器３６に浸漬して
レジスト膜３６の現像を行なう。かかる場合、整
流板３５の桟５１により現像液流の均一化が行な
われる。所定時間現像を行なつた後、開閉バルブ
４０，４２を開にして水導入口３８より水を容器
３６に導入して現像を停止する。
更に新しい被現像基板を現像処理する場合には
容器３６内の水を開閉バルブ４３を開にして水排
水口３９より水を排水した後、開閉バルブ４３を
閉にして、開閉バルブ４０，４１を開にして現像
液導入口３７より容器３６内に現像液を導入して
現像を行なう。
容器３６内の水を開閉バルブ４３を開にして水排
水口３９より水を排水した後、開閉バルブ４３を
閉にして、開閉バルブ４０，４１を開にして現像
液導入口３７より容器３６内に現像液を導入して
現像を行なう。
かかる現像方法によれば、現像液面にレジスト
膜３４全面が同時に浸漬され、回転により整流板
３５によつて液流が均一化され、中央部と側縁部
においても均一となり、又下向けにレジスト膜が
位置するため現像時に発生する浮カス（scum）
の沈着を防止することが可能となり、かつ一回の
現像液使用量は前述した容器３６及び整流板３５
の構造によつて減少することができる。
膜３４全面が同時に浸漬され、回転により整流板
３５によつて液流が均一化され、中央部と側縁部
においても均一となり、又下向けにレジスト膜が
位置するため現像時に発生する浮カス（scum）
の沈着を防止することが可能となり、かつ一回の
現像液使用量は前述した容器３６及び整流板３５
の構造によつて減少することができる。
(f) 発明の効果
以上説明したごとく本発明によればインライン
の自動化が可能で、現像液の使用量を減少し、か
つ均一で安定したレジスト膜の現像が可能となり
信頼性向上、歩留向上及びコストダウンに効果が
ある。
の自動化が可能で、現像液の使用量を減少し、か
つ均一で安定したレジスト膜の現像が可能となり
信頼性向上、歩留向上及びコストダウンに効果が
ある。
第１図、第２図は従来の現像方法を説明するた
めの概略構成図、第３図は本発明の一実施例を説
明するための模式的概略構成図、第４図は本発明
の他の実施例を説明するための模式的概略構成
図、第５図は第４図における整流板の平面図であ
る。 図において、２０，３０は回転チヤツク、２
２，３２は窒素ガス噴出孔、２３，３３は被現像
基板、２４，３４はレジスト膜、２５は窒素ガス
噴射ノズル、２６，３６は容器、３５は整流板を
示す。
めの概略構成図、第３図は本発明の一実施例を説
明するための模式的概略構成図、第４図は本発明
の他の実施例を説明するための模式的概略構成
図、第５図は第４図における整流板の平面図であ
る。 図において、２０，３０は回転チヤツク、２
２，３２は窒素ガス噴出孔、２３，３３は被現像
基板、２４，３４はレジスト膜、２５は窒素ガス
噴射ノズル、２６，３６は容器、３５は整流板を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジスト塗布面を下向きにした被現像基板を
回転しながら現像液に浸漬する現像方法におい
て、回転しながら現像液に浸漬した前記被現像基
板の背面より、或いは背面と周縁部とより窒素ガ
スを噴射して現像したこと特徴とするレジスト膜
の現像方法。 ２ 中央の設けた現像液噴出用孔より放射状の凸
部を有する桟５１を形成した整流板を、現像液が
満たされた浅い容器の底部に配設したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のレジスト膜の
現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19817183A JPS6088944A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | レジスト膜の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19817183A JPS6088944A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | レジスト膜の現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088944A JPS6088944A (ja) | 1985-05-18 |
| JPH0428299B2 true JPH0428299B2 (ja) | 1992-05-14 |
Family
ID=16386648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19817183A Granted JPS6088944A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | レジスト膜の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088944A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2707593B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1998-01-28 | 松下電器産業株式会社 | 湯水混合制御装置 |
| JP2712415B2 (ja) * | 1988-11-08 | 1998-02-10 | 日本電気株式会社 | レジスト現像方法 |
| JPH03139832A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JP2894450B2 (ja) * | 1989-10-30 | 1999-05-24 | 株式会社荏原製作所 | ジェットスクラバー |
| JP2894451B2 (ja) * | 1989-11-06 | 1999-05-24 | 株式会社荏原製作所 | ジェットスクラバー |
| FR2971065A1 (fr) * | 2011-01-28 | 2012-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de developpement de motifs a haut rapport de forme |
| JP6289318B2 (ja) * | 2014-09-08 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110674A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-09 | Fujitsu Ltd | Surface treating device |
| JPS57112756A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Fujitsu Ltd | Rotary spin processor turned upside down |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52169344U (ja) * | 1976-06-16 | 1977-12-22 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19817183A patent/JPS6088944A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110674A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-09 | Fujitsu Ltd | Surface treating device |
| JPS57112756A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Fujitsu Ltd | Rotary spin processor turned upside down |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6088944A (ja) | 1985-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8143161B2 (en) | Method for passivating hardware of a microelectronic topography processing chamber | |
| US6770149B2 (en) | Method and apparatus for cleaning treatment | |
| KR890002137B1 (ko) | 습식처리장치 | |
| JPH07132262A (ja) | 浸漬式の液処理装置 | |
| US7344600B2 (en) | Substrate treatment apparatus | |
| JPS60189936A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US10816901B2 (en) | Coater with automatic cleaning function and coater automatic cleaning method | |
| JP2002060995A (ja) | めっき装置及びめっき液除去方法 | |
| JPH0428299B2 (ja) | ||
| JPH11329960A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| US20020066471A1 (en) | Reactor for processing a workpiece using sonic energy | |
| US7108776B2 (en) | Plating apparatus and plating method | |
| JPH0582435A (ja) | 塗布装置 | |
| US20020020430A1 (en) | Reactor for processing a workpiece using sonic energy | |
| JP3722337B2 (ja) | ウエット処理装置 | |
| JPH01255684A (ja) | 半導体ウェハーの製造装置 | |
| JP3289208B2 (ja) | 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 | |
| JP2001342597A (ja) | 基板めっき装置 | |
| JPH0631253A (ja) | 円盤状物体の洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP2001024308A (ja) | めっき装置 | |
| JPS6015637A (ja) | レジスト膜の現像方法 | |
| JP3322249B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
| JPH06318543A (ja) | 処理装置 | |
| JPH0262549A (ja) | スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 | |
| JPH0391232A (ja) | 現像装置 |