JPS6088944A - レジスト膜の現像方法 - Google Patents
レジスト膜の現像方法Info
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- JPS6088944A JPS6088944A JP19817183A JP19817183A JPS6088944A JP S6088944 A JPS6088944 A JP S6088944A JP 19817183 A JP19817183 A JP 19817183A JP 19817183 A JP19817183 A JP 19817183A JP S6088944 A JPS6088944 A JP S6088944A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はレジスト膜の現像方法に係り、特にポジレジス
ト膜の現像方法の改良に関する。
ト膜の現像方法の改良に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
従来レジスト膜の現像方法として、現像槽に現像液を入
れ、これをキャリアホルダーに複数のレジスト塗布面を
有す基板を載置し、前記現像槽に浸漬することによって
レジスト膜を現像する、いわゆる浸漬法（ｄｉｐ法）と
現像液滴下ノズルより回転するレジスト塗布面を有する
基板上に現像液を滴下して現像する、いわゆるスピン現
像法などがある。
れ、これをキャリアホルダーに複数のレジスト塗布面を
有す基板を載置し、前記現像槽に浸漬することによって
レジスト膜を現像する、いわゆる浸漬法（ｄｉｐ法）と
現像液滴下ノズルより回転するレジスト塗布面を有する
基板上に現像液を滴下して現像する、いわゆるスピン現
像法などがある。
第１図に従来の浸漬法を行なうための概略構成図を示す
。同図においてｌは現像槽、２はキャリヤホルダー、３
はたとえばポジレジスト塗布面を有する基板、４は現像
液を示す。
。同図においてｌは現像槽、２はキャリヤホルダー、３
はたとえばポジレジスト塗布面を有する基板、４は現像
液を示す。
図から明らかなように、かかる現像方法においてはバッ
チ処理であり、インラインの自動化が難かしいという問
題があり、又現像液の空気中における炭酸ガスとの反応
昏こよる現像液の消耗、現像液の交換の管理、更に現像
作業中に現像液の波動過流現像に起因する現像むらなど
の問題があった。
チ処理であり、インラインの自動化が難かしいという問
題があり、又現像液の空気中における炭酸ガスとの反応
昏こよる現像液の消耗、現像液の交換の管理、更に現像
作業中に現像液の波動過流現像に起因する現像むらなど
の問題があった。
又第２図に従来のスピン現像法を行なうための概略構成
図を示す。同図において５は現像液を滴下するノズル、
６は基板７上に塗布されたたとえばポジレジスト膜であ
り、前記ノズル５は基板７の回転中心の上方に位置して
いる。８は前記基板７を載せる載置台、９は載置台８の
下面に配設された真空チャック、１０は該真空チャック
９および載置台を回転させる駆動モーター、１１は現像
装置本体の側壁、１２は飛散された現像液を排除するた
めの排液孔である。
図を示す。同図において５は現像液を滴下するノズル、
６は基板７上に塗布されたたとえばポジレジスト膜であ
り、前記ノズル５は基板７の回転中心の上方に位置して
いる。８は前記基板７を載せる載置台、９は載置台８の
下面に配設された真空チャック、１０は該真空チャック
９および載置台を回転させる駆動モーター、１１は現像
装置本体の側壁、１２は飛散された現像液を排除するた
めの排液孔である。
かかるように構成された装置を用いて従来のスピン現像
を行なう場合には、駆動モーターｌＯを停止した状態で
載置台８上に所定のポジレジスト膜６が塗布された基板
７を真空チャック９により吸着固定し、次いで駆動モー
ター１０により基板７を所定の速度に回転しながら基板
７の回転中心上に設けられたノズル５より基板７面上に
現像液を滴下して前記レジスト膜６を現像する。かかる
現像方法においてはインラインによる自動化は可能であ
る。
を行なう場合には、駆動モーターｌＯを停止した状態で
載置台８上に所定のポジレジスト膜６が塗布された基板
７を真空チャック９により吸着固定し、次いで駆動モー
ター１０により基板７を所定の速度に回転しながら基板
７の回転中心上に設けられたノズル５より基板７面上に
現像液を滴下して前記レジスト膜６を現像する。かかる
現像方法においてはインラインによる自動化は可能であ
る。
しかしながら上述したスピン現像方法においては基板７
の中心部から側縁部に拡がる現像液の時間差及び中心部
に供給される現像液の新鮮度によって基板７の中心部の
レジストパターンと側縁部のレジストパターンの寸法精
度に差を生じ、特に大口径化の基板においては基板７全
体の均一な現像が難かしいという問題、その他現像液の
使用量が多量などの問題があった。
の中心部から側縁部に拡がる現像液の時間差及び中心部
に供給される現像液の新鮮度によって基板７の中心部の
レジストパターンと側縁部のレジストパターンの寸法精
度に差を生じ、特に大口径化の基板においては基板７全
体の均一な現像が難かしいという問題、その他現像液の
使用量が多量などの問題があった。
（ｃ） 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたもので、イ
ンラインの自動化が可能で、現像液の使用量を減少し、
かつ均一で安定したレジスト膜の現像方法の提供にある
。
ンラインの自動化が可能で、現像液の使用量を減少し、
かつ均一で安定したレジスト膜の現像方法の提供にある
。
（ｄ） 発明の構成
その目的を達成するため本発明は、現像液が満たされた
容器に、レジスト塗布面を下向きにした被現像基板を回
転しながら前記現像液に浸漬し、かつ前記被現像基板の
背面より、或は背面と周縁部とより窒素ガスを噴射して
現像するようにしたことを特徴とする。又現像液が満た
された容器に整流板を付加することによっても達成する
ことができる。
容器に、レジスト塗布面を下向きにした被現像基板を回
転しながら前記現像液に浸漬し、かつ前記被現像基板の
背面より、或は背面と周縁部とより窒素ガスを噴射して
現像するようにしたことを特徴とする。又現像液が満た
された容器に整流板を付加することによっても達成する
ことができる。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第３図は本発明の一実施例を説明するための模式的概略
構成図、第４図は本発明の他の実施例を説明するための
模式的概略構成図である。
構成図、第４図は本発明の他の実施例を説明するための
模式的概略構成図である。
第３図において、２０は回転チャック、２１は該チャッ
クの中心部に設けられた真空用貫通孔、２２は該貫通孔
の周囲に設けられた窒素ガス噴出孔、２３は被現像基板
、２４は被現像基板に塗布されたたとえばポジレジスト
膜、２５は被現像基板２３の周縁部に設けられた窒素（
Ｎ２）ガス噴射ノズル、２６は容器。
クの中心部に設けられた真空用貫通孔、２２は該貫通孔
の周囲に設けられた窒素ガス噴出孔、２３は被現像基板
、２４は被現像基板に塗布されたたとえばポジレジスト
膜、２５は被現像基板２３の周縁部に設けられた窒素（
Ｎ２）ガス噴射ノズル、２６は容器。
２７は該容器の底面に設けられた現像液導入口を示す。
かかるように構成された現像装置を用いて、回転チャッ
ク２０の先端に被現像基板２３を、真空用貫通孔２１よ
り真空排気してレジスト塗布面でない面を吸着保持し、
レジスト膜２４が塗布された基板面を図示したように下
向％Ｈｃして、現像液が満たされオーバーフローする容
器２６に、被現像基板２３を回転しながら現像液に浸漬
し、前記レジスト膜２４を現像する。その際回転チャッ
ク２０内に設けられた窒素噴出孔２２より窒素ガスを被
現像基板２３の背面に噴出して、現像液の背面への回り
込みを防止すると同時に、被現像基板２３の周縁部に設
けられた窒素（Ｎ２）ガス噴射ノズル２５より窒素ガス
を噴射して現像液の空気との接触を防止する。
ク２０の先端に被現像基板２３を、真空用貫通孔２１よ
り真空排気してレジスト塗布面でない面を吸着保持し、
レジスト膜２４が塗布された基板面を図示したように下
向％Ｈｃして、現像液が満たされオーバーフローする容
器２６に、被現像基板２３を回転しながら現像液に浸漬
し、前記レジスト膜２４を現像する。その際回転チャッ
ク２０内に設けられた窒素噴出孔２２より窒素ガスを被
現像基板２３の背面に噴出して、現像液の背面への回り
込みを防止すると同時に、被現像基板２３の周縁部に設
けられた窒素（Ｎ２）ガス噴射ノズル２５より窒素ガス
を噴射して現像液の空気との接触を防止する。
かかる現像方法においては、現像液面にレジスト膜２４
全面が同時に浸漬され、常に新しい現像液が容器２６の
底面の現像液導入口より圧送ポンプ（図示せず）によっ
て供給されるため、中央部と側縁部においても均一とな
り、又下向けにレジスト膜が位置するため、現像時に発
生する浮きカス（スカム：ｓｃｕｍ）の沈着を防止する
ことが可能となる。同時に現像液は空気と分離されてい
るため、循環使用が可能となり、現像液の使用量を低減
することができ、一枚処理のためインラインの自動化が
可能である。
全面が同時に浸漬され、常に新しい現像液が容器２６の
底面の現像液導入口より圧送ポンプ（図示せず）によっ
て供給されるため、中央部と側縁部においても均一とな
り、又下向けにレジスト膜が位置するため、現像時に発
生する浮きカス（スカム：ｓｃｕｍ）の沈着を防止する
ことが可能となる。同時に現像液は空気と分離されてい
るため、循環使用が可能となり、現像液の使用量を低減
することができ、一枚処理のためインラインの自動化が
可能である。
次に本発明の他の実施例について第４図を用いて説明す
る１、第４図において、３０は回転チャック。
る１、第４図において、３０は回転チャック。
３１は該回転チャックの中心部に設けられた真空用貫通
孔、３２は該貫通孔の周囲に設けられた窒素ガス噴出孔
、３３は被現像基板、３４はポジレジスト膜。
孔、３２は該貫通孔の周囲に設けられた窒素ガス噴出孔
、３３は被現像基板、３４はポジレジスト膜。
３５は整流板、３６は容器、３７は現像液導入口、３８
は水導入口、３９は水排水口、４０．４１．４２．４３
は夫々開閉パルプを示す。
は水導入口、３９は水排水口、４０．４１．４２．４３
は夫々開閉パルプを示す。
かかるように構成された現像装置を用いて、レジスト膜
３４を有する被現像基板３３を現像する場合には、先ず
現像液導入口３７より整流板３５を内部に有する容器内
に現像液を満たす。容器は現像液の使用量を低減するた
めに、整流板３５を内蔵して図示したごとく必要最低限
の容量とする。整流板３５ヤツク篤に被現像基板３３を
レジスト膜３４面を下向きにして背面を真空にて吸着保
持し、回転しながら被現像基板の背面に窒素噴出孔３２
より窒素（Ｎ２）ガスを噴射して、前記現像液が満たさ
れた容器が行なわれる。所定時間現像を行なった後、開
閉パルプ４０ 、４２を開にして水導入口３８より水を
容器３６に導入して現像を停止する。
３４を有する被現像基板３３を現像する場合には、先ず
現像液導入口３７より整流板３５を内部に有する容器内
に現像液を満たす。容器は現像液の使用量を低減するた
めに、整流板３５を内蔵して図示したごとく必要最低限
の容量とする。整流板３５ヤツク篤に被現像基板３３を
レジスト膜３４面を下向きにして背面を真空にて吸着保
持し、回転しながら被現像基板の背面に窒素噴出孔３２
より窒素（Ｎ２）ガスを噴射して、前記現像液が満たさ
れた容器が行なわれる。所定時間現像を行なった後、開
閉パルプ４０ 、４２を開にして水導入口３８より水を
容器３６に導入して現像を停止する。
更に新しい被現像基板を現像処理する場合には容器３６
内の水を開閉パルプ４３ヲ開にして水排水口３９より水
を排水した後、開閉パルプ４３を閉にして、開閉バＩレ
プ４０・４１を開にして現像液導入口３７より容器３６
内に現像液を導入して現像を１テなう。
内の水を開閉パルプ４３ヲ開にして水排水口３９より水
を排水した後、開閉パルプ４３を閉にして、開閉バＩレ
プ４０・４１を開にして現像液導入口３７より容器３６
内に現像液を導入して現像を１テなう。
かかる現像方法によれば、現像液面にレジスト膜３４全
面が同時に浸漬され、回転により整流板３５によって液
流が均一化され、中央部と側縁部においても均一となり
、又下向けにレジスト膜が位置するため現像時に発生す
る浮カス（ｓｃｕｍ）の沈着を防止することが可能とな
り、かつ−回の現像液使用量は前述した容器３６及び整
流板３５の構造によって減少することができる。
面が同時に浸漬され、回転により整流板３５によって液
流が均一化され、中央部と側縁部においても均一となり
、又下向けにレジスト膜が位置するため現像時に発生す
る浮カス（ｓｃｕｍ）の沈着を防止することが可能とな
り、かつ−回の現像液使用量は前述した容器３６及び整
流板３５の構造によって減少することができる。
（ｆン 発明の詳細
な説明したごとく本発明によればインラインの自動化が
可能で、現像液の使用量を減少し、かつ均一で安定した
レジスト膜の現像が可能となり信頼性向上２歩留向上及
びコストダウンに効果がある。
可能で、現像液の使用量を減少し、かつ均一で安定した
レジスト膜の現像が可能となり信頼性向上２歩留向上及
びコストダウンに効果がある。
第１図、第２図は従来の現像方法を説明するための概略
構成図、第３図は本発明の一実施例を説明するための模
式的概略構成図、第４図は本発明の他の実施例を説明す
るための模式的概略構成図、第５図は第４図における整
流板の平面図である。 図において、２０．３０は回転チャ、り、η、３２は窒
素ガス噴出孔、２３．３３は被現像基板、２４．３４は
レジスト膜、２５は窒素ガス噴射ノズル、２６．３６は
容器、３５は整流板を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
構成図、第３図は本発明の一実施例を説明するための模
式的概略構成図、第４図は本発明の他の実施例を説明す
るための模式的概略構成図、第５図は第４図における整
流板の平面図である。 図において、２０．３０は回転チャ、り、η、３２は窒
素ガス噴出孔、２３．３３は被現像基板、２４．３４は
レジスト膜、２５は窒素ガス噴射ノズル、２６．３６は
容器、３５は整流板を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）現像液が満たされた容器に、レジスト塗布面を下
向きにした被現像基板を回転しながら前記現像液に浸漬
し、かつ前記被現像基板の背面より、或は背面と周縁部
とより窒素ガスを噴射して現像するようにしたことを特
徴とするレジスト膜の現像方法。 - （２）現像液が満たされた容器に、整流板が設けられた
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のレジ
スト膜の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19817183A JPS6088944A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | レジスト膜の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19817183A JPS6088944A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | レジスト膜の現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088944A true JPS6088944A (ja) | 1985-05-18 |
| JPH0428299B2 JPH0428299B2 (ja) | 1992-05-14 |
Family
ID=16386648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19817183A Granted JPS6088944A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | レジスト膜の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088944A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283608A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 湯水混合制御装置 |
| JPH02127647A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Nec Corp | レジスト現像方法 |
| JPH03139832A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JPH03143558A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-19 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JPH03148825A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| FR2971065A1 (fr) * | 2011-01-28 | 2012-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de developpement de motifs a haut rapport de forme |
| CN105404103A (zh) * | 2014-09-08 | 2016-03-16 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法和显影装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52169344U (ja) * | 1976-06-16 | 1977-12-22 | ||
| JPS57110674A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-09 | Fujitsu Ltd | Surface treating device |
| JPS57112756A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Fujitsu Ltd | Rotary spin processor turned upside down |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19817183A patent/JPS6088944A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52169344U (ja) * | 1976-06-16 | 1977-12-22 | ||
| JPS57110674A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-09 | Fujitsu Ltd | Surface treating device |
| JPS57112756A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Fujitsu Ltd | Rotary spin processor turned upside down |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283608A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 湯水混合制御装置 |
| JPH02127647A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Nec Corp | レジスト現像方法 |
| JPH03139832A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JPH03143558A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-19 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JPH03148825A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| FR2971065A1 (fr) * | 2011-01-28 | 2012-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de developpement de motifs a haut rapport de forme |
| CN105404103A (zh) * | 2014-09-08 | 2016-03-16 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法和显影装置 |
| CN105404103B (zh) * | 2014-09-08 | 2020-03-10 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法和显影装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0428299B2 (ja) | 1992-05-14 |
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