JPH03202488A - メッキ装置 - Google Patents

メッキ装置

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JPH03202488A
JPH03202488A JP34280189A JP34280189A JPH03202488A JP H03202488 A JPH03202488 A JP H03202488A JP 34280189 A JP34280189 A JP 34280189A JP 34280189 A JP34280189 A JP 34280189A JP H03202488 A JPH03202488 A JP H03202488A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anode
wafer
plating
cathode
plating liquid
Prior art date
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Pending
Application number
JP34280189A
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English (en)
Inventor
Hidenobu Miyamoto
秀信 宮本
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板表面に金属膜を形成するメッキ装置
に関し、特に電解メッキ装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の電解メッキ装置としては、第３図に示す
ような、メッキ液の入った槽１３９に陽極１３１と、陰
極１３２に接続された半導体基板１３８を入れて電解メ
ッキを行う装置あるいは第４図に示すような、噴流カッ
プ１５３に半導体基板表面を下向きにセットして噴流カ
ップ１５３の途中に陽極１４１を設け、半導体基板裏面
を陰極１４２に接続して、噴流を半導体基板表面に向は
噴き上げることにより電解メッキを行う装置がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の電解メッキ装置は、前者の場合、半導体
基板１３８をメッキ液中に浸す方式になっており半導体
基板１３８と陰極１３２の接続部分はメッキ液に接して
はならないため、メッキ液表面から出ている部分がメッ
キされないという欠点がある。さらにメッキ液の表面近
くと、槽１３９の底の方でメッキ厚にバラツキが生じや
すく、半導体基板表面のメッキ厚の面内均一性が悪いと
いう欠点がある。
後者の場合は、半導体基板表面を下向きにしてメッキを
行うようになっているので、噴流を噴き上げた時に半導
体基板表面に気泡がたまりやすく、気泡かたやった部分
はメッキされないという欠点がある。
さらに両者共メッキ槽の中にゴミが発生した場合、循環
フィルタリングを十分に行えないため、微細な配線のメ
ッキに適さないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の電解メッキ装置は、半導体基板表面全体がメッ
キ液で覆われ、かつ、気泡によりメッキされない部分が
生じることを防ぐために、半導体基板表面を上向きに支
持する手段と、半導体基板表面の上部に陽極とメッキ液
供給口を有している。
さらにゴミによるメッキネ良を低減するために常にゴミ
除去用のフィルターを通ったメッキ液が供給される機能
を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
本実施例の装置は、陽極１１．陰極１２．真空チャック
用の真空ポンプ１３．メッキ液供給口１４゜メッキ液フ
ィルター１５．循環ポンプ１６．定電流電源１７．Ｎ２
噴出口１８．Ｎ２ポンベ１９．貯液槽２０．温調器２１
．チヤンバー２２よす構成されている。
まず半導体ウェハー２３を陰極１２に真空チャックによ
り、表面を上向きに支持してウェハー２３の裏面と陰極
との接続を行う。次に網目状の陽極１１をウェハー表面
近傍にセットしてメッキ液供給口１４より、メッキ液フ
ィルター１５を通過したメッキ液をウェハー表面に滴下
する。これと同時にメッキ液がウェハー裏面に回り込む
のを防ぐためＮ２噴出口１８よりウェハー裏面に向けて
Ｎ２を噴出する。メッキ液が半導体ウェハー２３の表面
にたまり、陽極１１がメッキ液の液面下に位置した段階
で定電流電源１７のスイッチを入れて陽極１１と半導体
ウェハー２３の間に一定電流を流して電解メッキを行う
。半導体ウェハー２３の周辺より流れ出たメッキ液は貯
液槽２０に回収され循環ポンプ１６によって再びメッキ
液供給口１４に供給される。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図である。
本実施例では陰極２２の下部に回転用モーター３４が設
置されており、メッキ中のウェハー３３を低速で回転さ
せることにより、ウェハー面内で均一なメッキを実現で
きる利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、メッキ液をウェハー表面
上部からウェハー全面に均一に供給することにより面内
で均一かつ、泡の影響を受けない安定したメッキを行う
ことができる。
さらにウェハー表面に供給されるメッキ液は常にフィル
ターを通過して来ているためメッキ液中のゴミが少なく
、高品質のメッキを行うことができる効果がある。
図は従来のメッキ装置の縦断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に電解メッキにより金属膜を形成するメッ
    キ装置に於いて、前記半導体基板の表面を上向きにして
    支持する手段と、前記半導体基板に陰極を接続する手段
    と、前記半導体基板の前記表面に近接して前記表面全体
    を覆って設けられた網目状の陽極と、前記陽極上部より
    前記半導体基板の前記表面に向けてメッキ液を噴出する
    メッキ液供給口とを有するメッキ装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6202655B1 (en) 1996-11-28 2001-03-20 Canon Kabushiki Kaisha Anodizing apparatus and apparatus and method associated with the same
KR20030073398A (ko) * 2002-03-11 2003-09-19 윤희성 역분류식 도금장치
JP2009000596A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布液供給システム
CN104532333A (zh) * 2014-12-06 2015-04-22 苏州欣航微电子有限公司 一种自行车车首碗组内表面电解处理装置

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