JPH0269939A - ウェット処理槽 - Google Patents
ウェット処理槽Info
- Publication number
- JPH0269939A JPH0269939A JP22281388A JP22281388A JPH0269939A JP H0269939 A JPH0269939 A JP H0269939A JP 22281388 A JP22281388 A JP 22281388A JP 22281388 A JP22281388 A JP 22281388A JP H0269939 A JPH0269939 A JP H0269939A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- inner tank
- chemical
- supplied
- liquid
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
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- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の薬液処理及び水洗処理に用いられ
るウェット処理装置のウェット処理槽に関する。
るウェット処理装置のウェット処理槽に関する。
従来、この種のウェット処理装置のウェット処理槽は、
基板を浸漬する内槽と内槽に供給された薬液等のオーバ
ーフロー分を受ける外槽で構成されていた。第３図は従
来のウェット処理槽構造の断面図である。半導体基板３
１はキャリア３２により保持され内槽３３に浸漬される
。薬液３４等は内槽下部に設けられた供給口３５より内
槽内に供給され整流板３６により乱流にされた後、槽内
に入っていく。内槽からオーバーフローした薬液等は外
槽３７へ集められ、排出口３８よりドレン又は循環ポン
プへ送られる。
基板を浸漬する内槽と内槽に供給された薬液等のオーバ
ーフロー分を受ける外槽で構成されていた。第３図は従
来のウェット処理槽構造の断面図である。半導体基板３
１はキャリア３２により保持され内槽３３に浸漬される
。薬液３４等は内槽下部に設けられた供給口３５より内
槽内に供給され整流板３６により乱流にされた後、槽内
に入っていく。内槽からオーバーフローした薬液等は外
槽３７へ集められ、排出口３８よりドレン又は循環ポン
プへ送られる。
上述した従来のウェット処理槽は、供給口３５から槽内
に入った薬液は整流板のみでは十分乱流にされず、供給
口直上では流速が速く槽壁近傍に於ては遅い。この為、
薬液中のパーティクルは本来対流（液流）により外槽へ
運ばれるべきだが内槽側壁に沿って内槽内を下方へ移動
し内槽内に残ってしまうことが多い。又、キャリアと基
板の接触部でも同様に流速が極端に低下する為、水洗時
には薬液が残りやすいという欠点がある。
に入った薬液は整流板のみでは十分乱流にされず、供給
口直上では流速が速く槽壁近傍に於ては遅い。この為、
薬液中のパーティクルは本来対流（液流）により外槽へ
運ばれるべきだが内槽側壁に沿って内槽内を下方へ移動
し内槽内に残ってしまうことが多い。又、キャリアと基
板の接触部でも同様に流速が極端に低下する為、水洗時
には薬液が残りやすいという欠点がある。
本発明のウェット処理槽は、内槽と外槽とからなり、内
槽底面部から内槽に処理液を供給し、内槽側壁上部から
外槽に前記処理液をオーバーフローさせるウェット処理
槽において、前記内槽底面部に加えて内槽側壁部に内槽
への処理液供給口を設けたことを特徴とする。
槽底面部から内槽に処理液を供給し、内槽側壁上部から
外槽に前記処理液をオーバーフローさせるウェット処理
槽において、前記内槽底面部に加えて内槽側壁部に内槽
への処理液供給口を設けたことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
半導体基板１１はキャリア１２により保持され内槽１３
中に浸漬される。薬液は１４は内槽下部に設けられた供
給口１５及び内槽側壁部に設けられた薬液供給ブロック
１６の開口部１７より供給される。内槽下部より供給さ
れた薬液は槽内を上昇し対流して槽壁へ移動するが、薬
液供給ブロック１６からの薬液供給量を適正化すること
により効率よく内槽内の薬液を外槽１８へ排出すること
ができる。供給量を独自にコントロールする為に供給ブ
ロック１６へは内槽下部１５とは別個の薬液供給ライン
１９を設ける。
中に浸漬される。薬液は１４は内槽下部に設けられた供
給口１５及び内槽側壁部に設けられた薬液供給ブロック
１６の開口部１７より供給される。内槽下部より供給さ
れた薬液は槽内を上昇し対流して槽壁へ移動するが、薬
液供給ブロック１６からの薬液供給量を適正化すること
により効率よく内槽内の薬液を外槽１８へ排出すること
ができる。供給量を独自にコントロールする為に供給ブ
ロック１６へは内槽下部１５とは別個の薬液供給ライン
１９を設ける。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
本実施例は水洗槽に適用した場合である。第１の実施例
と同様に配置された半導体基板及びキャリアに対し槽の
下部に設けられた給水口２１から］ ５ ｆｌ ／ｒｎ
’ｍ程度の純水を供給し、槽側壁部に設けられた給水ブ
ロック２２へ給水ライン２３より５ρ／ ｍｌｎ程度の
純水を供給する。開口部２４はキャリアと基板の接触部
のやや下方に該接触部方向に開口されており、この開口
部からの純水は接触部のリンス効果を高める。同時にこ
の給水ブロックは槽の容量を縮小し純水の流速を上げた
りキャリア下降時のガイドになるという機能も有する。
と同様に配置された半導体基板及びキャリアに対し槽の
下部に設けられた給水口２１から］ ５ ｆｌ ／ｒｎ
’ｍ程度の純水を供給し、槽側壁部に設けられた給水ブ
ロック２２へ給水ライン２３より５ρ／ ｍｌｎ程度の
純水を供給する。開口部２４はキャリアと基板の接触部
のやや下方に該接触部方向に開口されており、この開口
部からの純水は接触部のリンス効果を高める。同時にこ
の給水ブロックは槽の容量を縮小し純水の流速を上げた
りキャリア下降時のガイドになるという機能も有する。
以上説明した様に本発明は、内槽への薬液又は純水の供
給を内槽内の底面部及び側壁部から同時に行なって内槽
内の液体の流速を局所的に補うことにより、内槽内のパ
ーティクルを低減したり、リンス効果を高めることがで
きる効果がある。
給を内槽内の底面部及び側壁部から同時に行なって内槽
内の液体の流速を局所的に補うことにより、内槽内のパ
ーティクルを低減したり、リンス効果を高めることがで
きる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図は従来のウェット処
理槽の断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・キャリ
ア、１３・・・・・・内槽、１４・・・・・・薬液、１
５・・・・・・供給口、１６・・・・・・薬液供給ブロ
ック、１７・・・・・・開口部、１８・・・・・・外槽
、１９・・・・・・別の薬液供給ライン、２１・・・・
・・給水口、２２・・・・・・給水ブロック、２３・・
・・・・給水ライン、２４・・・・・・開口部、３１・
・・・・・半導体基板、３２・・・・・・キャリア、３
３・・・・・・内槽、３４・・・・・・薬液、３５・・
・・・・供給口、３６・・・・・・整流板、３７・・・
・外槽、３８・・・・・・排出口。 代理人 弁理士 内 原 晋 某 ｌ 厘 ＝５
明の第２の実施例の断面図、第３図は従来のウェット処
理槽の断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・キャリ
ア、１３・・・・・・内槽、１４・・・・・・薬液、１
５・・・・・・供給口、１６・・・・・・薬液供給ブロ
ック、１７・・・・・・開口部、１８・・・・・・外槽
、１９・・・・・・別の薬液供給ライン、２１・・・・
・・給水口、２２・・・・・・給水ブロック、２３・・
・・・・給水ライン、２４・・・・・・開口部、３１・
・・・・・半導体基板、３２・・・・・・キャリア、３
３・・・・・・内槽、３４・・・・・・薬液、３５・・
・・・・供給口、３６・・・・・・整流板、３７・・・
・外槽、３８・・・・・・排出口。 代理人 弁理士 内 原 晋 某 ｌ 厘 ＝５
Claims (1)
- 内槽と外槽とからなり、内槽底面部から内槽に処理液を
供給し、内槽側壁上部から外槽に前記処理液をオーバー
フローさせるウェット処理槽において、前記内槽底面部
に加えて内槽側壁部に内槽への処理液供給口を設けたこ
とを特徴とするウェット処理槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22281388A JPH0269939A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | ウェット処理槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22281388A JPH0269939A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | ウェット処理槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269939A true JPH0269939A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16788308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22281388A Pending JPH0269939A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | ウェット処理槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269939A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273077A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハのリンス方法及びリンス装置 |
| TWI719555B (zh) * | 2018-07-30 | 2021-02-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 濕式工作台及使用濕式工作台的化學處理方法 |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22281388A patent/JPH0269939A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07273077A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハのリンス方法及びリンス装置 |
| TWI719555B (zh) * | 2018-07-30 | 2021-02-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 濕式工作台及使用濕式工作台的化學處理方法 |
| US11532493B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wet bench and chemical treatment method using the same |
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