JP2518355Y2 - 浸漬型基板処理装置 - Google Patents
浸漬型基板処理装置Info
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- JP2518355Y2 JP2518355Y2 JP1990406313U JP40631390U JP2518355Y2 JP 2518355 Y2 JP2518355 Y2 JP 2518355Y2 JP 1990406313 U JP1990406313 U JP 1990406313U JP 40631390 U JP40631390 U JP 40631390U JP 2518355 Y2 JP2518355 Y2 JP 2518355Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、半導体基板や液晶用
ガラス基板等の薄板状被処理基板を表面処理するのに用
いられる浸漬型の基板処理装置に関し、特に被処理基板
(以下単に基板と称する)の表面に酸化被膜が形成される
のを抑制するように構成した基板処理装置に関するもの
である。
ガラス基板等の薄板状被処理基板を表面処理するのに用
いられる浸漬型の基板処理装置に関し、特に被処理基板
(以下単に基板と称する)の表面に酸化被膜が形成される
のを抑制するように構成した基板処理装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来技術】この種の基板処理装置としては、従来より
例えば図６に示すもの（特開平２−１９４５２８号公
報、発明の名称「シリコンウエハのエッチング処理方法
及び装置」）がある。それは図６に示すように、基板処
理室内１０２内に複数の表面処理槽１０３・１０７を併
設し、基板Ｗを搬送ロボット１１０Ａで搬送して、順次
各処理槽１０３・１０７内に浸漬させて表面処理をする
ように構成し、基板処理室１０２の側壁に不活性ガス
（Ｎ2）の吐出口１２２をあけて、基板処理室１０２内
の空気を不活性ガスで置換することにより、基板Ｗの表
面に酸化被膜が形成されるのを抑制するように構成され
ている。
例えば図６に示すもの（特開平２−１９４５２８号公
報、発明の名称「シリコンウエハのエッチング処理方法
及び装置」）がある。それは図６に示すように、基板処
理室内１０２内に複数の表面処理槽１０３・１０７を併
設し、基板Ｗを搬送ロボット１１０Ａで搬送して、順次
各処理槽１０３・１０７内に浸漬させて表面処理をする
ように構成し、基板処理室１０２の側壁に不活性ガス
（Ｎ2）の吐出口１２２をあけて、基板処理室１０２内
の空気を不活性ガスで置換することにより、基板Ｗの表
面に酸化被膜が形成されるのを抑制するように構成され
ている。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】近年半導体基板の集積
度のアップひいては基板サイズの大型化に伴って、益々
高い製造品質が要求されるようになった。このため表面
処理装置内の発塵パーティクルの排除はもとより、被処
理基板の表面に形成された酸化被膜(SiO2)を弗酸（HF/H
2O)でエッチング除去後、シリコン表面が空気と再接触
することにより酸化被膜(SiO2)が形成されるのを防止す
る必要がある。かかる酸化被膜は基板の処理工程で絶縁
不良又はパーティクルの原因になるからである。しかる
に、上記従来例では図６で示すように、基板処理室１０
２の側壁に不活性ガス(N2)の吐出口１２２をあけて、基
板処理室１０２内の空気を不活性ガスで置換する構造で
あるため、処理液ミストが上昇すると基板搬送ロボット
１１０Ａの腐食等の原因になるだけでなく、処理液ミス
トが基板表面に付着し、シミの発生やパーティクルの原
因になる。そこで、表面処理槽１０３・１０７の上方よ
り浄気流を流下させ、表面処理槽１０３・１０７より発
生する処理液ミストをその流下浄気流にのせて強制排気
することが考えられる。
度のアップひいては基板サイズの大型化に伴って、益々
高い製造品質が要求されるようになった。このため表面
処理装置内の発塵パーティクルの排除はもとより、被処
理基板の表面に形成された酸化被膜(SiO2)を弗酸（HF/H
2O)でエッチング除去後、シリコン表面が空気と再接触
することにより酸化被膜(SiO2)が形成されるのを防止す
る必要がある。かかる酸化被膜は基板の処理工程で絶縁
不良又はパーティクルの原因になるからである。しかる
に、上記従来例では図６で示すように、基板処理室１０
２の側壁に不活性ガス(N2)の吐出口１２２をあけて、基
板処理室１０２内の空気を不活性ガスで置換する構造で
あるため、処理液ミストが上昇すると基板搬送ロボット
１１０Ａの腐食等の原因になるだけでなく、処理液ミス
トが基板表面に付着し、シミの発生やパーティクルの原
因になる。そこで、表面処理槽１０３・１０７の上方よ
り浄気流を流下させ、表面処理槽１０３・１０７より発
生する処理液ミストをその流下浄気流にのせて強制排気
することが考えられる。
【０００４】しかしながら、基板処理室１０２の側壁か
ら不活性ガスを吐出させても、表面処理槽１０３・１０
７の上方より浄気流を流下させて処理液ミストを強制排
気する場合には、実質上基板処理室１０２内の空気を不
活性ガスで置換することはできない。また、浄気流に代
えて不活性ガスを表面処理槽１０３・１０７の上方より
流下させて処理液ミストを強制排気することも考えられ
るが、その場合には大量の不活性ガスを消費するためラ
ンニングコストが上昇する。本考案はこのような事情を
考慮してなされたもので、上記流下浄気流により処理液
ミストの効率的な排出を確保しながらも、不活性ガスを
適宜供給することにより基板の表面に酸化被膜が形成さ
れるのを抑制することを技術課題とする。
ら不活性ガスを吐出させても、表面処理槽１０３・１０
７の上方より浄気流を流下させて処理液ミストを強制排
気する場合には、実質上基板処理室１０２内の空気を不
活性ガスで置換することはできない。また、浄気流に代
えて不活性ガスを表面処理槽１０３・１０７の上方より
流下させて処理液ミストを強制排気することも考えられ
るが、その場合には大量の不活性ガスを消費するためラ
ンニングコストが上昇する。本考案はこのような事情を
考慮してなされたもので、上記流下浄気流により処理液
ミストの効率的な排出を確保しながらも、不活性ガスを
適宜供給することにより基板の表面に酸化被膜が形成さ
れるのを抑制することを技術課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本考案は上記課題を解決
するものとして、以下のように構成される。即ち請求項
１の考案は、基板処理室内に複数の表面処理槽を併設
し、基板を搬送ロボットで搬送するとともに、各表面処
理槽にその基板を浸漬させて表面処理をするように構成
し、表面処理槽の上方より浄気流を流下させ、表面処理
槽より発生する処理液ミストをその流下浄気流にのせて
強制排気するように構成した浸漬型基板処理装置におい
て、搬送ロボットに不活性ガスを吐出するガス吐出ノズ
ルを付設し、少なくとも基板搬送中は基板に向けて不活
性ガスを吐出するように構成したことを特徴とするもの
である。
するものとして、以下のように構成される。即ち請求項
１の考案は、基板処理室内に複数の表面処理槽を併設
し、基板を搬送ロボットで搬送するとともに、各表面処
理槽にその基板を浸漬させて表面処理をするように構成
し、表面処理槽の上方より浄気流を流下させ、表面処理
槽より発生する処理液ミストをその流下浄気流にのせて
強制排気するように構成した浸漬型基板処理装置におい
て、搬送ロボットに不活性ガスを吐出するガス吐出ノズ
ルを付設し、少なくとも基板搬送中は基板に向けて不活
性ガスを吐出するように構成したことを特徴とするもの
である。
【０００５】また請求項２の考案は、基板処理室内に複
数の表面処理槽を併設し、基板を搬送ロボットで搬送す
るとともに各表面処理槽にその基板を浸漬させて表面処
理をするように構成し、表面処理槽の上方より浄気流を
流下させ、表面処理槽より発生する処理液ミストをその
流下浄気流にのせて強制排気するように構成した浸漬型
基板処理装置において、基板処理室内のロボット搬送空
間の上側に不活性ガスを吐出するガス吐出ノズルを付設
し、少なくとも基板搬送中は基板に向けて不活性ガスを
吐出するように構成したことを特徴とするものである。
数の表面処理槽を併設し、基板を搬送ロボットで搬送す
るとともに各表面処理槽にその基板を浸漬させて表面処
理をするように構成し、表面処理槽の上方より浄気流を
流下させ、表面処理槽より発生する処理液ミストをその
流下浄気流にのせて強制排気するように構成した浸漬型
基板処理装置において、基板処理室内のロボット搬送空
間の上側に不活性ガスを吐出するガス吐出ノズルを付設
し、少なくとも基板搬送中は基板に向けて不活性ガスを
吐出するように構成したことを特徴とするものである。
【０００６】
【作 用】請求項１の考案では、搬送ロボットには不
活性ガスを吐出するガス吐出ノズルが付設されており、
一方では表面処理槽より発生する処理液ミストをその流
下浄気流にのせて強制排気しながら、基板搬送中は基板
とともに移動するガス吐出ノズルから基板に向けて不活
性ガスが吐出される。従って被処理基板が一方の表面処
理槽から他方の表面処理槽へ搬送される間は不活性ガス
によって覆われる。これにより、処理液ミストの効率的
な排出を確保しながら、基板の表面に酸化被膜が形成さ
れるのを抑制することができる。
活性ガスを吐出するガス吐出ノズルが付設されており、
一方では表面処理槽より発生する処理液ミストをその流
下浄気流にのせて強制排気しながら、基板搬送中は基板
とともに移動するガス吐出ノズルから基板に向けて不活
性ガスが吐出される。従って被処理基板が一方の表面処
理槽から他方の表面処理槽へ搬送される間は不活性ガス
によって覆われる。これにより、処理液ミストの効率的
な排出を確保しながら、基板の表面に酸化被膜が形成さ
れるのを抑制することができる。
【０００７】請求項２の考案では、基板処理室内のロボ
ット搬送空間の上側には不活性ガスを吐出するガス吐出
ノズルが付設されており、同様に処理液ミストを流下浄
気流にのせて強制排気しながら、被処理基板が一方の表
面処理槽から他方の表面処理槽へ搬送される間は不活性
ガスによって覆われる。従って処理液ミストの効率的な
排出と基板の表面に酸化被膜が形成されるのを抑制する
ことが可能になる。
ット搬送空間の上側には不活性ガスを吐出するガス吐出
ノズルが付設されており、同様に処理液ミストを流下浄
気流にのせて強制排気しながら、被処理基板が一方の表
面処理槽から他方の表面処理槽へ搬送される間は不活性
ガスによって覆われる。従って処理液ミストの効率的な
排出と基板の表面に酸化被膜が形成されるのを抑制する
ことが可能になる。
【０００８】
【実施例】以下本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は請求項１の考案に係る搬送ロボットの側面
図、図２はその正面図、図３は本考案に係る浸漬型基板
処理装置の概要を示す縦断側面図、図４は本考案に係る
浸漬型基板処理装置の概要を示す縦断正面図である。こ
の実施例装置は例えば図３及び図４で示すように、異な
る表面処理工程をなす複数の表面処理装置１Ａ、１Ｂ、
１Ｃを相互に所定の隙間をあけて左右に連設し、基板処
理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃを相互に連通して基板搬送ロボッ
ト１０の搬送用空間Ｅを形成し、各表面処理装置１Ａ、
１Ｂ、１Ｃの下部に底部連通室２０を区画形成するとと
もに、隣接する左右の底部連通室２０を相互に連通し、
各基板処理槽３、７の周囲に底部連通室２０に連通する
連通ダクト１４ａ〜１４ｄを設けてなり、基板処理室２
Ａ、２Ｂ、２Ｃの上方に設置した各浄気装置１８で形成
される流下浄気流（ダウンフロー）Ｄの大半を整流板１
ｂを介して基板処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃに取り込み浄気
流Ｆを流下させ、ダウンフローＤの一部をガイド板１２
を介して吹き流し、エアカーテンＤ2を形成するように
構成されている。
る。図１は請求項１の考案に係る搬送ロボットの側面
図、図２はその正面図、図３は本考案に係る浸漬型基板
処理装置の概要を示す縦断側面図、図４は本考案に係る
浸漬型基板処理装置の概要を示す縦断正面図である。こ
の実施例装置は例えば図３及び図４で示すように、異な
る表面処理工程をなす複数の表面処理装置１Ａ、１Ｂ、
１Ｃを相互に所定の隙間をあけて左右に連設し、基板処
理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃを相互に連通して基板搬送ロボッ
ト１０の搬送用空間Ｅを形成し、各表面処理装置１Ａ、
１Ｂ、１Ｃの下部に底部連通室２０を区画形成するとと
もに、隣接する左右の底部連通室２０を相互に連通し、
各基板処理槽３、７の周囲に底部連通室２０に連通する
連通ダクト１４ａ〜１４ｄを設けてなり、基板処理室２
Ａ、２Ｂ、２Ｃの上方に設置した各浄気装置１８で形成
される流下浄気流（ダウンフロー）Ｄの大半を整流板１
ｂを介して基板処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃに取り込み浄気
流Ｆを流下させ、ダウンフローＤの一部をガイド板１２
を介して吹き流し、エアカーテンＤ2を形成するように
構成されている。
【０００９】複数の表面処理装置の内の一つの表面処理
装置１Ｂは図３〜図４で示すように、基板処理室２Ｂ内
に例えばエッチング処理槽３と洗浄処理槽７を並設し、
前工程１Ａより搬送ロボット１０で搬入した基板Ｗをエ
ッチング処理槽３内に浸漬してエッチング処理をし、次
いで洗浄処理槽７内でその薬液を洗い流し、その後基板
Ｗを後工程１Ｃへ搬出するように構成されている。そし
てエッチング処理槽３と洗浄処理槽７を設置した基板処
理室２Ｂは、処理液秤量槽１５・処理液循環ポンプ１６・
処理液フイルタ１７等を設置したその余の非処理室３Ｂ
と区画され、エッチング処理槽３や洗浄槽７より発生す
る処理液ミストを前記流下浄気流Ｆにのせて流下させる
ように構成されている。なお、前記連通ダクト１４ａ、
１４ｂはエッチング処理槽３及び洗浄槽７の前後に付設
配置され、処理液ミストを吸込口１３ａ、１３ｂより底
部連通室２０の負圧で吸い込むことにより、流下浄気流
Ｆにのせて排出するように構成されている。
装置１Ｂは図３〜図４で示すように、基板処理室２Ｂ内
に例えばエッチング処理槽３と洗浄処理槽７を並設し、
前工程１Ａより搬送ロボット１０で搬入した基板Ｗをエ
ッチング処理槽３内に浸漬してエッチング処理をし、次
いで洗浄処理槽７内でその薬液を洗い流し、その後基板
Ｗを後工程１Ｃへ搬出するように構成されている。そし
てエッチング処理槽３と洗浄処理槽７を設置した基板処
理室２Ｂは、処理液秤量槽１５・処理液循環ポンプ１６・
処理液フイルタ１７等を設置したその余の非処理室３Ｂ
と区画され、エッチング処理槽３や洗浄槽７より発生す
る処理液ミストを前記流下浄気流Ｆにのせて流下させる
ように構成されている。なお、前記連通ダクト１４ａ、
１４ｂはエッチング処理槽３及び洗浄槽７の前後に付設
配置され、処理液ミストを吸込口１３ａ、１３ｂより底
部連通室２０の負圧で吸い込むことにより、流下浄気流
Ｆにのせて排出するように構成されている。
【００１０】上記エッチング処理槽３には開閉蓋４が付
設され、ロータリアクチュエータ５によりに自動開閉可
能に構成されている。なお、図４中の符号６及び８はそ
れぞれエッチング処理槽３と洗浄処理槽７のオーバフロ
ー液回収槽である。また、基板搬送ロボット１０は一対
のハンド１１で多数の基板Ｗを保持するように構成され
ており、エッチング処理槽３と洗浄処理槽７には、それ
らの基板Ｗを略直立状に整列して支持する基板支持手段
１３が処理槽内に付設配置されている。
設され、ロータリアクチュエータ５によりに自動開閉可
能に構成されている。なお、図４中の符号６及び８はそ
れぞれエッチング処理槽３と洗浄処理槽７のオーバフロ
ー液回収槽である。また、基板搬送ロボット１０は一対
のハンド１１で多数の基板Ｗを保持するように構成され
ており、エッチング処理槽３と洗浄処理槽７には、それ
らの基板Ｗを略直立状に整列して支持する基板支持手段
１３が処理槽内に付設配置されている。
【００１１】底部連通室２０は基板処理室２Ｂと非処理
室３Ｂの下方に多数の連通孔１８ａを有する床板１８に
よってが区画形成され、底部連通室２０の底壁２１には
排気口２２に強制排気ダクト２３が接続されている。そ
してこの強制排気ダクト２３には図示しない流量調節弁
が付設され、前記開閉蓋４に連動させて流量調節弁を駆
動制御するように構成されている。即ち、基板Ｗを浸漬
処理するときは開閉蓋４の開閉に連動させて流量調節弁
をあけて強力に排気し、浸漬処理しないときは流量調節
弁を閉じて排気量を減らす。これにより一層効率的な処
理液ミストの排出が可能になる。
室３Ｂの下方に多数の連通孔１８ａを有する床板１８に
よってが区画形成され、底部連通室２０の底壁２１には
排気口２２に強制排気ダクト２３が接続されている。そ
してこの強制排気ダクト２３には図示しない流量調節弁
が付設され、前記開閉蓋４に連動させて流量調節弁を駆
動制御するように構成されている。即ち、基板Ｗを浸漬
処理するときは開閉蓋４の開閉に連動させて流量調節弁
をあけて強力に排気し、浸漬処理しないときは流量調節
弁を閉じて排気量を減らす。これにより一層効率的な処
理液ミストの排出が可能になる。
【００１２】上記搬送ロボット１０は図１〜図２で示す
ように、いわゆるキャリアレスタイプのもので、一対の
開閉自在のロボットアーム１１にチャック１１ａを固設
し、チャック１１ａには多数の基板支持溝が切設されて
おり、直接多数の基板Ｗを直立状に整列して挟持し得る
ように構成されており、この基板Ｗを搬送して表面処理
槽３・７内へ浸漬してそのまま基板支持手段１３で支持
させるように構成されている。
ように、いわゆるキャリアレスタイプのもので、一対の
開閉自在のロボットアーム１１にチャック１１ａを固設
し、チャック１１ａには多数の基板支持溝が切設されて
おり、直接多数の基板Ｗを直立状に整列して挟持し得る
ように構成されており、この基板Ｗを搬送して表面処理
槽３・７内へ浸漬してそのまま基板支持手段１３で支持
させるように構成されている。
【００１３】そして請求項１の考案は、搬送ロボット１
０の一対のロボットショルダ１１Ａに不活性ガスＮ２を
吐出するガス吐出ノズル１２を付設して成り、またガス
吐出ノズル１２は下面に多数のガス噴射孔又はガス噴射
スリットを開口して成り、少なくとも基板搬送中は基板
Ｗに向けて不活性ガスＮ2を吐出するように構成されて
いる。従って基板Ｗが一方の表面処理槽３から他方の洗
浄処理槽７へ搬送される間は基板Ｗは不活性ガスによっ
て覆われる。これにより、処理液ミストの効率的な排出
を確保しながら、基板の表面に酸化被膜が形成されるの
を抑制することができる。
０の一対のロボットショルダ１１Ａに不活性ガスＮ２を
吐出するガス吐出ノズル１２を付設して成り、またガス
吐出ノズル１２は下面に多数のガス噴射孔又はガス噴射
スリットを開口して成り、少なくとも基板搬送中は基板
Ｗに向けて不活性ガスＮ2を吐出するように構成されて
いる。従って基板Ｗが一方の表面処理槽３から他方の洗
浄処理槽７へ搬送される間は基板Ｗは不活性ガスによっ
て覆われる。これにより、処理液ミストの効率的な排出
を確保しながら、基板の表面に酸化被膜が形成されるの
を抑制することができる。
【００１４】また請求項２の考案は図４で示すように、
基板処理室２Ｂ内のロボット搬送空間Ｅの上側に不活性
ガスを吐出するガス吐出ノズル１２ａを付設して成り、
同様に処理液ミストを流下浄気流にのせて強制排気しな
がら、基板Ｗが一方の表面処理槽３から他方の洗浄処理
槽７へ搬送される間は不活性ガスによって覆われる。従
って処理液ミストの効率的な排出と基板の表面に酸化被
膜が形成されるのを抑制することが可能になる。
基板処理室２Ｂ内のロボット搬送空間Ｅの上側に不活性
ガスを吐出するガス吐出ノズル１２ａを付設して成り、
同様に処理液ミストを流下浄気流にのせて強制排気しな
がら、基板Ｗが一方の表面処理槽３から他方の洗浄処理
槽７へ搬送される間は不活性ガスによって覆われる。従
って処理液ミストの効率的な排出と基板の表面に酸化被
膜が形成されるのを抑制することが可能になる。
【００１５】図５は連通ダクトの別の実施例を示す縦断
正面図である。この実施例は前記連通ダクト１４ｃ、１
４ｄの他に、エッチング処理槽３の左右に別の連通ダク
ト１４ｅ、１４ｆを付設配置し、エッチング処理液のミ
ストを強力に排出するようにしたものである。なお、必
要に応じて洗浄処理槽７の左右に同様の連通ダクトを付
設配置しても良い。
正面図である。この実施例は前記連通ダクト１４ｃ、１
４ｄの他に、エッチング処理槽３の左右に別の連通ダク
ト１４ｅ、１４ｆを付設配置し、エッチング処理液のミ
ストを強力に排出するようにしたものである。なお、必
要に応じて洗浄処理槽７の左右に同様の連通ダクトを付
設配置しても良い。
【００１６】なお、上記施例では異なる処理工程をなす
複数の表面処理装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃを左右に連設した
ものについて例示したが、これに限るものではなく、少
なくとも基板処理室内に複数の表面処理槽を並設したも
のであれば足りる。また、基板搬送ロボットは基板を収
容したキャリアを搬送するものでもよく、同様に表面処
理槽もキャリアを浸漬するものでも良い。さらに、上記
実施例では表面処理槽の周囲に連通ダクトを付設配置
し、底部連通室に連通したものについて例示したが、こ
れらはいずれも必要に応じて付設するものであり、適宜
変更を加えて実施することができる。
複数の表面処理装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃを左右に連設した
ものについて例示したが、これに限るものではなく、少
なくとも基板処理室内に複数の表面処理槽を並設したも
のであれば足りる。また、基板搬送ロボットは基板を収
容したキャリアを搬送するものでもよく、同様に表面処
理槽もキャリアを浸漬するものでも良い。さらに、上記
実施例では表面処理槽の周囲に連通ダクトを付設配置
し、底部連通室に連通したものについて例示したが、こ
れらはいずれも必要に応じて付設するものであり、適宜
変更を加えて実施することができる。
【００１７】
【考案の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
の考案では搬送ロボットに不活性ガスを吐出するガス吐
出ノズルを付設し、また請求項２の考案では基板処理室
内のロボット搬送空間の上側に不活性ガスを吐出するガ
ス吐出ノズルを付設し、ともに表面処理槽より発生する
処理液ミストをその流下浄気流にのせて強制排気しなが
ら、基板搬送中は基板に向けて不活性ガスを吐出するよ
うに構成したので、処理液ミストの効率的な排出を確保
しながら、基板の表面に酸化被膜が形成されるのを抑制
することができる。
の考案では搬送ロボットに不活性ガスを吐出するガス吐
出ノズルを付設し、また請求項２の考案では基板処理室
内のロボット搬送空間の上側に不活性ガスを吐出するガ
ス吐出ノズルを付設し、ともに表面処理槽より発生する
処理液ミストをその流下浄気流にのせて強制排気しなが
ら、基板搬送中は基板に向けて不活性ガスを吐出するよ
うに構成したので、処理液ミストの効率的な排出を確保
しながら、基板の表面に酸化被膜が形成されるのを抑制
することができる。
【図１】請求項１の考案に係る搬送ロボットの側面図で
ある。
ある。
【図２】請求項１の考案に係る搬送ロボットの正面図で
ある。
ある。
【図３】本考案に係る浸漬型基板処理装置の概要を示す
縦断側面図である。
縦断側面図である。
【図４】本考案に係る浸漬型基板処理装置の概要を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【図５】本考案に係る浸漬型基板処理装置の別の実施例
を示す縦断正面図である。
を示す縦断正面図である。
【図６】従来例を示す浸漬型基板処理装置の概要を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ…基板処理室、 ３・７…表面処理
槽、 ４…開閉蓋、１０…搬送ロボット、 １２…ガ
ス吐出ノズル、 Ｅ…ロボット搬送空間、Ｆ…浄気
流、 Ｗ…基板。
槽、 ４…開閉蓋、１０…搬送ロボット、 １２…ガ
ス吐出ノズル、 Ｅ…ロボット搬送空間、Ｆ…浄気
流、 Ｗ…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−158325（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−194528（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−10728（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−139831（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−98640（ＪＰ，Ｕ) 特公 平３−8821（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】 基板処理室内に複数の表面処理槽を併設
し、基板を搬送ロボットで搬送するとともに、各表面処
理槽にその基板を浸漬させて表面処理をするように構成
し、表面処理槽の上方より浄気流を流下させ、表面処理
槽より発生する処理液ミストをその流下浄気流にのせて
強制排気するように構成した浸漬型基板処理装置におい
て、搬送ロボットに不活性ガスを吐出するガス吐出ノズ
ルを付設し、少なくとも基板搬送中は基板に向けて不活
性ガスを吐出するように構成したことを特徴とする浸漬
型基板処理装置。 - 【請求項２】 基板処理室内に複数の表面処理槽を併設
し、基板を搬送ロボットで搬送するとともに各表面処理
槽にその基板を浸漬させて表面処理をするように構成
し、表面処理槽の上方より浄気流を流下させ、表面処理
槽より発生する処理液ミストをその流下浄気流にのせて
強制排気するように構成した浸漬型基板処理装置におい
て、基板処理室内のロボット搬送空間の上側に不活性ガ
スを吐出するガス吐出ノズルを付設し、少なくとも基板
搬送中は基板に向けて不活性ガスを吐出するように構成
したことを特徴とする浸漬型基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990406313U JP2518355Y2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 浸漬型基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990406313U JP2518355Y2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 浸漬型基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492635U JPH0492635U (ja) | 1992-08-12 |
| JP2518355Y2 true JP2518355Y2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=31883590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990406313U Expired - Fee Related JP2518355Y2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 浸漬型基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2518355Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5220641B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、処理方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156457A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Taikisha Ltd | 塗装ブ−ス |
| JPH0210728A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハのウエット処理装置 |
| JPH07111963B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1995-11-29 | 株式会社スガイ | 基板の洗浄乾燥装置 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP1990406313U patent/JP2518355Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0492635U (ja) | 1992-08-12 |
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