JP3232585B2 - 半導体洗浄装置 - Google Patents
半導体洗浄装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を製造する
際に、例えばベアシリコンウェーハ、多結晶シリコンの
形成等その後の素子形成工程でのシリコンウェーハを洗
浄する半導体洗浄装置に関する。
際に、例えばベアシリコンウェーハ、多結晶シリコンの
形成等その後の素子形成工程でのシリコンウェーハを洗
浄する半導体洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置を製造する際のウェ
ーハをウェット洗浄する工程においては、何種類かの薬
液にウェーハを浸すこととしているが、その場合、１つ
の薬液にウェーハを浸した後に超純水中に浸してリンス
を行う必要がある。従来より、かかる工程を自動的に行
う装置が知られており、その装置においては、ウェーハ
を収納したキャリアケースを、上下左右に移動可能なロ
ボットによって移動を行うようにしている。
ーハをウェット洗浄する工程においては、何種類かの薬
液にウェーハを浸すこととしているが、その場合、１つ
の薬液にウェーハを浸した後に超純水中に浸してリンス
を行う必要がある。従来より、かかる工程を自動的に行
う装置が知られており、その装置においては、ウェーハ
を収納したキャリアケースを、上下左右に移動可能なロ
ボットによって移動を行うようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来例の場合、純水中に含まれる溶存酸素とウェーハが
反応することに加え、キャリアケースを搬送する間にウ
ェーハが大気にさらされるため、大気中に含まれる酸素
や水分と反応し、その結果、ウェーハの表面に自然酸化
膜が成長するという問題があった。特に、ＨＦ（フッ
酸）による処理を行ったシリコンウェーハについては、
活性面が露出していることから、自然酸化膜の成長速度
が速いという事情もある。そして、このような自然酸化
膜の存在はゲート酸化膜の膜厚や品質に影響を及ぼし、
またコンタクトホールのコンタクト抵抗が増加する原因
となっていた。
従来例の場合、純水中に含まれる溶存酸素とウェーハが
反応することに加え、キャリアケースを搬送する間にウ
ェーハが大気にさらされるため、大気中に含まれる酸素
や水分と反応し、その結果、ウェーハの表面に自然酸化
膜が成長するという問題があった。特に、ＨＦ（フッ
酸）による処理を行ったシリコンウェーハについては、
活性面が露出していることから、自然酸化膜の成長速度
が速いという事情もある。そして、このような自然酸化
膜の存在はゲート酸化膜の膜厚や品質に影響を及ぼし、
またコンタクトホールのコンタクト抵抗が増加する原因
となっていた。
【０００４】本発明はかかる従来例の課題に鑑みてなさ
れたもので、その目的とすることろは、洗浄工程におけ
る半導体ウェーハ表面の自然酸化膜成長を抑制可能な半
導体洗浄装置を提供することにある。
れたもので、その目的とすることろは、洗浄工程におけ
る半導体ウェーハ表面の自然酸化膜成長を抑制可能な半
導体洗浄装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図１に
示すように、所定の薬液中に半導体ウェーハを浸すため
の洗浄処理室２ａと、半導体ウェーハを純水中に浸すた
めのリンス処理室２ｂとをそれぞれ個別に備え、洗浄工
程の際半導体ウェーハの処理室２ａ，２ｂ間の搬送を行
う半導体洗浄装置において、リンス処理室２ｂを不活性
ガスで満たすとともに、半導体ウェーハを不活性ガスの
雰囲気中に置いた状態で搬送するようにしたものであ
る。
示すように、所定の薬液中に半導体ウェーハを浸すため
の洗浄処理室２ａと、半導体ウェーハを純水中に浸すた
めのリンス処理室２ｂとをそれぞれ個別に備え、洗浄工
程の際半導体ウェーハの処理室２ａ，２ｂ間の搬送を行
う半導体洗浄装置において、リンス処理室２ｂを不活性
ガスで満たすとともに、半導体ウェーハを不活性ガスの
雰囲気中に置いた状態で搬送するようにしたものであ
る。
【０００６】
【作用】かかる構成を有する本発明にあっては、リンス
処理室２ｂを不活性ガスで満たすようにしたことから、
純水中への酸素の溶解量を低減することができる。ま
た、不活性ガスの雰囲気中に置いた状態で半導体ウェー
ハを搬送するようにしたことから、半導体ウェーハは搬
送中に大気にさらされることがなく、大気中の酸素及び
水分との反応が防止される。
処理室２ｂを不活性ガスで満たすようにしたことから、
純水中への酸素の溶解量を低減することができる。ま
た、不活性ガスの雰囲気中に置いた状態で半導体ウェー
ハを搬送するようにしたことから、半導体ウェーハは搬
送中に大気にさらされることがなく、大気中の酸素及び
水分との反応が防止される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係る半導体洗浄装置の実施例
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
【０００８】図１は本実施例の全体の概略構成を示すも
のである。同図に示すように、四フッ化エチレン樹脂か
らなる装置本体１に所定数の処理室２ａ，２ｂが形成さ
れ、各処理室２ａ，２ｂ内に、薬液槽３及びリンス槽４
が交互に配置されている。薬液槽３には洗浄用の薬液が
満たされ、リンス槽４には超純水が満たされている。そ
して、装置本体１の上部には、シリコンウェーハ（図示
せず）を収容したキャリア５を搬送するためのロボット
６が設けられている。
のである。同図に示すように、四フッ化エチレン樹脂か
らなる装置本体１に所定数の処理室２ａ，２ｂが形成さ
れ、各処理室２ａ，２ｂ内に、薬液槽３及びリンス槽４
が交互に配置されている。薬液槽３には洗浄用の薬液が
満たされ、リンス槽４には超純水が満たされている。そ
して、装置本体１の上部には、シリコンウェーハ（図示
せず）を収容したキャリア５を搬送するためのロボット
６が設けられている。
【０００９】薬液槽３は概ね石英からなるが、ＨＦ液が
満たされる薬液槽３は四フッ化エチレン樹脂により構成
されている。そして、各処理室２ａ，２ｂの開口部には
観音開きの蓋７が取り付けられ、室内と大気とが仕切ら
れている。
満たされる薬液槽３は四フッ化エチレン樹脂により構成
されている。そして、各処理室２ａ，２ｂの開口部には
観音開きの蓋７が取り付けられ、室内と大気とが仕切ら
れている。
【００１０】リンス槽４が配置される処理室２ｂは、不
活性ガスであるＮ2ガスを供給するためのＮ2 供給源８
に連結されている。この場合、処理室２ｂとＮ2 供給源
８とはパイプ９によって連結され、これにより所定量の
Ｎ2 ガスが処理室２ｂ内に流入して満たされるようにな
っている。
活性ガスであるＮ2ガスを供給するためのＮ2 供給源８
に連結されている。この場合、処理室２ｂとＮ2 供給源
８とはパイプ９によって連結され、これにより所定量の
Ｎ2 ガスが処理室２ｂ内に流入して満たされるようにな
っている。
【００１１】尚、各処理室２ａ，２ｂの周囲には、図２
に示すようにキャリア５の浸漬時に後述のボックス１０
を収納する溝１１が形成されている。これは、図３に示
すようにロボット６が下降した際にボックス１０の逃げ
るスペースを確保するためのものである。そして、各処
理室２ａ，２ｂに設けた蓋７は、ボックス１０の下部が
溝１１内に挿入された時点が開くようになっている。
に示すようにキャリア５の浸漬時に後述のボックス１０
を収納する溝１１が形成されている。これは、図３に示
すようにロボット６が下降した際にボックス１０の逃げ
るスペースを確保するためのものである。そして、各処
理室２ａ，２ｂに設けた蓋７は、ボックス１０の下部が
溝１１内に挿入された時点が開くようになっている。
【００１２】図４はキャリア５を搬送するためのロボッ
ト６を示すものである。このロボット６は、装置本体１
の上部に設けたレール１２に沿って（図２参照）、図１
の矢印Ａ方向へ移動することによりウェーハの搬送を行
う。
ト６を示すものである。このロボット６は、装置本体１
の上部に設けたレール１２に沿って（図２参照）、図１
の矢印Ａ方向へ移動することによりウェーハの搬送を行
う。
【００１３】図４において、１３は鉛直方向に立てられ
た支柱であり、不図示の駆動手段により上下及び左右に
移動可能となっている。支柱１３の上部には水平方向に
軸１４が２本平行に取り付けられ、各軸１４の下部には
キャリア５を保持するためのアーム１５がそれぞれ設け
られている。各軸１４は、図５に示すように、不図示の
駆動手段により回転可能となっており、これによりアー
ム１５が開閉してキャリア５の取り外しを行うようにな
っている。
た支柱であり、不図示の駆動手段により上下及び左右に
移動可能となっている。支柱１３の上部には水平方向に
軸１４が２本平行に取り付けられ、各軸１４の下部には
キャリア５を保持するためのアーム１５がそれぞれ設け
られている。各軸１４は、図５に示すように、不図示の
駆動手段により回転可能となっており、これによりアー
ム１５が開閉してキャリア５の取り外しを行うようにな
っている。
【００１４】軸１４の内部は空洞になっており、不図示
のＮ2 ガスの供給源に連結されている。そして、軸１４
の下部にはＮ2 ガスを噴出させるための孔１６が多数設
けられている。一方、軸１４及びキャリア５は、底部が
取り去られたボックス１０によって取り囲まれ、これに
よりボックス１５内には軸１４の孔１６から噴出される
Ｎ2 ガスが充満することになる。尚、ボックス１０の上
部には軸１４を貫通させるための孔１７が形成されてい
る。
のＮ2 ガスの供給源に連結されている。そして、軸１４
の下部にはＮ2 ガスを噴出させるための孔１６が多数設
けられている。一方、軸１４及びキャリア５は、底部が
取り去られたボックス１０によって取り囲まれ、これに
よりボックス１５内には軸１４の孔１６から噴出される
Ｎ2 ガスが充満することになる。尚、ボックス１０の上
部には軸１４を貫通させるための孔１７が形成されてい
る。
【００１５】本実施例によりウェーハの洗浄を行う場合
には、ロボット６を図１の矢印Ａ方向へ移動させ、各処
理室２ａ，２ｂの位置でキャリア５を上下させて交互に
薬液処理及びリンス処理を行う。そして、各処理中はキ
ャリア５を処理室２ａ，２ｂ内に残し、ボックス１０を
処理室２ａ，２ｂの上方位置に待機させる。
には、ロボット６を図１の矢印Ａ方向へ移動させ、各処
理室２ａ，２ｂの位置でキャリア５を上下させて交互に
薬液処理及びリンス処理を行う。そして、各処理中はキ
ャリア５を処理室２ａ，２ｂ内に残し、ボックス１０を
処理室２ａ，２ｂの上方位置に待機させる。
【００１６】かかる構成を有する本実施例によれば、処
理室２ａ，２ｂ間を移動する間においてウェーハはＮ2
ガスの雰囲気中に置かれ、大気にさらされることがない
ので、ウェーハと大気中の酸素及び水分との反応が防止
される。従って、ウェーハ表面における自然酸化膜の成
長を抑制することができる。また、純水槽４が配置され
る処理室２ｂ内にもＮ2 ガスを満たすようにしたので、
純水中への酸素の溶解を低減することができ、この結
果、リンス中におけるウェーハ表面の自然酸化膜の成長
を抑制することができる。さらに、本実施例は、ＨＦ液
を用いてシリコンウェーハを洗浄する場合に特に効果が
大きく、従って、半導体装置におけるゲート酸化膜の膜
厚や品質を安定させ、またコンタクトホールのコンタク
ト抵抗の増加を防止可能とするものである。加えて、活
性面が露出したウェーハを大気中にさらさないため、活
性面の汚染を防止する効果もある。
理室２ａ，２ｂ間を移動する間においてウェーハはＮ2
ガスの雰囲気中に置かれ、大気にさらされることがない
ので、ウェーハと大気中の酸素及び水分との反応が防止
される。従って、ウェーハ表面における自然酸化膜の成
長を抑制することができる。また、純水槽４が配置され
る処理室２ｂ内にもＮ2 ガスを満たすようにしたので、
純水中への酸素の溶解を低減することができ、この結
果、リンス中におけるウェーハ表面の自然酸化膜の成長
を抑制することができる。さらに、本実施例は、ＨＦ液
を用いてシリコンウェーハを洗浄する場合に特に効果が
大きく、従って、半導体装置におけるゲート酸化膜の膜
厚や品質を安定させ、またコンタクトホールのコンタク
ト抵抗の増加を防止可能とするものである。加えて、活
性面が露出したウェーハを大気中にさらさないため、活
性面の汚染を防止する効果もある。
【００１７】尚、上述の実施例においては、ロボット６
の軸１４に形成した孔１６からボックス１０内にＮ2 ガ
スを供給するようにしたが、本発明はこれに限られるこ
とはなく、例えば図６に示すように、ボックス１０の上
部からパイプ１８を介してＮ 2 ガスを供給するようにし
てもよい。この構成を採用すれば、ボックス１０内によ
り多くのＮ2 ガスを流入させることが可能になる。
の軸１４に形成した孔１６からボックス１０内にＮ2 ガ
スを供給するようにしたが、本発明はこれに限られるこ
とはなく、例えば図６に示すように、ボックス１０の上
部からパイプ１８を介してＮ 2 ガスを供給するようにし
てもよい。この構成を採用すれば、ボックス１０内によ
り多くのＮ2 ガスを流入させることが可能になる。
【００１８】また、上述の実施例において使用する不活
性ガスは、Ｎ2 ガスに限られることなく、例えばアルゴ
ン等を使用することもできる。
性ガスは、Ｎ2 ガスに限られることなく、例えばアルゴ
ン等を使用することもできる。
【００１９】さらに、処理室２ｂにＮ2 ガスを流入する
位置についても、処理室２ｂの下部に限られることはな
く、適宜変更が可能である。
位置についても、処理室２ｂの下部に限られることはな
く、適宜変更が可能である。
【００２０】さらにまた、処理室２ｂの開口部に取り付
けた蓋７についても観音開き方式のものには限られず、
例えばスライド方式の蓋を用いてもよい。
けた蓋７についても観音開き方式のものには限られず、
例えばスライド方式の蓋を用いてもよい。
【００２１】加えて、ロボット６に設けたボックス１０
も、上述の実施例のように下部を開口させたものには限
られず、キャリア５を上下動させるときにのみその下部
を開口させるように構成してもよい。
も、上述の実施例のように下部を開口させたものには限
られず、キャリア５を上下動させるときにのみその下部
を開口させるように構成してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明にあっては、リ
ンス処理室を不活性ガスで満たすとともに、半導体ウェ
ーハを不活性ガスの雰囲気中に置いた状態で搬送するよ
うにしたので、洗浄工程における半導体ウェーハ表面の
自然酸化膜の成長を抑制することができるという効果が
ある。
ンス処理室を不活性ガスで満たすとともに、半導体ウェ
ーハを不活性ガスの雰囲気中に置いた状態で搬送するよ
うにしたので、洗浄工程における半導体ウェーハ表面の
自然酸化膜の成長を抑制することができるという効果が
ある。
【図１】本発明の実施例の全体を示す概略構成図であ
る。
る。
【図２】同実施例の処理室の周囲に形成した溝を示すた
めの斜視図である。
めの斜視図である。
【図３】同実施例において溝とボックスとのはまり合う
状態を示す断面説明図である。
状態を示す断面説明図である。
【図４】同実施例のロボットを示す斜視図である。
【図５】同実施例のロボットを示す正面図である。
【図６】本発明の他の実施例の要部を示す説明図であ
る。
る。
２ａ，２ｂ 処理室 ３ 薬液槽 ４ 純水槽 ５ キャリア ６ ロボット ７ 蓋 ８ Ｎ2 供給源 １０ ボックス １４ 軸 １６ 孔
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の薬液中に半導体ウェーハを浸すた
めの洗浄処理室と、該半導体ウェーハを純水中に浸すた
めのリンス処理室とをそれぞれ個別に備え、洗浄工程の
際上記半導体ウェーハの処理室間の搬送を行う半導体洗
浄装置であって、 上記リンス処理室を不活性ガスで満たすとともに、上記
半導体ウェーハを、不活性ガスの雰囲気中に置いた状態
で搬送するようにしたことを特徴とする半導体洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14484191A JP3232585B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14484191A JP3232585B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369221A JPH04369221A (ja) | 1992-12-22 |
| JP3232585B2 true JP3232585B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=15371679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14484191A Expired - Fee Related JP3232585B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 半導体洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3232585B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4946321B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-06-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2020035923A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 株式会社アルバック | 基板処理方法、基板処理装置 |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP14484191A patent/JP3232585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04369221A (ja) | 1992-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921 Year of fee payment: 7 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921 Year of fee payment: 8 |
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