TW202226340A - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置以及基板處理方法。基板處理方法包括：淋洗工序，利用淋洗液（L2）來處理基板（W）；浸漬工序，在淋洗工序之後，將基板（W）浸漬於貯存在處理槽（230）中的經稀釋化的異丙醇（dIPA）；第一異丙醇處理工序，在浸漬工序之後，利用異丙醇來處理基板（W）；以及疏水處理工序，在第一異丙醇處理工序之後，對基板（W）進行疏水處理。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明涉及一種基板處理裝置以及基板處理方法。
已知被用於半導體裝置以及液晶顯示裝置等的電子零件的基板是通過基板處理裝置來進行處理。伴隨著近年來形成在半導體基板上的半導體元件的微細化和/或三維化，使基板的處理均勻化的要求正在提高。例如，具有三維結構的與非（Not AND，NAND）元件具有設有立體的凹凸結構的層疊結構。
基板有時會通過浸漬在處理槽內的貯存液中進行處理。在對半導體晶片之類的基板進行處理而製造半導體裝置之類的製品的工序中，包含通過藥液來處理基板的藥液處理工序、通過淋洗液來從基板的表面去除藥液的淋洗工序以及使基板乾燥的乾燥處理工序。
但是，在乾燥處理工序中，形成在基板表面的圖案有時會崩壞。圖案的崩壞是因侵入圖案內的淋洗液的表面張力所引起。因此，為了避免圖案的崩壞，有時會對基板供給疏水化劑而利用疏水性保護膜來覆蓋圖案（參照專利文獻1）。
例如，在專利文獻1中公開了一種基板處理方法，對基板依次執行藥液處理、純水淋洗處理、乙醇淋洗處理、疏水性處理、乙醇淋洗處理、純水淋洗處理以及乾燥處理。在疏水性處理後的乙醇淋洗處理中，將殘留在基板表面的疏水化劑置換為異丙醇（Iisopropyl Alcohol，IPA）而予以去除。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-114414號公報
[發明所要解決的問題] 但是，專利文獻1的基板處理裝置中，形成於基板的圖案仍有崩壞之虞。尤其，在形成高縱橫尺寸比的圖案的情況下，專利文獻1的基板處理裝置中，形成於基板的圖案容易發生崩壞。
本發明是有鑒於所述問題而完成，其目的在於提供一種可抑制形成於基板的圖案的崩壞的基板處理裝置以及基板處理方法。
[解決問題的技術手段] 根據本發明的一方面，基板處理方法包括：淋洗工序，利用淋洗液來處理基板；浸漬工序，在所述淋洗工序之後，將所述基板浸漬於貯存在處理槽中的經稀釋化的異丙醇；第一異丙醇處理工序，在所述浸漬工序之後，利用異丙醇來處理所述基板；以及疏水處理工序，在所述第一異丙醇處理工序之後，對所述基板進行疏水處理。
一實施方式中，在所述浸漬工序中，所述經稀釋化的異丙醇的濃度根據浸漬所述基板的時間而增加。
一實施方式中，所述淋洗工序是利用淋洗處理裝置來進行，所述浸漬工序是利用乾燥處理裝置來進行，所述基板處理方法還包括：搬送工序，在所述淋洗工序之後以及所述浸漬工序之前，將所述基板從所述淋洗處理裝置搬送至所述乾燥處理裝置。
一實施方式中，所述基板處理方法還包括：在所述浸漬工序之前，在對收容所述處理槽的腔室供給有非活性氣體的狀態下，在所述處理槽中貯存所述經稀釋化的異丙醇的工序。
一實施方式中，所述基板處理方法還包括：第二異丙醇處理工序，在所述疏水處理工序之後，利用異丙醇來處理所述基板；以及非活性氣體供給工序，在所述第二異丙醇處理工序之後，對所述基板供給非活性氣體。
一實施方式中，所述基板處理方法還包括：浸漬工序，在所述疏水處理工序之後且所述第二異丙醇處理工序之前，將所述基板浸漬於貯存在所述處理槽中的經稀釋化的異丙醇。
根據本發明的另一方面，基板處理裝置包括：腔室；處理槽，配置在所述腔室內，用於貯存貯存液；基板保持部，保持基板，且能夠移動，以將所述基板浸漬於所述處理槽的所述貯存液中；供液部，向所述處理槽供給經稀釋化的異丙醇作為所述貯存液；異丙醇供給部，向所述腔室內供給異丙醇的蒸氣；疏水化劑供給部，向所述腔室內供給疏水化劑的蒸氣；以及控制部，對所述基板保持部、所述供液部、所述異丙醇供給部以及所述疏水化劑供給部進行控制，所述控制部對所述基板保持部、所述異丙醇供給部以及所述疏水化劑供給部進行控制，以使得在將經淋洗液處理的基板浸漬於貯存在所述處理槽中的經稀釋化的異丙醇之後，對所述基板供給異丙醇的蒸氣，隨後，對所述基板供給所述疏水化劑的蒸氣。
一實施方式中，所述控制部對所述供液部進行控制，以使所述經稀釋化的異丙醇的濃度根據將所述基板浸漬於所述處理槽的所述經稀釋化的異丙醇中的時間而增加。
一實施方式中，所述基板處理裝置還包括：乾燥處理裝置，包括所述腔室、所述處理槽、所述基板保持部、所述異丙醇供給部以及所述疏水化劑供給部；淋洗處理裝置，利用所述淋洗液來處理所述基板；以及搬送裝置，將在所述淋洗處理裝置中經所述淋洗液處理的基板搬送至所述乾燥處理裝置。
一實施方式中，所述基板處理裝置還包括：非活性氣體供給部，向所述腔室內供給非活性氣體的蒸氣，所述控制部對所述供液部以及所述非活性氣體供給部進行控制，以使得在對所述腔室供給有非活性氣體的狀態下，對所述處理槽供給所述經稀釋化的異丙醇。
一實施方式中，所述控制部對所述異丙醇供給部以及所述非活性氣體供給部進行控制，以使得在對所述基板供給了所述疏水化劑後，對所述基板供給異丙醇的蒸氣，隨後，對所述基板供給非活性氣體。
一實施方式中，所述控制部對所述基板保持部進行控制，以使得在對所述基板供給了所述疏水化劑之後且對所述基板供給所述異丙醇的蒸氣之前，將所述基板浸漬於貯存在所述處理槽中的經稀釋化的異丙醇。
[發明的效果] 根據本發明，能夠抑制形成基板的圖案的崩壞。
以下，參照附圖來說明本發明的基板處理裝置以及基板處理方法的實施方式。另外，圖中，對於相同或相當的部分標注相同的參照符號並不再重複說明。另外，本申請說明書中，為了便於理解發明，有時記載彼此正交的X軸、Y軸以及Z軸。典型的是，X軸以及Y軸與水平方向平行，Z軸與鉛垂方向平行。
參照圖1來說明本發明的基板處理裝置100的實施方式。圖1是本實施方式的基板處理裝置100的示意圖。
基板處理裝置100對基板W進行處理。基板處理裝置100對基板W進行處理，以針對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除以及清洗中的至少一種。
基板W為薄的板狀。典型的是，基板W為薄的大致圓板狀。基板W例如包含半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子體顯示器用基板、場發射顯示器（Field Emission Display，FED）用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板以及太陽能電池用基板等。例如，基板W具有用於形成三維快閃存儲器（例如三維NAND快閃存儲器）的圖案。以下的說明中，作為一例，基板W為半導體晶片。
基板處理裝置100統一對多個基板W進行處理。另外，基板處理裝置100也可對於大量的基板W而逐次處理規定數。規定數為1以上的整數。此處，基板處理裝置100統一對多片基板W進行處理。具體而言，基板處理裝置100以批次為單位來處理多個基板W。一批次例如包含25片基板W。另外，一批次的基板W的片數也可為50片，還可為100片。
例如，基板處理裝置100對於包含矽基板的基板W的圖案形成側的表面，實施矽氧化膜（SiO 2膜）以及矽氮化膜（SiN膜）的蝕刻處理。此種蝕刻處理中，從基板W的表面去除矽氧化膜以及矽氮化膜中的任一者。
如圖1所示，基板處理裝置100包括多個收納部102、投入部104、配給部106、交接機構120、緩衝單元BU、第一搬送裝置CTC、第二搬送裝置WTR、處理部130以及控制裝置190。
處理部130包括第一處理裝置140、第二處理裝置150以及第三處理裝置200。第一處理裝置140、第二處理裝置150以及第三處理裝置200沿一方向排列配置。例如，第一處理裝置140、第二處理裝置150以及第三處理裝置200是與第一搬送裝置CTC的搬送路徑鄰接地，從第一搬送裝置CTC的搬送路徑的近處按照第三處理裝置200、第一處理裝置140以及第二處理裝置150的次序而配置。因此，第一處理裝置140位於第二處理裝置150與第三處理裝置200之間。
此處，第一處理裝置140對基板W進行藥液處理，第二處理裝置150對基板W進行淋洗處理，第三處理裝置200對基板W進行乾燥處理。
多個收納部102分別收容多個基板W。各基板W以水平姿勢被收容於收納部102。收納部102例如為前開式傳送盒（Front Opening Unified Pod，FOUP）。
被載置於投入部104的收納部102收納尚未經處理部130進行處理的基板W。投入部104包含多個載置台104a。此處，兩個收納部102被分別載置於兩個載置台104a。
被載置於配給部106的收納部102收納經處理部130進行了處理的基板W。配給部106包含多個載置台106a。兩個收納部102被分別載置於兩個載置台106a。配給部106將處理完畢的基板W收納至收納部102並連同收納部102一起進行配給。
緩衝單元BU是鄰接於投入部104以及配給部106而配置。緩衝單元BU將載置於投入部104的收納部102連同基板W一起導入至內部，並且將收納部102載置於擱板（未圖示）。而且，緩衝單元BU接收處理完畢的基板W並收納至收納部102，並且將收納部102載置於擱板。在緩衝單元BU內，配置有交接機構120。
交接機構120在投入部104及配給部106與擱板之間交接收納部102。而且，交接機構120對於第一搬送裝置CTC僅進行基板W的交接。即，交接機構120對於第一搬送裝置CTC進行基板W的批次交接。
第一搬送裝置CTC在從交接機構120接收了未處理的多個基板W的批次後，將多個基板W的姿勢從水平姿勢轉換為垂直姿勢，並將多個基板W交給第二搬送裝置WTR。而且，第一搬送裝置CTC在從第二搬送裝置WTR接收了處理完畢的多個基板W的批次後，將多個基板W的姿勢從垂直姿勢轉換為水平姿勢，並將基板W的批次交給交接機構120。
第二搬送裝置WTR可沿著基板處理裝置100的長邊方向而從第三處理裝置200移動至第二處理裝置150為止。第二搬送裝置WTR能夠對第一處理裝置140、第二處理裝置150以及第三處理裝置200搬入以及搬出基板W的批次。
第一處理裝置140包括用於貯存藥液的處理槽（圖1中未圖示）。第一處理裝置140將基板W浸漬於貯存在處理槽中的藥液，以對多個基板W進行藥液處理。
藥液例如為稀氫氟酸（DHF）、氫氟酸（HF）、硝氟酸（氫氟酸与硝酸（HNO 3）的混合液）、緩衝氫氟酸（Buffered Hydrofluoric Acid，BHF）、氟化銨、HFEG（氫氟酸与乙二醇的混合液）、磷酸（H 3PO 4）、硫酸、乙酸、硝酸、鹽酸、氨水、雙氧水、有機酸（例如檸檬酸、草酸）、有機鹼（例如四甲基氫氧化銨（Tetramethylammonium Hydroxide，TMAH））、硫酸雙氧水混合液（Sulfuric Peroxide Mixture，SPM）、氨雙氧水混合液（SC1）、鹽酸雙氧水混合液（SC2）、异丙醇（IPA）、表面活性劑、防腐劑或疏水化劑。
第二處理裝置150是鄰接於第一處理裝置140而配置。第二處理裝置150包括用於貯存淋洗液的處理槽（圖1中未圖示）。第二處理裝置150將基板W浸漬於貯存在處理槽中的淋洗液，以對多個基板W進行淋洗處理。
淋洗液是純水（去离子水（Deionzied Water，DIW））、碳酸水、電解离子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度（例如10 ppm～100 ppm左右）的鹽酸水中的任一种。例如，純水為去離子水。
第三處理裝置200收納多個基板W的批次而對多個基板W進行乾燥處理。第三處理裝置200對基板供給IPA以及疏水化劑而對基板W進行乾燥。第三處理裝置200的一例將後述。
控制裝置190控制基板處理裝置100的各種動作。詳細而言，控制裝置190控制交接機構120、第一搬送裝置CTC、第二搬送裝置WTR以及處理部130。控制裝置190例如為計算機。
控制裝置190包含控制部192以及存儲部194。控制部192具有處理器。控制部192例如具有中央處理器（Central Processing Unit，CPU）。或者，控制部192也可具有通用處理器。
存儲部194存儲數據以及計算機程序。數據包含配方數據。配方數據包含表示多個配方的信息。多個配方分別規定基板W的處理內容以及處理流程。
存儲部194包括主存儲裝置以及輔助存儲裝置。主存儲裝置例如為半導體存儲器。輔助存儲裝置例如為半導體存儲器和/或硬盤驅動器。存儲部194也可包含可移動介質。存儲部194相當於非暫時計算機可讀取存儲介質的一例。
在存儲部194中，存儲有預先規定了流程的計算機程序。基板處理裝置100按照由計算機程序所規定的流程來運行。控制部192執行存儲部194所存儲的計算機程序，執行基板處理動作。控制部192的處理器通過執行存儲在存儲部194中的計算機程序，從而控制交接機構120、第一搬送裝置CTC、第二搬送裝置WTR以及處理部130。
接下來，參照圖1以及圖2來說明本實施方式的基板處理裝置100中的基板處理流程。圖2是基板處理裝置100中的基板處理的流程圖。
如圖2所示，在步驟S102中，搬入基板W。例如，將收納有未處理的基板W的收納部102載置於投入部104。交接機構120接收被載置於投入部104的收納部102，從收納部102中抽出基板W的批次並交給第一搬送裝置CTC。第一搬送裝置CTC將所接收的基板W的批次交給第二搬送裝置WTR。
在步驟S104中，對基板W進行藥液處理。例如，第二搬送裝置WTR將多個基板W搬入至第一處理裝置140。第一處理裝置140使基板W浸漬於貯存在處理槽中的藥液而利用藥液來處理基板W。隨後，第二搬送裝置WTR從第一處理裝置140中搬出多個基板W。
在步驟S106中，對基板W進行淋洗處理。例如，第二搬送裝置WTR將多個基板W搬入至第二處理裝置150。第二處理裝置150使基板W浸漬於貯存在處理槽中的淋洗液而利用淋洗液來處理基板W。隨後，第二搬送裝置WTR從第二處理裝置150中搬出多個基板W。
在步驟S108中，對基板W進行乾燥處理。例如，第二搬送裝置WTR將多個基板W搬入至第三處理裝置200。第三處理裝置200對基板W進行乾燥處理。隨後，第二搬送裝置WTR從第三處理裝置200中搬出多個基板W。
在步驟S110中，第二搬送裝置WTR將處理完畢的多個基板W的批次交給第一搬送裝置CTC時，第一搬送裝置CTC將多個基板W的姿勢從垂直姿勢轉換為水平姿勢並將基板W交給交接機構120。交接機構120將基板W收納於收納部102並將收納部102交給配給部106。隨後，配給部106連同收納有處理完畢的基板W的收納部102一起進行配給。
根據本實施方式的基板處理裝置100，能夠依次對多個基板W進行藥液處理、淋洗處理以及乾燥處理。
參照圖3的（a）以及圖3的（b）來說明第一處理裝置140。圖3的（a）以及圖3的（b）是本實施方式的基板處理裝置100中的第一處理裝置140的示意立體圖。圖3的（a）以及圖3的（b）是本實施方式的第一處理裝置140的示意立體圖。圖3的（a）是將基板W浸漬於處理槽142內的藥液L1中之前的示意立體圖，圖3的（b）是將基板W浸漬於處理槽142內的藥液L1中之後的示意立體圖。
藥液L1也可含有磷酸（H 3PO 4）。藥液L1例如包含磷酸水溶液、使磷酸水溶液中含有添加劑的液體、含有磷酸的混合酸、或者含有磷酸及添加劑的混合酸。例如，若使用將大致89重量%的磷酸（H 3PO 4）與大致11重量%的水（去離子水）混合而成的大致157℃的溶液（以下記載為“磷酸液”）來作為藥液L1，則可從基板W的表面去除矽氮化膜（SiN膜）。換言之，若使用不含雜質且高溫、高酸濃度的溶液來作為藥液L1，則藥液L1將溶解矽（Si4+）。另外，只要能夠處理基板W，則藥液L1的種類並無特別限定。而且，藥液L1的溫度也無特別限定。
第一處理裝置140包括處理槽142、基板保持部144以及藥液供給部146。處理槽142貯存用於處理基板W的藥液L1。藥液供給部146對處理槽142供給藥液L1。
基板保持部144保持基板W。由基板保持部144所保持的基板W的主面的法線方向與Y方向平行。多個基板W沿著Y方向而排列成一列。換言之，多個基板W是與水平方向大致平行地排列。而且，多個基板W各自的法線沿Y方向延伸，多個基板W分別在X方向以及Z方向上展開。基板保持部144在保持著基板W的狀態下使基板W移動。例如，基板保持部144在保持著基板W的狀態下沿著鉛垂方向而朝鉛垂上方或鉛垂下方移動。
典型的是，基板保持部144統一保持多個基板W。此處，基板保持部144保持沿著Y方向排列成一列的基板列的基板W。
具體而言，基板保持部144包含升降器。基板保持部144在保持著多個基板W的狀態下朝鉛垂上方或鉛垂下方移動。通過基板保持部144朝鉛垂下方移動，由基板保持部144所保持的多個基板W被浸漬於貯存在處理槽142中的藥液L1。
圖3的（a）中，基板保持部144位於處理槽142的上方。基板保持部144在保持著多個基板W的狀態下朝鉛垂下方（Z方向）下降。由此，多個基板W被投入至處理槽142。
如圖3的（b）所示，當基板保持部144下降至處理槽142時，多個基板W浸漬於處理槽142內的藥液L1。基板保持部144將隔開規定間隔而排列整齊的多個基板W浸漬於貯存在處理槽142中的藥液L1。
基板保持部144包含本體板144a与保持杆144b。本體板144a是沿鉛垂方向（Z方向）延伸的板。保持杆144b從本體板144a的其中一個主面朝水平方向（Y方向）延伸。圖3的（a）以及圖3的（b）中，三個保持杆144b從本體板144a的其中一個主面朝水平方向延伸。多個基板W在隔開規定間隔而排列整齊的狀態下，由多個保持杆144b抵接各基板W的下緣而保持為豎立姿勢（鉛垂姿勢）。
基板保持部144也可還包括升降單元144c。升降單元144c使本體板144a在由保持杆144b所保持的多個基板W位於處理槽142內的下方位置（圖3的（b）所示的位置）、與由保持杆144b所保持的多個基板W位於處理槽142的上方的上方位置（圖3的（a）所示的位置）之間升降。因而，通過利用升降單元144c將本體板144a移動至下方位置，從而由保持杆144b所保持的多個基板W被浸漬於藥液L1。
參照圖4的（a）以及圖4的（b）來說明第二處理裝置150。圖4的（a）以及圖4的（b）是本實施方式的基板處理裝置100中的第二處理裝置150的示意立體圖。
第二處理裝置150包括處理槽152、基板保持部154以及淋洗液供給部156。處理槽152貯存用於處理基板W的淋洗液L2。淋洗液供給部156對處理槽152供給淋洗液L2。
基板保持部154保持基板W。由基板保持部154所保持的基板W的主面的法線方向與Y方向平行。多個基板W沿著Y方向而排列成一列。換言之，多個基板W是與水平方向大致平行地排列。而且，多個基板W各自的法線沿Y方向延伸，多個基板W分別在X方向以及Z方向上展開。基板保持部154在保持著基板W的狀態下使基板W移動。例如，基板保持部154在保持著基板W的狀態下沿著鉛垂方向而朝鉛垂上方或鉛垂下方移動。
典型的是，基板保持部154統一保持多個基板W。此處，基板保持部154保持沿著Y方向而排列成一列的基板列的基板W。
具體而言，基板保持部154包含升降器。基板保持部154在保持著多個基板W的狀態下朝鉛垂上方或鉛垂下方移動。通過基板保持部154朝鉛垂下方移動，由基板保持部154所保持的多個基板W被浸漬於貯存在處理槽152中的淋洗液L2。
圖4的（a）中，基板保持部154位於處理槽152的上方。基板保持部154在保持著多個基板W的狀態下朝鉛垂下方（Z方向）下降。由此，多個基板W被投入至處理槽152。
如圖4的（b）所示，當基板保持部154下降至處理槽152時，多個基板W浸漬於處理槽152內的淋洗液L2中。基板保持部154將隔開規定間隔而排列整齊的多個基板W浸漬於貯存在處理槽152中的淋洗液L2。
基板保持部154包含本體板154a与保持杆154b。本體板154a是沿鉛垂方向（Z方向）延伸的板。保持杆154b從本體板154a的其中一個主面朝水平方向（Y方向）延伸。圖4的（a）以及圖4的（b）中，三個保持杆154b從本體板154a的其中一個主面朝水平方向延伸。多個基板W在隔開規定間隔而排列整齊的狀態下，由多個保持杆154b抵接各基板W的下緣而保持為豎立姿勢（鉛垂姿勢）。
基板保持部154也可還包括升降單元154c。升降單元154c使本體板154a在由保持杆154b所保持的多個基板W位於處理槽152內的下方位置（圖4的（b）所示的位置）、與由保持杆154b所保持的多個基板W位於處理槽152的上方的上方位置（圖4的（a）所示的位置）之間升降。因而，通過利用升降單元154c來將本體板154a移動到下方位置，從而由保持杆154b所保持的多個基板W被浸漬於淋洗液L2。
接下來，參照圖5的（a）以及圖5的（b）來說明本實施方式的基板處理裝置100中的第三處理裝置200。圖5的（a）以及圖5的（b）是第三處理裝置200的示意圖。
如圖5的（a）以及圖5的（b）所示，第三處理裝置200包括腔室210、基板保持部220、處理槽230、供液部232、異丙醇供給部240、非活性氣體供給部250、疏水化劑供給部260以及控制裝置290。控制裝置290對基板保持部220、供液部232、異丙醇供給部240、非活性氣體供給部250以及疏水化劑供給部260進行控制。控制裝置290也可進一步控制腔室210。而且，控制裝置290也可對腔室210內的環境和/或貯存在處理槽230中的貯存液L進行控制。另外，控制裝置290也可作為圖1所示的控制裝置190的一部分發揮功能。或者，控制裝置290也可與圖1所示的控制裝置190聯動地運行。
腔室210具有內部空間。腔室210是通過底面、側面以及上表面來規定空間。典型的是，腔室210具有密閉結構。基板保持部220、處理槽230、供液部232、IPA供給部240、非活性氣體供給部250以及疏水化劑供給部260的至少一部分被配置在腔室210內。
腔室210具有本體部212與罩214。本體部212是通過底面、側面以及上表面來規定空間。本體部212的上表面局部開口。本體部212的開口部分由罩214予以覆蓋。在將基板W投入至腔室210的情況下、或者從腔室210取出基板W的情況下，罩214相對於本體部212而移動，由此來形成基板W的通路。
基板保持部220保持基板W。由基板保持部220所保持的基板W的主面的法線方向與Y方向平行。多個基板W沿著Y方向而排列成一列。換言之，多個基板W是與水平方向大致平行地排列。而且，多個基板W各自的法線沿Y方向延伸，多個基板W分別在X方向以及Z方向上展開。基板保持部220在保持著基板W的狀態下使基板W移動。例如，基板保持部220在保持著基板W的狀態下沿著鉛垂方向而朝鉛垂上方或鉛垂下方移動。
典型的是，基板保持部220統一保持多個基板W。此處，多個基板W形成沿著Y方向排成一列而排列的基板列。因此，基板保持部220保持排列成基板列的多個基板W。另外，基板保持部220也可僅保持一片基板W。
具體而言，基板保持部220包含升降器。基板保持部220在保持著多個基板W的狀態下朝鉛垂上方或鉛垂下方移動。通過基板保持部220朝鉛垂下方移動，由基板保持部220所保持的多個基板W被浸漬於貯存在處理槽230中的貯存液L。
如圖5的（a）所示，基板保持部220位於處理槽230的上方。如圖5的（b）所示，基板保持部220在保持著多個基板W的狀態下朝鉛垂下方（Z方向）下降。由此，將多個基板W投入至處理槽230。
在處理槽230貯存貯存液L的情況下，當基板保持部220在保持著基板W的狀態下下降至處理槽230時，多個基板W浸漬於處理槽230內的貯存液L。基板保持部220將隔開規定間隔而排列整齊的多個基板W浸漬於貯存在處理槽230中的貯存液L。
基板保持部220具有本體板222與保持杆224。本體板222是沿鉛垂方向（Z方向）延伸的板。保持杆224從本體板222的其中一個主面朝水平方向（Y方向）延伸。圖5的（a）以及圖5的（b）中，三個保持杆224從本體板222的其中一個主面朝水平方向延伸。多個基板W在隔開規定間隔而排列整齊的狀態下，由多個保持杆224抵接各基板W的下緣而保持為豎立姿勢（鉛垂姿勢）。
基板保持部220也可還包括升降單元226。升降單元226使本體板222在由保持杆224所保持的多個基板W位於處理槽230內的下方位置（圖5的（b）所示的位置）、與由保持杆224所保持的多個基板W位於處理槽230的上方的上方位置（圖5的（a）所示的位置）之間升降。因而，通過利用升降單元226來將本體板222移動至下方位置，從而由保持杆224所保持的多個基板W被浸漬於貯存液L。
處理槽230貯存用於處理基板W的貯存液L。處理槽230貯存貯存液L。在處理槽230貯存有貯存液L的狀態下，基板保持部220將基板W浸漬於處理槽230的貯存液L中，由此，能夠利用貯存液L來處理基板W。例如，處理槽230的容量為5 L以上且100 L以下。
貯存液L也可為水。作為一例，貯存液L也可為去離子水（Deionized Water，DIW）。而且，貯存液L也可為異丙醇（isopropyl alcohol，IPA）。而且，貯存液L也可為淋洗液與IPA的混合液。
另外，本說明書中，有時將通過將IPA與淋洗液混合而經稀釋化的IPA記載為稀釋IPA。例如，稀釋IPA也可通過將IPA與淋洗液以容積比1：1～1：1000的比例予以混合而生成。以下，也有時將稀釋IPA記載為“dIPA”。
例如，稀釋IPA是通過DIW而稀釋化的IPA。此時，稀釋IPA是IPA與DIW的混合液。
供液部232對處理槽230供給液體。通過來自供液部232的供液，處理槽230貯存貯存液L。
例如，供液部232也可供給水。作為一例，供液部232也可供給DIW。而且，供液部232也可供給異丙醇（isopropyl alcohol，IPA）。而且，供液部232也可供給淋洗液與IPA的混合液。
典型的是，供液部232被配置於處理槽230。例如，供液部232被配置在處理槽230的下方。供液部232位於較通過基板保持部220朝向下方的移動而被浸漬於處理槽230的貯存液L中的基板W更靠鉛垂下方側。
供液部232對處理槽230供給液體。詳細而言，供液部232供給被貯存在處理槽230中的貯存液L。通過供液部232供給處理槽230的貯存液L，從而處理槽230能夠貯存貯存液L。另外，優選的是，供液部232相對於處理槽230而朝向斜上方供液。
另外，對於處理槽230，也可供給氣體。例如，通過對處理槽230的貯存液L供給非活性氣體，從而促進貯存液L對基板W的處理。
異丙醇供給部240對腔室210內供給異丙醇的蒸氣。本說明書中，有時將異丙醇記載為IPA，且有時將異丙醇供給部240記載為IPA供給部240。
IPA供給部240對位於處理槽230上方的基板W供給IPA的蒸氣。由此，能夠利用IPA來處理基板W。IPA供給部240也可朝斜下方向供給IPA的蒸氣。
非活性氣體供給部250對腔室210內供給非活性氣體。通過非活性氣體供給部250對腔室210內供給非活性氣體，從而能夠將腔室210內設為非活性氣體環境。由此，能夠降低腔室210內的氧濃度。而且，通過非活性氣體供給部250向腔室210內供給非活性氣體，從而能夠抑制來自腔室210的排氣以及排液的逆流。非活性氣體供給部250也可朝斜下方向供給非活性氣體。
進而，非活性氣體供給部250對位於處理槽230上方的基板W供給非活性氣體。由此，能夠對基板W進行乾燥處理。
非活性氣體包含氮氣。或者，非活性氣體也可包含氬氣。
疏水化劑供給部260向腔室210內供給疏水化劑SMT的蒸氣。疏水化劑供給部260對位於處理槽230上方的基板W供給疏水化劑SMT的蒸氣。由此，能夠對基板W進行疏水處理。疏水化劑供給部260也可朝斜下方向供給疏水化劑SMT的蒸氣。
疏水化劑SMT例如為矽系疏水化劑或金屬系疏水化劑。矽系疏水化劑可使矽或包含矽的化合物疏水化（斥水化）。金屬系疏水化劑使金屬或包含金屬的化合物疏水化（斥水化）。
矽系疏水化劑例如為矽烷偶聯劑。矽烷偶聯劑例如包含六甲基二矽氮烷（Hexamethyldisilazane，HMDS）、四甲基矽烷（Tetramethylsilane，TMS）、氟化烷基氯矽烷、烷基二矽氮烷以及非氯系疏水化劑中的至少一種。非氯系疏水化劑例如包含二甲基矽烷基二甲胺、二甲基矽烷基二乙胺、六甲基二矽氮烷、四甲基二矽氮烷、雙(二甲胺基)二甲基矽烷、N,N-二甲胺基三甲基矽烷、N-(三甲基矽烷基)二甲基胺以及有機矽烷化合物中的至少一種。
金屬系疏水化劑例如包含具有疏水基的胺以及有機矽化合物中的至少一種。
疏水化劑SMT也可利用相對於親水性有機溶劑具有相溶解性的溶劑來稀釋。溶劑例如為IPA或丙二醇單甲醚乙酸酯（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate，PGMEA）。
另外，在腔室210內，在處理槽230的上方，從處理槽230的近處開始按照疏水化劑供給部260、IPA供給部240以及非活性氣體供給部250的次序而配置。
第三處理裝置200也可還包括排液部270。排液部270排出處理槽230的貯存液L。通過排液部270，能夠將處理槽230內清空。
接下來，參照圖5的（a）以及圖5的（b）與圖6來說明本實施方式的基板處理裝置100中的乾燥處理。圖6是基板處理裝置100中的乾燥處理的流程圖。
如圖6所示，在步驟S202中，將基板W浸漬於貯存在處理槽230中的dIPA。此時，處理槽230貯存dIPA。例如，基板保持部220在保持著基板W的狀態下朝鉛垂下方移動而將基板W浸漬於dIPA。或者，也可在基板保持部220在保持著基板W的狀態下朝鉛垂下方移動而將基板W浸漬於處理槽230的貯存液L中的狀態下將貯存液L變更為dIPA。例如，在處理槽230中將基板W浸漬于作為貯存液L的淋洗液（一例中為DIW）的狀態下，供液部232對處理槽230供給IPA，由此，能夠在浸漬有基板W的狀態下將貯存液L變更為dIPA。
在步驟S204中，利用IPA來處理基板W。例如，基板保持部220在保持著基板W的狀態下移動至上方位置後，IPA供給部240對基板W供給IPA的蒸氣。由此，能夠利用IPA來處理基板W。優選的是，基板保持部220移動至基板W多多地撞到從IPA供給部240供給的IPA的蒸氣的位置。
在步驟S206中，對基板W供給疏水化劑SMT的蒸氣而對基板W進行疏水處理。例如，在基板保持部220位於上方位置的狀態下，疏水化劑供給部260對基板W供給疏水化劑SMT的蒸氣。由此，能夠對基板W進行疏水處理。另外，基板保持部220也可在上方位置移動，以使基板W多多地碰到從疏水化劑供給部260供給的疏水化劑SMT的蒸氣。
在步驟S208中，利用IPA來處理基板W。例如，基板保持部220位於上方位置。IPA供給部240對基板W供給IPA的蒸氣。由此，能夠利用IPA來處理基板W。另外，基板保持部220也可在上方位置移動，以使基板W多多地碰到從IPA供給部240供給的IPA的蒸氣。
在步驟S210中，對基板W供給非活性氣體。基板保持部220位於上方位置。非活性氣體供給部250對基板W供給非活性氣體。由此，能夠對基板W進行乾燥處理。另外，基板保持部220也可在上方位置移動，以使基板W多多地碰到從非活性氣體供給部250供給的非活性氣體。
根據本實施方式，在使基板W浸漬於dIPA後，利用IPA來處理基板W，隨後，對基板W進行疏水處理。這樣，使基板W浸漬於dIPA，因此即便在基板W形成有縱橫尺寸比相對較高的圖案的情況下，在基板W的圖案的微細部分，也能夠將基板W的表面充分置換為IPA，隨後，能夠將基板W的表面置換為疏水化劑。典型的是，疏水化劑與淋洗液（例如水）難以親和，但由於貯存液L為dIPA，因此能夠使疏水化劑遍及基板W的整個面而充分浸透。因此，根據本實施方式，能夠較佳地抑制基板W的圖案的崩壞。
接下來，參照圖5的（a）～圖7的（e）來說明本實施方式的基板處理裝置100中的乾燥處理。圖7的（a）～圖7的（e）是表示基板處理裝置100中的乾燥處理的流程的示意圖。
如圖7的（a）所示，將基板W浸漬於貯存在處理槽230中的dIPA。另外，本說明書中，在貯存在處理槽230中的貯存液L為dIPA的情況下，可將貯存液L表示為貯存液Ld。
例如，在基板保持部220位於腔室210的上方位置的情況下，向處理槽230中貯存貯存液Ld。隨後，基板保持部220接收基板W。典型的是，由基板保持部220所接收的基板W已通過淋洗液（例如DIW）進行了淋洗處理。隨後，基板保持部220從腔室210的上方朝下方移動，由此，將基板W浸漬於貯存在處理槽230中的貯存液Ld。
另外，在基板W浸漬於所貯存的貯存液Ld中的期間，貯存液Ld的濃度也可增加。例如，供液部232對處理槽230的貯存液Ld進一步供給IPA，由此，能夠增加貯存液Ld的濃度。例如，當基板W的浸漬時間超過閾值時，貯存液Ld的濃度也可比浸漬時間為閾值以下時高。或者，也可隨著基板W的浸漬時間而貯存液Ld的濃度連續地增加。
如圖7的（b）所示，對基板W供給IPA的蒸氣而對基板W進行IPA處理。詳細而言，基板保持部220在保持著基板W的狀態下移動至上方位置後，IPA供給部240對基板W供給IPA的蒸氣。由此，能夠利用IPA來處理基板W。另外，此處，排出處理槽230的貯存液Ld。
如圖7的（c）所示，對基板W供給疏水化劑SMT的蒸氣而對基板W進行疏水處理。在基板保持部220位於上方位置的狀態下，疏水化劑供給部260對基板W供給疏水化劑SMT的蒸氣。由此，能夠對基板W進行疏水處理。
如圖7的（d）所示，對基板W供給IPA的蒸氣而對基板W進行IPA處理。在基板保持部220位於上方位置的狀態下，IPA供給部240對基板W供給IPA的蒸氣。由此，能夠對基板W進行IPA處理。
如圖7的（e）所示，對基板W供給非活性氣體。在基板保持部220位於上方位置的狀態下，非活性氣體供給部250對基板W供給非活性氣體。由此，能夠使基板W乾燥。
根據本實施方式的基板處理裝置100，在將基板W浸漬於dIPA後，對基板W進行IPA處理，隨後，對基板W供給疏水化劑SMT。因此，在疏水化劑SMT的供給前，能夠使IPA附著於基板W的整個面，因此通過疏水化劑SMT的供給，能夠遍及基板W的整個面來使疏水化劑SMT進行置換。因此，既能抑制基板W的圖案的崩壞，又能使附著於基板W的藥液和/或淋洗液充分乾燥。
而且，如圖7的（d）至圖7的（e）所示，基板保持部220也可根據從IPA供給部240、非活性氣體供給部250以及疏水化劑供給部260中的哪個供給蒸氣或氣體，而在保持著基板W的狀態下在上方位置移動。由此，能夠在將IPA供給部240、非活性氣體供給部250以及疏水化劑供給部260固定地配置的狀態下，利用從IPA供給部240、非活性氣體供給部250以及疏水化劑供給部260供給的蒸氣或氣體來有效率地處理基板W。
接下來，參照圖8以及圖9來說明本實施方式的基板處理裝置100中的第三處理裝置200。圖8是第三處理裝置200的示意圖。
基板W具有形成有圖案的圖案形成面。圖案是通過濕式蝕刻處理而形成在基板W的表面。如參照圖1所述的那樣，基板處理裝置100除了包括第三處理裝置200以外，還包括第一處理裝置140以及第二處理裝置150。例如，在通過第一處理裝置140對基板W進行了蝕刻後，通過第二處理裝置150來對基板W進行淋洗處理，隨後，將基板W搬送（搬入）至第三處理裝置200。
如圖8所示，第三處理裝置200包括腔室210、基板保持部220、處理槽230、供液部232、非活性氣體供給部250、疏水化劑供給部260以及排液部270。在腔室210中，收容基板保持部220、處理槽230、供液部232、IPA供給部240、非活性氣體供給部250、疏水化劑供給部260以及排液部270的至少一部分。
腔室210具有本體部212與罩214。罩214覆蓋本體部212的上部的開口。罩214相對於本體部212可開閉。
開閉單元216使罩214開閉。即，開閉單元216使罩214在開狀態與閉狀態之間轉變。通過罩214相對於本體部212而開閉，腔室210的上部的開口在封閉狀態與開放狀態之間轉變。開閉單元216具有驅動源與開閉機構，通過驅動源來驅動開閉機構而使罩214開閉。驅動源例如包含馬達。開閉機構例如包含齒條小齒輪機構。
基板保持部220具有本體板222、保持杆224以及升降單元226。保持杆224被安裝於本體板222。
升降單元226使本體板222以及保持杆224。通過升降單元226使本體板222以及保持杆224升降，從而由保持杆224所保持的基板W升降。升降單元226具有驅動源以及升降機構，通過驅動源來驅動升降機構而使基板保持部220上升以及下降。驅動源例如包含馬達。升降機構例如包含齒條小齒輪機構或滾珠絲杠。
升降單元226在將基板W搬入至腔室210內時、以及將基板W搬出至腔室210外時，使本體板222以及保持杆224上升至腔室210的上方為止。而且，升降單元226在將基板W浸漬於處理槽230內的貯存液L中時，使基板W與本體板222以及保持杆224一同朝鉛垂下方下降。另外，圖8中，以實線表示了移動至下方位置的基板保持部220以及基板W，以虛線表示了移動至上方位置的基板保持部220以及基板W。
控制裝置290（控制部292）控制開閉單元216來使罩214在開狀態與閉狀態之間轉變。詳細而言，控制裝置290（控制部292）在基板W向腔室210內的搬入時以及基板W向腔室210外的搬出時，將罩214設為開狀態。通過罩214成為開狀態，從而腔室210的上部的開口成為開放狀態，基板W向腔室210內的搬入以及基板W向腔室210外的搬出成為可能。控制裝置290（控制部292）在基板W的處理時，將罩214設為閉狀態。通過罩214成為閉狀態，從而腔室210的上部的開口成為封閉狀態。其結果，腔室210的內部成為密閉空間。基板W在密閉空間內受到處理。
處理槽230貯存貯存液L。貯存液L也可為稀釋IPA（異丙醇）。而且，貯存液L也可為淋洗液。這樣，處理槽230貯存淋洗液或稀釋IPA。稀釋IPA表示經稀釋化的IPA。例如，淋洗液為去離子水（Deionized Water，DIW）。此時，稀釋IPA是通過DIW而稀釋化的IPA。換言之，稀釋IPA為IPA與DIW的混合液。
供液部232向處理槽230供給貯存液。具體而言，供液部232將淋洗液（DIW）以及IPA中的至少一者供給至處理槽230。供液部232具有噴嘴232a與噴嘴232b。噴嘴232a以及噴嘴232b被配置在處理槽230內。噴嘴232a以及噴嘴232b是與水平方向平行地設置。噴嘴232a以及噴嘴232b將淋洗液（DIW）以及IPA中的至少一者噴出至處理槽230。
IPA供給部240向腔室210內供給IPA的蒸氣。IPA供給部240具有噴嘴242a以及噴嘴242b。噴嘴242a以及噴嘴242b被配置在腔室210的內部且處理槽230的外部。噴嘴242a以及噴嘴242b是與水平方向平行地設置。噴嘴242a以及噴嘴242b噴出IPA的蒸氣。另外，噴嘴242a以及噴嘴242b不僅噴出IPA的蒸氣，也可噴出非活性氣體。
非活性氣體供給部250向腔室210內供給非活性氣體。非活性氣體供給部250具有噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d。噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d被配置在腔室210的內部且處理槽230的外部。噴嘴252a以及噴嘴252b是與水平方向平行地設置，噴嘴252c以及噴嘴252d是與水平方向平行地設置。噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d噴出非活性氣體。
疏水化劑供給部260向腔室210內供給疏水化劑的蒸氣。疏水化劑供給部260具有噴嘴262a以及噴嘴262b。噴嘴262a以及噴嘴262b被配置在腔室210的內部且處理槽230的外部。噴嘴262a以及噴嘴262b是與水平方向平行地設置。噴嘴262a以及噴嘴262b噴出疏水化劑的蒸氣。
排液部270排出處理槽230的貯存液L。通過排液部270，能夠將處理槽230內清空。而且，通過供液部232以及排液部270，能夠調換處理槽230的貯存液L。
繼而，參照圖9來進一步說明第三處理裝置200。圖9是本實施方式的基板處理裝置100中的第三處理裝置200的示意圖。
如圖9所示，第三處理裝置200還包括非活性氣體供給源NGS、IPA供給源IPS、疏水化劑供給源SMS、DIW供給源DS、減壓部280、配管230a、配管230c、配管240a、配管250a、配管250c、配管250s、配管260a、閥230b、閥230d、閥240b、閥250b、閥250d、閥250t、閥260b、閥270b、加熱器240c、加熱器260c、排液管線270a以及排氣管線280a。
DIW供給源DS供給DIW。IPA供給源IPS供給IPA。非活性氣體供給源NGS供給非活性氣體。非活性氣體例如為氮氣。疏水化劑供給源SMS供給疏水化劑SMT。
供液部232具有配管230a、噴嘴232a以及噴嘴232b。對於配管230a，從DIW供給源DS供給DIW。配管230a使從DIW供給源DS供給的DIW流通至噴嘴232a以及噴嘴232b為止。
噴嘴232a以及噴嘴232b是形成有多個噴出孔的中空的管狀構件。本實施方式中，噴嘴232a以及噴嘴232b沿Y方向延伸。噴嘴232a的多個噴出孔是在Y方向上等間隔地形成。同樣地，噴嘴232b的多個噴出孔是在Y方向上等間隔地形成。
當經由配管230a來對噴嘴232a供給DIW時，從噴嘴232a的多個噴出孔向處理槽230的內部噴出DIW。同樣地，當經由配管230a來對噴嘴232b供給DIW時，從噴嘴232b的多個噴出孔向處理槽230的內部噴出DIW。
在配管230a中，介裝有閥230b。閥230b是對配管230a的流路進行開閉的開閉閥。閥230b對流經配管230a的DIW的流通進行控制。閥230b也作為對流經配管230a的DIW的流量進行調整的調整閥發揮功能。閥230b例如為電磁閥。閥230b是由控制裝置290（控制部292）予以控制。
對於配管230c，從IPA供給源IPS供給IPA。配管230c連接于配管230a。即，配管230c使IPA流通至配管230a為止。
在配管230c中，介裝有閥230d。閥230d是對配管230c的流路進行開閉的開閉閥。閥230d與閥250b同樣地，對流經配管230c的IPA的流通進行控制。閥230d也作為對流經配管230c的IPA的流量進行調整的調整閥發揮功能。閥230d例如為電磁閥。閥230d是由控制裝置290（控制部292）予以控制。
控制裝置290（控制部292）在向處理槽230中貯放DIW時打開閥230b，並關閉閥230d。由此，從噴嘴232a以及噴嘴232b向處理槽230內噴出DIW。
另一方面，控制裝置290（控制部292）在向處理槽230中貯放dIPA時打開閥230b以及閥230d。通過閥230b以及閥230d打開，IPA從配管230c流入配管230a，IPA與在配管230a中流通的DIW匯流，而在配管230a內生成dIPA。dIPA經由配管230a被供給至噴嘴232a以及噴嘴232b。其結果，從噴嘴232a以及噴嘴232b向處理槽230內噴出dIPA。
而且，控制裝置290（控制部292）調整閥230b以及閥230d的開度，以使得在dIPA中，IPA的濃度達到規定的濃度。規定的濃度為0.3%以上且小於5%。
IPA供給部240具有配管240a、噴嘴242a、噴嘴242b以及加熱器240c。對於配管240a，從IPA供給源IPS供給IPA。在配管240a中，介裝有加熱器240c。加熱器240c對IPA進行加熱而使IPA氣化。即，加熱器240c生成IPA的蒸氣。配管240a使IPA的蒸氣流通至噴嘴242a以及噴嘴242b為止。
噴嘴242a以及噴嘴242b被配置在噴嘴252a以及噴嘴252b的下方，且被配置在噴嘴252c以及噴嘴252d的下方。噴嘴242a以及噴嘴242b是形成有多個噴出孔的中空的管狀構件。本實施方式中，噴嘴242a以及噴嘴242b沿Y方向延伸。噴嘴242a的多個噴出孔是在Y方向上等間隔地形成。同樣地，噴嘴242b的多個噴出孔是在Y方向上等間隔地形成。
當經由配管240a來對噴嘴242a供給IPA的蒸氣時，從噴嘴242a的多個噴出孔向腔室210的內部噴出IPA的蒸氣。同樣地，當經由配管240a來對噴嘴242b供給IPA的蒸氣時，從噴嘴242b的多個噴出孔向腔室210的內部噴出IPA的蒸氣。
在配管240a中，介裝有閥240b。閥240b是對配管240a的流路進行開閉的開閉閥。閥240b相對于配管240a，較加熱器240c而設在下游。閥240b對流經配管240a的IPA的蒸氣的流通進行控制。閥240b也作為對流經配管240a的IPA的蒸氣的流量進行調整的調整閥發揮功能。閥240b例如為電磁閥。閥240b是由控制裝置290（控制部292）予以控制。
非活性氣體供給部250具有配管250a、配管250c、噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d。對於配管250a，從非活性氣體供給源NGS供給非活性氣體。配管250a使從非活性氣體供給源NGS供給的非活性氣體流通至噴嘴252a以及噴嘴252b為止。而且，對於配管250c，從非活性氣體供給源NGS供給非活性氣體。配管250c使從非活性氣體供給源NGS供給的非活性氣體流通至噴嘴252c以及噴嘴252d為止。
噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d的結構與噴嘴242a以及噴嘴242b同樣。噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d向腔室210的內部噴出非活性氣體。
在配管250a中，介裝有閥250b。閥250b是對配管250a的流路進行開閉的開閉閥。閥250b對流經配管250a的非活性氣體的流通進行控制。詳細而言，當閥250b打開時，非活性氣體經由配管250a而流至噴嘴252a以及噴嘴252b為止。其結果，從噴嘴252a以及噴嘴252b噴出非活性氣體。當閥250b關閉時，非活性氣體的流通被阻斷，噴嘴252a以及噴嘴252b對非活性氣體的噴出停止。
閥250b也作為對流經配管250a的非活性氣體的流量進行調整的調整閥發揮功能。閥250b例如為電磁閥。閥250b是由控制裝置290（控制部292）予以控制。
在配管250c中，介裝有閥250d。閥250d是對配管250c的流路進行開閉的開閉閥。閥250d對流經配管250c的非活性氣體的流通進行控制。詳細而言，當閥250d打開時，非活性氣體經由配管250c而流至噴嘴252c以及噴嘴252d為止。其結果，從噴嘴252c以及噴嘴252d噴出非活性氣體。當閥250d關閉時，非活性氣體的流通被阻斷，噴嘴252d以及噴嘴252d對非活性氣體的噴出停止。
閥250d也作為對流經配管250c的非活性氣體的流量進行調整的調整閥發揮功能。閥250d例如為電磁閥。閥250d是由控制裝置290（控制部292）予以控制。
而且，對於配管250s，從非活性氣體供給源NGS供給非活性氣體。配管250s連接于配管240a。即，配管250s使非活性氣體流通至配管240a為止。
在配管250s中，介裝有閥250t。閥250t是對配管250s的流路進行開閉的開閉閥。閥250t與閥250b同樣地，對流經配管250s的非活性氣體的流通進行控制。閥250t也作為對流經配管250s的非活性氣體的流量進行調整的調整閥發揮功能。閥250t例如為電磁閥。閥250t是由控制裝置290（控制部292）予以控制。
控制裝置290（控制部292）在從噴嘴242a以及噴嘴242b噴出IPA的蒸氣時，打開閥240b且關閉閥250t。另一方面，控制裝置290（控制部292）在從噴嘴242a以及噴嘴242b噴出非活性氣體時，關閉閥240b且打開閥250t。通過閥250t打開，非活性氣體從配管250s流入至配管240a，經由配管240a來對噴嘴242a以及噴嘴242b供給非活性氣體。其結果，從噴嘴242a以及噴嘴242b向腔室210的內部噴出非活性氣體。
疏水化劑供給部260具有配管260a、噴嘴262a、噴嘴262b以及加熱器260c。對於配管260a，從疏水化劑供給源SMS供給疏水化劑SMT。在配管260a中，介裝有加熱器260c。加熱器260c對疏水化劑SMT進行加熱而使疏水化劑SMT氣化。即，加熱器260c生成疏水化劑SMT的蒸氣。配管260a使疏水化劑SMT的蒸氣流通至噴嘴262a以及噴嘴262b為止。
噴嘴262a以及噴嘴262b被配置在噴嘴252c以及噴嘴252d的下方。噴嘴262a以及噴嘴262b的結構與噴嘴242a以及噴嘴242b同樣。噴嘴262a以及噴嘴262b與噴嘴242a以及噴嘴242b同樣地，向腔室210的內部噴出疏水化劑SMT的蒸氣。
在配管260a中，介裝有閥260b。閥260b是對配管260a的流路進行開閉的開閉閥。閥260b相對于配管260a，較加熱器260c而設在下游。閥260b對流經配管260a的疏水化劑SMT的蒸氣的流通進行控制。閥260b也作為對流經配管260a的疏水化劑SMT的蒸氣的流量進行調整的調整閥發揮功能。閥260b例如為電磁閥。閥260b是由控制裝置290（控制部292）予以控制。
排液管線270a連接於處理槽230的底部。在排液管線270a中，介裝有閥270b。閥270b是對排液管線270a的流路進行開閉的開閉閥。閥270b例如為電磁閥。閥270b是由控制裝置290（控制部292）予以控制。控制裝置290（控制部292）在向處理槽230內貯存貯存液L時，關閉閥270b。另一方面，控制裝置290（控制部292）在從處理槽230排出貯存液L時，打開閥270b。當閥270b打開時，貯存在處理槽230中的貯存液L經由排液管線270a而從處理槽230排出至腔室210的外部。
減壓部280使腔室210內的壓力減少。即，減壓部280對腔室210內進行減壓。減壓部280例如包含排氣泵。排氣泵例如為真空泵。減壓部280是由控制裝置290（控制部292）予以控制。詳細而言，減壓部280經由排氣管線280a而連接於腔室210。減壓部280在罩214為閉狀態時排出腔室210內的氣體，將腔室210內減壓至小於大氣壓。
接下來，參照圖8至圖13的（d）來說明通過本實施方式的基板處理裝置100中的第三處理裝置200所進行的乾燥處理。圖10的（a）至圖13的（d）是表示通過第三處理裝置200所進行的乾燥處理的流程的示意圖。
如圖10的（a）所示，在步驟S1中，第三處理裝置200待機至基板W被投入至腔室210為止。在等待基板W的投入時，處理槽230貯存DIW來作為貯存液。本說明書中，在貯存於處理槽230中的貯存液L為DIW的情況下，有時將貯存液L表示為貯存液La。此時，基板保持部220浸漬於貯存液La中。
另外，優選的是，噴嘴232a以及噴嘴232b對貯存在處理槽230中的貯存液La進一步供給DIW，由此，使得處理槽230內的貯存液La不會停滯。由此，能夠抑制處理槽230被腔室210內的塵埃等污染。
如圖10的（b）所示，在步驟S2中，在將基板W收容至腔室210內之前，基板保持部220從下方位置移動至上方位置。而且，噴嘴242a以及噴嘴242b開始向腔室210內供給非活性氣體。噴嘴232a以及噴嘴232b繼續對處理槽230供給DIW。
如圖10的（c）所示，在步驟S3中，噴嘴232a以及噴嘴232b停止DIW的供給，並排出處理槽230的貯存液La。此時，噴嘴242a以及噴嘴242b繼續向腔室210內供給非活性氣體。
如圖10的（d）所示，在步驟S4中，對處理槽230供給dIPA。噴嘴232a以及噴嘴232b向處理槽230供給dIPA，由此，在處理槽230中貯存貯存液Ld。此時，噴嘴242a以及噴嘴242b繼續向腔室210內供給非活性氣體。
如圖10的（e）所示，在步驟S5中，當處理槽230貯存好貯存液Ld時，噴嘴232a以及噴嘴232b停止dIPA的供給。此時，噴嘴242a以及噴嘴242b繼續向腔室210內供給非活性氣體。
如圖10的（f）所示，在步驟S6中，將基板W浸漬於貯存在處理槽230中的dIPA。基板保持部220在上方位置接收基板W，且在保持著基板W的狀態下下降至下方位置。此時，噴嘴242a以及噴嘴242b繼續向腔室210內供給非活性氣體。但是，在基板W從上方位置下降至下方位置的情況下，噴嘴242a以及噴嘴242b僅在基板W通過的時機停止非活性氣體的供給，以免非活性氣體直接碰到基板W。
處理槽230中，噴嘴232a以及噴嘴232b對處理槽230供給dIPA。由此，在處理槽230的貯存液Ld中形成上升流，利用dIPA來有效率地對浸漬於處理槽230中的基板W進行處理。
如圖11的（a）所示，在步驟S7中，噴嘴232a以及噴嘴232b停止dIPA的供給。此時，噴嘴242a以及噴嘴242b繼續向腔室210內供給非活性氣體。
如圖11的（b）所示，在步驟S8中，在噴嘴242a以及噴嘴242b繼續向腔室210內供給非活性氣體的狀態下，減壓部280開始腔室210內的減壓。此時，基板保持部220仍處於下方位置。
如圖11的（c）所示，在步驟S9中，噴嘴242a以及噴嘴242b停止非活性氣體的供給，並開始IPA蒸氣的供給。此時，減壓部280繼續腔室210內的減壓。
如圖11的（d）所示，在步驟S10中，基板保持部220從下方位置移動至上方位置，噴嘴242a以及噴嘴242b繼續IPA蒸氣的供給。由此，利用IPA來處理基板W。此時，減壓部280繼續腔室210內的減壓。
如圖11的（e）所示，在步驟S11中，噴嘴242a以及噴嘴242b繼續IPA蒸氣的供給。而且，排液部270排出處理槽230的貯存液Ld。當處理槽230的貯存液Ld被排出時，基板保持部220下降至處理槽230內的下方位置為止。減壓部280繼續腔室210內的減壓。
如圖12的（a）所示，在步驟S12中，在噴嘴242a以及噴嘴242b繼續IPA蒸氣的供給的狀態下，基板保持部220從下方位置移動至上方位置為止。基板保持部220移動至基板W朝向噴嘴242a以及噴嘴242b的位置為止。例如，噴嘴242a以及噴嘴242b朝向基板W的中心。而且，噴嘴262a以及262b開始疏水化劑SMT的蒸氣的供給。減壓部280繼續腔室210內的減壓。另外，基板保持部220也可在上方位置沿著鉛垂方向反復上下移動。通過在供給疏通水化劑SMT的蒸氣的期間使基板W上下移動，從而能夠對基板W均勻地塗布疏水化劑SMT。而且，也可將疏水化劑SMT的蒸氣的供給停止一定期間，而將基板W曝露於疏水化劑SMT的蒸氣環境中。由此，既能抑制疏水化劑SMT的消耗量，又能延長基板W被曝露於疏水化劑SMT的蒸氣中的時間，從而能夠有效率地抑制基板W的圖案崩壞。
如圖12的（b）所示，在步驟S13中，在噴嘴262a以及噴嘴262b繼續疏水化劑SMT的蒸氣的供給的狀態下，噴嘴242a以及噴嘴242b停止IPA蒸氣的供給。減壓部280繼續腔室210內的減壓。基板保持部220在上方位置移動至基板W的下端朝向噴嘴262a以及噴嘴262b的位置為止。另外，基板保持部220也可在上方位置沿著鉛垂方向反復上下移動。而且，也可將疏水化劑SMT的蒸氣的供給停止一定期間，使基板W曝露於疏水化劑SMT的蒸氣環境中。
如圖12的（c）所示，在步驟S14中，在噴嘴262a以及噴嘴262b繼續疏水化劑SMT的蒸氣的供給的狀態下，噴嘴242a以及噴嘴242b開始IPA蒸氣的供給。減壓部280繼續腔室210內的減壓。基板保持部220在上方位置位於基板W的下端朝向噴嘴262a以及噴嘴262b的位置。另外，基板保持部220也可在上方位置沿著鉛垂方向反復上下移動。而且，也可將疏水化劑SMT的蒸氣的供給停止一定期間，而使基板W曝露於疏水化劑SMT的蒸氣環境中。
如圖12的（d）所示，在步驟S15中，在噴嘴242a以及噴嘴242b繼續IPA蒸氣的供給的狀態下，噴嘴262a以及噴嘴262b停止疏水化劑SMT的蒸氣的供給。減壓部280繼續腔室210內的減壓。基板保持部220在上方位置移動至基板W朝向噴嘴242a以及噴嘴242b的位置為止。例如，噴嘴242a以及噴嘴242b朝向基板W的中心。另外，基板保持部220也可在上方位置沿著鉛垂方向反復上下移動。
如圖13的（a）所示，在步驟S16中，噴嘴242a以及噴嘴242b停止IPA蒸氣的供給，並開始非活性氣體的供給。減壓部280繼續腔室210內的減壓。基板保持部220在上方位置仍處於基板W朝向噴嘴242a以及噴嘴242b的位置。
如圖13的（b）所示，在步驟S17中，在噴嘴242a以及噴嘴242b繼續非活性氣體的供給的狀態下，噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d開始非活性氣體的供給。減壓部280繼續腔室210內的減壓。基板保持部220在上方位置仍處於基板W朝向噴嘴242a以及噴嘴242b的位置。
如圖13的（c）所示，在步驟S18中，噴嘴242a、噴嘴242b、噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d繼續非活性氣體的供給。減壓部280停止腔室210內的減壓。
如圖13的（d）所示，在步驟S19中，在噴嘴242a以及噴嘴242b繼續非活性氣體的供給的狀態下，噴嘴252a、噴嘴252b、噴嘴252c以及噴嘴252d停止非活性氣體的供給。基板保持部220在上方位置仍處於基板W朝向噴嘴242a以及噴嘴242b的位置。
如上所述，第三處理裝置200對基板W進行乾燥處理。本實施方式中，在將基板W浸漬於dIPA之後，對基板W進行IPA處理，隨後供給疏水化劑SMT。因此，能夠使疏水化劑SMT充分浸透基板W的表面，從而能夠抑制基板W中的圖案的崩壞。
另外，在參照圖10的（a）至圖13的（d）的所述說明中，如圖10的（d）所示，在處理槽230中貯存貯存液Ld的情況下，是在將此前貯存於處理槽230的貯存液La排出後，對處理槽230供給dIPA而將貯存液Ld貯存於處理槽230中，但本實施方式並不限定於此。也可不將貯存液排出而加以利用來在處理槽230中生成貯存液Ld。例如，在處理槽230中貯存有水（例如DIW）作為貯存液L的情況下（即，在處理槽230貯存貯存液La的情況下），也可通過供液部232對貯存液La供給IPA而在處理槽230中生成貯存液Ld。
而且，在參照圖10的（a）至圖13的（d）的所述說明中，在從圖10的（f）所示的步驟S6直至圖11的（c）所示的步驟S9而基板W浸漬於貯存液Ld中的期間，貯存液Ld的濃度為固定，但本實施方式並不限定於此。也可在基板W浸漬於貯存液Ld的期間使貯存液Ld的濃度增加。例如，供液部232對處理槽230的貯存液Ld進一步供給IPA，由此，能夠增加貯存液Ld的濃度。
另外，在參照圖7的（a）至圖7的（e）的所述說明中，在疏水處理之前將基板W浸漬於dIPA，在疏水處理之後，對基板W噴出IPA液的蒸氣，但本實施方式並不限定於此。在疏水處理之後，也可將基板W浸漬於dIPA。
接下來，參照圖14的（a）至圖14的（f）來說明通過本實施方式的基板處理裝置100所進行的疏水處理。圖14的（a）至圖14的（f）是表示通過本實施方式的基板處理裝置100所進行的疏水處理的流程的示意圖。另外，圖14的（a）至圖14的（c）以及圖14的（e）至圖14的（f）與圖7的（a）至圖7的（e）同樣，為了避免繁冗而省略重複的說明。
如圖14的（a）所示，將基板W浸漬於貯存在處理槽230中的dIPA。在基板保持部220位於上方位置的期間，向處理槽230中貯存貯存液Ld。隨後，基板保持部220接收基板W。典型的是，由基板保持部220所接收的基板W已通過水（例如DIW）進行了淋洗處理。隨後，基板保持部220從腔室210的上方朝下方移動，由此，將基板W浸漬於貯存在處理槽230中的貯存液Ld。
如圖14的（b）所示，對基板W供給IPA的蒸氣以對基板W進行IPA處理。詳細而言，在基板保持部220使基板W移動至上方位置後，IPA供給部240對基板W供給IPA的蒸氣。由此，能夠利用IPA來處理基板W。此處，處理槽230的貯存液Ld被排出。
如圖14的（c）所示，對基板W供給疏水化劑SMT的蒸氣以對基板W進行疏水處理。在基板保持部220位於上方位置的狀態下，疏水化劑供給部260對基板W供給疏水化劑SMT的蒸氣。由此，能夠對基板W進行疏水處理。
如圖14的（d）所示，將基板W再次浸漬於貯存在處理槽230中的dIPA。在基板保持部220位於上方位置的期間，向處理槽230中貯存貯存液Ld。隨後，基板保持部220從腔室210的上方移動至下方，由此，將基板W浸漬於貯存在處理槽230中的貯存液Ld。
如圖14的（e）所示，對基板W供給IPA的蒸氣以對基板W進行IPA處理。基板保持部220從下方位置移動至上方位置。IPA供給部240對基板W供給IPA的蒸氣。由此，能夠對基板W進行IPA處理。
如圖14的（f）所示，對基板W供給非活性氣體。在基板保持部220位於上方位置的狀態下，非活性氣體供給部250對基板W供給非活性氣體。由此，能夠使基板W乾燥。
根據本實施方式，在對基板W進行了疏水處理後，將基板W浸漬於dIPA。因此，能夠提高基板W的潔淨度。
另外，在參照圖14的（a）至圖14的（f）的所述說明中，在疏水處理前將浸漬了基板W的貯存液Ld暫時排出後，在疏水處理後使新的貯存液Ld貯存於處理槽230中，但本實施方式並不限定於此。也可在疏水處理前不將浸漬了基板W的貯存液Ld暫時排出，而在疏水處理後浸漬基板W。
另外，在參照圖1所述的基板處理裝置100中，處理部130具有一個第一處理裝置140、第二處理裝置150以及第三處理裝置200，但本實施方式並不限定於此。處理部130中，第一處理裝置140、第二處理裝置150以及第三處理裝置200的任一者也可為兩個以上。
接下來，參照圖15來說明本實施方式的基板處理裝置100。圖15是基板處理裝置100的示意圖。另外，圖15的基板處理裝置100中，處理部130具有三組第一處理裝置140及第二處理裝置150與兩個第三處理裝置200，並且基板處理裝置100還包括搬送裝置LF，除此以外，與參照圖1所述的基板處理裝置100具有同樣的結構，為了避免繁冗而省略重複的說明。
如圖15所示，基板處理裝置100中，處理部130具有第一處理單元130a、第二處理單元130b、第三處理單元130c以及乾燥處理單元130d。第一處理單元130a、第二處理單元130b以及第三處理單元130c各自具有第一處理裝置140、第二處理裝置150以及搬送裝置LF。乾燥處理單元130d具有兩個第三處理裝置200a、200b。
第二搬送裝置WTR可沿著基板處理裝置100的長邊方向而從第三處理裝置200a移動至第三處理單元130c為止。因而，第二搬送裝置WTR針對第三處理裝置200a、第三處理裝置200b、第一處理單元130a的第一處理裝置140a以及第二處理裝置150a、第二處理單元130b的第一處理裝置140b以及第二處理裝置150b、及第三處理單元130c的第一處理裝置140c以及第二處理裝置150c，來搬入以及搬出基板W的批次。
在乾燥處理單元130d中，第三處理裝置200a、第三處理裝置200b收納多個基板W的批次而對多個基板W進行乾燥處理。
與乾燥處理單元130d鄰接地配置有第一處理單元130a。第一處理單元130a中，第一處理裝置140a以及第二處理裝置150a各自包括槽（未圖示）。並且，第一處理裝置140a將基板W浸漬於貯存在槽中的藥液，以對多個基板W進行借助藥液的處理。或者，第二處理裝置150a將基板W浸漬於貯存在槽中的淋洗液，以對多個基板W進行借助淋洗液的清洗處理。
而且，在第一處理單元130a中，搬送裝置LF除了第一處理單元130a內的批次的搬送以外，還可對第二搬送裝置WTR進行批次的交接。而且，搬送裝置LF將批次的各基板W浸漬於第一處理裝置140a以及第二處理裝置150a的槽中，或者從第一處理裝置140a以及第二處理裝置150a的槽中提起批次的各基板W。
與第一處理單元130a鄰接的第二處理單元130b的第一處理裝置140b以及第二處理裝置150b、以及與第二處理單元130b鄰接的第三處理單元130c的第一處理裝置140c以及第二處理裝置150c具有與第一處理單元130a的第一處理裝置140a以及第二處理裝置150a同樣的結構。
根據本實施方式，基板處理裝置100具有三個第一處理裝置140a～140c、三個第二處理裝置150a～150c以及兩個第三處理裝置200a、200b，因此，通過依次對基板W的批次進行處理，從而能夠有效率地處理大量的基板W。
另外，在參照圖1至圖15的所述說明中，藥液處理、淋洗處理以及乾燥處理是由第一處理裝置140、第二處理裝置150以及第三處理裝置200分別進行，但本實施方式並不限定於此。藥液處理、淋洗處理以及乾燥處理中的任意兩個處理也可由同一個處理裝置來進行。
例如，處理部130也可不具有第二處理裝置150而具有第一處理裝置140以及第三處理裝置200。此時，在第一處理裝置140中對基板W進行了藥液處理後，基板W也可被搬送至第三處理裝置200，利用貯存在第三處理裝置200內的處理槽230中的DIW進行淋洗處理。在一例中，隨後也可在將基板W從處理槽230提起至腔室210上方的狀態下，將處理槽230內的貯存液變更為dIPA。或者，供液部232也可通過對貯存DIW的處理槽230供給IPA而在處理槽230中生成dIPA。
進而，在參照圖1至圖15的所述說明中，尤其如參照圖6以及圖7的（a）至圖7的（e）所述的那樣，第三處理裝置200除了dIPA浸漬以外，還進行IPA處理、疏水處理、IPA處理以及非活性氣體供給處理，但本實施方式並不限定於此。IPA處理、疏水處理、IPA處理以及非活性氣體供給處理中的任一個處理也可利用第三處理裝置200以外的裝置來進行。
以上，一邊參照附圖一邊說明了本發明的實施方式。但是，本發明並不限於所述的實施方式，可在不脫離其主旨的範圍內以各種形態來實施。而且，通過將所述實施方式所公開的多個構成元件適當組合，能夠形成各種發明。例如，也可從實施方式所示的所有構成元件中刪除若干個構成元件。進而，跨及不同的實施方式的構成元件也可適當組合。附圖是為了便於理解而在主體中示意性地表示各個構成元件，圖示的各構成元件的厚度、長度、個數、間隔等也有時由於附圖製作的關係而與實際不同。而且，所述的實施方式中所示的各構成元件的材質、形狀、尺寸等為一例，並無特別限定，可在實質上不脫離本發明的效果的範圍內進行各種變更。
[產業上的可利用性]
本發明可較佳地用於基板處理裝置以及基板處理方法。
100:基板處理裝置 102:收納部 104:投入部 104a、106a:載置台 106:配給部 120:交接機構 130:處理部 130a:第一處理單元 130b:第二處理單元 130c:第三處理單元 130d:乾燥處理單元 140、140a、140b、140c:第一處理裝置 142、152、230:處理槽 144、154、220:基板保持部 144a、154a、222:本體板 144b、154b、224:保持杆 144c、154c、226:升降單元 146:藥液供給部 150、150a、150b、150c:第二處理裝置 156:淋洗液供給部 190、290:控制裝置 192、292:控制部 194:存儲部 200、200a、200b:第三處理裝置 210:腔室 212:本體部 214:罩 216:開閉單元 230a、230c、240a、250a、250c、250s、260a:配管 230b、230d、240b、250b、250d、250t、260b、270b:閥 232:供液部 232a、232b、242a、242b、252a、252b、252c、252d、262a、262b:噴嘴 240:異丙醇供給部 240c、260c:加熱器 250:非活性氣體供給部 260:疏水化劑供給部 270:排液部 270a、280a:排液管線 280:減壓部 BU:緩衝單元 CTC:第一搬送裝置 DS:DIW供給源 IPS:IPA供給源 L、La、Ld:貯存液 L1:藥液 L2:淋洗液 LF:搬送裝置 NGS:非活性氣體供給源 S1～S19、S102～S110、S202～S210:步驟 SMS:疏水化劑供給源 W:基板 WTR:第二搬送裝置
圖1是本實施方式的基板處理裝置的示意圖。 圖2是通過本實施方式的基板處理方法所進行的基板處理的流程圖。 圖3的（a）以及圖3的（b）是本實施方式的基板處理裝置中的第一處理裝置的示意圖。 圖4的（a）以及圖4的（b）是本實施方式的基板處理裝置中的第二處理裝置的示意圖。 圖5的（a）以及圖5的（b）是本實施方式的基板處理裝置中的第三處理裝置的示意圖。 圖6是通過本實施方式的基板處理裝置所進行的乾燥處理的流程圖。 圖7的（a）至圖7的（e）是用於說明通過本實施方式的基板處理裝置中的第三處理裝置所進行的乾燥處理的示意圖。 圖8是本實施方式的基板處理裝置中的第三處理裝置的示意圖。 圖9是本實施方式的基板處理裝置中的第三處理裝置的示意圖。 圖10的（a）至圖10的（f）是用於說明通過本實施方式的基板處理裝置所進行的乾燥處理的流程的示意圖。 圖11的（a）至圖11的（e）是用於說明通過本實施方式的基板處理裝置所進行的乾燥處理的流程的示意圖。 圖12的（a）至圖12的（d）是用於說明通過本實施方式的基板處理裝置所進行的乾燥處理的流程的示意圖。 圖13的（a）至圖13的（d）是用於說明通過本實施方式的基板處理裝置所進行的乾燥處理的流程的示意圖。 圖14的（a）至圖14的（f）是用於說明通過本實施方式的基板處理裝置中的第三處理裝置所進行的乾燥處理的示意圖。 圖15是本實施方式的基板處理裝置的示意圖。
S202~S210:步驟

Claims (12)

  1. 一種基板處理方法，包括： 淋洗工序，利用淋洗液來處理基板； 浸漬工序，在所述淋洗工序之後，將所述基板浸漬於貯存在處理槽中的經稀釋化的異丙醇； 第一異丙醇處理工序，在所述浸漬工序之後，利用異丙醇來處理所述基板；以及 疏水處理工序，在所述第一異丙醇處理工序之後，對所述基板進行疏水處理。
  2. 根據權利要求1所述的基板處理方法，其中 在所述浸漬工序中，所述經稀釋化的異丙醇的濃度根據浸漬所述基板的時間而增加。
  3. 根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中 所述淋洗工序是利用淋洗處理裝置來進行， 所述浸漬工序是利用乾燥處理裝置來進行， 所述基板處理方法還包括：搬送工序，在所述淋洗工序之後以及所述浸漬工序之前，將所述基板從所述淋洗處理裝置搬送至所述乾燥處理裝置。
  4. 根據權利要求1或2所述的基板處理方法，還包括： 在所述浸漬工序之前，在對收容所述處理槽的腔室供給有非活性氣體的狀態下，在所述處理槽中貯存所述經稀釋化的異丙醇的工序。
  5. 根據權利要求1或2所述的基板處理方法，還包括： 第二異丙醇處理工序，在所述疏水處理工序之後，利用異丙醇來處理所述基板；以及 非活性氣體供給工序，在所述第二異丙醇處理工序之後，對所述基板供給非活性氣體。
  6. 根據權利要求5所述的基板處理方法，還包括： 浸漬工序，在所述疏水處理工序之後且所述第二異丙醇處理工序之前，將所述基板浸漬於貯存在所述處理槽中的經稀釋化的異丙醇。
  7. 一種基板處理裝置，包括： 腔室； 處理槽，配置在所述腔室內，用於貯存貯存液； 基板保持部，保持基板，且能夠移動，以將所述基板浸漬於所述處理槽的所述貯存液中； 供液部，向所述處理槽供給經稀釋化的異丙醇作為所述貯存液； 異丙醇供給部，向所述腔室內供給異丙醇的蒸氣； 疏水化劑供給部，向所述腔室內供給疏水化劑的蒸氣；以及 控制部，對所述基板保持部、所述供液部、所述異丙醇供給部以及所述疏水化劑供給部進行控制， 所述控制部對所述基板保持部、所述異丙醇供給部以及所述疏水化劑供給部進行控制，以使得在將經淋洗液處理的基板浸漬於貯存在所述處理槽中的經稀釋化的異丙醇之後，對所述基板供給異丙醇的蒸氣，隨後，對所述基板供給所述疏水化劑的蒸氣。
  8. 根據權利要求7所述的基板處理裝置，其中 所述控制部對所述供液部進行控制，以使所述經稀釋化的異丙醇的濃度根據將所述基板浸漬於所述處理槽的所述經稀釋化的異丙醇中的時間而增加。
  9. 根據權利要求7或8所述的基板處理裝置，還包括： 乾燥處理裝置，包括所述腔室、所述處理槽、所述基板保持部、所述異丙醇供給部以及所述疏水化劑供給部； 淋洗處理裝置，利用所述淋洗液來處理所述基板；以及 搬送裝置，將在所述淋洗處理裝置中經所述淋洗液處理的基板搬送至所述乾燥處理裝置。
  10. 根據權利要求7或8所述的基板處理裝置，還包括： 非活性氣體供給部，向所述腔室內供給非活性氣體的蒸氣， 所述控制部對所述供液部以及所述非活性氣體供給部進行控制，以使得在對所述腔室供給有非活性氣體的狀態下，對所述處理槽供給所述經稀釋化的異丙醇。
  11. 根據權利要求10所述的基板處理裝置，其中 所述控制部對所述異丙醇供給部以及所述非活性氣體供給部進行控制，以使得在對所述基板供給了所述疏水化劑後，對所述基板供給異丙醇的蒸氣，隨後，對所述基板供給非活性氣體。
  12. 根據權利要求11所述的基板處理裝置，其中 所述控制部對所述基板保持部進行控制，以使得在對所述基板供給了所述疏水化劑之後且對所述基板供給所述異丙醇的蒸氣之前，將所述基板浸漬於貯存在所述處理槽中的經稀釋化的異丙醇。
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