JP6013289B2 - 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6013289B2 JP6013289B2 JP2013162320A JP2013162320A JP6013289B2 JP 6013289 B2 JP6013289 B2 JP 6013289B2 JP 2013162320 A JP2013162320 A JP 2013162320A JP 2013162320 A JP2013162320 A JP 2013162320A JP 6013289 B2 JP6013289 B2 JP 6013289B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alcohol
- semiconductor substrate
- diluted
- pure water
- chemical solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
前記シランカップリング剤を含む薬液が付着した前記半導体基板の表面にアルコールを供給して前記薬液をアルコールに置換する工程と、前記アルコールで置換した前記半導体基板の表面に予め希釈されたアルコールをノズルを介して供給して前記アルコールを前記希釈アルコールに置換する工程と、前記希釈アルコールで置換した前記半導体基板の表面に純水を供給して前記希釈アルコールを前記純水に置換する工程とを備えている。
第1実施形態に係る半導体基板の洗浄方法及び半導体基板の洗浄装置について、図1及び図2を参照して説明する。まず、図1は、半導体基板の洗浄装置1の概略構成を示す図である。この洗浄装置1は、ウエハ(半導体基板)2に処理液を供給してウエハ2を1枚ずつ処理する枚葉式のものである。図1に示すように、洗浄装置1は、ウエハ2をほぼ水平に保持して回転させる基板保持回転機構であるスピンチャック3を備えている。処理対象のウエハ2は、搬送装置(図示しない)により搬入されて、スピンチャック3に受け渡されるように構成されている。
図3は、第2実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第2実施形態の半導体基板の洗浄方法は、図3に示すように、ステップS170の段階的希釈アルコールリンス処理を除いて、第1実施形態の半導体基板の洗浄方法(図2参照)と同じである。
図4は、第3実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第3実施形態の半導体基板の洗浄方法は、図4に示すように、ステップS50と、ステップS60(シランカップリング剤を含む薬液をアルコールで置換するアルコールリンス処理)との間に、ステップS55の希釈溶媒リンス処理を追加した。
上述した以外の第3実施形態の構成は、第1実施形態と同じ構成となっている。従って、第3実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第3実施形態によれば、シランカップリング剤を含む薬液をアルコールで置換するアルコールリンス処理(ステップS60)の前に、シランカップリング剤に使用されている溶媒をアルコールで希釈した希釈溶媒で、シランカップリング剤を含む薬液をリンスする処理(ステップS55)を行うように構成したので、撥水性保護膜表面においてシランカップリング剤からアルコールへの置換を十分に行うことができ、置換不足によるパターン倒壊のリスクを低減することができる。
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記した各実施形態において、撥水性保護膜形成前の置換ステップ、例えばステップS30の純水リンス処理またはステップS40のアルコールリンス処理の各前に、それぞれ希釈リンス処理を設けるように構成しても良い。また、希釈リンス処理の希釈リンス液の濃度は約50%等の固定値にしても良いし、濃度を段階的に変化させるように構成しても良い。
Claims (5)
- パターンが形成された半導体基板の表面にシランカップリング剤を含む薬液を供給して前記パターン表面に保護膜を形成する工程と、
前記シランカップリング剤を含む薬液が付着した前記半導体基板の表面にアルコールを供給して前記薬液をアルコールに置換する工程と、
前記アルコールで置換した前記半導体基板の表面に予め希釈されたアルコールをノズルを介して供給して前記アルコールを前記希釈アルコールに置換する工程と、
前記希釈アルコールで置換した前記半導体基板の表面に純水を供給して前記希釈アルコールを前記純水に置換する工程と
を備えたことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 前記アルコールを前記希釈アルコールに置換する工程において、アルコール濃度が50%の希釈アルコールを用いることを特徴とする請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- 前記アルコールを前記希釈アルコールに置換する工程において、最初はアルコール濃度が高い希釈アルコールを用い、その後、アルコール濃度を段階的に低下させた希釈アルコールを用いることを特徴とする請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- パターンが形成された半導体基板の表面にシランカップリング剤を含む薬液を供給して前記パターン表面に保護膜を形成する工程と、
前記シランカップリング剤を含む薬液の溶媒が付着した前記半導体基板の表面に予めアルコールで希釈された希釈溶媒を供給して前記シランカップリング剤を含む薬液を前記希釈溶媒に置換する工程と、
前記希釈溶媒で置換した前記半導体基板の表面にアルコールを供給して前記希釈溶媒を前記アルコールに置換する工程と、
前記アルコールで置換した前記半導体基板の表面に予め希釈されたアルコールを供給して前記アルコールを前記希釈アルコールに置換する工程と、
前記希釈アルコールで置換した前記半導体基板の表面に純水を供給して前記希釈アルコールを前記純水に置換する工程と
を備えたことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - パターンが形成された半導体基板を保持して回転させる基板保持回転機構と、
前記半導体基板の上方に設けられ、処理液を前記半導体基板上に供給するノズルと、
前記ノズルを介して前記半導体基板に前記処理液を供給する処理液供給装置と、
を備え、
前記処理液供給装置を制御することにより、シランカップリング剤を含む薬液を前記半導体基板に供給して前記半導体基板上のパターン表面に保護膜を形成し、前記シランカップリング剤を含む薬液が付着した前記半導体基板の表面にアルコールを供給して前記薬液をアルコールに置換し、前記アルコールで置換した前記半導体基板の表面に予め希釈されたアルコールをノズルを介して供給して前記アルコールを前記希釈アルコールに置換し、前記希釈アルコールで置換した前記半導体基板の表面に純水を供給して前記希釈アルコールを前記純水に置換することを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013162320A JP6013289B2 (ja) | 2013-08-05 | 2013-08-05 | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
US14/177,579 US20150034130A1 (en) | 2013-08-05 | 2014-02-11 | Method of cleaning semiconductor substrate and apparatus for cleaning semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013162320A JP6013289B2 (ja) | 2013-08-05 | 2013-08-05 | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015032735A JP2015032735A (ja) | 2015-02-16 |
JP6013289B2 true JP6013289B2 (ja) | 2016-10-25 |
Family
ID=52426539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013162320A Active JP6013289B2 (ja) | 2013-08-05 | 2013-08-05 | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150034130A1 (ja) |
JP (1) | JP6013289B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6454245B2 (ja) * | 2014-10-21 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
EP3282474B1 (en) * | 2016-08-11 | 2021-08-04 | IMEC vzw | Method for performing a wet treatment of a substrate |
US10698565B2 (en) * | 2016-12-06 | 2020-06-30 | The Directv Group, Inc. | Context-based icon for control via a touch sensitive interface |
JP7116534B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2022-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6953255B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2021-10-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7077184B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2022-05-30 | キオクシア株式会社 | 基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
CN111180312B (zh) * | 2019-12-31 | 2023-08-11 | 贵州振华风光半导体股份有限公司 | 一种适用于集成电路的回流焊清洗方法 |
JP2022104013A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4527660B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP4767767B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US7838425B2 (en) * | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
JP5404361B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP5404364B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP5320383B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2013118347A (ja) * | 2010-12-28 | 2013-06-13 | Central Glass Co Ltd | ウェハの洗浄方法 |
JPWO2012157507A1 (ja) * | 2011-05-17 | 2014-07-31 | 東亞合成株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
-
2013
- 2013-08-05 JP JP2013162320A patent/JP6013289B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-11 US US14/177,579 patent/US20150034130A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150034130A1 (en) | 2015-02-05 |
JP2015032735A (ja) | 2015-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6013289B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 | |
US11367630B2 (en) | Substrate cleaning method, substrate cleaning system, and memory medium | |
JP5813495B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 | |
JP5404361B2 (ja) | 半導体基板の表面処理装置及び方法 | |
JP5404364B2 (ja) | 半導体基板の表面処理装置及び方法 | |
JP5318980B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5977727B2 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 | |
JP6454245B2 (ja) | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP6419053B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
EP1898453A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP6410694B2 (ja) | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP6256828B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI512806B (zh) | 半導體基板用表面處理裝置及方法 | |
JP6139890B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
TW201430939A (zh) | 半導體製造設備及半導體裝置之製造方法 | |
CN110416060B (zh) | 用于清洗半导体晶片的方法和设备 | |
TW201310569A (zh) | 半導體裝置製造設備及微影設備及半導體裝置的製造方法 | |
JP6571253B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI416608B (zh) | 半導體基板之液體處理方法、半導體基板之液體處理裝置、及記憶媒體 | |
US20210287919A1 (en) | System and Methods for Wafer Drying | |
KR20220152611A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
WO2016063885A1 (ja) | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP2022027088A (ja) | 基板処理方法 | |
WO2016063886A1 (ja) | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160823 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160921 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6013289 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |