JP2002289574A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＰＡ等の有機溶剤の純水への溶解を抑制す
る。 【解決手段】純水による洗浄処理が終了したウエハＷの
乾燥処理を行う基板処理装置において、純水を貯溜し、
純水にウエハＷを浸漬させてウエハＷの洗浄処理を行う
処理槽２０と、処理槽２０に連通接続され、処理槽２０
から純水を排出するための排出配管２２と、排出配管２
２からの純水の排出の有無を調整する開閉弁２３と、２
０処理槽を収容する収容器１０と、収容器１０内に有機
溶剤であるＩＰＡを供給する気体供給ノズル５０と、収
容器１０内で、洗浄処理の終了したウエハＷを処理槽２
０から引き上げる昇降機構３０と、昇降機構３０により
ウエハＷを処理槽２０から引き上げさせ、開閉弁２３を
制御して処理槽２０内の純水を排出させた後、開閉弁２
３により処理液が排出されない状態にして、気体供給ノ
ズル５０からＩＰＡを収容器１０内へ供給させる制御部
６０と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水による洗浄処
理が終了した半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、フ
ォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板の
乾燥処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板の製造工程においては、
フッ酸（ＨＦ）等の薬液による洗浄処理及び純水による
洗浄処理を順次行った後、純水から半導体ウエハ等の基
板を引き上げつつイソプロピルアルコール（以下、「Ｉ
ＰＡ」とする）等の有機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給
して乾燥処理を行う基板処理装置が用いられている。特
に、基板上に形成されるパターンの構造の複雑化、微細
化が進展している近年においては、ＩＰＡの蒸気を供給
しつつ純水から基板を引き上げる引き上げ乾燥方式が主
流になりつつある。

【０００３】従来の引き上げ乾燥方式の基板処理装置に
おいては、純水により洗浄処理を行う処理槽を収容器の
内部に収容している。処理槽における純水による洗浄処
理終了後に、収容器内部にＩＰＡの蒸気を供給し、処理
槽の上方にＩＰＡの雰囲気を形成する。その後、処理槽
に貯溜されている純水からＩＰＡ雰囲気中に、リフター
機構等により基板を引き上げる。この過程において基板
に付着した純水がＩＰＡに置換され、ＩＰＡが蒸発する
ことによって基板の乾燥処理が行われることになる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
引き上げ乾燥方式の基板処理装置においては、基板の洗
浄処理・乾燥処理は行われているとはいうものの、処理
槽の上方に供給されたＩＰＡの蒸気が処理槽内に貯溜さ
れた純水に溶解されてしまうという問題がある。洗浄処
理に使用された純水は処理槽から排出され廃液処理にな
るが、排出される純水にＩＰＡが溶け込んでいると、純
水の廃液設備がたいそうになり、純水の廃液処理のコス
トがかかってしまうという問題がある。

【０００５】本発明は、上述した課題に鑑みてなされた
ものであり、ＩＰＡ等の有機溶剤の純水への溶解を抑制
する基板処理装置を提供することを目的とする

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１に記載の基板処理装置は、処理液によ
る洗浄処理が終了した基板の乾燥処理を行う基板処理装
置において、処理液を貯溜し、処理液に基板を浸漬させ
て基板の洗浄処理を行う処理槽と、前記処理槽に連通接
続され、前記処理槽から処理液を排出するための処理液
排出管と、前記処理液排出管からの処理液の排出の有無
を調整する処理液調整手段と、前記処理槽を収容する収
容器と、前記収容器内に有機溶剤を供給する有機溶剤供
給手段と、前記収容器内で洗浄処理の終了した基板を前
記処理槽から引き上げる引き上げ手段と、前記引き上げ
手段により基板を前記処理槽から引き上げさせ、前記処
理液調整手段を制御して前記処理槽内の処理液を排出さ
せた後、前記処理液調整手段により処理液が排出されな
い状態にして、前記有機溶剤供給手段から有機溶剤を前
記収容器内へ供給させる制御手段と、を備えたことを特
徴とするものである。なお、「処理液調整手段により処
理液が排出されない状態」とは、処理槽から処理液が完
全に排出され、処理液調整手段が処理液排出管を遮断し
ている状態が考えられる。

【０００７】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置において、前記収容器内
に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備
え、前記制御手段が、前記有機溶剤供給手段から有機溶
剤を前記収容器内へ供給させた後、前記不活性ガス供給
手段から不活性ガスを前記収容器内へ供給させることを
特徴とするものである。

【０００８】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置において、前記収容器内
に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記収
容器内から有機溶剤を排出させるための有機溶剤排出手
段とをさらに備え、前記制御手段が、前記有機溶剤供給
手段から有機溶剤を前記収容器内へ供給させた後、前記
有機溶剤排出手段を制御して前記収容器内から有機溶剤
を排出させ、さらに前記不活性ガス供給手段から不活性
ガスを前記収容器内へ供給させることを特徴とするもの
である。

【０００９】また、請求項４に記載の基板処理装置は、
請求項１乃至請求項３に記載の基板処理装置において、
前記処理液調整手段が、前記処理液排出管に設けられた
開閉弁であることを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項５に記載の基板処理装置は、
処理液による洗浄処理が終了した基板の乾燥処理を行う
基板処理装置において、処理液を貯溜し、処理液に基板
を浸漬させて基板の洗浄処理を行う処理槽と、前記処理
槽に連通接続され、前記処理槽から処理液を排出するた
めの処理液排出管と、前記排出管に設けられ、開閉可能
な開閉弁と、前記処理槽を収容する収容器と、前記収容
器内に有機溶剤を供給する有機溶剤供給手段と、前記収
容器内で、洗浄処理の終了した基板を前記処理槽から引
き上げる引き上げ手段と、前記引き上げ手段により基板
を前記処理槽から引き上げさせ、前記開閉弁を開にして
前記処理槽内の処理液を排出させた後、前記開閉弁を開
から閉に切り換えて処理液が排出されない状態にして、
前記有機溶剤供給手段から有機溶剤を前記収容器内へ供
給させる制御手段と、を備えたことを特徴とするもので
ある。なお、「処理液が排出されない状態」とは、処理
槽から処理液が完全に排出され、開閉弁が閉になって処
理液排出管を遮断している状態が考えられる。

【００１１】また、請求項６に記載の基板処理装置は、
請求項５に記載の基板処理装置において、前記収容器内
に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備
え、前記制御手段が、前記有機溶剤供給手段から有機溶
剤を前記収容器内へ供給させた後、前記不活性ガス供給
手段から不活性ガスを前記収容器内へ供給させることを
特徴とするものである。

【００１２】さらに、請求項７に記載の基板処理装置
は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記収容
器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前
記収容器内から有機溶剤を排出させるための有機溶剤排
出手段とをさらに備え、前記制御手段が、前記有機溶剤
供給手段から有機溶剤を前記収容器内へ供給させた後、
前記有機溶剤排出手段を制御して前記収容器内から有機
溶剤を排出させ、さらに前記不活性ガス供給手段から不
活性ガスを前記収容器内へ供給させることを特徴とする
ものである。

【００１３】なお、請求項１乃至請求項７に記載の「有
機溶剤」として、イソプロピルアルコールが考えられ、
また、請求項２乃至請求項４、請求項６及び請求項７に
記載の「不活性ガス」として、窒素ガスが考えられる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明に
係る実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明に係る基板処理装置の正面図である。また、図２は、
図１に示す基板処理装置の平面図である。なお、図１及
び図２には、それらの方向関係を明確にするために、Ｘ
Ｙ平面を水平面とし、Ｚ軸方向を鉛直方向とするＸＹＺ
直交座標を付している。

【００１５】この基板処理装置は、純水により基板の一
種であるウエハＷの洗浄処理を行い、さらに洗浄処理の
終了したウエハＷに有機溶剤の一種であるＩＰＡを供給
することにより、ウエハＷの乾燥処理を行う洗浄・乾燥
装置である。この基板処理装置は、主として、収容器１
０と、処理槽２０と、昇降機構３０と、処理槽２０内に
配置された気体供給ノズル４０と、処理液供給ノズル５
０とを備えている。図１に示すように、処理槽２０と、
昇降機構３０と、処理槽２０内に配置された気体供給ノ
ズル４０と、処理液供給ノズル５０とは、いずれも収容
器１０内部に収容されている。

【００１６】処理槽２０は、純水（処理液）を貯溜して
ウエハＷに対して洗浄処理を行う槽であり、収容器１０
の内部に収容されている。処理液供給ノズル４０は、処
理槽２０の底部近傍に互いに平行に２本配置されてお
り、Ｘ軸方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ
軸方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔４１が形成
されている。この吐出孔４１のそれぞれは、吐出方向を
鉛直方向上側に向けて形成されており、後述する開閉弁
４４を開の状態にすることにより、純水が処理槽２０内
の中心部に向けてへ供給される。

【００１７】２本の処理液供給ノズル４０のそれぞれ
は、処理液供給配管４２を介して純水供給源４２に連通
接続されている。なお、処理液供給配管４２の途中に
は、開閉弁４４が設けられており、この開閉弁４４の開
閉制御により、処理槽２０への純水の供給・供給停止が
制御される。

【００１８】また、処理槽２０の底部には、処理槽２０
に貯溜された純水を急速に処理槽２０から排出するため
の排出口２１が形成されている。この排出口２１には、
排出配管２２が接続されており、この排出配管２２の途
中に設けられた開閉弁２３の開閉制御により、処理槽２
０に貯溜された純水の処理槽２０からの排出・排出停止
が制御される。

【００１９】さらに、処理槽２０の上面の外周には、外
槽２４が形成されている。処理槽２０の上面からオバー
フローして溢れ出た純水は、外槽２４へ一旦回収され
る。外槽２４に一旦回収された純水は、排出配管２５を
介して外槽２４から排出される。

【００２０】収容器１０は、その内部に処理槽２０、昇
降機構３０、気体供給ノズル５０等を収容する筐体であ
る。この収容器１０の一側の側面には、排気穴１１が形
成されている。この排気穴１１には排気配管１２が連通
接続されており、この排気配管１２の途中に設けられた
開閉弁１３を開放することにより、収容器１０内にある
ＩＰＡや窒素ガス等を排気することができる。なお、排
気穴１１、排気配管１２、及び開閉弁１３は、本発明に
係る有機溶剤排出手段に相当する。

【００２１】また、収容器１０の上部は、図示を省略す
るスライド式開閉機構によって開閉可能とされている。
収容器１０の上部を開放した状態において、その開放部
分から後述する昇降機構３０によりウエハＷの搬出入を
行う。一方、開閉弁１３を閉鎖した状態にし、かつ収容
器１０の上部を閉鎖した状態で、収容器１０の内部を密
閉空間にすることができる。

【００２２】昇降機構３０は、処理槽２０に貯溜されて
いる純水に一組の複数（５０枚）のウエハＷを浸漬させ
るための機構である。昇降機構３０は、リフター３１
（図２参照）と、リフターアーム３２と、３本の保持棒
３３、３４、３５とを備えている。３本の保持棒３３、
３４、３５はウエハＷの下部を直接保持するためのもの
であり、３本の保持棒３３、３４、３５のそれぞれに
は、ウエハＷが外縁部に嵌まり込んでウエハＷを起立姿
勢にて保持する複数の保持溝（図示省略）が所定間隔に
てＸ軸方向に配列して設けられている。それぞれの保持
溝は、切欠状の溝である。３本の保持棒３３、３４、３
５は、リフタアーム３２に対して垂直方向に固設され、
リフタアーム３２は、リフタアーム３１によって鉛直方
向（Ｚ軸方向）に昇降可能に設けられている。なお、昇
降機構３０は、本発明に係る引き上げ手段に相当する。

【００２３】上述した構成により、昇降機構３０は、３
本の保持棒３３、３４、３５によってＸ軸方向に相互に
平行に配列されて保持された複数のウエハＷを処理槽２
０に貯溜されている純水に浸漬させる位置（図１の実線
位置）とその純水から引き上げた位置（図１の２点鎖線
の位置）との間で上下方向に昇降させることができる。
なお、リフター３１には、リフターアーム３２を昇降さ
せる機構として、ボールネジを用いた送りネジ機構やプ
ーリやベルトを用いたベルト機構等の種々の公知の機構
を採用することが可能である。また、収容器１０の上部
を開放して、昇降機構３０を収容器１０の上方の位置に
移動させることにより、収容器１０外部の基板搬送ロボ
ットと昇降機構３０との間でウエハＷの受け渡しを行う
ことができる。

【００２４】また、収容器１０の内部であって処理槽２
０の上端よりも外側上方には、２本の気体供給ノズル５
０が設けられている。気体供給ノズル５０は、昇降機構
３０によって処理槽２０から引き上げられつつある複数
のウエハＷの両側の側方のそれぞれに設けられている。
気体供給ノズル５０のそれぞれは、Ｘ軸方向に沿って伸
びる中空の管状部材であり、Ｘ軸方向に等間隔にて配列
された複数の吐出孔５１を備えている。複数の吐出孔５
１のそれぞれは、吐出方向をＹ軸方向（水平方向）に沿
って処理槽２０に向けて形成されている。

【００２５】気体供給ノズル５０は、ＩＰＡ蒸気や窒素
ガスを収容器１０内へ供給することが可能である。この
気体供給ノズル５０は、共通供給配管５２及びＩＰＡ用
供給配管５３を介してＩＰＡ供給源５４に連通接続され
ている。このＩＰＡ用供給配管５３の途中には、開閉弁
５５が設けられており、この開閉弁５５を開放すること
によって、ＩＰＡ供給源５４から共通供給配管５２及び
ＩＰＡ用供給配管５３を介して気体供給ノズル５０へＩ
ＰＡ蒸気を供給することができる。気体供給ノズル５０
に供給されたＩＰＡ蒸気は、複数の吐出孔５１のそれぞ
れから収容器１０内へ向けて吐出される。

【００２６】また、この気体供給ノズル５０は、共通供
給配管５２及び窒素用供給配管５６を介して窒素供給源
５７に連通接続されている。この窒素用供給配管５６の
途中には、開閉弁５８が設けられており、この開閉弁５
８を開放することによって、窒素供給源５７から窒素用
供給配管５６及び共通供給配管５２を介して気体供給ノ
ズル５０へ窒素ガスを供給することができる。気体供給
ノズル５０に供給された窒素ガスは、複数の吐出孔５１
のそれぞれから収容器１０内へ向けて吐出される。

【００２７】なお、図１に示すように、ＩＰＡ用供給配
管５３と窒素用供給配管５６は、共通供給配管５２に対
して分岐している構造となっており、共通供給配管５２
には、ＩＰＡあるいは窒素ガスのいずれもが、流通する
ことになる。

【００２８】なお、気体供給ノズル５０は、本発明に係
る有機溶剤供給手段と不活性ガス供給手段に相当する。
この実施の形態においては、気体供給ノズル５０が、Ｉ
ＰＡの供給と、窒素ガスの供給とを兼用しているので、
構成が簡素に済む。

【００２９】図３は、本発明に係る基板処理装置の電気
系ブロック図である。上述した開閉弁１３、開閉弁２
３、開閉弁４４、開閉弁５５、及び開閉弁５８は、制御
部６０に電気的に接続されている。この制御部６０から
の指令により、開閉弁１３、開閉弁２３、開閉弁４４、
開閉弁５５、及び開閉弁５８それぞれの開閉制御を行
う。また、昇降機構３０も制御部６０に電気的に接続さ
れている。この制御部６０からの指令により、昇降機構
３０は上下方向に移動させることが可能となる。

【００３０】次に、上述した基板処理装置の処理手順に
ついて、図４を参照しつつ説明する。図４は、基板処理
装置の処理手順を説明するための図である。

【００３１】この基板処理装置においてウエハＷの処理
を行うときは。まず、昇降機構３０が、図示していない
基板搬送ロボットから複数のウエハＷを受け取る。な
お、ウエハＷの受け渡しの行われる位置は、収容器１０
の上方の位置である。

【００３２】次に、制御部６０からの指令に基づいて、
昇降機構３０を降下させることにより、Ｘ軸方向に平行
に配列させて３本の保持棒３３、３４、３５に保持され
た複数のウエハＷを降下させて、処理槽２０に貯溜され
た純水中に浸漬させる。そして、図示しないスライド式
開閉機構を閉じることにより収容器１０が密閉状にな
る。

【００３３】次に、処理槽２０に貯溜された純水に複数
のウエハＷを浸漬させた状態を維持して洗浄処理を進行
させつつ、制御部６０からの指令に基づいて、開閉弁５
８を「閉」から「開」へ切り換える。これにより、図４
（ａ）に示すように、気体供給ノズル５０の複数の吐出
孔５１より収容器１０内へ矢印ＡＲ１のように窒素ガス
を供給される。これにより、収容器１０内が窒素ガスで
満たされることになる。

【００３４】そして、複数の吐出孔５１からの窒素ガス
（矢印ＡＲ１）の供給を継続しつつ、制御部６０からの
指令に基づいて、開閉弁４４を「閉」から「開」へ切り
換える。これにより、純水供給源４３から供給配管４２
を流れてきた純水が、処理液供給ノズル４０の複数の吐
出孔４１から処理槽２０内へ供給されると同時に、図４
（ｂ）に示すように、処理槽２０の上面から純水が溢れ
出し、溢れ出た純水は、外槽２４に一旦回収される。外
槽２４に一旦回収された純水は、排出配管２５を介して
基板処理装置外へ排出される。

【００３５】ウエハＷに対する純水による洗浄処理が終
了すると、まず、制御部６０からの指令に基づいて、開
閉弁４４が「閉」から「開」へ切り換えられる。これに
より、複数の吐出孔４１からの純水の処理槽２０への供
給は停止される。また、制御部６０からの指令に基づい
て、開閉弁５８を「開」から「閉」へ切り換えられる。
これにより、複数の吐出孔５１から収容器１０内への窒
素ガスの供給を停止する。

【００３６】そして、図４（ｃ）に示すように、制御部
６０からの指令に基づいて、昇降機構３０を上昇させて
処理槽２０の純水からウエハＷを引き上げて、ウエハＷ
が図１中の２点鎖線の位置にまで到達した時点で、昇降
機構３０を一旦停止させると同時に、開閉弁２３を
「閉」から「開」へ切り換える。これにより、処理槽２
０に貯溜された純水が処理槽２０から排出配管２２を介
して基板処理装置外へ急速排出される。

【００３７】処理槽２０から純水が完全に排出される
と、制御部６０からの指令に基づいて、開閉弁２３が
「開」から「閉」へ切り換えられる。そして、開閉弁２
３を「閉」の状態にしつつ、制御部６０からの指令に基
づいて、開閉弁５５が「閉」から「開」へ切り換えられ
る。これにより、図４（ｄ）に示すように、気体供給ノ
ズル５０の複数の吐出孔５１より収容器１０内のウエハ
Ｗへ矢印ＡＲ２のようにＩＰＡ蒸気を吹き付けられ、図
１の２点鎖線の位置にあるウエハＷがＩＰＡ雰囲気に曝
されることになり、ウエハＷの乾燥処理が行われる。

【００３８】なお、ウエハＷを処理槽２０から引き上げ
た時点で、そのウエハＷの清浄度が十分でない場合は、
再び処理槽２０内へ純水を貯溜して、ウエハＷを純水へ
浸漬させて洗浄処理を行うことも可能である。

【００３９】次に、制御部６０からの指令に基づいて、
開閉弁５５が「開」から「閉」へ切り換えられる。これ
により、複数の吐出孔５１からの収容器１０内へのＩＰ
Ａの供給が停止される。そして、制御部６０からの指令
に基づいて、開閉弁１３が「閉」から「開」へ切り換え
られる。これにより、図４（ｅ）に示すように、収容器
２０内にあるＩＰＡは、排出配管１２を介して収容器１
０外へ排気される。

【００４０】収容器１０からのＩＰＡの排気が完了する
と、制御部６０からの指令に基づいて、開閉弁１３が
「開」から「閉」へ切り換える。そして、制御部６０か
らの指令に基づいて、再度制御部６０からの指令に基づ
いて、開閉弁５８が「閉」から「開」へ切り換えられ
る。これにより、図４（ｆ）に示すように、気体供給ノ
ズル５０の複数の吐出孔５１より収容器１０内へ矢印Ａ
Ｒ１のように、図１の２点鎖線の位置にあるウエハＷへ
窒素ガスを吹き付けて、ウエハＷに対する乾燥処理をさ
らに促進させる。

【００４１】最後に、制御部６０からの指令に基づい
て、開閉弁５８が「開」から「閉」へ切り換えられて、
収容器１０内への窒素ガスの供給を停止させ、図示しな
いスライド式開閉機構を開放させて、収容器１０を密閉
状態から開放する。そして、昇降機構３０がさらに上昇
し、収容器１０の上方の位置において、ウエハＷが昇降
機構３０から基板搬送ロボットに受け渡されて、一連の
ウエハＷ処理が終了する。

【００４２】以上、本発明の実施の形態に係る基板処理
装置について説明してきたが、この発明は上述した実施
の形態に限定されるものではない。例えば、上述した実
施の形態に係る基板処理装置は、複数のウエハＷを一括
して洗浄処理を行う、いわゆるバッチ式の基板処理装置
であったが、ウエハＷを１枚ずつ処理する、いわゆる枚
葉式の基板処理装置であってもよい。

【００４３】また、上述した実施の形態に係る基板処理
装置は、純水による洗浄処理と乾燥処理とを行う処理槽
であったが、１つの処理槽で薬液による洗浄処理、ある
いはエッチング処理、純水による洗浄処理、及び乾燥処
理を行う基板処理装置にも適用することができる。

【００４４】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項１
に記載の基板処理装置によれば、引き上げ手段により基
板を処理槽から引き上げて、処理液調整手段を制御して
処理槽内の処理液を排出させた後、処理液調整手段によ
り処理液が排出されない状態にして、有機溶剤供給手段
から有機溶剤を収容器へ供給させているので、基板の乾
燥処理時において、ＩＰＡ等の有機溶剤の純水への溶解
を抑制できるという効果がある。

【００４５】また、請求項２に記載の基板処理装置によ
れば、不活性ガス供給手段をさらに備えて、有機溶剤の
収容器内への供給の後、不活性ガスを収容器内へ供給し
ているので、ＩＰＡ等の有機溶剤の純水への溶解を抑制
しつつ、有機溶剤と不活性ガスとにより基板の乾燥処理
を効果的に行うことができるという効果がある。

【００４６】また、請求項３に記載の基板処理装置によ
れば、不活性ガス供給手段と有機溶剤排出手段とをさら
に備えて、有機溶剤の収容器内への供給の後、有機溶剤
を収容器から排出させて、不活性ガスを収容器内へ供給
しているので、ＩＰＡ等の有機溶剤の純水への溶解を抑
制しつつ、有機溶剤による基板の乾燥処理と有機溶剤の
影響を受けない不活性ガスによる基板の乾燥処理を効果
的に行うことができるという効果がある。

【００４７】また、請求項４に記載の基板処理装置によ
れば、処理液調整手段が開閉弁であるので、簡易な構成
で、処理液の排出の有無を行うことができる。

【００４８】また、請求項５に記載の基板処理装置によ
れば、引き上げ手段により基板を処理槽から引き上げ
て、開閉弁を閉にして処理槽内の処理液を排出させた
後、開閉弁を開にして処理液が排出されない状態にし
て、有機溶剤供給手段から有機溶剤を収容器へ供給させ
ているので、基板の乾燥処理時において、ＩＰＡ等の有
機溶剤の純水への溶解を抑制できるという効果がある。

【００４９】また、請求項６に記載の基板処理装置によ
れば、不活性ガス供給手段をさらに備えて、有機溶剤の
収容器内への供給の後、不活性ガスを収容器内へ供給し
ているので、ＩＰＡ等の有機溶剤の純水への溶解を抑制
しつつ、有機溶剤と不活性ガスとにより基板の乾燥処理
を効果的に行うことができるという効果がある。

【００５０】さらに、請求項７に記載の基板処理装置に
よれば、不活性ガス供給手段と有機溶剤排出手段とをさ
らに備えて、有機溶剤の収容器内への供給の後、有機溶
剤を収容器から排出させて、不活性ガスを収容器内へ供
給しているので、ＩＰＡ等の有機溶剤の純水への溶解を
抑制しつつ、有機溶剤による基板の乾燥処理と有機溶剤
の影響を受けない不活性ガスによる基板の乾燥処理を効
果的に行うことができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の正面図である。

【図２】図１に示す基板処理装置の平面図である。

【図３】本発明に係る基板処理装置の電気系ブロック図
である。

【図４】基板処理装置の処理手順を説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１０ 収容器 １１ 排気穴 １２ 排気配管 １３ 開閉弁 ２０ 処理槽 ２１ 排出口 ２２ 排出配管 ３０ 昇降機構 ３１ リフター ５０ 気体供給ノズル ５１ 吐出孔 ５２ 共通供給配管 ５３ ＩＰＡ用供給配管 ５４ ＩＰＡ供給源 ５５ 開閉弁 ５６ 窒素ガス用供給配管 ５７ 窒素ガス供給源 ５８ 開閉弁 ６０ 制御部 ＡＲ１ 窒素の供給 ＡＲ２ ＩＰＡ蒸気の供給 Ｗ ウエハ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】処理液による洗浄処理が終了した基板の乾
   燥処理を行う基板処理装置において、 処理液を貯溜し、処理液に基板を浸漬させて基板の洗浄
   処理を行う処理槽と、 前記処理槽に連通接続され、前記処理槽から処理液を排
   出するための処理液排出管と、 前記処理液排出管からの処理液の排出の有無を調整する
   処理液調整手段と、 前記処理槽を収容する収容器と、 前記収容器内に有機溶剤を供給する有機溶剤供給手段
   と、 前記収容器内で洗浄処理の終了した基板を前記処理槽か
   ら引き上げる引き上げ手段と、 前記引き上げ手段により基板を前記処理槽から引き上げ
   させ、前記処理液調整手段を制御して前記処理槽内の処
   理液を排出させた後、前記処理液調整手段により処理液
   が排出されない状態にして、前記有機溶剤供給手段から
   有機溶剤を前記収容器内へ供給させる制御手段と、を備
   えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置において、 前記収容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手
   段をさらに備え、 前記制御手段は、前記有機溶剤供給手段から有機溶剤を
   前記収容器内へ供給させた後、前記不活性ガス供給手段
   から不活性ガスを前記収容器内へ供給させることを特徴
   とする基板処理装置。
3. 【請求項３】請求項１に記載の基板処理装置において、 前記収容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手
   段と、 前記収容器内から有機溶剤を排出させるための有機溶剤
   排出手段とをさらに備え、 前記制御手段は、前記有機溶剤供給手段から有機溶剤を
   前記収容器内へ供給させた後、前記有機溶剤排出手段を
   制御して前記収容器内から有機溶剤を排出させ、さらに
   前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを前記収容器内
   へ供給させることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】請求項１乃至請求項３に記載の基板処理装
   置において、 前記処理液調整手段は、前記処理液排出管に設けられた
   開閉弁であることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】処理液による洗浄処理が終了した基板の乾
   燥処理を行う基板処理装置において、 処理液を貯溜し、処理液に基板を浸漬させて基板の洗浄
   処理を行う処理槽と、 前記処理槽に連通接続され、前記処理槽から処理液を排
   出するための処理液排出管と、 前記処理液排出管に設けられ、開閉可能な開閉弁と、 前記処理槽を収容する収容器と、 前記収容器内に有機溶剤を供給する有機溶剤供給手段
   と、 前記収容器内で洗浄処理の終了した基板を前記処理槽か
   ら引き上げる引き上げ手段と、 前記引き上げ手段により基板を前記処理槽から引き上げ
   させ、前記開閉弁を開にして前記処理槽内の処理液を排
   出させた後、前記開閉弁を開から閉に切り換ええて処理
   液が排出されない状態にして、前記有機溶剤供給手段か
   ら有機溶剤を前記収容器内へ供給させる制御手段と、を
   備えたことを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】請求項５に記載の基板処理装置において、 前記収容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手
   段をさらに備え、 前記制御手段は、前記有機溶剤供給手段から有機溶剤を
   前記収容器内へ供給させた後、前記不活性ガス供給手段
   から不活性ガスを前記収容器内へ供給させることを特徴
   とする基板処理装置。
7. 【請求項７】請求項５に記載の基板処理装置において、 前記収容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手
   段と、 前記収容器内から有機溶剤を排出させるための有機溶剤
   排出手段とをさらに備え、 前記制御手段は、前記有機溶剤供給手段から有機溶剤を
   前記収容器内へ供給させた後、前記有機溶剤排出手段を
   制御して前記収容器内から有機溶剤を排出させ、さらに
   前記不活性ガス供給手段から不活性ガスを前記収容器内
   へ供給させることを特徴とする基板処理装置。