JP2000279898A

JP2000279898A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2000279898A
Application number: JP11091147A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Araki; 浩之荒木
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-03-31
Filing date: 1999-03-31
Publication date: 2000-10-10
Anticipated expiration: 2019-03-31
Also published as: JP3865969B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理液から基板を離脱させるときに基板への
パーティクル付着を低減することができる基板処理装置
を提供する。【解決手段】基板Ｗを保持するリフターアーム３０は
昇降可能とされている。また、処理液を貯留する処理槽
２０自体も槽昇降機構４０によって昇降可能とされてい
る。処理槽２０中への基板Ｗの浸漬は、基板Ｗを保持す
るリフターアーム３０を停止させた状態で、処理槽２０
を上昇させることによって行う。また、処理液から基板
Ｗを離脱させるときには、リフターアーム３０を停止さ
せたまま処理槽２０を降下させる。リフターアーム３０
の昇降に伴う振動が基板Ｗに伝達されることはなく、か
つ処理槽２０から液をオーバーフローさせつつ液面を低
下させることができるため、基板Ｗへのパーティクル付
着を低減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理液中に半導体
基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラ
ス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称
する）を浸漬し、当該処理液からその基板を離脱させる
ことによって所定の処理を行う基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、上記基板の製造工程において
は、フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処
理を順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプ
ロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）等の有
機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基
板処理装置が用いられている。

【０００３】純水から基板を引き出しつつ乾燥処理を行
う手法としては、一般に、引き上げ乾燥および引き下げ
乾燥の２つが知られている。

【０００４】引き上げ乾燥とは、リフタ等に載せられた
基板を処理液から引き上げつつ乾燥処理を行う手法であ
る。すなわち、基板はリフタに載置され、そのリフタに
よって処理槽中の処理液に降下・浸漬される。そして、
浸漬処理（通常は、純水による洗浄処理）が終了後、リ
フタによって基板を処理槽から引き上げつつ、基板の周
辺にＩＰＡを供給し、さらにその後減圧雰囲気とするこ
とによって基板の乾燥処理を行っている。

【０００５】一方、引き下げ乾燥とは、処理槽中の処理
液を排液することによって基板の乾燥処理を行う手法で
ある。すなわち、基板は処理槽中の定位置に不動に保持
されており、その処理槽に処理液が満たされることによ
って浸漬処理が進行する。浸漬処理が終了すると、基板
は定位置に保持されたまま、処理槽中の処理液が排液さ
れ、液面が低下することによって基板が気中に露出され
る。そして、基板の周辺にＩＰＡが供給され、さらにそ
の後減圧雰囲気とすることによって基板の乾燥処理を行
っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、引き上
げ乾燥を行う場合は、リフタによって基板を昇降移動さ
せるため、移動時におけるリフタの駆動部の振動によっ
て基板とリフタとの間で微量の摩擦が生じ、その摩擦に
伴うパーティクル等の汚染物質が発生して基板に付着す
ることがある。このようなリフタ駆動部の振動によって
発生するパーティクルは微量ではあるものの、技術の進
展によって乾燥処理時のパーティクル量が低下し、より
一層の高い清浄度が要求されている近年の状況下におい
ては、そのような微量のパーティクル発生であっても問
題となる。

【０００７】一方、引き下げ乾燥を行う場合は、基板が
移動されることはないためリフタの駆動部の振動に起因
するパーティクルは発生しないものの、処理槽中の液面
の低下にともなってその液面に漂うパーティクルが基板
に付着するという問題が発生する。

【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、処理液から基板を離脱させるときに基板へのパ
ーティクル付着を低減することができる基板処理装置を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、処理液中に基板を浸漬し、当該
処理液から前記基板を離脱させることによって所定の処
理を行う基板処理装置であって、(a) 前記処理液を貯留
する処理槽と、(b) 前記処理槽内に設けられ、前記処理
槽に前記処理液を供給する液供給手段と、(c) 前記基板
を保持する保持手段と、(d) 前記処理槽を上昇させて前
記保持手段に保持された基板を前記処理液中に浸漬させ
ることと、前記処理槽を下降させて前記保持手段に保持
された基板を前記処理液から離脱させることとができる
処理槽昇降手段と、を備えている。

【００１０】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、(e) 前記処理槽の上方
に設けられた開閉自在な開閉部と、前記処理槽と前記開
閉部との間の空間部分を囲んで遮蔽する遮蔽面とを有
し、前記開閉部を閉じているときに、前記処理槽の昇降
状態に応じて体積が変化する閉空間を前記処理槽の上方
に規定する閉空間規定手段と、(f) 前記閉空間を減圧す
る減圧手段と、をさらに備えている。

【００１１】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
にかかる基板処理装置において、(g) 前記閉空間に所定
のガスを供給するガス供給手段、をさらに備えている。

【００１２】また、請求項４の発明は、請求項１から請
求項３のいずれかの発明にかかる基板処理装置におい
て、前記保持手段を昇降させる保持手段昇降手段をさら
に備えている。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１４】＜１．基板処理装置の構成＞まず、本発明
にかかる基板処理装置の構成について説明する。図１
は、基板処理装置の正面図である。また、図２は、基板
処理装置の側面図である。

【００１５】この基板処理装置は、純水中に基板を浸漬
して洗浄を行った後、純水から基板を離脱させて乾燥処
理を行う装置である。基板処理装置は、外槽１０と、処
理槽２０と、リフターアーム３０と、槽昇降機構４０と
を備えている。

【００１６】処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水
（以下、これらを総称して「処理液」とする）を貯留し
て基板に表面処理を行うことが可能な槽であり、外槽１
０の内部に収容されている。処理槽２０の内部には、処
理槽２０に処理液を供給するための液供給ノズル２５を
設けている。液供給ノズル２５は、ベローズ２６を介し
て外槽１０の処理液供給口に接続されている（図２参
照）。さらに、当該処理液供給口は、図外の処理液供給
源に接続されている。従って、処理液供給源から供給さ
れた処理液はベローズ２６を介して液供給ノズル２５に
導かれ、処理槽２０内部に吐出される。

【００１７】また、処理槽２０には、その下部に急速排
液バルブ２７が設けられている。急速排液バルブ２７
は、大口径のバルブであり、開放状態においては処理槽
２０に貯留されている処理液を急速に排液することがで
きる。急速排液バルブ２７は、ベローズ２８を介して外
槽１０の排液口に接続されている。急速排液バルブ２７
から排液された処理液は、ベローズ２８内を流れて外槽
１０の外部に排出される。

【００１８】リフターアーム３０は、外槽１０内におい
て複数の基板Ｗを載置することが可能に設けられてい
る。リフターアーム３０には、３本の保持部３１、３
２、３３が固設されている。３本の保持部３１、３２、
３３のそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板
Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔にて
配列して設けられている。

【００１９】リフターアーム３０は、リフタ３５によっ
て鉛直方向に昇降可能とされている。リフタ３５は、モ
ータ３６とボールネジ３７とで構成されている。ボール
ネジ３７には、リフターアーム３０が螺合されるととも
に、そのボールネジ３７はモータ３６によって回転自在
とされている。モータ３６がボールネジ３７を正または
逆方向に回転させると、それに螺合されているリフター
アーム３０が昇降する。

【００２０】リフターアーム３０が処理位置（図１中の
実線にて示す位置）まで降下された状態においては、外
槽１０の上部が蓋１５によって閉鎖されている。蓋１５
が閉鎖されているときには、蓋１５と外槽１０との隙間
はオーリング１２によってシールされている。一方、リ
フターアーム３０が基板受渡位置（図１中の２点鎖線に
て示す位置）まで上昇しているときは、蓋１５が図示を
省略する蓋開閉機構によって開けられ、外槽１０の上部
が開放されている。

【００２１】本発明にかかる基板処理装置においては、
外槽１０内に処理槽２０を昇降させる槽昇降機構４０を
設けている。槽昇降機構４０は、モータ４１、プーリ４
２、ベルト４３、従動プーリ４４およびボールネジ４５
を備えている。モータ４１に接続されたプーリ４２と、
ボールネジ４５に接続された従動プーリ４４とにはベル
ト４３が掛けられている。モータ４１が正または逆方向
に回転動作を行うと、それに伴ってプーリ４２が回転
し、ベルト４３が回走する。そして、ベルト４３が従動
プーリ４４およびボールネジ４５を回転させる。ボール
ネジ４５には、処理槽２０の槽壁外側に固設されたバス
ホルダ２１が螺合されている。よって、モータ４１の回
転によってボールネジ４５が回転すると、処理槽２０が
昇降することとなるのである。

【００２２】基板Ｗを載置したリフターアーム３０が下
降している状態において、処理液を貯留した処理槽２０
が処理位置（図１中の２点鎖線位置）まで上昇すると、
該処理液中に基板Ｗを浸漬させることができる。そし
て、リフターアーム３０を停止させたまま、処理槽２０
が待機位置（図１中の実線位置）まで下降すると、リフ
ターアーム３０に保持された基板Ｗが処理液から離脱さ
れるのである。

【００２３】また、処理槽２０のバスホルダ２１の上側
には上部ジャバラ１８が設けられている。さらに、バス
ホルダ２１の下側には下部ジャバラ１９が設けられてい
る。上部ジャバラ１８は、バスホルダ２１の上端と外槽
１０の上壁との間に伸縮自在に設けられたシール部材で
ある。蓋１５（開閉部）が閉鎖されている状態において
は、蓋１５、オーリング１２、上部ジャバラ１８（遮蔽
面）、バスホルダ２１によって処理槽２０の上方に閉空
間が形成されている。ここで、上部ジャバラ１８は伸縮
自在であるため、処理槽２０が昇降しても、その動作に
追随して上部ジャバラ１８が伸縮し、当該閉空間の気密
性が維持されるとともに、該閉空間のサイズ（体積）が
増減する。なお、下部ジャバラ１９は、槽昇降機構４０
を処理液の雰囲気から遮断するために設けられた伸縮自
在のシール部材である。

【００２４】バスホルダ２１の一部には排液ベローズ２
２が接続されている。排液ベローズ２２は、処理槽２０
からバスホルダ２１に溢れ出た処理液を装置外部に排出
するための部材である。排液ベローズ２２は、伸縮自在
であるため、処理槽２０が昇降してもその排液機能を喪
失することはない。なお、処理液供給のためのベローズ
２６および急速排液のためのベローズ２８も、処理槽２
０が昇降に追随して自在に伸縮することが可能である。

【００２５】外槽１０の内部であって、上部ジャバラ１
８によって形成される閉空間の内側には、ＩＰＡ・Ｎ₂
供給ノズル５０が配置されている。ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノ
ズル５０は、装置外部のガス供給源から導かれたＩＰ
Ａ、窒素またはそれらの混合ガスを該閉空間に供給する
ガス供給手段である。

【００２６】また、基板処理装置は減圧部６０を備えて
いる。減圧部６０は、吸引ポンプおよびそれに付随する
バルブ等によって構成されており、上部ジャバラ１８に
よって形成される閉空間内を減圧することができる。

【００２７】＜２．基板処理装置の動作＞次に、上記の
構成を有する基板処理装置の動作について図３から図９
を参照しつつ説明する。図３から図９は、基板処理装置
における処理の様子を説明する図である。

【００２８】まず、図外の基板搬送ロボットからリフタ
ーアーム３０に複数の未処理基板Ｗが渡される（図
３）。このときには、蓋１５が開けられて、外槽１０の
上部が開放されており、その開放部分を通過してリフタ
ーアーム３０が基板受渡位置まで上昇している。また、
処理槽２０は槽昇降機構４０によって下降されている。
なお、本実施形態においては、液供給ノズル２５から純
水が供給され処理槽２０内部には純水が貯留されている
ものとする。そして、処理槽２０から溢れ出た純水はバ
スホルダ２１によって回収され、排液ベローズ２２から
外槽１０の外部に排出されている。

【００２９】次に、図４の矢印Ａ１にて示すように、リ
フタ３５がリフターアーム３０を鉛直方向下向きに降下
させる。リフターアーム３０の降下に伴って、それに載
置された基板Ｗも当然に降下する。このときには、処理
槽２０は下方に待機したまま移動しない。なお、処理槽
２０内においては液供給ノズル２５からの純水供給が継
続されており、処理槽２０からは純水が溢れ出し続けて
いる。

【００３０】リフターアーム３０が外槽１０内の所定の
処理位置まで降下すると、蓋１５が閉じられる。蓋１５
が閉じられた時点にて、蓋１５、オーリング１２、上部
ジャバラ１８、バスホルダ２１によって処理槽２０の上
方に閉空間が形成されることとなる。

【００３１】次に、図５の矢印Ａ２にて示すように、槽
昇降機構４０が処理槽２０を鉛直方向上向きに上昇させ
る。このときには、リフターアーム３０が所定の処理位
置にて待機している。また、上述のように、排液ベロー
ズ２２、ベローズ２６およびベローズ２８は、処理槽２
０の上昇に連動して伸縮する。

【００３２】処理槽２０が上昇するのに伴って、リフタ
ーアーム３０に保持された基板Ｗが徐々に処理槽２０中
の純水に浸かる。やがて、処理槽２０が処理位置まで上
昇すると、図５に示すように、基板Ｗの全体が処理槽２
０中の純水に浸漬されることとなる。

【００３３】図５に示すような状態にて液供給ノズル２
５から純水を供給し続けることにより、基板Ｗの水洗処
理が進行する。なお、洗浄処理に供された水は、処理槽
２０から溢れ出た後バスホルダ２１によって回収され、
伸張した排液ベローズ２２から外槽１０の外部に排出さ
れる。

【００３４】基板Ｗの水洗処理が所定時間行われた後、
ＩＰＡのプレパージが行われる（図６）。ＩＰＡのプレ
パージは、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０から上方に向け
てＩＰＡを噴出し、上部ジャバラ１８によって形成され
る閉空間ＳＰ内をＩＰＡ雰囲気とする処理である。

【００３５】このときに、処理槽２０が上昇しているた
め、閉空間ＳＰの容量は小さなものとなる。従って、プ
レパージにおけるＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０からのＩ
ＰＡ供給量を少なくすることができるとともに、供給時
間を短縮することもできるのである。なお、ＩＰＡのプ
レパージが行われているときも液供給ノズル２５からの
純水供給は続けられ、処理槽２０からは純水が溢れ出し
ている。

【００３６】閉空間ＳＰがＩＰＡ雰囲気にて満たされる
と、図７の矢印Ａ３にて示すように、槽昇降機構４０が
処理槽２０を鉛直方向下向きに下降させる。処理槽２０
が下降するのにしたがって、基板Ｗが徐々に処理槽２０
中の純水から離脱され、処理槽２０が元の待機位置まで
下降すると、図７に示すように、基板Ｗの全体が純水か
ら離脱される。処理槽２０の下降段階においては、常に
液供給ノズル２５からの純水供給は続けられ、処理槽２
０からは純水が溢れ出している。

【００３７】また、この段階では、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノ
ズル５０からのＩＰＡ噴出が続行されており、閉空間Ｓ
Ｐ内へのＩＰＡパージが行われている。ＩＰＡ雰囲気中
に露出された基板Ｗの表面にはＩＰＡ蒸気が凝縮し、基
板Ｗに付着した水滴がＩＰＡに置換される。

【００３８】処理槽２０の下降段階においては、リフタ
ーアーム３０は処理位置に待機したまま移動しない。従
って、リフターアーム３０の昇降に伴う振動が基板Ｗに
伝わることはなく、リフタ３５の振動に起因した基板Ｗ
とリフターアーム３０の保持部３１、３２、３３との摩
擦が生じることもない。よって、摩擦によるパーティク
ル発生は防止され、基板Ｗへのパーティクル付着を低減
することができる。

【００３９】また、処理槽２０の下降段階においては、
常に液供給ノズル２５からの純水供給は続けられ、処理
槽２０の上部からは純水が溢れ出しているため、液面に
漂うパーティクルは処理槽２０から溢れ出す純水ととも
に槽外に排出されることとなる。従って、そのような液
面に漂うパーティクルが基板Ｗに付着するのを防止する
ことができる。

【００４０】このように、本発明にかかる基板処理装置
は、槽昇降機構４０によって処理槽２０自体を昇降させ
ることができるため、基板Ｗを保持するリフターアーム
３０を停止させたまま、純水を処理槽２０からオーバー
フローさせつつ処理槽２０（すなわち、液面）を下降さ
せることができ、その結果、基板Ｗへのパーティクル付
着を低減することができるのである。換言すれば、本発
明にかかる基板処理装置は処理槽２０を昇降させること
によって、従来の引き上げ乾燥の利点（処理槽から純水
をオーバーフローさせつつ基板を引き上げられる）と引
き下げ乾燥の利点（基板に振動を与えない）とを巧みに
兼ね備えているのである。

【００４１】処理槽２０が待機位置まで下降し、基板Ｗ
の表面に付着した水滴がＩＰＡに置換されると、液供給
ノズル２５からの純水供給が停止されるとともに急速排
液バルブ２７が開放され、処理槽２０内の純水が急速排
液バルブ２７およびベローズ２８を介して急速排水され
る。また、それと同時に、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０
からは窒素ガスが噴出され（Ｎ₂パージ）、閉空間ＳＰ
内のＩＰＡ雰囲気が窒素雰囲気に置換される。

【００４２】その後、図８の矢印Ａ４にて示すように、
槽昇降機構４０が処理槽２０を鉛直方向上向きに再び上
昇させる。なお、この段階においては、処理槽２０の内
部は排水されて空であり、また、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズ
ル５０からの窒素ガス噴出は停止されている。

【００４３】処理槽２０が処理位置まで上昇した後、減
圧部６０（図１参照）が吸引を開始し、閉空間ＳＰ内を
減圧雰囲気とする。リフターアーム３０に保持された基
板Ｗの周辺が減圧雰囲気となることにより、基板Ｗに付
着していたＩＰＡが蒸発し、基板Ｗの乾燥が促進され
る。

【００４４】このときに、処理槽２０が上昇しているた
め、閉空間ＳＰの容量は小さなものとなる。従って、減
圧段階における減圧部６０の負担を軽減することができ
るとともに、減圧時間を短縮することもできるのであ
る。このことは、既述したＩＰＡ供給時間の短縮と相俟
って、基板処理時間全体の短縮に繋がる。

【００４５】基板Ｗの乾燥が完了すると、再びＩＰＡ・
Ｎ₂供給ノズル５０から窒素ガスが噴出されてＮ₂パージ
が行われる。そして、閉空間ＳＰ内の気圧が大気圧にま
で戻ると、蓋１５が開けられる（図９）。その後、リフ
タ３５がリフターアーム３０を鉛直方向上向きに上昇さ
せ、リフターアーム３０から基板搬送ロボットに基板Ｗ
が渡されて一連の基板処理が終了する。

【００４６】＜３．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態では、処理槽２０
の上方に閉空間を形成するために、伸縮自在のシール部
材たる上部ジャバラ１８を使用していたが、これに限定
されず、図１０のようにしても良い。図１０は、本発明
にかかる基板処理装置の他の例の正面図である。

【００４７】図１０の基板処理装置が、図１に示した基
板処理装置と異なる点は、伸縮自在のシール部材たる上
部ジャバラ１８に代えて、オーリング１６とシール壁１
７を用いている点である。オーリング１６は、バスホル
ダ２１の端部に設けられている。オーリング１６はバス
ホルダ２１とシール壁１７との隙間をシールする（いわ
ゆるオーリングシール）ことができ、シール壁１７に対
して摺動自在とされている。従って、上記実施形態と同
様に、蓋１５が閉鎖されていると、蓋（開閉部）１５、
オーリング１２、オーリング１６、シール壁（遮蔽面）
１７、バスホルダ２１によって処理槽２０の上方に閉空
間が形成される。そして、オーリング１６がシール壁１
７に対して摺動自在となるようにされているため、処理
槽２０の昇降が可能であり、その昇降によっても当該閉
空間の気密性が維持されるとともに、該閉空間のサイズ
（体積）が増減する。なお、残余の点については上記実
施形態の基板処理装置と同じである。

【００４８】よって、図１０の基板処理装置において
も、槽昇降機構４０によって処理槽２０自体を昇降させ
ることができるため、基板Ｗを保持するリフターアーム
３０を停止させたまま、純水をオーバーフローさせつつ
処理槽２０を下降させることができ、基板Ｗへのパーテ
ィクル付着を低減することができる。また、ＩＰＡ供給
段階や減圧段階において、処理槽２０の上方に形成され
た閉空間の容量を小さなものとすることができるため、
ＩＰＡ供給時間や減圧時間を短縮することができる。

【００４９】また、上記実施形態においては、基板Ｗを
保持するリフターアーム３０を停止させたまま、処理槽
２０を昇降させて乾燥処理を行っていたが、リフターア
ーム３０と処理槽２０とを同時に昇降させて乾燥処理を
行うようにしても良い。すなわち、純水による洗浄処理
の終了後、リフターアーム３０を上昇させつつ処理槽２
０を下降させ、基板Ｗを処理槽２０中の純水から離脱さ
せるのである。

【００５０】このようにすると、リフターアーム３０の
昇降に伴う振動が基板Ｗに伝わることは避けられないも
のの、リフターアーム３０と処理槽２０とを同時に昇降
させているため、迅速に基板Ｗを純水から離脱させるこ
とができる。従って、基板Ｗの清浄度よりも乾燥処理時
間の短縮が要求されているような状況下においては、最
適な態様となる。

【００５１】また、上記実施形態においては、リフタ３
５および槽昇降機構４０をモータとボールネジとを用い
て構成していたが、これに限定されるものではなく、例
えば、プーリとベルトを用いた機構としても良く、リフ
タ３５および槽昇降機構４０の高さ位置と昇降速度を制
御可能な機構であればかまわない。

【００５２】さらに、本発明にかかる技術は、１つの処
理槽内にて薬液処理と水洗処理とを行ういわゆるワンバ
スタイプの処理装置にも適用可能であるし、薬液処理お
よび水洗処理を異なる処理槽で行ういわゆる多槽式の処
理装置であっても適用可能である。多槽式の処理装置に
適用する場合は、通常、最終の仕上水洗槽に適用するの
が効果的であるが、他の水洗槽や薬液槽に適用しても良
い。

【００５３】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、処理槽を上昇させて保持手段に保持された基
板を処理液中に浸漬させることと、処理槽を下降させて
保持手段に保持された基板を処理液から離脱させること
とができるため、基板を保持する保持手段を停止させた
まま、処理液を処理槽からオーバーフローさせつつその
処理槽を下降させることができ、処理液から基板を離脱
させるときに基板へのパーティクル付着を低減すること
ができる。

【００５４】また、請求項２の発明によれば、処理槽昇
降手段が処理槽を昇降させることによって、その体積が
変化する閉空間を処理槽の上方に規定する閉空間規定手
段と、閉空間を減圧する減圧手段と、を備えているた
め、減圧手段が閉空間を減圧するときに、その体積を減
少させることができ、減圧手段の負担を軽減するととも
に、減圧時間を短縮することができる。

【００５５】また、請求項３の発明によれば、閉空間に
所定のガスを供給するガス供給手段を備えており、ガス
供給手段が閉空間に所定のガスを供給するときに、閉空
間の体積を減少させることができ、ガス供給量を少なく
することができるとともに、供給時間を短縮することが
できる。

【００５６】また、請求項４の発明によれば、保持手段
を昇降させる保持手段昇降手段を備えているため、保持
手段と処理槽とを同時に昇降させることができ、処理に
要する時間を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる基板処理装置の正面図である。

【図２】図１の基板処理装置の側面図である。

【図３】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図４】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図５】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図６】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図７】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図８】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図９】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図１０】本発明にかかる基板処理装置の他の例の正面
図である。

【符号の説明】

１０外槽１５蓋１６オーリング１７シール壁１８上部ジャバラ２０処理槽２５液供給ノズル３０リフターアーム３５リフタ４０槽昇降機構５０ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル６０減圧部ＳＰ閉空間Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液中に基板を浸漬し、当該処理液か
ら前記基板を離脱させることによって所定の処理を行う
基板処理装置であって、 (a) 前記処理液を貯留する処理槽と、 (b) 前記処理槽内に設けられ、前記処理槽に前記処理液
を供給する液供給手段と、 (c) 前記基板を保持する保持手段と、 (d) 前記処理槽を上昇させて前記保持手段に保持された
基板を前記処理液中に浸漬させることと、前記処理槽を
下降させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液
から離脱させることとができる処理槽昇降手段と、を備
えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置において、 (e) 前記処理槽の上方に設けられた開閉自在な開閉部
と、前記処理槽と前記開閉部との間の空間部分を囲んで
遮蔽する遮蔽面とを有し、前記開閉部を閉じているとき
に、前記処理槽の昇降状態に応じて体積が変化する閉空
間を前記処理槽の上方に規定する閉空間規定手段と、 (f) 前記閉空間を減圧する減圧手段と、をさらに備える
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】請求項２記載の基板処理装置において、 (g) 前記閉空間に所定のガスを供給するガス供給手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】請求項１から請求項３のいずれかに記載
の基板処理装置において、前記保持手段を昇降させる保持手段昇降手段をさらに備
えることを特徴とする基板処理装置。